Структура C2655 транзистора и принцип его работы
Структура транзистора C2655 показана в таблице:
| Слой | Материал |
|---|---|
| Эмиттер | N-типа |
| База | P-типа |
| Коллектор | N-типа |
Принцип работы транзистора C2655 основан на управлении током между эмиттером и коллектором с помощью тока, протекающего через базу. При наличии тока базы, область перехода между базой и коллектором становится прозрачной для электронов, и ток от эмиттера к коллектору усиливается.
Транзистор C2655 имеет следующие технические характеристики:
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение эмиттер-коллектор (VCEO) | 60 В |
| Максимальный коллекторный ток (IC) | 0.5 А |
| Мощность теплоотвода (Pdiss) | 0.9 Вт |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | 70 |
| Предел рабочей частоты (fT) | 40 МГц |
Транзистор C2655 широко применяется в различных устройствах, включая радиоприемники, усилители звука и источники питания.
Схема подключения транзистора C2655
Основные выводы транзистора C2655:
- База (B) — вывод, отвечающий за управление током транзистора
- Эмиттер (E) — вывод, от которого исходит ток, открытый для внешнего контура
- Коллектор (C) — вывод, в котором собирается ток, управляемый базой
Для правильного подключения транзистора C2655 следует использовать следующую схему:
База (B) подключается к источнику управляющего сигнала, такому как микроконтроллер или генератор сигналов. Для обеспечения надежной работы транзистора, на базу следует подключить резистор, который ограничит базовый ток.
Коллектор (C) подключается к нагрузке, такой как лампа, электромагнит или другие потребители тока
Важно учесть, что нагрузка должна быть подключена таким образом, чтобы ток тек через коллектор и нагрузку к питающему напряжению
Эмиттер (E) должен быть подключен к общему «нулю» источника питания, чтобы завершить электрическую цепь.
Таким образом, подключение транзистора C2655 представляет собой базовую схему с общим эмиттером (common emitter), где базовый ток контролирует коллекторный ток.
Применение транзистора C2655
| 1. | Усилительных схемах: | Транзистор C2655 может использоваться в качестве усилителя низкой частоты в различных аудио-видео устройствах, таких как радиоприемники, усилители мощности, телевизоры и др. |
| 2. | Импульсных источников: | Транзистор C2655 можно использовать в схемах конвертеров напряжения, импульсных блоков питания и других схемах, где требуется переключение высоких токов или управление импульсами. |
| 3. | Стабилизаторов тока: | Благодаря своим характеристикам, C2655 прекрасно подходит для использования в схемах стабилизации тока, таких как стабилитроны и токовые источники. |
| 4. | Драйверов: | Так как транзистор C2655 обладает высоким коэффициентом усиления и способностью переключать большие токи, его можно использовать в схемах драйверов различных устройств, например, для управления моторами, светодиодами и прочими электронными компонентами. |
Транзистор C2655 имеет множество применений и может быть использован в различных электронных устройствах и схемах, где требуется работа с низкими частотами, переключение тока и усиление сигнала. С его помощью можно создать эффективные и надежные электронные устройства различного назначения.
Основные характеристики C2655 транзистора
- Тип корпуса: TO-92
- Максимальное смещение коллектора: 50 В
- Максимальное коллекторное напряжение (Vceo): 50 В
- Максимальная мощность (Pc): 0.15 Вт
- Максимальный коллекторный ток (Ic): 0.15 А
- Максимальный коэффициент усиления тока (hfe): 100-300
- Максимальная рабочая температура: 150 °C
- Тип материала базы и коллектора: кремний
- Классификация: NPN транзистор
- Производитель: разные производители C2655 транзисторов
Максимальное смещение коллектора составляет 50 В, что означает, что транзистор может выдерживать коллекторное напряжение до 50 В без повреждения. Максимальная рабочая температура составляет 150 °C, что позволяет использовать транзистор в различных условиях эксплуатации.
C2655 транзистор также обладает высоким коэффициентом усиления тока (hfe), который может быть в диапазоне от 100 до 300. Это означает, что транзистор способен усиливать входной ток в несколько раз, что делает его полезным для усиления сигналов.
Важно отметить, что C2655 транзистор производится различными производителями, поэтому его характеристики и маркировка могут незначительно различаться в зависимости от производителя
2655 vs 2SC3328
In this table, we try to list the electrical specifications of three transistor devices such as C2073, 2SD401, and TIP41F, this listing is really helpful for a better understanding of the devices.
| Characteristics | 2SC2655 | 2SC3328 |
|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | 50V | 80V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | 50V | 80V |
| Emitter to base voltage (VEB) | 5V | 5V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | 0.5V | 0.15 to 0.5V |
| Collector current (IC) | 2A | 2A |
| Power dissipation | 900mW | 900mW |
| Junction temperature (TJ) | -55 to +150°C | -55 to +150°C |
| Transition frequency (FT) | 100MHZ | 100MHZ |
| Gain (hFE) | 40 to 240hFE | 40 to 240hFE |
| Turn ON time | 0.1us | 0.2us |
| Package | TO-92MOD, TO-92NL | TO-92MOD |
Плюсы и минусы использования C2655 транзистора
Недостатки использования C2655 транзистора:
- Отсутствие встроенной защиты. C2655 транзистор не имеет встроенной защиты от перегрузок и коротких замыканий, поэтому может быть поврежден при экстремальных условиях и неправильном подключении.
- Ограниченное использование. C2655 транзистор предназначен для использования в низкочастотных схемах и не подходит для высокочастотных приложений с большой пропускной способностью.
- Требует охлаждения. При высокой нагрузке C2655 транзистор может нагреваться, поэтому требуется обеспечить его эффективное охлаждение для поддержания стабильной работы.
В целом, C2655 транзистор является надежным и доступным по стоимости компонентом, который широко применяется в электронике. Однако перед его использованием необходимо учитывать его ограничения и требования к условиям эксплуатации.
![C2655 transistor: datasheet, pinout, equivalent, uses[faq]](https://pafosklub.ru/wp-content/uploads/a/e/6/ae6e8cc474641699722ce7cf744b3710.jpeg)
Аналоги биполярного транзистора 2SС5586
| Type | Mat | Struct | Pc | Vcb | Vce | Ic | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2SC5586 | Si | NPN | 70,00 | 900,00 | 550,00 | 5,00 | 6,00 | 50,00 | 10,00 | TO3PF |
| H05N50F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 5,00 | 150,00 | 60,00 | ||
| H06N60F | N | MOSFET | 40,00 | 600,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 19,00 | ||
| H07N60F | N | MOSFET | 40,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 19,00 | ||
| H07N65F | N | MOSFET | 48,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 29,00 | ||
| H10N60F | N | MOSFET | 50,00 | 600,00 | 30,00 | 10,00 | 150,00 | 26,00 | ||
| H10N65F | N | MOSFET | 50,00 | 650,00 | 30,00 | 10,00 | 150,00 | 75,00 | ||
| H12N60F | N | MOSFET | 50,00 | 600,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| H12N65F | N | MOSFET | 50,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| HIRF830F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 43589,00 | 150,00 | 46,00 | ||
| HIRF840F | N | MOSFET | 38,00 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | 23,00 | ||
| IPA50R199CP | N | MOSFET | 139,00 | 500,00 | 17,00 | 34,00 | ||||
| MTN12N65FP | N | MOSFET | 51,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | 38,00 | 85,00 | |
| MTN6N65FP | N | MOSFET | 54,00 | 650,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 13,00 | ||
| MTN6N70FP | N | MOSFET | 54,00 | 700,00 | 30,00 | 6,00 | 150,00 | 13,00 | ||
| MTN7N60FP | N | MOSFET | 44,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 37,00 | 40,00 | |
| MTN7N65FP | N | MOSFET | 52,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | 50,00 | ||
| MTN8N50FP | N | MOSFET | 38.5 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | 23,00 | ||
| MTN8N60FP | N | MOSFET | 48,00 | 600,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 37,00 | 40,00 | |
| MTN8N65FP | N | MOSFET | 60,00 | 650,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 70,00 | ||
| MTN8N70FP | N | MOSFET | 60,00 | 700,00 | 30,00 | 43592,00 | 150,00 | 70,00 | ||
| SIF10N60C | N | MOSFET | 156,00 | 600,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF10N65C | N | MOSFET | 156,00 | 650,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF10N70C | N | MOSFET | 157,00 | 700,00 | 20,00 | 10,00 | 150,00 | |||
| SIF12N60C | N | MOSFET | 225,00 | 600,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | |||
| SIF12N65C | N | MOSFET | 225,00 | 650,00 | 30,00 | 12,00 | 150,00 | |||
| SIF13N50C | N | MOSFET | 170,00 | 500,00 | 30,00 | 13,00 | 150,00 | |||
| SIF18N65C | N | MOSFET | 65,00 | 650,00 | 30,00 | 18,00 | 150,00 | |||
| SIF5N50C | N | MOSFET | 74,00 | 500,00 | 30,00 | 5,00 | 150,00 | |||
| SIF7N60C | N | MOSFET | 147,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N60D | N | MOSFET | 147,00 | 600,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N65C | N | MOSFET | 142,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N65D | N | MOSFET | 142,00 | 650,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N70C | N | MOSFET | 147,00 | 700,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF7N80C | N | MOSFET | 167,00 | 800,00 | 30,00 | 7,00 | 150,00 | |||
| SIF8N50C | N | MOSFET | 125,00 | 500,00 | 30,00 | 8,00 | 150,00 | |||
| SIHFI830G | N | MOSFET | 35,00 | 500,00 | 20,00 | 4,00 | 43468,00 | 150,00 | 38,00 | 16,00 |
| SPA04N80C3 | N | MOSFET | 38,00 | 800,00 | 4,00 | 23,00 | ||||
| SPA06N80C3 | N | MOSFET | 39,00 | 800,00 | 6,00 | 31,00 | ||||
| STF12N50M2 | N | MOSFET | 85,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 10,00 | 150,00 | 15,00 | 43595,00 |
| STF30NM50N | N | MOSFET | 40,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 27,00 | 150,00 | ||
| STF8NM50N | N | MOSFET | 45,00 | 500,00 | 25,00 | 4,00 | 5,00 | 150,00 | ||
| STP9NB50FP | N | MOSFET | 40,00 | 500,00 | 30,00 | 43712,00 | 150,00 | 11,00 |
Bipolar transistor, NPN, 900 V, 5 A, 70 W
Биполярный транзистор, NPN, 900 В, 5 А, 70 Вт
2655/ 2SC2655 transistor electrical specification description/ application
In this section we try to include the 2655 transistor electrical specifications, this explanation is really helpful for a better understanding of this device and it is useful for the replacement process.
Voltage specs
The terminal voltage specs of the 2SC2655 transistor are collector to base voltage is 50V, collector to emitter voltage is 50V, and emitter to base voltage is 5V.
The collector to emitter saturation voltage is 0.5V, it is the voltage value of region switching of 2655 transistor.
The overall voltage specifications of the 2655 transistor show that it is a low-power transistor that had small applications.
Current specs
The collector current value of 2655 transistor is 2A, which means this transistor only works under load 2Ampere.
The base current value of the 2SC2655 transistor is 0.5A, this is the maximum current value for the base of the transistor.
Overall current specifications of the 2655 transistor show that it is a device mainly used for high power switching and driver applications.
Dissipation specs
The power dissipation of the 2SC2655 transistor is 900mW, it is the power dissipation of the device which is been more related to the package of the transistor.
DC current gain specs
The current gain value of the 2655 transistor is 40 to 240hFE, the gain value of the transistor shows, that it is a device having small amplifier applications.
Junction temperature
The junction temperature of -55 to 150℃, the heat capacity of the transistor is mainly dependent on the capacity of the device.
Description: 2SC2655 BJT TO-92
C2655 Transistor 2SC2655 C2655 NPN 50V 2A Low Power NPN Transistors TO-92L 3Pin Leads Package Bipolar Transistor
2SC2655 is a TO-92L or TO-92MOD package BJT transistor it is having many interesting features in its small size which makes it ideal to use in variety of applications. It is an NPN transistor and having max collector current of 2A that that makes it capable to drive wide variety of electronic components that comes under 2A current.
On the other hand the transistor can also be used as an audio amplifier and capable to provide max audio output of 900mW with maximum DC current gain of 70 to 240. However by some manufacturers these transistors are available in two different gain classifications that can be checked by looking at the alphabet on the transistor below its part number. If the alphabet is “O” then the gain will be 70-120 and if the alphabet is “Y” then the gain will be 120-140.
Moreover the transition frequency of the transistor is 100MHz due to which it can also be used in RF circuits under 100MHz.
Features / Technical Specifications:
- Package Type: TO-92L / TO-92MOD
- Transistor Type: NPN
- Max Collector Current(IC): 2A
- Max Collector-Emitter Voltage (VCE): 50V
- Max Collector-Base Voltage (VCB): 50V
- Max Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Max Collector Dissipation (Pc): 900 MiliWatt
- Max Transition Frequency (fT): 100 MHz
- Minimum & Maximum DC Current Gain (hFE): 70– 240
- Max Storage & Operating temperature Should Be: -55 to +150 Centigrade
Where We Can Use it & How to Use:
2SC2655 can be used in wide variety of general purpose switching and amplification purposes in your applications. If used as a switch it can drive a variety of loads in circuits that falls under 2A. The loads can be high power LEDs, Relays, ICs and many other electronic components.
When used as an audio amplifier it can provide max audio amplification of 900mW due to which it can be used in audio amplifier stages or it can drive a small 1 watt loud speaker directly from a small audio input. It can be used as an amplifier in many types of bell / chimes, mp3 player audio amplification and many other electronic applications where audio amplification of 900mW is required. It can also be used in AM and FM broadcast and receiving applications.
How to Safely Long Run in a Circuit:
For getting long term performance with 2SC2655 transistor always use it atleast 20% below from its maximum ratings. The maximum collector current of the transistor is 2A therefore for safety do not drive load of more than1.6A. The maximum collector-emitter voltage is 50V, for safety do not drive load of more than 40V. The operating and storage of the transistor should not be less than -55 centigrade and more than +150 centigrade.
Package Include:
1 x 2SC2655 2SC 2655 C2655 NPN 50V 2A Low Power NPN Transistors TO-92L Package Bipolar Transistor Silicon Epitaxial Type Transistors
Применение C2655 транзистора в электронике
Основными особенностями C2655 транзистора являются его высокие характеристики и надежность работы. Он обладает сверхнизким обратным током, высокой частотой переключения и хорошими параметрами усиления. Благодаря этим свойствам, транзистор C2655 находит широкое применение в различных устройствах и системах.
Примеры применения транзистора C2655:
1. В усилительных схемах: благодаря высоким параметрам усиления, C2655 активно используется в различных усилительных устройствах, включая усилители звука и усилители сигналов. Он позволяет усилить мощность сигналов и обеспечить качественное воспроизведение звука.
2. В схемах управления: транзистор C2655 может быть использован для управления различными электронными устройствами. Он может управлять электронными ключами, изменять напряжение и обеспечивать плавную регулировку параметров. Также, он применяется для управления светодиодами и иными электронными компонентами.
3. В схемах питания: благодаря своим высоким характеристикам, C2655 может использоваться в схемах питания для обеспечения стабильного питания различных электронных устройств. Он позволяет эффективно регулировать напряжение, подаваемое на устройства, и защищать их от перегрузок.
4. В схемах коммутации: транзистор C2655 может быть использован для коммутации различных сигналов и устройств. Он обеспечивает быстрое и точное переключение сигналов и может использоваться в различных таймерных устройствах, схемах автоматизации и схемах счета.
5. В схемах датчиков: C2655 может быть использован в схемах датчиков для обнаружения и измерения различных физических величин. Он обладает высокой чувствительностью и позволяет точно измерять сигналы и значения.
Транзистор C2655 является одним из наиболее востребованных компонентов в электронике благодаря своим высоким техническим характеристикам и широкому спектру применения в различных схемах и устройствах.
Транзистор С2655: цоколевка и подключение
Цоколевка транзистора С2655 состоит из трех выводов: базы (B), эмиттера (E) и коллектора (C). Правильное подключение проводится следующим образом:
- Вывод B (база) подключается к управляющему сигналу или цепи, через которую управляется усиливающая функция транзистора.
- Вывод E (эмиттер) подключается к общей нулевой точке схемы.
- Вывод C (коллектор) подключается к источнику питания или потребителю сигнала.
Правильное подключение транзистора С2655 важно для его нормальной работы. При неправильном подключении может произойти повреждение транзистора или его неправильное функционирование
Для удобства и безопасности подключения транзистора С2655 рекомендуется использовать специальные клеммники или платы с маркировкой выводов. Это поможет избежать перепутывания подключения и обеспечит более надежную работу устройства.
Транзистор С2655: подробное описание
Транзистор С2655 имеет следующие характеристики:
- Тип: p-n-p;
- Максимальная токовая нагрузка: 1.5 А;
- Максимальная потребляемая мощность: 625 мВт;
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В;
- Максимальная рабочая температура: 150°C;
Транзистор С2655 обладает высоким коэффициентом усиления тока, что делает его идеальным для использования в усилителях сигнала и многих других электрических схемах, где требуется усиление слабого сигнала.
Цоколевка транзистора С2655 имеет следующую конфигурацию:
- Эмиттер (E): Соединен с одним из диодов при создании pn-перехода;
- База (B): Соединен с другим диодом при создании pn-перехода;
- Коллектор (C): Соединен с областью p-типа, которая отделена от общей структуры p-слоем.
Транзисторы С2655 могут быть использованы для различных приложений, включая радиопередатчики, усилители сигнала, устройства плавного управления скоростью и т.д.
Технические характеристики C2655
- Тип корпуса: TO-92
- Ток коллектора: не более 1 А
- Напряжение коллектора-эмиттер: не более 50 В
- Мощность потери постоянного тока: не более 0,8 Вт
- Коэффициент усиления тока: в диапазоне от 70 до 320
- Частота переключения: не менее 150 МГц
- Тип схемы: PNP
- Максимальная рабочая температура: до +150°C
Транзистор C2655 обладает низким уровнем шума и хорошей линейностью передачи сигнала. Он подходит для использования в усилительных схемах, источниках тока и других приложениях, где требуется стабильная работа и надежность. Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор C2655 является популярным выбором в электронной промышленности.