C4468 pdf ( даташит ) - npn transistor

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

2SC4468 Datasheet PDF — Sanken electric

Part Number	2SC4468
Description	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
Manufacturers	Sanken electric
Logo
There is a preview and 2SC4468 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 1 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

2SC4468

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1695)

Application : Audio and General Purpose

sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Symbol
2SC4468
Unit

VCBO 200 V

VCEO

VEBO

Tstg

140
6
10
4
100(Tc=25°C)
150
–55 to +150
V
V
A
A
W
°C
°C

sElectrical Characteristics

(Ta=25°C)
Symbol

ICBO

IEBO

V(BR)CEO

hFE

VCE(sat)

COB

Conditions

VCB=200V

VEB=6V

IC=50mA

VCE=4V, IC=3A

IC=5A, IB=0.5A

VCE=12V, IE=–0.5A

VCB=10V, f=1MHz

2SC4468

10max

140min

50min∗

0.5max

20typ

250typ

Unit

µA

V
V
MHz
pF

∗hFE Rank O(50 to100), P(70 to140), Y(90 to180)

sTypical Switching Characteristics (Common Emitter)

VCC

VBB1

VBB2

IB1

(V) (Ω) (A) (V) (V) (A)

60 12
5 10 –5 0.5

IB2

(A)
–0.5

ton

(µs)

0.24typ

tstg

(µs)

4.32typ

(µs)

0.40typ

External Dimensions MT-100(TO3P)

15.6±0.4

9.6

4.8±0.2

2.0±0.1

a ø3.2±0.1

b
2
3

1.05 +-00..12

0.65
+0.2
-0.1

5.45±0.1

1.4
BCE
Weight : Approx 6.0g
a. Type No.
b. Lot No.

I C– V CE Characteristics (Typical)

10
300mA
200mA
150mA

8 100mA

75mA
6
50mA
4
20mA
2

IB=10mA

0 12 34

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

V CE( s a t ) – I B Characteristics (Typical)

3
2
1

IC=10A

0 0.5 1.0 1.5 2.0

Base Current IB(A)

I C– V BE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

10
8
6
4
2

012

Base-Emittor Voltage VBE(V)

h FE– I C Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

200

h FE– I C Temperature Characteristics (Typical)

300

(VCE=4V)

Typ 125˚C

100
100 25˚C
50
–30˚C
50

θ j-a– t Characteristics

3
1
0.5
20
0.02
0.1 0.5 1

Collector Current IC(A)

5 10
20
0.02
0.1 0.5 1

Collector Current IC(A)

5 10
0.1
1
10 100
Time t(ms)
1000 2000

f T– I E Characteristics (Typical)

(VCE=12V)

40
30
Typ
20
10

–0.02
108
–0.1
–1

Emitter Current IE(A)

–10

Safe Operating Area (Single Pulse)

30
3ms
10

5 DC

1
0.5
Without Heatsink
Natural Cooling
0.1
3 5 10
50 100 200

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Pc–Ta Derating
100
50
Without Heatsink
3.5

0 25 50
75 100 125
Ambient Temperature Ta(˚C)
150

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SC4468 electronic component.

Information	Total 1 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2SC4458 (С4458)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2SC4458 (С4458) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
45000	800	500	7	7000	150	18000000	80	L15/30; M20/40; N30/50

Производитель: SANYO Electric Co., Ltd. Semiconductor Bussiness HeadquatersСфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SC4458 (С4458):
Tf(Fall Time)=0,0000003s.Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
Напряжение эмиттер – база 5 V;
Ток коллектора – 15 А;
Ток коллектора максимальный – 30 А;
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.