Биполярный транзистор FMMT2907A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMMT2907A
Маркировка: 2F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
FMMT2907A
Datasheet (PDF)
6.1. Size:40K diodes fmmt2907.pdf
SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT2907SWITCHING TRANSISTORFMMT2907AISSUE 3 FEBRUARY 1996 . T i i I T T T T EC T T V T I D T I T B T T SOT23 T i i ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT i i II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I
9.1. Size:27K diodes fmmt2484.pdf
SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2484SMALL SIGNAL TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94 T V I V EC T I D T I BSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I
9.2. Size:34K diodes fmmt2369.pdf
SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2369HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORSFMMT2369AISSUE 3 AUGUST 1995 I TI T i i I i i I i i Ii i EC T I D T I T B T T T SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T
Другие транзисторы… FMMT2904
, FMMT2904A
, FMMT2905A
, FMMT2906
, FMMT2906A
, FMMT2906AR
, FMMT2906R
, FMMT2907
, BC546
, FMMT2907AR
, FMMT2907R
, FMMT3053
, FMMT3053A
, FMMT3250
, FMMT3250A
, FMMT3251
, FMMT3251A
.
Модификации и маркировка транзистора S8050
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| GS8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 45 | TO-92 | — |
| GSTSS8050 | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| MPS8050 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| S8050A/B/C/D/G | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8/0,5 | 150 | 100/150 | 9 | 85…300 | TO-92 | — |
| S8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | — | 85 | TO-92 | — |
| SPS8050 | 0,625 | 15 | 12 | 6,5 | 1,5 | 150 | 260 | 5 | 200 | TO-92 | — |
| SS8050/C/D/G | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85…400 | TO-92 | — |
| SS8050T | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| STS8050 | 0,625 | 30 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 120 | 19 | 85 | TO-92 | — |
| Транзисторы исполнения SMD и их маркировка | |||||||||||
| MMSS8050W-H/J/L | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 15 | 120…400 | SOT-323 | Y1 |
| S8050W | 0,25 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | SOT-323 | Y1 |
| SS8050W | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-323 | Y1 |
| GSTSS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 100 | SOT-23 | 1HA |
| MMSS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120…350 | SOT-23 | Y1 |
| MPS8050S | 0,35 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | — | 85 | SOT-23 | — |
| MPS8050SC | 0,35 | 40 | 25 | 5 | 1,2 | 150 | 150 | — | 85…300 | SOT-23 | — |
| MS8050-H/L | 0,2 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 80…300 | SOT-23 | Y11 |
| S8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | — |
| S8050M-/B/C/D | 0,45 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85…300 | SOT-23 | HY3B/C/D |
| SS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | KEY |
| KST8050D | 0,25 | 50 | 50 | 6 | 1,2 | 150 | 100 | — | 100…320 | SOT-23 | Y1C, Y1D |
| KST8050M | 0,3 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | 40…400 | SOT-23 | Y11 |
| KST8050X | 0,3 | 40 | 20 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 20 | 40…350 | SOT-23 | Y1+ |
| KST9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200…400 | SOT-23 | J3 |
| KST9013C | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 40…200 | SOT-23 | J3Y |
| S8050LT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| MMS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…350 | SOT-23 | J3Y |
| DMBT8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| KST8050S | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 50…400 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304S | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 50 | 10 | 20…800 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304 | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 60 | — | 20…1000 | SOT-23 | J3Y или MAX |
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».
↑ Печатная плата
Здравствуй, читатель! Меня зовут Игорь, мне 45, я сибиряк и заядлый электронщик-любитель. Я придумал, создал и содержу этот замечательный сайт с 2006 года. Уже более 10 лет наш журнал существует только на мои средства.
— Спасибо за внимание! Игорь Котов, главный редактор журнала «Датагор»
Купил китайскую плату усилителя в комплекте при слали транзисторы toshiba TTA1943 TTC5200 включил начал проверять два из 28 сгорело… посмотрел темы с похожими проблемами однозначного ответа нет. слышал что подобные транзисторы частенько поделывают. а можно ли подобрать аналогичные и где в каком магазине не нарваться на фуфло?
еще продавцы при покупке данной платы предлагают выбор между-toshiba TTA1943 TTC5200, toshiba 2SA1943 2sc5200 и NJW0281 NJW0302…
В подобном готовом усилителе видел такие — NJW21194/NJW21193, но опять же не факт что будет оригинал (( https://ru.aliexpress.com/item/SASION-PH-2030-450W-2-4ohm-Professional-Power-Amplifier-AMP-Disco-DJ-Stage-KTV-Amplifier-Best/32631918738.html?spm=2114.30010708.3.105.8D1Qpq&ws_ab_test=searchweb201556_8,searchweb201602_1_10034_10033_507_508_10020_10017_10005_10006_10021_10022_10009_10008_10018_10019,searchweb201603_2&bts >
20кГц) Суммарный коэффициент гармонических искажений: 200 Перекрестные помехи между каналами: 1 кГц: -76 дБ / 20кГц: -58dB Входной импеданс: 20 кОм (симметричный) / 10 кОм (несимметричный) Чувствительность входа: 25 В / 4 Ω Номинальная мощность slurcocks размер и плата усилителя размер: 143 * 78мм; 305 * 78мм
FMMT2907A Datasheet PDF — ETC
| Part Number | FMMT2907A | |
| Description | SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR | |
| Manufacturers | ETC | |
| Logo | ||
|
There is a preview and FMMT2907A download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 2 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
SOT23 PNP SILICON PLANAR ISSUE 3 FEBRUARY 1996 7 FEATURES Power Dissipation at Tamb=25°C Operating and Storage Temperature Range VCBO VCEO VEBO IC Ptot Tj:Tstg B ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated). PARAMETER V(BR)CBO -40 Breakdown Voltage V IC=-10µA, IE=0 Collector-Emitter V(BR)CEO -60 -60 V IC=-10mA, IB=0* Breakdown Voltage V(BR)EBO Breakdown Voltage V IE=-10µA, IC=0 Collector-Emitter ICEX -50 -50 nA VCE=-30V, VBE=-0.5V Collector Cut-Off ICBO Base Cut-Off Current IB Collector-Emitter VCE(sat) Saturation Voltage VBE(sat) Saturation Voltage hFE Transition fT -20 -10 nA VCB=-50V, IE=0 -20 -10 µA VCB=-50V, IE=0, Tamb=150°C -50 -50 nA VCE=-30V, VBE=-0.5V -0.4 IC=-150mA, IB=-15mA* -1.6 IC=-500mA, IB=-50mA* -1.3 IC=-150mA, IB=-15mA* -2.6 IC=-500mA, IB=-50mA* 35 75 IC=-0.1mA, VCE=-10V IC=-1mA, VCE=-10V IC=-10mA, VCE=-10V IC=-150mA, VCE=-10V* IC=-500mA, VCE=-10V* 200 200 MHz IC=-50mA, VCE=-20V f=100MHz *Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2% PAGE NUMBER |
|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for FMMT2907A electronic component. |
| Information | Total 2 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5087
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора:
2N5087
Datasheet (PDF)
..1. Size:434K motorola 2n5086 2n5087.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123
..2. Size:49K philips 2n5087 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1
..3. Size:100K fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf
2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect
..4. Size:60K central 2n5086 2n5087.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..5. Size:1285K sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf
0.1. Size:300K motorola 2n5087rev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT
0.2. Size:155K onsemi 2n5087-d.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.3. Size:156K onsemi 2n5087g.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.4. Size:156K onsemi 2n5087rlrag.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.5. Size:49K hsmc h2n5087.pdf
Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..
Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.
Справочник радиолюбителя
Краткая справочная таблица по маркировкам наиболее распространенных SMD транзисторов- название и примерные аналоги.
Внимание: таблица крайне усеченная, если Вас интересует более подробная информация (параметры, даташиты), то заходите НА ЭТУ СТРАНИЦУ
| Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Примерный аналог |
| 15 | MMBT3960 | 2N3960 |
| 1A | BC846A | BC546A |
| 1B | BC846B | BC546B |
| 1C | MMBTA20 | MPSA20 |
| 1D | BC846 | — |
| 1E | BC847A | BC547A |
| 1F | BC847B | BC547B |
| 1G | BC847C | BC547C |
| 1H | BC847 | — |
| 1J | BC848A | BC548A |
| 1K | BC848B | BC548B |
| 1L | BC848C | BC548C |
| 1M | BC848 | — |
| 1P | FMMT2222A | 2N2222A |
| 1T | MMBT3960A | 2N3960A |
| 1X | MMBT930 | — |
| 1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
| 2A | FMMT3906 | 2N3906 |
| 2B | BC849B | BC549B |
| 2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
| 2E | FMMTA93 | — |
| 2F | BC850B | BC550B |
| 2G | BC850C | BC550C |
| 2J | MMBT3640 | 2N3640 |
| 2K | MMBT8598 | — |
| 2M | MMBT404 | — |
| 2N | MMBT404A | — |
| 2T | MMBT4403 | 2N4403 |
| 2W | MMBT8599 | — |
| 2X | MMBT4401 | 2N4401 |
| 3A | BC856A | BC556A |
| 3B | BC856B | BC556B |
| 3D | BC856 | — |
| 3E | BC857A | BC557A |
| 3F | BC857B | BC557B |
| 3G | BC857C | BC557C |
| 3J | BC858A | BC558A |
| 3K | BC858B | BC558B |
| 3L | BC858C | BC558C |
| 3S | MMBT5551 | — |
| 4A | BC859A | BC559A |
| 4B | BC859B | BC559B |
| 4C | BC859C | BC559C |
| 4E | BC860A | BC560A |
| 4F | BC860B | BC560B |
| 4G | BC860C | BC560C |
| 4J | FMMT38A | — |
| 449 | FMMT449 | — |
| 489 | FMMT489 | — |
| 491 | FMMT491 | — |
| 493 | FMMT493 | — |
| 5A | BC807-16 | BC327-16 |
| 5B | BC807-25 | BC327-25 |
| 5C | BC807-40 | BC327-40 |
| 5E | BC808-16 | BC328-16 |
| 5F | BC808-25 | BC328-25 |
| 5G | BC808-40 | BC328-40 |
| 549 | FMMT549 | — |
| 589 | FMMT589 | — |
| 591 | FMMT591 | — |
| 593 | FMMT593 | — |
| 6A | BC817-16 | BC337-16 |
| 6B | BC817-25 | BC337-25 |
| 6C | BC817-40 | BC337-40 |
| 6E | BC818-16 | BC338-16 |
| 6F | BC818-25 | BC338-25 |
| 6G | BC818-40 | BC338-40 |
| 9 | BC849BLT1 | — |
| AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
| AB | BCW60B | — |
| AC | BCW60C | BC548B |
| AD | BCW60D | — |
| AE | BCX52 | — |
| AG | BCX70G | — |
| AH | BCX70H | — |
| AJ | BCX70J | — |
| AK | BCX70K | — |
| AL | MMBTA55 | — |
| AM | BSS64 | 2N3638 |
| AS1 | BST50 | BSR50 |
| B2 | BSV52 | 2N2369A |
| BA | BCW61A | BC635 |
| BB | BCW61B | — |
| BC | BCW61C | — |
| BD | BCW61D | — |
| BE | BCX55 | — |
| BG | BCX71G | — |
| BH | BCX71H | BC639 |
| BJ | BCX71J | — |
| BK | BCX71K | — |
| BN | MMBT3638A | 2N3638A |
| BR2 | BSR31 | 2N4031 |
| C1 | BCW29 | — |
| C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
| C5 | MMBA811C5 | — |
| C6 | MMBA811C6 | — |
| C7 | BCF29 | — |
| C8 | BCF30 | — |
| CE | BSS79B | — |
| CEC | BC869 | BC369 |
| CF | BSS79C | — |
| CH | BSS82B / BSS80B | — |
| CJ | BSS80C | — |
| CM | BSS82C | — |
| D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
| D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
| D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
| D6 | MMBC1622D6 | — |
| D7 | BCF32 | — |
| D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
| DA | BCW67A | — |
| DB | BCW67B | — |
| DC | BCW67C | — |
| DE | BFN18 | — |
| DF | BCW68F | — |
| DG | BCW68G | — |
| DH | BCW68H | — |
| E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
| EA | BCW65A | — |
| EB | BCW65B | — |
| EC | BCW65C | — |
| ED | BCW65C | — |
| EF | BCW66F | — |
| EG | BCW66G | — |
| EH | BCW66H | — |
| F1 | MMBC1009F1 | — |
| F3 | MMBC1009F3 | — |
| FA | BFQ17 | BFW16A |
| FD | BCV26 | MPSA64 |
| FE | BCV46 | MPSA77 |
| FF | BCV27 | MPSA14 |
| FG | BCV47 | MPSA27 |
| GF | BFR92P | — |
| H1 | BCW69 | — |
| H2 | BCW70 | BC557B |
| H3 | BCW89 | — |
| H7 | BCF70 | — |
| K1 | BCW71 | BC547A |
| K2 | BCW72 | BC547B |
| K3 | BCW81 | — |
| K4 | BCW71R | — |
| K7 | BCV71 | — |
| K8 | BCV72 | — |
| K9 | BCF81 | — |
| L1 | BSS65 | — |
| L2 | BSS70 | — |
| L3 | MMBC1323L3 | — |
| L4 | MMBC1623L4 | — |
| L5 | MMBC1623L5 | — |
| L6 | MMBC1623L6 | — |
| L7 | MMBC1623L7 | — |
| M3 | MMBA812M3 | — |
| M4 | MMBA812M4 | — |
| M5 | MMBA812M5 | — |
| M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
| M7 | MMBA812M7 | — |
| O2 | BST82 | — |
| P1 | BFR92 | BFR90 |
| P2 | BFR92A | BFR90 |
| P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
| Q3 | MMBC1321Q3 | — |
| Q4 | MMBC1321Q4 | — |
| Q5 | MMBC1321Q5 | — |
| R1 | BFR93 | BFR91 |
| R2 | BFR93A | BFR91 |
| S1A | SMBT3904 | — |
| S1D | SMBTA42 | — |
| S2 | MMBA813S2 | — |
| S2A | SMBT3906 | — |
| S2D | SMBTA92 | — |
| S2F | SMBT2907A | — |
| S3 | MMBA813S3 | — |
| S4 | MMBA813S4 | — |
| T1 | BCX17 | BC327 |
| T2 | BCX18 | — |
| T7 | BSR15 | 2N2907A |
| T8 | BSR16 | 2N2907A |
| U1 | BCX19 | BC337 |
| U2 | BCX20 | — |
| U7 | BSR13 | 2N2222A |
| U8 | BSR14 | 2N2222A |
| U9 | BSR17 | — |
| U92 | BSR17A | 2N3904 |
| Z2V | FMMTA64 | — |
| ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Как подключить транзистор к Ардуино
Для этого занятия нам потребуется:
- плата Arduino Uno / Arduino Nano / Arduino Mega;
- макетная плата;
- 1 биполярный транзистор;
- 1 мотор постоянного тока;
- 2 резистора от 1 до 10 кОм;
- провода «папа-папа» и «папа-мама».
Подключить мотор постоянного тока напрямую к цифровым или аналоговым портам Arduino не получится. Это обусловлено тем, что пины на плате Ардуино не способны выдавать ток более 40 мА. При этом мотору постоянного тока, в зависимости от нагрузки, необходимо сотни миллиампер. Потому и возникает потребность управления электрической цепью высокого напряжения транзистором или Motor Shield L293D.
Схема подключения мотора постоянного тока к Ардуино
Соберите электрическую цепь, как на рисунке выше. Если присмотреться к сборке на макетной плате, то вы заметите, что транзистор играет роль кнопки. Если кнопка замыкает электрическую цепь при нажатии на толкатель, то транзистор начинает пропускать ток при подаче напряжения на базу. Таким образом, мы можем сделать автоматическое или полуавтоматическое управление мотором на Ардуино.
Скетч. Управление мотором через транзистор
void setup() { pinMode(11, OUTPUT); // объявляем пин 13 как выход } void loop() { digitalWrite(11, HIGH); // зажигаем светодиод delay(2000); // ждем 2 секунды digitalWrite(11, LOW); // выключаем светодиод delay(2000); // ждем 2 секунды } Если вы заметили, то это скетч из занятия — Включение светодиода на Ардуино
С точки зрения микропроцессора абсолютно не важно, что подключено к Pin13 — светодиод, транзистор или драйвер светодиодов для Светового меча на Ардуино
Обратите внимание на то, что резистор R1 подтягивает базу транзистора к земле, а резистор R2 служит для защиты порта микроконтроллера от перегрузки
Скетч. Управление мотором от датчика
Скетч управления двигателем постоянного тока на Ардуино можно написать по-другому. Добавим в схему фоторезистор и сделаем автоматическое включение мотора при снижении уровня освещенности в комнате. Можно также использовать датчик уровня жидкости или любой другой датчик. В скетче мы используем операторы if и else для управлением (включением/выключением) мотора постоянного тока.
Управление двигателем постоянного тока на Arduino UNO // Присваиваем имя для аналогового входа A0 #define sensor A0 // Присваиваем имя для значений аналогового входа A0 // unsigned int принимает только положительные числа unsigned int value = 0; void setup() { // Пин 11 с транзистором будет выходом (англ. «output») pinMode(11, OUTPUT); } void loop() { // Считываем значение с фоторезистора на аналоговом входе A0 value = analogRead(sensor); // Если значение value меньше 500, включаем транзистор if (value<500) digitalWrite(9,HIGH); // В противном случае (если value>500), выключаем транзистор if (value>500) digitalWrite(9, LOW); }
Полевые транзисторы
Так же очень распространенные на сегодняшний день компоненты. Их применяют даже чаще, чем биполярные. К примеру, инверторы теперь в основном только с полевыми, то есть биполярные приборы они уже стеснили. И если у вас возникает вопрос, можно ли заменить полевой транзистор биполярным, то ответ будет положительным. Однако в полевом плюсов намного больше, чем в биполярном.
Полевые усилители поглощают энергии намного меньше, чем биполярные, так как полевые управление фокусируют на напряжении и электрическим полем заряда, в то время когда биполярные же держатся на токе базы. Поэтому их предпочитают больше. Полевые транзисторы даже переключаются в разы быстрее, чем биполярные. К тому же они имеют хорошую термоустойчивость. И для того, чтобы переключить направления электрического тока, полевые транзисторы вправе соединяться параллельно и без резисторов, просто нужен драйвер, подходящий для этого.
Если же говорить о замене полевых триодов, то и здесь есть способ поиска их аналогов. В принципе в поиске с биполярными не сильно отличается, можно сказать даже, что будет практически таким же. Но разница небольшая есть: нет той проблемы с передачей тока, как у биполярного транзистора. Нельзя забывать о сток-исток, нужно помнить о запасе.
К тому же у полевого есть такой параметр, как сопротивление открытого канала. Вот от него легко определить, что будет с мощностью, и как она будет рассеиваться
Ну и, конечно же, очень важно рассчитывать это сопротивление открытого канала, так как можно потерять много энергии и напряжении при переходе не будет слишком высоким
Чем можно заменить полевые транзисторы?
Крутизна S также очень важна при поиске аналога. Данный параметр будет показывать состояние тока стока при напряжении затвора. Это позволит определить, сколько понадобится напряжения для коммутации.
Помните, что выбирать важно и исходя от порогового напряжения затвора, если напряжение будет в разы меньше порогового, то нормального функционирования от вашего аналога ждать не придется. Цепь при получении напряжения не получит нужного и вся мощность, точнее ее рассеивание останется на приборе, а для него этого нежелательно, ведь может случиться перегрев. В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса
Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться
В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса. Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться.
Емкость затвора так же очень важна в случае данного предмета
Очень важно, чтобы затвор не был крайне тяжелым, и необходимо помнить об этом при выборе. Будет очень хорошо, если он будет меньше в разы, так как это принесет удобство и легкость в использовании данного механизма. Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом
Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом.
К примеру, сейчас довольно часто меняют IRFP460 на более новую и современную 20N50, так как у него затвор крайне легкий. Опять-таки даташит скажет то же самое, указав на массу схожести, несмотря на преимущество второго.
Зарождение элемента
Германий был обнаружен Клеменсом и Винклером в немецком городе Фрайберг в 1886 году. Существование этого элемента предсказывал Менделеев, установив заранее его атомный вес, равный 71, и плотность 5,5 г/см3.
Вам будет интересно:Как выбирать ЖК-телевизор: описание, характеристики
В начале осени 1885 года шахтер, работавший на серебряном руднике Химмельсфюрст близ Фрайберга, наткнулся на необычную руду. Она была передана Альбину Вейсбаху из близлежащей Горной академии, который подтвердил, что это новый минерал. Он в свою очередь попросил своего коллегу Винклера проанализировать добычу. Винклер обнаружил, что в составе найденного химического элемента находится 75 % серебра, 18 % серы, состав остального 7 %-ного объема находки ученый определить не смог.
Вам будет интересно:Схемы электродвигателя звезда и треугольник: виды подключения, особенности и отличия
К февралю 1886 года он понял, что это новый металлоподобный элемент. Когда были протестированы его свойства, стало ясно, что это недостающий элемент в таблице Менделеева, который располагается ниже кремния. Минерал, из которого он произошел, известен как аргиродит – Ag 8 GeS 6. Спустя несколько десятилетий этот элемент будет выступать основой германиевых транзисторов для звука.
Зарождение нового мира
В то время как Бардин бросил Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил изучение германиевых транзисторов и сверхпроводников в Иллинойском университете), Браттэйн поработал еще некоторое время, а после ушел в педагогику. Шокли основал свою собственную компанию по производству транзисторов и создал уникальное место — Силиконовую долину. Это процветающий район в Калифорнии вокруг Пало-Альто, где находятся крупные корпорации электроники. Двое из его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, основали компанию Intel — крупнейшего в мире производителя микросхем.
Бардин, Браттэйн и Шокли ненадолго воссоединились в 1956 году: за свое открытие они получили высшую в мире научную награду — Нобелевскую премию по физике.
FMMT2907A Datasheet (PDF)
6.1. Size:40K diodes fmmt2907.pdf
SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT2907SWITCHING TRANSISTORFMMT2907AISSUE 3 FEBRUARY 1996 . T i i I T T T T EC T T V T I D T I T B T T SOT23 T i i ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT i i II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I
9.1. Size:27K diodes fmmt2484.pdf
SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2484SMALL SIGNAL TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94 T V I V EC T I D T I BSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I
9.2. Size:34K diodes fmmt2369.pdf
SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2369HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORSFMMT2369AISSUE 3 AUGUST 1995 I TI T i i I i i I i i Ii i EC T I D T I T B T T T SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T