Транзистор c2458: характеристики, особенности, применение

Транзистор 2sc2625

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;

Биполярный транзистор BC547C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Биполярный транзистор 2SC2458 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2458

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: U29-3

2SC2458
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  toshiba 2sc2458.pdf

2SC2458(L) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2458(L) Audio Amplifier Applications Unit: mmLow Noise Audio Amplifier Applications High current capability: IC = 150 mA (max) High DC current gain: h = 70~700 FE Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C Low noise: NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max)

 ..2. Size:506K  jiangsu 2sc2458.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92S Plastic-Encapsulate TransistorsTO 92S 2SC2458 TRANSISTOR (NPN)1. EMITTERFEATURES 2. COLLECTOR High Current Capability3. BASE High DC Current Gain123 Excellent hFE Linearity Complementary to 2SA1048 Equivalent Circuit C2458C2458=Device codeSolid dot = Green molding compound device,

 0.1. Size:340K  toshiba 2sc2458l.pdf

2SC2458(L) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2458(L) Audio Amplifier Applications Unit: mm Low Noise Audio Amplifier Applications High current capability: IC = 150 mA (max) High DC current gain: h = 70~700 FE Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C Low noise: NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max)

 0.2. Size:580K  mcc 2sc2458-gr.pdf

MCC2SC2458-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2458-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/Rohs Compliant («P»Suffix designates NPNCompliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulate Moisture Sensitivity Level 1

 0.3. Size:417K  mcc 2sc2458-y.pdf

MCCMicro Commercial ComponentsTM2SC2458-Y20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/Rohs Compliant («P»Suffix designates NPNCompliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulate Moisture Sensitivity Level 1 Power diss

Другие транзисторы… 2SC245
, 2SC2450
, 2SC2451
, 2SC2452
, 2SC2453
, 2SC2454
, 2SC2455
, 2SC2456
, 2SD1047
, 2SC2458BL
, 2SC2458GR
, 2SC2458L
, 2SC2458LB
, 2SC2458LG
, 2SC2458LO
, 2SC2458LY
, 2SC2458O
.

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC547 транзистором 2N5818; транзистором 2SC828A; транзистором 2SC945; транзистором КТ3102Б;

транзистором GS9022; транзистором 2SC4360; транзистором 2SC3653; транзистором 2SC4363; транзистором 2SC3901; транзистором 2SC4070; транзистором 2SC3655; транзистором 2SC4361; транзистором 2SC3654; транзистором 2SC4048;

Биполярный транзистор BC547B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип Наименование ЭРЭ Зарубежное название
A1 Полевой N-канальный транзистор Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2 Двухзатворный N-канальный полевой транзистор Tetrode, Dual-Gate
A3 Набор N-канальных полевых транзисторов Double MOSFET Transistor Array
B1 Полевой Р-канальный транзистор MOS, GaAs FET, P-Channel
D1 Один диод широкого применения General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2 Два диода широкого применения Dual Diodes
D3 Три диода широкого применения Triple Diodes
D4 Четыре диода широкого применения Bridge, Quad Diodes
E1 Один импульсный диод Rectifier Diode
E2 Два импульсных диода Dual
E3 Три импульсных диода Triple
E4 Четыре импульсных диода Quad
F1 Один диод Шоттки AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2 Два диода Шоттки Dual
F3 Три диода Шоттки Tripple
F4 Четыре диода Шоттки Quad
K1 “Цифровой” транзистор NPN Digital Transistor NPN
K2 Набор “цифровых” транзисторов NPN Double Digital NPN Transistor Array
L1 “Цифровой” транзистор PNP Digital Transistor PNP
L2 Набор “цифровых” транзисторов PNP Double Digital PNP Transistor Array
L3 Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1 Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) AF-Transistor NPN
N2 Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) RF-Transistor NPN
N3 Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) High-Voltage Transistor NPN
N4 “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) Darlington Transistor NPN
N5 Набор транзисторов NPN Double Transistor Array NPN
N6 Малошумящий транзистор NPN Low-Noise Transistor NPN
01 Операционный усилитель Single Operational Amplifier
02 Компаратор Single Differential Comparator
P1 Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) AF-Transistor PNP
P2 Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) RF-Transistor PNP
P3 Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) High-Voltage Transisnor PNP
P4 “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) Darlington Transistor PNP
P5 Набор транзисторов PNP Double Transistor Array PNP
P6 Набор транзисторов PNP, NPN Double Transistor Array PNP-NPN
S1 Один сапрессор Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2 Два сапрессора Dual
T1 Источник опорного напряжения “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2 Стабилизатор напряжения Voltage Regulator
T3 Детектор напряжения Voltage Detector
U1 Усилитель на полевых транзисторах GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2 Усилитель биполярный NPN Si-MMIC NPN, Amplifier
U3 Усилитель биполярный PNP Si-MMIC PNP, Amplifier
V1 Один варикап (варактор) Tuning Diode, Varactor
V2 Два варикапа (варактора) Dual
Z1 Один стабилитрон Zener Diode

Структура транзистора C2458

Полупроводниковая структура транзистора C2458 имеет следующую конфигурацию:

Элемент Материал
База (B) p-тип полупроводник
Эмиттер (E) n-тип полупроводник
Коллектор (C) n-тип полупроводник

Такая структура позволяет транзистору C2458 работать в режиме усиления и коммутации сигналов. Для осуществления усиления транзистора эмиттер-база должны быть прямым pn-переходом, а база-коллектор — обратным pn-переходом.

Структура транзистора C2458 устанавливает его параметры и особенности работы. Наличие трех элементов (базы, эмиттера и коллектора) позволяет использовать его в различных схемах в качестве усилителя, ключа или стабилизатора напряжения.

Транзистор C2458: описание, параметры и особенности

Основные параметры транзистора C2458:

  • Максимальный коллекторный ток (IC max): значение тока, которое транзистор может выдержать без перегрева. Для транзистора C2458 этот параметр составляет X мА.
  • Максимальное коллекторное напряжение (VC max): значение напряжения, которое транзистор может выдержать без пробоя. Для транзистора C2458 этот параметр составляет Y В.
  • Коэффициент усиления по току (hFE): это отношение количества изменения тока в базе к соответствующему изменению коллекторного тока. Для транзистора C2458 этот параметр составляет Z.
  • Мощность потерь (Ptot): максимальная мощность, которую транзистор способен потреблять без перегрева. Для транзистора C2458 этот параметр составляет W Вт.

Транзистор C2458 имеет такие особенности как *универсальность применения*, *высокая надежность* и *широкий диапазон рабочих температур*. Он широко используется в различных электронных устройствах, включая радиоприемники, усилители звука, источники питания и другие.

В заключение можно сказать, что транзистор C2458 является полезным и востребованным компонентом электроники, благодаря своим характеристикам и особенностям.

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение Параметр Значение
VCBO Напряжение коллектор-база, В BC546 80
(UCB max) BC547/550 50
BC548/549 30
VCEO Напряжение коллектор-эмиттер, В BC546 65
(UCE max) BC547/550 45
BC548/549 30
VEBO (UEB max) Напряжение эмиттер-база (обратное), В BC546/547 6
BC548-550 5
IC (ICmax) Ток коллектора, А 0,1
PC (PC max) Рассеиваемая мощность, Вт 0,5
Tj (tjmax) Температура кристалла, °С 150
Tstg Температура хранения, °С -65…+150

Характеристики и работа транзистора c2458

Основными особенностями транзистора c2458 являются:

  1. Маленький размер и низкое энергопотребление, что позволяет использовать его в различных портативных устройствах.
  2. Высокие рабочие характеристики, обеспечивающие стабильную и качественную работу устройств, в которых он применяется.
  3. Широкий диапазон рабочих температур, позволяющий использовать транзистор в различных климатических условиях.
  4. Низкое соотношение сигнал/шум, что обеспечивает высокое качество усиления и передачи сигналов.

Технические характеристики транзистора c2458 следующие:

Параметр Значение
Тип корпуса TO-92
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) 25 В
Максимальный коллекторный ток (Ic) 100 мА
Максимальная мощность (Ptot) 400 мВт
Коэффициент усиления в режиме насыщения (hfe) мин. 100
Максимальная рабочая температура (Tj) 150 °C

Транзистор c2458 может использоваться для построения усилительных цепей, коммутационных схем, генераторов высокой частоты и других электронных устройств. Его применение позволяет получить высокую стабильность и качество работы устройств, а также сэкономить место и энергопотребление благодаря своим компактным размерам и низкому энергопотреблению.

Применение и особенности транзистора c2458

Основное применение транзистора c2458 включает различные усилительные и коммутационные схемы, такие как аудиоусилители, звуковые генераторы, источники питания, радиопередатчики и другие устройства. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая линейность, низкий уровень шума и низкий уровень искажений, он позволяет достичь высокого качества звука.

Транзистор c2458 характеризуется следующими техническими параметрами:

Параметр Значение
Тип транзистора NP-несимметричный
Максимальный коллекторный ток (IC) 150 мА
Максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 60 В
Максимальная мощность потери (PD) 500 мВт
Усиление тока (hFE) 100-300
Частота переключения (fT) 150 МГц

Эти параметры позволяют использовать транзистор c2458 в широком диапазоне приложений, где требуется низкочастотная усилительная или коммутационная функция.

Одной из особенностей транзистора c2458 является его прочная конструкция, которая обеспечивает высокую надежность и долговечность работы. Кроме того, он обладает хорошей теплопроводностью, что позволяет снизить риск перегрева и повысить эффективность работы устройства.

В заключение следует отметить, что транзистор c2458 является важным элементом в современной электронике и активно применяется в различных устройствах. Его высокая производительность, надежность и удобство в использовании делают его идеальным выбором для множества приложений.

BC547A Datasheet (PDF)

0.1. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.2. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, CAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO VdcBC546 653BC547 45EMITTERBC548 30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC546 80BC547 50BC548 30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO 6.0 VdcCASE 2

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Конкурс персональных сайтов среди учителей БСОШ №1.

Admin 11 Апр 2019 Просмотров:453 КОНКУРС САЙТОВ 2019

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:292 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:274 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1005 КОМПЬЮТЕРы

Как в ворде вставить формулу суммы?

Как в ворде вставить формулу суммы? Несмотря на то, что Microsoft Word является текстовым редактором таблицы в нем встречаются довольно часто. А таблицы, как правило, состоят из числовых значений, которые зачастую.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1298 КОМПЬЮТЕРы

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при RБЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

  • напряжение между выводами Б-Э до 4В;
  • ток коллектора до 50мА;
  • мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
  • температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
  • статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

  • граничная частота по H21Э (если UKЭ=10 В и IЭ=5 мА) более 250 МГц;
  • обратные токи: между К-Э (при RБЭ=10 кОм и максимальном UKЭ) до 1 мкА; коллектора (при UKБ=10В) до 1 мкА;
  • возможная емкость перехода на коллекторе-7..9 пФ;
  • статический коэффициент усиления H21Э от 20 до 350.

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

  • большой разброс значений H21Э;
  • в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
  • внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при IК в районе 20…30 мА, в этот момент H21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.

Характеристики основных аналогов

Наименование производителя: 2N5551

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551C

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO92

Наименование производителя: 2N5551CN

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO-92N

Наименование производителя: 2N5551G

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO-92_SOT-89

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: