What is 2sd1414?

Характеристики транзистора tip122, его российские аналоги, datasheet

Технические характеристики D1414

Основные технические характеристики транзистора D1414 приведены в таблице ниже:

Параметр Значение
Тип P-N-P
Максимальное коллекторное напряжение (VCEO) −150 В
Максимальный коллекторный ток (IC) −10 А
Максимальная мощность потери (PC) −25 Вт
Коэффициент усиления по току (hFE) 70−240
Максимальная рабочая температура +150°C

Транзистор D1414 широко используется в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности, источники питания и переключатели. Благодаря высокой мощности и эффективности, он может быть эффективно применен в системах, требующих усиления сигнала и операций с высокими токами и напряжениями.

Транзистор D1414: особенности, характеристики, предназначение

Основные характеристики транзистора D1414 следующие:

  • Максимальная мощность коллектора (Pc): 0,75 Вт;
  • Максимальное напряжение коллектора (Vcbo): 50 В;
  • Максимальное напряжение эмиттера (Vebo): 5 В;
  • Максимальный ток коллектора (Ic): 1 А;
  • Максимальный ток эмиттера (Ie): 0,5 А;
  • Коэффициент усиления тока (hfe): от 80 до 300.

Транзистор D1414 обладает рядом особенностей, благодаря которым находит широкое применение в различных устройствах:

1. Надежность: D1414 обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что позволяет использовать его в длительных и нагруженных режимах.

2. Широкий диапазон рабочих условий: благодаря своим характеристикам, D1414 может работать в широком диапазоне температур и напряжений, что делает его универсальным для разных задач.

3. Удобство в монтаже: благодаря своим компактным размерам, D1414 легко монтируется на печатные платы и может быть использован в различных электронных устройствах.

4. Широкое применение: D1414 находит применение в различных устройствах, таких как усилители, источники питания, стабилизаторы напряжения, схемы управления и т. д.

Транзисторы D1414 могут быть использованы как ключевые элементы для регулирования тока и напряжения в различных электронных схемах. Они являются незаменимой деталью в производстве и модернизации различных электронных устройств.

Если вам необходимо подобрать транзистор для вашего проекта или заменить старую деталь, то транзистор D1414 может быть отличным выбором благодаря своим характеристикам и универсальности.

Применение транзистора D1414

Основное преимущество транзистора D1414 – его малый размер и низкое энергопотребление. Это делает его идеальным для использования в портативных электронных устройствах, таких как мобильные телефоны, ноутбуки и планшеты. Также он широко применяется в радиоприемниках, телевизорах и других аудио- и видеоустройствах.

Транзистор D1414 может использоваться как ключ, регулирующий электрический ток в электрических цепях. Он может быть включен в сигнальные цепи, управляющие преобразователями напряжения и частоты. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор способен работать на высоких частотах, что позволяет использовать его в телекоммуникационных системах и радиотехнике.

Другим важным применением транзистора D1414 является его использование в схемах управления электродвигателями. Благодаря его высокому коэффициенту усиления, он может эффективно управлять мощными двигателями и промышленными устройствами.

Транзистор D1414 также может быть использован в схемах усиления звука. Он может быть включен в усилители, которые используются в аудиосистемах, микрофонных предусилителях, гитарных усилителях и других аудиоустройствах.

В целом, транзистор D1414 является универсальным устройством, которое можно применять в различных электронных схемах. Благодаря своим характеристикам и удобной конструкции, он является незаменимым компонентом многих электронных устройств.

Характеристики Значение
Тип транзистора Полевой
Максимальное напряжение сток-исток (Vds) 60 В
Максимальный ток сток-исток (Id) 0.5 А
Максимальная мощность транзистора (Pd) 2 Вт
Максимальная рабочая температура (Tj) 150 °C

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

  • сетевые адаптеры мобильных устройств;
  • электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
  • электронные трансформаторы;
  • другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

  • этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
  • собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
  • заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Транзистор — устройство, виды, применение

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

Преимущества использования D1414

1. Низкое напряжение переключения

Транзистор D1414 имеет низкое напряжение переключения, что позволяет использовать его в электронных схемах с малыми напряжениями.

2. Высокая частота переключения

Благодаря своим характеристикам, транзистор D1414 обладает высокой частотой переключения. Это позволяет использовать его в схемах, требующих быстрого и точного переключения.

3. Небольшие размеры

Транзистор D1414 имеет компактные размеры, что делает его удобным для установки в ограниченных пространствах

Это особенно важно при разработке миниатюрных устройств и электронных компонентов

4. Низкая стоимость

Отличительной особенностью транзистора D1414 является его низкая стоимость. Это делает его доступным для широкого круга потребителей и позволяет снизить затраты на производство электронных устройств.

5. Совместимость с другими компонентами

Транзистор D1414 совместим с другими электронными компонентами, что позволяет его использование в различных схемах и приложениях. Благодаря этому, он легко интегрируется в уже существующие электронные устройства и системы.

Учитывая вышеперечисленные преимущества, транзистор D1414 является надежным и удобным в использовании компонентом для различных электронных устройств и систем.

Проверка работоспособности КТ315

Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.

Проверка работоспособности КТ361

Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать

Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе

Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).

Characteristics curve of 2SD718 transistor

static characteristics of 2SD718 transistor

The graph show the static characteristics of 2SD718 transistor, graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current values, the collector current increases from lowest value to highest value.

At higher value the collector current increases towards infinity

dc current gain characteristics of 2SD718 transistor

The figure shows the dc current gain characteristics of 2SD718 transistor, the graph plots with DC current gain vs collector current.

At a constant collector to emitter voltage values, the DC gain values starts from a higher value and become constant and decreases towards the end.

D718 electrical specification & application description

Here in this section we try to explain the electrical specifications of 2SD718 transistor.

Voltage specs

The terminal voltage specifications of D718 transistor is collector to emitter voltage is 120V, collector to base voltage is 120V and emitter to base voltage is 5V.

The collector to emitter saturation voltage is 2V, it is the trigger voltage of the device.

The terminal voltage and saturation voltage specifications of 2SD718/ D718 transistor, indicate it is a power transistor.

Current specs

The current specifications of the transistor shows the load capacity, collector current value of D718 transistor is 10A and base current value is 1A.

The pulsed collector value of D718 transistor is 16A, it is the current value at a specific condition.

The current value of the devices shows, it is higher load capacity device having switching and amplifier applications.

Dissipation specs

The dissipation specifications of D718 transistor is 78W, the power dissipation of the device will be from the package.

Current gain specs

The DC current gain value of 2SD718 transistor is 55 to 160hFE, the gain value of the device indicate the amplification capability.

Модификации транзистора D1555

Два производителя из пяти, поставляющих транзисторы с кодом 2SD1555 имеют некоторые отличия в номинальных параметрах, как показано ниже. Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.

Модель PC UCB UCE UEB IC TJ fT CC, pF hFE Корпус Производитель
2SD1555 50 1500 600 5 5 150 3 165 8 TO-3PHIS Inchange Semiconductor
2SD1555 50 1500 600 5 5 150 3 165 8 JMnic
2SD1555 50 1500 600 5 5 150 3 165 8 SavantIC Semiconductor
2SD1555 50 1500 800 5 5 150 3 165 8 TO-3ML TOSHIBA
2SD1555 50 1500 1500 6 5 150 8 2-16E3A Wing Shing Corp.

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

  • Маркировка: D1415B
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220SIS

Аналоги КТ315

У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.

Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.

Мультивибратор на КТ315

Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.

Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).

Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.

Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.

Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.

Рекомендации по выбору транзистора D1414

При выборе транзистора D1414 важно учитывать следующие факторы:

1. Назначение использования. Подбирайте транзистор, исходя из его предназначения, так как разные транзисторы могут иметь разные свойства и характеристики.

2. Параметры транзистора

Обратите внимание на такие характеристики транзистора, как максимальный ток коллектора, максимальное напряжение коллектор-эмиттер и коэффициент усиления. Убедитесь, что эти параметры соответствуют требованиям вашей схемы или проекта

3. Производительность. Выбирайте транзистор от надежных и проверенных производителей. Так вы сможете быть уверены в качестве и надежности выбранного транзистора.

4. Дополнительные функции. При необходимости оцените наличие дополнительных функций, таких как защита от перегрузки или тепловых перегревов. Эти функции могут быть полезными, особенно при работе с высокими нагрузками или в условиях повышенной температуры.

5. Цена. Сравните цены на разные модели транзисторов D1414 от разных производителей для нахождения оптимального соотношения цены и качества.

Следуя этим рекомендациям, вы сможете выбрать подходящий транзистор D1414, который наилучшим образом соответствует вашим требованиям и потребностям.

Графические данные характеристик

Рис. 1. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от тока базы IB при разных коллекторных нагрузках IC. Температура корпуса транзистора TC = 25°C.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от тока коллектора IC.

Зависимость снята в схеме включения транзистора с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и при температуре корпуса TC = 25°C.

Рис. 3. График снижения допустимой мощности рассеяния PC при увеличении температуры корпуса TC транзистора.

Рис. 4. Области безопасной работы транзистора.

Область безопасной работы транзистора ограничена предельным током коллектора IC(MAX), максимальным напряжением коллектор-эмиттер UCE(MAX) и кривой предельной мощности рассеяния PC.

Семейство графиков ограничения области безопасной работы снято при прохождении через транзистор одиночного неповторяющегося импульса тока различной длительности: 50 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс и постоянного тока. Графики этих режимов помечены символом «٭». График режима постоянного тока показан как «DC OPERATION». Семейство графиков снято при температуре корпуса TC = 25°C. При возрастании температуры графики пропорционально смещаются вниз по оси ординат.

Характеристики

Выпускается транзистор различными производителями, как правило, в пластиковом корпусе. В системе JEDEC есть корпус обновлённого типа ТО-225АА. Вы можете скачать datasheet на транзистор BD139.

Изделие с надёжным корпусом имеет цоколевку типа:

  • Эммитер – E;
  • Коллектор – С;
  • База – В.

Транзистор используется при температуре +25 по градусу Цельсия, работает по биполярному принципу, а его корпус без радиатора сделан прочно. Материал корпуса – пластмасса, кристалл используется кремний, проводимость – NPN.

Если покупателю необходимо найти отечественный аналог bd1390, то ниже будет указано, какой подойдёт для применения и считается качественным. Можно сказать, что аналог не уступает конкуренту, поэтому данный вариант будет оптимальным решением.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: