What is c3835?

C3835 Datasheet PDF — Allegro Micro Systems

Part Number	C3835
Description	NPN Transistor — 2SC3835
Manufacturers	Allegro Micro Systems
Logo
There is a preview and C3835 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 1 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! www.DataSheet4U.com 2SC3835 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor) Application : Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol 2SC3835 Unit VCBO 200 V VCEO 120 V VEBO IC IB PC Tj Tstg 8 7(Pulse14) 3 70(Tc=25°C) 150 –55 to +150 V A A W °C °C sElectrical Characteristics Symbol Conditions ICBO VCB=200V IEBO VEB=8V V(BR)CEO IC=50mA hFE VCE=4V, IC=3A VCE(sat) IC=3A, IB=0.3A VBE(sat) IC=3A, IB=0.3A fT VCE=12V, IE=–0.5A COB VCB=10V, f=1MHz (Ta=25°C) 2SC3835 Unit 100max µA 100max µA 120min V 70 to 220 0.5max V 1.2max V 30typ MHz 110typ pF sTypical Switching Characteristics (Common Emitter) VCC RL IC VBB1 VBB2 IB1 (V) (Ω) (A) (V) (V) (A) 50 16.7 3 10 –5 0.3 IB2 (A) –0.6 ton (µs) 0.5max tstg (µs) 3.0max tf (µs) 0.5max External Dimensions MT-100(TO3P) 15.6±0.4 9.6 4.8±0.2 2.0±0.1 a ø3.2±0.1 b 2 3 1.05 +0.2 -0.1 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 5.45±0.1 1.4 BCE Weight : Approx 6.0g a. Type No. b. Lot No. I C– V CE Characteristics (Typical) 7 200mA 150mA 6 100mA 5 60mA 4 40mA 3 20mA 2 IB=10mA 1 01 234 Collector-Emitter Voltage VCE(V) V CE( s a t ) – I B Characteristics (Typical) 2.6 2 1 0.005 0.01 0.05 0.1 Base Current IB(A) 0.5 1 I C– V BE Temperature Characteristics (Typical) (VCE=4V) 7 6 5 4 3 2 1 0 0.5 1.0 1.1 Base-Emittor Voltage VBE(V) h FE– I C Characteristics (Typical) (VCE=4V) 200 Typ 100 50 h FE– I C Temperature Characteristics (Typical) 300 125˚C (VCE=4V) 25˚C 100 –30˚C 50 θ j-a– t Characteristics 5 1 20 0.02 0.1 0.5 1 Collector Current IC(A) 57 20 0.01 0.05 0.1 0.5 1 Collector Current IC(A) 0.5 0.4 57 1 10 100 Time t(ms) 1000 2000 f T– I E Characteristics (Typical) (VCE=12V) 30 20 10 –0.01 –0.05 –0.1 –0.5 –1 Emitter Current IE(A) –5 Safe Operating Area (Single Pulse) 20 100µs 10 5 1 0.5 0.1 0.05 5 Without Heatsink Natural Cooling 10 50 120 200 Collector-Emitter Voltage VCE(V) Pc–Ta Derating 70 60 50 40 30 20 10 Without Heatsink 3.5 0 25 50 75 100 125 Ambient Temperature Ta(˚C) 150 75

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C3835 electronic component.

Information	Total 1 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. 3A, NPN, Equivalent, 2SC3835 Transistor
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Транзистор КТ835 — DataSheet

Параметр
Обозначение
Маркировка
Условия
Значение
Ед. изм.
Аналог

КТ835А

2SB906, MJE370K *1, MJE370 *1

КТ835Б

BD434, 41501 *2, BD196 *3, 2N6110, 2N6111
Структура

 —
p-n-p

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
P_K max,P*_{K, τ max},P**_{K, и max}
КТ835А
—
25*
Вт

КТ835Б
—
25*

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр, f*_h31б, f**_h31э, f***_max
КТ835А
—
≥1
МГц

КТ835Б
—
≥1

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб. ,} U*_{КЭR проб.,} U**_{КЭО проб.}
КТ835А
—
30
В

КТ835Б
—
45

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

U_{ЭБО проб.,} 
КТ835А
—
4
В
КТ835Б
—
4

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ835А
—
3
А

КТ835Б
—
7.5

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ835А
30 В
≤0. 1
мА
КТ835Б
45 В
≤0.15

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
КТ835А
1 В; 1 А

≥25*

КТ835Б
5 В; 2 А
10…100*

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
КТ835А
10 В
≤800
пФ

КТ835Б
10 В
≤800

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ835А
—
≤0.35
Ом, дБ

КТ835Б
—
≤0.8

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ835А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ835Б
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***_пк(нс)
КТ835А
—
—
пс

КТ835Б
—
—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите

Ctrl+Enter.

Что такое транзистор C3835?

Главное предназначение транзистора C3835 — управление электрическими сигналами с помощью приложенного напряжения. При поступлении определенного напряжения на базу транзистора, он может усилить текущий сигнал и вывести его через коллектор. Таким образом, транзистор C3835 позволяет контролировать поток электричества и использовать его для различных целей.

Транзистор C3835 обладает различными техническими характеристиками, включая максимальное напряжение и максимальную мощность, которые он может выдерживать

Важно учитывать эти параметры при использовании транзистора C3835 в различных схемах и устройствах. Инструкция по проверке транзистора C3835 может помочь определить его работоспособность и выявить возможные проблемы

Вывод	Обозначение	Назначение
Эмиттер (E)	Э	Вывод, через который транзистор C3835 отводит электрический ток
База (B)	Б	Вывод, через который транзистор C3835 принимает управляющий сигнал
Коллектор (C)	К	Вывод, через который транзистор C3835 выдает усиленный сигнал

Как проверить транзистор C3835 мультиметром?

Вот простая инструкция по проверке транзистора C3835 с помощью мультиметра:

1. Установите мультиметр в режим проверки диода (обычно это режим «Diod» или «Diode»).
2. Подключите красный зажим мультиметра к базе транзистора (это нога 1), а черный зажим – к коллектору (нога 3).
3. Посмотрите на значение, показанное на мультиметре. Если оно близко к нулю или очень низкое, то транзистор работоспособен.
4. Если значение на мультиметре сильно отличается от нуля или бесконечности, это может свидетельствовать о неисправности транзистора.

Используя такой простой способ проверки, вы можете быстро определить работоспособность транзистора C3835 и принять решение о его замене, если это необходимо.

Какие инструменты и приборы понадобятся для проверки?

Для проверки транзистора C3835 вам понадобятся следующие инструменты и приборы:

• Мультиметр: Прибор, который позволяет измерять различные параметры электронных компонентов, включая транзисторы. Необходимо настроить мультиметр на режим проверки транзисторов.
• Схема подключения: Обычно проверка транзисторов осуществляется по определенным схемам подключения, которые показывают, какие выводы транзистора нужно подключить к мультиметру и в каком порядке.
• Паяльник и припой: При необходимости может потребоваться разборка или замена транзистора, для чего понадобятся паяльник и припой.
• Руководство по эксплуатации: В случае, если у вас есть конкретная модель транзистора, полезно иметь руководство по эксплуатации, где есть информация о проверке данного транзистора.

Правильное использование инструментов и приборов, а также следование указаниям схемы подключения и руководства по эксплуатации поможет вам провести проверку транзистора C3835.

Как проанализировать результаты проверки транзистора C3835?

После проведения проверки транзистора C3835 можно проанализировать результаты и определить его состояние. Вот некоторые советы:

1. Проверьте соответствие значений параметров транзистора с его техническими характеристиками

Обратите внимание на значения тока, напряжения и коэффициента усиления

2. Сравните результаты с нормальными значениями. Если значения параметров отличаются от допустимых пределов, это может указывать на неисправность транзистора.

3

Обратите внимание на показания тестера или прибора, которым проводилась проверка. Если они указывают на низкую проводимость или другие неправильные значения, это может говорить о неисправности транзистора

4. Проанализируйте результаты проверки с учетом видимых физических повреждений транзистора. Если транзистор имеет трещины, обгоревшие детали или другие видимые повреждения, это может указывать на его неисправность.

5. При необходимости сравните результаты с другими транзисторами такой же модели. Если значения параметров сильно отличаются, это может свидетельствовать о неисправности именно этого транзистора.

Внимательный и детальный анализ результатов проверки транзистора C3835 поможет вам определить его состояние и принять правильное решение о замене или ремонте.

Биполярный транзистор 2SC3835 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3835

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SC3835
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  utc 2sc3835.pdf

UTC 2SC3835 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCH NPN TRANSISTOR APLLICATION *Humidifier,DC-DC converter,and general purpose. 1TO-3PN1: BASE 2:COLLECTOR 3: EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C) PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 200 VCollector-Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter-Base Voltage VEBO 8 VBase Current IB 3 ACollector Current 7 A

 ..2. Size:117K  jmnic 2sc3835.pdf

Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistor 2SC3835 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V (Min) Good Linearity of hFE APPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBO

 ..3. Size:28K  sanken-ele 2sc3835.pdf

2SC3835Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor)Application : Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-100(TO3P)Symbol Ratings UnitUnit Symbol Conditions Ratings0.24.80.415.6VCBO 200 VCB=200V 100max A 0.1V ICBO9.6 2.0VCEO 120 IEBO

 ..4. Size:222K  inchange semiconductor 2sc3835.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3835DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@ I =3ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V (Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in humidifier , DC/DC converter andgeneral purpose appl

 0.1. Size:1285K  cn sps 2sc3835t4tl.pdf

2SC3835T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@ I =3ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V (Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEAPPLICATIONSDesigned for use in humidifier , DC/DC converter andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collec

 0.2. Size:132K  cn sptech 2sc3835o 2sc3835y 2sc3835g.pdf

 0.3. Size:312K  inchange semiconductor 2sc3835g.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3835G DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V (Min) Good Linearity of hFEAPPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы… 2SC382G
, 2SC382R
, 2SC383
, 2SC3830
, 2SC3831
, 2SC3832
, 2SC3833
, 2SC3834
, D667
, 2SC3836
, 2SC3837
, 2SC3838
, 2SC3839
, 2SC384
, 2SC3840
, 2SC3841
, 2SC3842
.

комплектующие для ноутбуков, кабель сетевой, полевой транзистор

Наведите курсор, чтобы увеличить

Код товара 681

• Цена:

  199,26 грн В наличии

  Купить

• Количество:

  –
  +

• Общая стоимость:

• КУПИТЬ

  Пример: +38 084 1112246
  Купить в 1 клик

  Написать продавцу

  +38 (068) 87337XX

  Показать телефоны

Способы оплаты:

Наличные, Безналичный, Наложенный платеж.

Способы доставки:
Самовывоз, Доставка Укрпочтой, Новая Почта, Новая Почта (курьерська доставка), Укрпочта

Условия возврата и обмена

Описание 2SA1695+C4468 демонтаж, оригинал

2SA1695+C4468 Деталь выпаяна с платы брендового устройства, 100% оригинал.

Написать отзыв
Отзывы(0) :
2SA1695+C4468 демонтаж, оригинал

Сайты поиска технических данных для полупроводников

Что такое техническое описание?

Спецификация представляет собой своего рода руководство по полупроводниковым, интегрированным схемам . Спецификация — это документ, напечатанный или электронный, в котором содержится подробная информация о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программа. Техническое описание включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.

Как читать техническое описание

Чтение технического описания может оказаться сложной задачей, особенно если вы не знакомы с терминологией и символами, используемыми в документе. Однако, немного попрактиковавшись, вы сможете быстро научиться ориентироваться в таблицах данных и понимать их. Вот несколько советов по чтению технического описания:

1.

2. Знакомство с выводами. Схема выводов является одной из наиболее важных частей таблицы данных, поскольку она показывает, как компонент подключается к другим компонентам в цепи.

3. Проверьте электрические характеристики. В разделе электрических характеристик содержится информация о напряжении, токе, рассеиваемой мощности и других электрических характеристиках компонента.

4. Содержимое файла обычно содержит детали, упаковки, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.

Раньше она распространялась в виде книги, называемой книгой данных, но теперь она доступна в виде файла PDF. Обычно предоставляется в виде PDF-файла. Как правило, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверить последние таблицы данных.

Тем не менее рекомендую свериться со спецификацией за тот период времени, когда вам известен год производства деталей, которыми вы владеете.

Сайты ссылок

1. Сайт с техническими данными предоставлен магазином полупроводников

• https://www.arrow.com/
• https://www.digikey.com/
• https://www.mouser.com/
• http://www.element14.com/
• https://www.verical.com/
• http://www.chip1stop.com/
• https://www.avnet.com/
• http://www.newark.com/
• http://www.futureelectronics.com/
• https://www.ttiinc.com/

2. Datasheet Search Site Collection

• http://www.datasheet39.com/
• http://www.datasheet4u.com/
• http://www.datasheetcatalog.com/
• http://www.alldatasheet.com/
• http://www.icpdf.com/
• http://www.htmldatasheet.com/
• http://www.datasheets360.com/
• https://octopart.com/

Преимущества использования транзистора C3835

Одним из основных преимуществ транзистора C3835 является его высокая мощность. Благодаря этому он может эффективно работать с большими токами и напряжениями, что делает его идеальным выбором для использования в мощных электронных устройствах.

Также транзистор C3835 обладает низким сопротивлением включения и выключения, что позволяет ему быстро и точно реагировать на изменения сигнала

Это особенно важно при использовании транзистора в схемах усилителей и переключателей, где каждая наносекунда имеет значение

Другим важным преимуществом транзистора C3835 является его высокая надежность и долговечность. Он устойчив к перепадам температур и воздействию влаги, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации.

Наконец, транзистор C3835 имеет относительно низкую стоимость. Благодаря этому он доступен для широкого круга потребителей и может использоваться в различных сферах, от промышленности до бытовых устройств.

В целом, использование транзистора C3835 позволяет достичь высоких результатов в различных электронных схемах и устройствах благодаря его мощности, быстродействию, надежности и доступности.

Характеристики

Технические свойства этого биполярника на удивление хороши, даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в даташит современного производителя КТ315, представлена только основная информация. В них не найти графиков, отражающих поведение устройство в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие подобные устройства от зарубежных производителей.

Максимальные характеристики

Максимальные значения допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток коллектора может достигать уровня в 100 мА, а рабочая частота у некоторых экземпляров превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ2xx/3xx, даже имея металлический корпус, не могли похвастаться такими показателями. КТ315 был долгое время своеобразным техническим лидером, пока ему на смену не пришёл усовершенствованный КТ3102. Рассмотрим максимально допустимые электрические режимы эксплуатации КТ315, в корпусе ТО-92, белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения таких приборов присутствует цифра «1».

Основные электрические параметры

Будьте внимательны, несмотря на свои достаточно хорошие характеристики, КТ315 не может конкурировать с современными устройствами по некоторым параметрам. Так у современной серии КТ315, как и 50 лет назад, относительно небольшой диапазон рабочих температур от — 45 до + 100°C. А коэффициент шума (К_Ш) достигает 40 Дб, что уже много для современного устройства, предназначенного для усиления в низкочастотных трактах.

Классификация

Кроме основных параметров, в техническом описании можно найти распределение устройств по группам. Таблица классификации дает представление о параметрах всей серии КТ315. Используя её можно подобрать нужное устройство, путем сравнения основных характеристик всей серии.

Комплементарная пара

У КТ315 имеется комплементарная пара – КТ361. Эти устройства довольно часто применялись вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное применение данной пары безусловно вошло в историю российской электроники.

Полезные советы при проверке транзистора C3835

Проверка транзистора C3835 может понадобиться, если вы подозреваете его неисправность или при производстве электронных устройств. Вот некоторые полезные советы, которые помогут вам провести проверку:

1. Проверьте наличие физических повреждений: начните с осмотром транзистора. Убедитесь, что корпус не имеет трещин или гнутостей. Также проверьте выводы – они не должны быть исказлены или сломаны.

2. Определите тип выводов: транзисторы могут иметь различные типы выводов, такие как TO-92, TO-220, SOT-23 и другие. Убедитесь, что вы знаете, с каким типом транзистора вы имеете дело.

3. Используйте мультиметр для измерения параметров: мультиметр – это инструмент, который может измерять различные параметры транзистора, такие как ток коллектора-эмиттера (IC), ток базы-эмиттера (IB) и напряжение коллектора-эмиттера (VCE). Используйте соответствующие режимы измерения и проверьте значения справочной таблицей.

4. Проверьте на предельное напряжение и токи: транзисторы имеют ограничения на максимальные значения напряжения и тока. Убедитесь, что значения напряжения VCE и тока IC не превышают предельные значения, указанные в даташите на транзистор C3835.

5. Сравните с даташитом: обратитесь к даташиту на транзистор C3835 и сравните измеренные значения с указанными в даташите. Если значения отличаются значительно, это может свидетельствовать о неисправности транзистора.

Помните, что проверка транзистора C3835 требует осторожности и знаний в области электроники. Если вы не уверены в своих навыках, лучше обратиться к специалисту

Драйвер полевого транзистора

Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзистору
между стоком и землёй, то решение есть. Можно использовать готовую
микросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзистор
сверху.

Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч (например,
IR2151) для построения двухтактной схемы, но для простого включения
нагрузки это не требуется. Это нужно, если нагрузку нельзя оставлять
«висеть в воздухе», а требуется обязательно подтягивать к земле.

Рассмотрим схему драйвера верхнего плеча на примере IR2117.

Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболее
эффективно использовать транзистор.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

1. горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
2. участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
3. участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
4. вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

• непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
• токи и напряжения на интервале включения (t_on) не превышают ограничений ОБР;
• токи и напряжения на интервале выключения (t_stg + t_f) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

Принцип работы транзистора C3835

Когда на базу транзистора подается управляющий сигнал, он либо пропускает, либо блокирует ток между коллектором и эмиттером. В результате этого, транзистор может работать как ключевой элемент в схемах увлажнителей воздуха.

В схеме увлажнителя воздуха обычно используется два транзистора C3835. Один из транзисторов работает как датчик влажности, а другой — как управляющий элемент. Датчик влажности измеряет уровень влажности воздуха, а управляющий транзистор управляет работой реле, которое в свою очередь регулирует подачу воды в увлажнитель.

Транзистор C3835	Эмиттер	База	Коллектор
Тип	NPN	PIN	NPN
Максимальное напряжение коллектора	40 В	—	40 В
Максимальный ток коллектора	100 мА	—	100 мА
Максимальная мощность	150 мВт	500 мВт	150 мВт

Транзистор C3835 обладает высокой надежностью и отличными электрическими характеристиками, что делает его идеальным выбором для использования в увлажнителях воздуха и других электронных устройствах.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130	80	3,5	—	≤ 0,25	SOT-23
КТ3102А	0,25	50	50	5	0,1	—	100…200	150	≤ 6	10	—	ТО-92, ТО-18
КТ3102Б	0,25	50	50	5	0,1	—	200…500	150	≤ 6	10	—	ТО-92, ТО-18
КТ602А/Б	0,85	120	100	5	0,075	150	20…80	150	≤ 4	—	≤ 3,0	ТО-126
КТ602В/Г	0,85	80	70	5	0,075	150	15…80	150	≤ 4	—	≤ 3,0	ТО-126
КТ611А/Б	0,8	200	180	4	0,1	150	10…120	≥ 60	≤ 5	—	≤ 0,8	ТО-126
КТ611В/Г	0,8	180	180	4	0,1	150	10…120	≥ 60	≤ 5	—	≤ 0,8	ТО-126
КТ660А	0,5	50	45	5	0,8	150	110…220	≥ 200	≤ 10	—	≤ 0,5	ТО-92

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус	Маркировка
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	150	70…700	80	≤ 3,5	1…10	0,25	TO-92	—
CSC3114/R	0,4	—	50	—	0,15	—	100	100	≤ 3,5	≤ 100	≤ 0,25	TO-92	—
CSC3114S	0,4	—	50	—	0,15	—	140	100	—	—	—	TO-92	—
CSC3114V	0,4	—	50	—	0,15	—	280	100	—	—	—	TO-92	—
CSC3199	0,4	—	50	—	0,15	—	70…700	80	—	—	—	TO-92	—
CSC3331/R/S/T	0,5	—	50	—	0,2	—	70	200	—	—	—	TO-92	—
CSC3331TU/U/V	0,5	—	50	—	0,2	—	70	200	—	—	—	TO-92	—
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130	80	—	—	0,25	SOT-23	HF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150	100	≤ 6	≤ 8	≤ 0,5	SOT-23	ZFC
2PD601BRL	0,25	60	50	6	0,2	150	210	100	≤ 3	—	≤ 0,25	SOT-23	ML٭
2PD601BSL	0,25	60	50	6	0,2	150	290	100	≤ 3	—	≤ 0,25	SOT-23	MM٭
2PD602ASL	0,25	60	50	5	0,5	150	170	180	≤ 15	—	≤ 0,6	SOT-23	SF
2SC2412-R	0,2	60	50	7	0,15	150	180	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BR
2SC2412-S	0,2	60	50	7	0,15	150	270	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BS
2SC945LT1	0,23	60	50	5	0,15	150	200	150	≤ 3,5	—	≤ 0,3	SOT-23	L6
2STR1160	0,5	60	50	5	1	150	250	150	≤ 3,5	—	≤ 0,43	SOT-23	160
BCV47	0,36	80	60	10	0,5	150	10000	170	≤ 3,5	—	≤ 1,0	SOT-23	DK, FG, FGp, FGs, FGt, W
BTC2412N3	0,225	60	50	7	0,2	150	180	80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	C4
BTD2150N3	0,225	80	50	6	4	150	270	175	14	—	≤ 0,32	SOT-23	CF
BTN6427N3	0,225	100	60	12	0,5	150	10000		≤ 7	—	≤ 1,5	SOT-23	1N
CMPT3820	0,35	80	60	5	1	150	200	150	≤ 10	—	≤ 0,28	SOT-23	38C
CMPT491E	0,35	80	60	5	1	150	200	150	≤ 10	—	≤ 0,4	SOT-23	C49
INC5001AC1	0,2	80	60	5	1	150	130	240	≤ 10	—	≤ 0,25	SOT-23	XY
INC5006AC1	0,2	100	50	7	3	150	400	250	13	—	≤ 0,2	SOT-23	CER
KMMT619	0,35	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 20	—	≤ 0,5	SOT-23	619, 619H
KST6428	0,35	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	—	SOT-23	1K
L2SC1623RLT1G	0,225	60	50	7	0,15	150	180	250	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	L6
L2SC1623SLT1G	0,225	60	50	7	0,15	150	270	250	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	L7
L2SC2412KRLT1G	0,2	60	50	7	0,15	150	180	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BR
L2SC2412KSLT1G	0,2	60	50	7	0,15	150	270	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	G1F
L2SC5343RLT1G	0,2	60	50	5	0,15	150	180	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	7R
L2SC5343SLT1G	0,2	60	50	5	0,15	150	270	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	7S
LMBT6428LT1G	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3		≤ 0,5	SOT-23	1KM
MMBT5343-G/L	0,2	60	50	5	0,15	150	200	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	5343
MMBT6428	0,3	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,6	SOT-23	1K, 1KM
MMBT6428L/LT1/LT1G	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,6	SOT-23	1KM
MMBT945-H/L	0,2	60	50	5	0,15	150	200/130	150	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	CR
MMBTA28	0,35	80	80	12	0,8	150	10000	125	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23	3SS K6R
NXP3875G	0,2	60	50	5	0,15	150	200	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	٭JF
PBSS4041NT	0,3	60	60	5	3,8	150	300	175	17	—	≤ 0,3	SOT-23	٭BK
PBSS4160T	0,3	80	60	5	1	150	250	150	≤ 10	—	≤ 0,25	SOT-23	٭U5
PBSS8110T	0,3	120	100	5	1	150	150	100	≤ 7,5	—	≤ 0,2	SOT-23	٭U8
SSTA28	0,2	80	80	12	0,3	150	10000	200	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23 SST3	RAT
TMPS1654N7	0,225	80	160	5	0,15	150	150	100	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23	N7
TMPT6428	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,2	SOT-23	1K

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.