Mje15031 pdf даташит

Mje15031
 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора - справочник транзисторов

Электрические параметры

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Напряжение коллектор-база, В UCBO IC = 100 мкА 600
Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO IC = 10 мА 400
Напряжение эмиттер-база, В UEBO IE = 10 мкА 6
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 550 В 10
Ток коллектора выключения, мА ICEO UCB = 400 В 10
Ток эмиттера выключения, мкА IEBO UEB = 6,0 В 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)1 ٭ IC = 50 мА, IB = 10 мА 0,4
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)2 ٭ IC = 100 мА, IB = 20 мА 0,75
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) ٭ IC = 50 мА, IB = 10 мА 1
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 10,0 В, IC = 10 мА ≥ 8
hFE (2) ٭ UCE = 10,0 В, IC = 50 мА 10…36

٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: