What is mj15004?

Транзистор 13009

MJ15004 Datasheet PDF — ON

Part Number MJ15004
Description Complementary Silicon Power Transistors
Manufacturers ON 
Logo  

There is a preview and MJ15004 download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 4 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

MJ15003 (NPN),
MJ15004 (PNP)
Complementary Silicon
Power Transistors
The MJ15003 and MJ15004 are power transistors designed for high
power audio, disk head positioners and other linear applications.
Features

• High Safe Operating Area

• For Low Distortion Complementary Designs

• High DC Current Gain

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Collector Current − Continuous

Base Current − Continuous

Emitter Current − Continuous

Total Power Dissipation @ TC = 25°C

Derate above 25°C

VCEO

VCBO

VEBO

IC

IB

IE

PD

140 Vdc
140 Vdc
5 Vdc
20 Adc
5 Adc
25 Adc
250 W

1.43 W/°C

Operating and Storage Junction
Temperature Range

TJ, Tstg –65 to +200 °C

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Case

Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes 1/16″ from Case for v 10 secs

RqJC

TL

0.70 °C/W

265 °C

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2013

September, 2013 − Rev. 16

1
http://onsemi.com
20 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
140 VOLTS, 250 WATTS
SCHEMATIC
PNP
CASE 3
NPN
CASE 3
1
BASE
EMITTER 2
1
BASE
EMITTER 2
12

3 TO−204AA (TO−3)

CASE 1−07

STYLE 1
MARKING DIAGRAM
MJ1500xG
AYYWW
MEX
MJ1500x = Device Code
x = 3 or 4

G = Pb−Free Package

A = Location Code
YY = Year
WW = Work Week
MEX
= Country of Orgin
ORDERING INFORMATION
Device
MJ15003G
MJ15004G
Package

TO−204AA

(Pb−Free)

TO−204AA

(Pb−Free)

Shipping
100 Units/Tray
100 Units/Tray
Publication Order Number:
MJ15003/D

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for MJ15004 electronic component.

Information Total 4 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop

Биполярный транзистор FJP13009H2TU — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: FJP13009H2TU

Маркировка: J130092

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

FJP13009H2TU
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  onsemi fjp13009tu fjp13009h2tu.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 6.1. Size:181K  fairchild semi fjp13009.pdf

March 2007FJP13009High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

 6.2. Size:232K  inchange semiconductor fjp13009.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor FJP13009DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are p

 7.1. Size:540K  fairchild semi fjp13007.pdf

July 2008FJP13007High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage High Speed Power Switch Application High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base

 7.2. Size:246K  onsemi fjp13007tu fjp13007h1tu fjp13007h1tu-f080 fjp13007h2tu fjp13007h2tu-f080.pdf

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие транзисторы… DMMT3904
, DMR935E1
, DMS935E1
, DMS935E2
, DTA114WCA
, EMF23
, EMF24
, EMF5
, 2N2222
, FJP1943
, FJP2145
, FJP2160D
, FJP5200
, FJPF2145
, FJX992
, FML10
, FML9
.

Модификации (версии) транзистора 13009

Данные по временным параметрам (ton, ts, tf) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

Тип PC Ta=25°C/Tc=25°C UCB UCE UEB IC/ICM TJ hFE fT Cob UCE(sat) ton / ts / tf Корпус Примечания
13009 2/100 700 400 9 12/- 150 8…40 ≥ 4 ≤ 0,8 0,4/7,0/0,4 TO220
13009A 2/110 700 400 9 12/- 150 8…40 ≥ 4 ≤ 0,8 0,5/8,0/0,4 TO220
13009SDL 2/100 400 200 9 15/- 150 8…30 ≥ 4 ≤ 1,0 1,0/6,0/1,0 TO220
13009T 2/95 700 400 9 11/- 150 8…40 ≥ 5 ≤ 0,8 0,4/6,0/0,4 TO220
3DD13009 2/- 700 400 9 12/- 150 8…40 ≥ 4 ≤ 1,5 -/4,0/0,9 TO220
3DD13009A8 2/100 700 400 9 12/24 150 20…35 ≥ 4 ≤ 1,0 0,6/7,0/0,25 TO220AB
3DD13009AN 3/120 700 400 9 12/24 150 20…35 ≥ 4 ≤ 1,0 0,6/7,0/0,25 TO3P(N)
3DD13009C8 2/100 700 400 9 12/24 150 20…30 ≥ 5 ≤ 1,0 0,3/6,0/0,3 TO220AB
3DD13009K -/100 700 400 9 12/24 150 5…40 ≥ 4 ≤ 1,8 -/3,0/0,7 TO220C
3DD13009K -/120 700 400 9 12/24 150 5…40 ≥ 4 ≤ 1,8 -/3,0/0,7 TO3PB
3DD13009X8D 2/100 350 200 9 12/24 150 15…30 ≥ 4 ≤ 1,0 1,0/4,0/1,0 TO220AB
BR3DD13009 X7R 2/90 700 400 9 8/- 150 10…40 ≥ 5 ≤ 1,5 -/9,0/0,8 TO220 MJE13009X7
BR3DD13009 X8F 2/90 700 400 9 8/- 150 10…40 ≥ 5 ≤ 1,5 -/9,0/0,8 TO220F MJE13009X8
BR3DD13009X9F 2/90 700 400 9 8/- 150 10…40 ≥ 5 ≤ 1,5 -/9,0/0,8 TO3P MJE13009X9
BR3DD13009 Z8F 2/100 700 400 9 12/- 150 10…40 ≥ 5 ≤ 1,2 -/12,0/0,5 TO220F MJE13009Z8
FJA13009 -/130 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO3P
FJP13009 -/100 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220
FJP13009H2TU -/100 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220 Группы по hFE: H1, H2
FJPF13009 -/50 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220F Группы по hFE: H1, H2
HMJE13009A 2/100 700 400 9 12/24 150 5…22 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220AB ٭
KSE13009F -/50 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO20F
KSH13009 -/100 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220 Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009A -/100 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220 Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009AF -/50 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220F Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009AL -/130 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO3P Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009F -/50 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220F Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009L -/130 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO3P Группы по hFE: R, O, Y
KSH13009W -/100 700 400 9 12/- 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO263 (D2PAK)
MJE13009 2/100 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220AB ٭
MJE13009-3PN 2/100 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO3PN
MJE13009A -/130 700 400 12 12/- 150 5…40 ≤ 0,8 -/9,0/0,15 TO3P
MJE13009D 2/100 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220 ٭
MJE13009F -/50 700 400 9 12/24 150 6…28 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220IS
MJE13009-K 2/- 700 400 9 12/24 150 ≤ 40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/4,0/0,7 TO220 ٭
MJE13009-K -/80 700 400 9 12/24 150 ≤ 40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/4,0/0,7 TO3P ٭
MJE13009-P 2/- 700 400 9 12/24 150 ≤ 40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220 ٭
MJE13009-P -/80 700 400 9 12/24 150 ≤ 40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO3P ٭
MJE13009Z9 2/100 700 400 9 12/- 150 10…40 ≥ 5 ≤ 1,2 -/12,0/0,5 TO3P 3DD13009Z9
MJE13009ZJ 2/80 700 400 9 12/- 150 10…40 ≥ 5 ≤ 1,2 -/12,0/0,5 TO220S BR3DD13009ZJ
MJF13009 -/50 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,0/0,7 TO220F
P13009 3/120 700 400 9 12/- 150 8…40 ≥ 4 ≤ 0,8 0,4/7,0/0,4 TO3PB
P13009A 3/130 700 400 9 12/- 150 8…40 ≥ 4 ≤ 0,8 0,5/10,0/0,4 TO3PB
PHE13009 -/80 700 400 12/24 150 8…40 ≤ 2,0 -/3,3/0,7 TO220AB ٭
SBF13009-O 2,2/50 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 ≤ 1,5 -/10,0/0,8 TO220F
SBP13009-K 2,2/100 700 400 9 12/25 150 5…40 ≤ 2,0 -/3,0/0,4 TO220 ٭
SBP13009-O -/100 700 400 9 12/25 150 6…40 ≤ 1,5 -/3,0/0,4 TO220 ٭
SBP13009-S 2,2/100 700 400 9 12/25 150 6…40 ≤ 1,0 -/3,0/0,4 TO220 ٭
SBW13009-K -/120 700 400 9 12/25 150 5…40 ≥ 4 ≤ 2,0 -/10,0/0,8 TO3P(B)
SBW13009-O -/110 700 400 9 12/25 150 6…40 ≥ 4 ≤ 1,5 -/10,0/0,8 TO3P(B)
SBW13009-S -/120 700 400 9 12/25 150 6…40 ≥ 4 ≤ 1,5 -/10,0/0,8 TO3P(B)
ST13009 -/100 700 400 12 12/24 150 10…39 ≤ 1,25 -/2,5/0,11 TO220 ٭٭
STW13009 -/125 700 400 12 12/24 150 10…36 ≤ 1,25 -/2,5/0,11 TO247 ٭٭
STWH13009 -/125 700 400 12 12/24 150 11…30 ≤ 1,0 -/2,5/0,14 TO247 ٭٭
TS13009 -/100 700 400 9 12/24 150 6…40 ≥ 4 180 ≤ 1,5 1,1/3,3/0,5 TO220
WBP13009-K 2,2/100 700 400 9 12/25 150 5…40 ≤ 2,0 -/3,0/0,4 TO220 ٭
SXW13009 -/100 700 400 12/- 8…40 -/4,0/- TO220

٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (ton, ts, tf) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (ts, tf) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производство

Тип PC Ta=25°C//Tc=25°C UCB UCE UEB IC/ICM TJ hFE fT Cob UCE(sat) ton / ts / tf Корпус Примечания
13009 2/100 700 400 9 12/- 150 8…40 ≥ 4 ≤ 0,8 0,4/7,0/0,4 TO220
КТ840А 60 900 400 5 6/8 150 10…60 ≥ 8 ≤ 0,6 0,2/3,5/0,6 КТ-9 (ТО3)
КТ840Б 750 350 ≥ 10
КТ840В 800 375 10…100
КТ841А, В 50 600 350 5 10/15 150 ≥ 20 ≥ 10 300 ≤ 1,6 0,08/1,0/0,5
КТ854А 60 600 500 5 10/15 150 ≥ 20 ≥ 10 102 ≤ 2,0 КТ-28-2 (ТО220АВ)
КТ856А 50 800 800 5 10/12 150 10…60 ≥ 10 ≤ 100 ≤ 1,5 КТ-9 (ТО3)
КТ856Б 600 600
2Т856А 125 950 950 5 10/12 ≤ 60 ≤ 1,5 -/-/0,5 КТ-9 (ТО3)
2Т856Б 750 750
2Т856В 550 550
2Т856Г 850 850
КТ868А 70 900 400 5 6/8 150 10…60 ≥ 8 ≤100 ≤ 1,5 КТ-9 (ТО3)
КТ868Б 750 375 10…100
КТ8107А 100 1500 5 8/15 ≥ 2,25 ≥ 7 ≤ 1,0 -/3,5/0,5 КТ-9 (ТО3)
КТ8107Б 125 1500 5 5/7,5 ≥ 2,25 ≤ 3,0
КТ8107В 50 1500 5 5/8 8…12 ≤ 1,0
КТ8107Г 100 1500 6 10 ≤ 3,0
КТ8107Д 100 1200 6 10 ≤ 1,0
КТ8107Е 100 1000 6 10 ≤ 1,0
КТ8118А 50 900 800 3/10 10…40 ≥ 15 ≤ 2,0 КТ-28 (ТО220)
КТ8121А 75 700 400 4/8 8…60 ≥ 4 ≤ 1,0 КТ-28 (ТО220)
КТ8121Б 600 300
КТ8126А1 80 700 400 9 8/16 5…40 120 ≤ 3,0 1,6/3,0/0,7 КТ-28 (ТО220)
КТ8126Б1 600 300
КТ8145В 100 500 500 8 15/- 150 ≥ 10 10 КТ-27 (SOT32)
КТ8164А 75 700 400 9 4/8 150 10…60 ≥ 4 ≤110 ≤ 1,0 0,8/4,0/0,9 КТ-28 (ТО220)
КТ8164Б 600 300 8…40

Зарубежное производство

Тип PC Ta=25°C/Tc=25°C UCB UCE UEB IC/ICM TJ hFE fT Cob UCE(sat) ton / ts / tf Корпус
13009 2/100 700 400 9 12/- 150 8…40 ≥ 4 ≤ 0,8 0,4/7,0/0,4 TO220
2SC2335 1,5/40 500 400 7 7/15 150 10…80 ≤ 1,0 1,0/2,5/1,0 TO220AB
2SC2898 -/50 500 400 7 8/16 150 ≥ 7 ≤ 1,0 0,8/2,0/0,8 TO220C
2SC5057 -/100 900 20/- 150 38 TO3PL
2SD2625Z9 2/120 700 400 9 12/- 150 10…40 ≥ 5 ≤ 1,2 -/12,0/0,5 TO3P
3DD209L -/120 700 400 9 12/24 150 5…40 ≥ 4 ≤ 1,8 -/3,0/0,7 TO3PN(B)
3DD3320AN 3/120 700 400 9 15/30 150 15…30 ≥ 4 ≤ 1,0 0,6/3,0/0,35 TO3P(N)
3DD13012A8 2/100 750 400 9 15/30 150 20…35 ≥ 5 ≤ 1,0 1,0/5,0/0,5 TO220AB
BUL743 -/100 1200 500 12/24 150 24…80 ≤ 1,5 -/3,8/0,5 TO220
BU941 -/150 500 400 5 15/30 175 ≥ 300 ≤ 1,8 -/15,0/0,5 TO220AB
D4515 -/120 700 400 9 15-/ 150 8…50 ≥ 4 ≤ 1,5 -/3,0/0,7 TO3PN
ECG379 -/100 700 400 12/- 175 20 ≥ 4 TO220
MJE13007/A -/80 700 400 9 8/- 150 5…45 ≤ 3,0 TO220
MJE340 -/20,8 300 300 3 0,5/- 150 50…240 SOT32*
P1488 3/150 750 450 9 15/- 150 8…40 ≥ 5 ≤ 0,8 0,6/5,0/0,4 TO3PB

* — (TO126)

Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: