2sc2240 datasheet, pinout, power ratings, equivalents & applications

2SC2240 NPN Transistor

The 2SC2240 is a bipolar junction transistor that belongs to the NPN transistor family.
This component is mainly used for switching and amplification purposes and comes in a TO-92 package.
2SC2240 comes with three layers where one p-doped layer stands between two n-doped layers. The two n-doped layers represent connector and emitter respectively while the p-doped layer represents the base side.

This device contains three terminals known as the base, collector, and emitter. The base terminal is used to bias the device while the collector terminal collects the electrons coming from the base side and the emitter terminal emits the electrons into the base terminal.
The NPN transistors contain two junctions known as collector-base junction and emitter-base junction.
When there is enough current at the base side and the collector-base junction is reverse biased and the emitter-base junction is forward biased, then the transistor will conduct.
When a negative voltage is applied at the emitter side and a positive voltage is available at the base terminal then we can make the emitter-base junction forward biased.

The bipolar junction transistors are categorized into two types i.e. NPN transistors and PNP transistors. This is a bipolar transistor, which means both electrons and holes play role in the conductivity process inside the transistor.
But electrons are major carriers in NPN transistors while in the case of PNP transistors holes are the major carriers.
And NPN transistors are preferred over PNP transistors because the mobility of electrons is more efficient than the mobility of holes.
These bipolar devices are called current-controlled devices in opposed to MOSFETs that are called voltage-controlled devices and carry terminals like a drain, source, and gate.

Применение транзистора C2240

Применение транзистора C2240 обычно связано с усилением и коммутацией малых сигналов. Он может использоваться в качестве ключевого элемента в усилителях, генераторах сигналов, импульсных преобразователях и других аналоговых и цифровых схемах. Благодаря его надежности и стабильным характеристикам, транзистор C2240 широко применяется в радиоэлектронике.

Особенностью транзистора C2240 является его малый размер и низкое потребление энергии, что делает его идеальным для использования в портативных устройствах, таких как мобильные телефоны, ноутбуки, планшеты и другие устройства с ограниченным пространством.

Транзистор C2240 также характеризуется высоким коэффициентом усиления постоянного тока и низким уровнем искажений сигнала, что позволяет использовать его в аудиоусилителях и других устройствах, где требуется передача чистого и качественного звука.

Параметры	Значения
Ток коллектора (макс.)	150 мА
Напряжение коллектор-эмиттер (макс.)	50 В
Коэффициент усиления постоянного тока	от 100 до 700
Мощность потери (макс.)	200 мВт
Температурный диапазон	от -55 до +150 °C

DataSheet

Цоколевка транзистора КТ3107Параметры транзистора КТ3107

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ3107А	ВС557А, MPS3703,BC177VI 1, BC307VI 3, ВСХ79-7 1, EN3250 3, MPS6517 1, MPS6516 1, IMBT3905 1, BSS69 1, BSS69R 1, ВСХ78-7 3, 2SA608SPAD 3, 2SA608NPD 3, 2SA495 *3
КТ3107Б	ВС308А, ВС212А, JC560A 1, JC557A 1, ВС204А 1, ВСХ79-8 1, BCX71GR 1, BCX79VII 1, KC307A 3, IMBT2907 3, ВСХ78-8 3, BCX78VII 3, 2SA608SPAE 3, 2SA608NPE 3, JC559A 3, JC558A 3
КТ3107В	ВС178АР, BCY72, РС108 1, ВС260В 3, BC250B *3
КТ3107Г	ВС308А, ВС558А, РС109 1, ВС357 1, BSY40 3, ВС205А 1
КТ3107Д	ВС308А, ВС178ВР, CD9012H 3, CD9012I 3, KC308B *3
КТ3107Е	ВС179АР, ВС309В, BC205A 1, BC205 3, BC252A 1, BC262A 1, BC263A *1
КТ3107Ж	ВС309В, ВС179ВР, ВС559, BC252B 1, BC205B 1, BC206B 1, BC260C 1, BC253C *1
КТ3107И	ВС307В, ВС212С, BCX79VIII 1, JC557 3, BC560A 3, BC177-6 1, BC204B 1, BCX79-9 1, BCX79-8 3, BCX71 HR 1, BCX71H 1, BCX71GR 3, BCX79VII 3, MPS6518 1, BCX78-9 1 , BCX78-8 3, BCX78VIII 1, BCX78VII 3, BCY78-8 3, BCY78-7 3, 2SA608SPAF 3, 2SA608SP 3, 2SA4950
КТ3107К	ВС308С, ВС213С, MPS6519 1, КС308С 3, 2SB598G *3
КТ3107Л	ВС309С, ВС322С, BC205B 3, BC206B 3, ВС259С 3, ВС260С 3, BC253C 3, ВС250С 3
Структура	—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,PK, τ max,P*K, и max	—	—	300	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, fh21б, fh21э, f**max	КТ3107А	—	≥200	МГц
КТ3107Б	—	≥200
КТ3107В	—	≥200
КТ3107Г	—	≥200
КТ3107Д	—	≥200
КТ3107Е	—	≥200
КТ3107Ж	—	≥200
КТ3107И	—	≥200
КТ3107К	—	≥200
КТ3107Л	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., UКЭR проб., U*КЭО проб.	КТ3107А	—	50	В
КТ3107Б	—	50
КТ3107В	—	30
КТ3107Г	—	30
КТ3107Д	—	30
КТ3107Е	—	25
КТ3107Ж	—	25
КТ3107И	—	50
КТ3107К	—	30
КТ3107Л	—	25
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ3107А	—	5	В
КТ3107Б	—	5
КТ3107В	—	5
КТ3107Г	—	5
КТ3107Д	—	5
КТ3107Е	—	5
КТ3107Ж	—	5
КТ3107И	—	5
КТ3107К	—	5
КТ3107Л	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ3107А	—	100(200*)	мА
КТ3107Б	—	100(200*)
КТ3107В	—	100(200*)
КТ3107Г	—	100(200*)
КТ3107Д	—	100(200*)
КТ3107Е	—	100(200*)
КТ3107Ж	—	100(200*)
КТ3107И	—	100(200*)
КТ3107К	—	100(200*)
КТ3107Л	—	100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, IКЭR, I*КЭO	КТ3107А	20 В	≤0.1	мкА
КТ3107Б	20 В	≤0.1
КТ3107В	20 В	≤0.1
КТ3107Г	20 В	≤0.1
КТ3107Д	20 В	≤0.1
КТ3107Е	20 В	≤0.1
КТ3107Ж	20 В	≤0.1
КТ3107И	20 В	≤0.1
КТ3107К	20 В	≤0.1
КТ3107Л	20 В	≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ3107А	5 В; 2 мА	70…140
КТ3107Б	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107В	5 В; 2 мА	70…140
КТ3107Г	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107Д	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107Е	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107Ж	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107И	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107К	5 В; 2 мА	380…800
КТ3107Л	5 В; 2 мА	380…800
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ3107А	10 В	≤7	пФ
КТ3107Б	10 В	≤7
КТ3107В	10 В	≤7
КТ3107Г	10 В	≤7
КТ3107Д	10 В	≤7
КТ3107Е	10 В	≤7
КТ3107Ж	10 В	≤7
КТ3107И	10 В	≤7
КТ3107К	10 В	≤7
КТ3107Л	10 В	≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас	КТ3107А	—	≤20	Ом
КТ3107Б	—	≤20
КТ3107В	—	≤20
КТ3107Г	—	≤20
КТ3107Д	—	≤20
КТ3107Е	—	≤20
КТ3107Ж	—	≤20
КТ3107И	—	≤20
КТ3107К	—	≤20
КТ3107Л	—	≤20
Коэффициент шума транзистора	Кш, rb, P*вых	КТ3107А	1 кГц	≤10	Дб, Ом, Вт
КТ3107Б	1 кГц	≤10
КТ3107В	1 кГц	≤10
КТ3107Г	1 кГц	≤10
КТ3107Д	1 кГц	≤10
КТ3107Е	1 кГц	≤4
КТ3107Ж	1 кГц	≤4
КТ3107И	1 кГц	≤10
КТ3107К	1 кГц	≤10
КТ3107Л	1 кГц	≤4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, tрас, tвыкл, t**пк(нс)	КТ3107А	—	—	пс
КТ3107Б	—	—
КТ3107В	—	—
КТ3107Г	—	—
КТ3107Д	—	—
КТ3107Е	—	—
КТ3107Ж	—	—
КТ3107И	—	—
КТ3107К	—	—
КТ3107Л	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов. *1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Применение транзистора C 2240

Основное применение транзистора C 2240 включает:

1. Усилительные схемы:

Транзистор C 2240 часто используется в усилительных схемах для усиления низкочастотных сигналов. Благодаря своим высоким характеристикам, он обеспечивает четкое и стабильное усиление сигнала.

2. Высокочастотные схемы:

Благодаря своей способности работать на высоких частотах, транзистор C 2240 находит применение в радиочастотных схемах, таких как радиопередатчики и радиоприемники. Он обеспечивает надежное усиление и передачу сигнала на большие расстояния.

3. Источники питания:

Транзистор C 2240 также используется в схемах источников питания. Он помогает в регулировании и стабилизации напряжения, обеспечивая эффективную и надежную работу электронных устройств и систем.

Кроме того, транзистор C 2240 может быть использован в других электронных схемах, таких как генераторы сигналов, блоки питания, световые приборы и т.д. В целом, это универсальный и надежный компонент, который нашел применение во многих областях электроники и схемотехники.

2SC2240 Принцип работы

Действием транзистора управляет база. Когда на базовый вывод подается напряжение, устройство смещается, и ток течет от коллектора к эмиттерному выводу. Поскольку это NPN-транзистор , ток будет течь от коллектора к стороне эмиттера, тогда как в случае PNP-транзистора ток будет течь от эмиттера к стороне коллектора.

Природа этих биполярных устройств не симметрична. Если мы поменяем местами контакты эмиттера и коллектора в этом проекте, терминалы начнут работать в обратном активном режиме и перестанут работать в прямом активном режиме. Этому устройству не хватает симметрии из-за разной концентрации легирования этих контактов.

Обзор 2SC2240

В семейство NPN- транзисторов входит биполярный переходной транзистор 2SC2240 .

Этот компонент, поставляемый в корпусе ТО-92 , в основном используется для коммутации и усиления.

2SC2240 имеет три слоя, один из которых с p-легированием расположен между двумя слоями с n-легированием. Слой с p-легированием представляет собой сторону базы, а два слоя с n-легированием представляют собой разъем и эмиттер соответственно.

На этом устройстве расположены клеммы базы, коллектора и эмиттера. Базовая клемма используется для смещения устройства, а клеммы коллектора и эмиттера собирают электроны со стороны базы и эмитируют электроны в базовую клемму.

NPN- транзисторы имеют два перехода: коллектор-база и эмиттер-база.

In Stock

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Подбор транзисторов в усилитель JLH

Выходные транзисторы

Старые экземпляры, которые делались по меза-планарной технологии (2N3055), которую вытеснила эпитаксильно-паланарная современная (MJE3055) — очень музыкальные транзисторы.
Несмотря на АЧХ, звук 2n3055 звонче и прозрачнее, но у 2sc3281 звук более приглушённый и ламповый, что ли. Видимо, сказывается распределение гармоник
Самыми лучшими и стабильными в этом агрегате все-таки оказались MJ15024, MJ15003, 2N2773. Бэтта транзисторов выходного каскада при 4 Ом нагрузке должна быть не менее 120.
Супер транзисторы — MJ15026, 15027 за 27 $ один, в Штатах 7 $.

Ну и моторолловский клон 2SC3281 — это MJL3281A, он по линейности Кус вообще рекордсмен. Практически прямая «полка», а спад беты начинается с 5-6 Ампер. По звуку лидируют MJL3281A (NPN) MJL1302A (PNP) как самые интегрально-линейные мощные биполярные транзисторы для ЗЧ.

Очень хороший результат дает параллельное включение на выходе 2-х 3-х транзисторов средней мощности 2sc5707, предварительно отобранных по бэтте (она у них очень высокая – до 560). Паяем по 2-3 транзистора на общую медную пластину, а потом ее крепим к радиатору через прокладку, паять лучше легкоплавким припоем пос-61.

В пластике (ТО-247) можно ставить MJE21193, 2CS5200, КТ8101 (в порядке ухудшения качества); В металле (ТО-3) можно MJ15003, MJ15024, 2N3055, КТ819ВМ, ГМ (в таком же порядке); Из наших — КТ908, КТ903, КТ808, КТ805, КТ803 (КТ908 на голову выше всех, из отечественных они самые лучшие).

Не применяйте MJL21294, эти транзисторы не для этого усилителя. Тем более при 4 Ом нагрузке. Вот в однотактном повторителе Игоря Семынина или усилителях с составными транзисторами на выходе им самое место. В усилителе по схеме JLH чем выше Кус выходных транзисторов и предвыходного — тем лучше. MJL-21194 сейчас лучшие для звука но не для Худа, в JLH можно применить MJ15003, но у них корпус неудобный, как и у 2N3055

Смотрел характеристики аппарата на таком комплекте транзисторов: Выходные высокочастотные 2sc5200 + драйверный каскад на вс550bp, входной транзистор bc109b. Искажения получились 0,02. 0,03 % при прекрасном меандре. При тех же условиях низкочастотные моторолы с невысокой бэтой дают искажения 0,08-0,1 % при сильно заваленном фронте меандра.

Схема с ВЧ транзисторами на выходе должна обязательно корректироваться от возбуждения установкой конденсаторов между базой и коллектором драйверного транзистора порядка 10-15 пФ и конденсатором емкостью 22-60 пФ параллельно резистору ООС R5 2,7 кОм. Если конденсатор ООС имеет номинал 470-680 мкФ, то делитель ООС 2,7 кОм/240 Ом лучше уменьшить до 1,2 кОм/120 Ом, что даст меньшие искажения и большую устойчивость.

Современные транзисторы проигрывают винтажным по качеству воспроизведения НЧ. Я считаю, что 2SA1943, 2SC5200 обеспечивают лучшее звучание, чем MJ15003, 15004 или MJ15024, 25.

MJL21194 сочетают в себе плюсы: плоский удобный для монтажа корпус и узкую полосу в 4-6,5 МГц. Правда они имеют два «минуса» — высокую стоимость и маленький коэффициент усиления. Мощные современные транзисторы с ft>30MHz ставить не рекомендуются — будет возбуд. Старые НЧ транзисторы лучше себя ведут, чем новодельные ВЧ. В этом смысле стоит попробовать наши Кт805-Кт819

У транзисторов серий: MJ, MJL, MJW – 21193, 21194, 21195, 21196… применена медная металлизация на поверхности кристалла для формирования вывода базы, что выравнивает температуру поверхности кристалла, улучшает распределение тока по площади кристалла и расширяет ОБР, особенно в области высоких напряжений.

Драйверный транзистор

Перепробовал множество транзисторов в драйвере, лучшие результаты показал 2sc2240, что закономерно т.к. у него 300-700 бэтта, при прекрасной линейности тока коллектора в диапазоне 1,0-50 мА и малая емкость 3 пФ, приклеиваем к нему медную пластинку получаем превосходный драйвер средней мощности = Ибуки

Если у вас выходные транзисторы с большой бэттой, то ток от драйверного транзистора нужен не очень большой 15-25 мА, так что не нужно туда ставить тупой конский транзистор. Из советских неплох кт602Б, но его нужно отбирать с бетой при токе 20-30 мА не менее 200.

Маломощный предвыходной транзистор показывает намного лучшие результаты по качеству меандра и искажениям чем BD139 и такие же «среднемощные» из-за более линейных характеристик при токах 10-30 мА, высокого h21э и малых межэлектродных емкостей. Особенно хорош прирост качества в классической схеме 1969 года.

Схема одноканального усилителя мощностью 200 Вт на 2SC5200 2SA1943

Силовые транзисторы схемы усилителя на 200 Вт не требуют классической настройки тока покоя выходных транзисторов 2SC5200 и 2SA1943. Одноканальный усилитель может выдавать среднеквадратичную мощность 100 Вт с сопротивлением динамика 8 Ом и 200 Вт с нагрузкой 4 Ом.

Рабочее постоянное напряжение одноканального усилителя должно быть 2X50V и ток 6A (можно использовать готовые трансформаторы 2X33VAC или 2X36VAC), конденсаторы фильтра в цепи питания нужно устанавливать от 4700uf до 10.000uf. В качестве диодных мостов можно использовать готовую сборку KBU10M на 1000v/10A или четыре выпрямительных диода P600J, с максимальным постоянным обратным напряжением 600v и максимальным постоянным прямым током 6А.

Керамический конденсатор 330pF защищает усилитель от высокочастотных колебаний. Если вы не можете найти 330pF, тогда вместо него можете установить емкость на 270pF.

Что касается транзисторов 2SA1015, установленных в дифференциальном каскаде, то автор заявляет, что продавцов сбывающих поддельные транзисторы на рынке очень много. Поэтому, нужно быть внимательнее при покупке. Чтобы понять, что транзисторы оригинальные, необходимо измерить коэффициент усиления транзистора по току (hFE) цифровым мультиметром.

Транзистор 2SA1015 должен показать параметр 180 или чуть меньше при измерении hFE. Вместо 2SA1015 можно использовать 2N5401, но соединения выводов будут несколько другие, поэтому будьте осторожны. При сборке печатной платы следует менять ножки базы и коллектора (я экспериментировал с транзисторами 2SA733, которые у меня есть)

Транзисторы 2SC5200 и 2SA1943 должны быть установлены на радиаторы через изоляционные прокладки, хорошо пропускающие тепло, например, керамические или слюдяные.

Кроме этого, для эффективного охлаждения транзисторов TIP41-TIP42 можно использовать кулер, я пока оставил отверстие для его установки, посмотрю как все будет работать, потом видимо установлю и вентилятор.

Катушка на выходе усилителя имеет параметр 5 мкГн и намотана медным проводом диаметром 1мм в количестве 11 витков на резисторе 10 Ом, рассчитанным на мощность 1 Вт.

Тестирование усилителя 200 Вт и измерения напряжения

Представленная здесь схема заслуживает доверия, так как источник проекта довольно надежен, и, поскольку схема была сделана нашими читателями раньше, то у меня получилось быстро собрать аппарат и сразу приступил к тесту. В моем распоряжении были готовый трансформатор 2X30V и басовый громкоговоритель на 50 Вт, а также среднечастотный динамик 30 Вт. Я не мог увеличить громкость более чем на 50%, так как было уже слишком громко, качество звука при этом было отличным. Резистор 27 Ом 1 Вт я не использовал, вместо него я применил 2 параллельно соединенных резюка 56 Ом.

Размеры печатной платы составляют 100X49 мм, а чертеж однослойной печатной платы был выполнен с помощью программы Sprint Layout PCB.

Максимальное напряжение питания при использовании выходных транзисторов 2SC5200 и 2SA1943 (2SD1047 (NPN) 2SB817 (PNP)), может быть 2X62v постоянного тока, в этом случае напряжение используемых конденсаторов должно быть более 63v и вместо TIP41 следует установить TIP42 2SCC2073 (NPN) 2SA940 (PNP) или 2SA1837 (PNP) 2SC4793 (NPN). Я думаю, 2X50V или 2x30v будет достаточно, даже если вы захотите громкого звука.

Перечень компонентов одноканального усилителя 200 Вт:

Транзисторы

2X 2SC5200
2X 2SA1943
3X A1015
2X TIP41C
2X TIP42C

Резисторы

2 резистора 6,8 Ом — 1 Вт; (синий, серый, золотой)
2X 100-Ом — 1 Вт; (коричневый, черный, коричневый)
2X 10 Ом — 1 Вт; (коричневый, черный, черный)
270 Ом — 1 Вт; (красный, фиолетовый, коричневый)
56 Ом — 1 Вт; (зеленый, синий, черный)
27 Ом — 1 Вт; (красный, фиолетовый, черный)
4X0,47 Ом — 5Вт или 0,33 Ом — 5Вт; керамический резистор
820 Ом — 1/4 Вт; (серый, красный, коричневый)
10 кОм — 1/4 Вт; (коричневый, черный, оранжевый)
330 Ом — 1/4 Вт; (оранжевый, оранжевый, коричневый)
18 кОм — 1/4 Вт; (коричневый, серый, оранжевый)
1 кОм — 1/4 Вт; (черно-коричневый, красный)

Конденсаторы

100НФ (104) 100В
47 мкФ 63 В
2,2 мкФ 63 В
330 пФ (331) (керамический или многослойный)

Диоды

5X 1N4004

Скачать: Макет печатной платы

Предыдущая запись Что такое низкоуровневое форматирование SD-карты
Следующая запись Стерео усилитель на TDA1554Q

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Характеристика

Серия транзисторов КТ3107 подразделяется на несколько групп, немного различающихся по своим техническим параметрам. В основном по напряжению насыщения, статическому коэффициенту усиления по току. Коэффициент шума у моделей также может отличаться

Поэтому при выборе обращайте внимание на последнюю букву в его маркировке, она обозначает группу. Ниже приведенные параметры, характерные для транзисторов серии КТ3107 всех групп:. физические:

физические:

принцип действия – биполярный;
корпус: пластик для КТ-26 (зарубежный ТО-92);
материал кристалла– кремний (Si);
PNP-структура (прямая проводимость);
масса – не более 0.3 г.(g);
тех.условия: аА0.336.170 ТУ/04.

основные электрические значения:

IКБО (ICBO) не более 100 нА (nA), если UКБ макс. (VCB max) =20 В (V) и IЭ (IE)= 0;
IЭБО (IEBO) не более 100 мкА (µA), если UEБ макс. (VEB max) = 5 В (V) и IК (IC)= 0;
fгр норм.(ftTYP) не менее 250 МГц (MHz), если UКБ (VCB) = 5 В (V), IК(IC)=10 мА (mA);
СК (СС) 7.0 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 10 В (V), IЭ (IE)=0, f=10 МГц (MHz);
КШ (Noise Figure) NF в пределах 4 -10 Дб (dB), если UКЭ(VCE) =3 В (V), IK (Ic) =0.2 мА(mA);
h21е в пределах от 70 до 800, при UКЭ(VCE) = 5 В(V), IK (Ic) = 2 мА (mA);
Токр. от -40 до +85 °C;

предельные значения электрических эксплуатационных режимов (при Токр. = +25 °C):

U КБ макс. (V CBmax) от 25 до 50 В (V);
U КЭ макс. (VCEmax) от 20 до 45 В (V);
U ЭБ макс.(V ЕВ max) до 5 В (V);
IK МАКС.(IC MAX) 100 мА (mA);
PK макс.(PC) 300 мВт (mW);
Tперехода (Tj) до + 150 °C

Технические характеристики

Технические характеристики, характеристики, параметры и детали Foshan Blue Rocket Elec 2SC2240, аналогичные характеристикам Foshan Blue Rocket Elec 2SC2240.

Тип	Параметр
Пакет/кейс	ТО-92	Упаковка	Лента и катушка (TR)
Мощность — Макс.	300мВт	Тип транзистора	НПН
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	120 В	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	100 мА
Статус RoHS	Соответствует RoHS

Интегральная схема LNK304PN: особенности, применение и техническое описание

Время публикации:2023-10-30 Количество просмотров：51
8 клемм 7-контактный преобразователь переменного тока в постоянный LinkSwitch-TN Series 1 Выходы 66 кГц Мин. 85 В В Макс. 265 В ВLNK304PN — это интегральная схема (ИС), предназначенная для использования в автоно…

STM32F411CEU6: Обзор, особенности, характеристики

Время публикации:2023-10-30 Количество просмотров：40
512 КБ 512 КБ x 8 FLASH ARM Cortex-M4 32-разрядный микроконтроллер серии STM32F4 STM32F411 48-контактный 100 МГц 3,3 В 48-UFQFN Открытая площадкаВысокопроизводительный 32-битный RISC-процессор Arm Cortex-M4, использ…

Двухканальный драйвер двигателя с H-мостом DRV8833: Как использовать DRV8833?

Время публикации:2023-10-18 Количество просмотров：70
2A мА 1,2 мм мм 4,4 мм мм Драйверы двигателей 16 5 В В 5 мм мм Электроника управления движениемDRV8833 представляет собой двухканальный драйвер двигателя с Н-мостом и двумя двигателями постоянного тока ил…

L7805 VS LM259: в чем разница?

Время публикации:2023-10-17 Количество просмотров：78
5 клемм 5-контактный LM2596 Регулятор постоянного напряжения постоянного тока КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР 1 Выходная трубка 3A TO-263-6, D2Pak (5 выводов + вывод), TO-263BAL7805 и LM2596 — два популярных регулятора….

Преобразователь LTC3533: распиновка, эквивалент и техническое описание

Время публикации:2023-10-12 Количество просмотров：72
14 клемм 1,8 В 14-контактный LTC3533 Регулятор постоянного напряжения постоянного тока КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР 1 Выходы 300 кГц ~ 2 МГц Лента и катушка (TR) 2A 14-WFDFN Открытая площадкаLTC3533 — это высокоэф…

Как использовать BME280 с Arduino?

Время публикации:2023-10-11 Количество просмотров：45
В этой статье представлен базовый обзор датчика BME280, включая описания его контактов, функции и характеристики, эквиваленты и т. д., чтобы помочь вам быстро понять, что такое BME280.КаталогОписание B…

Комплексное введение в Si53306

Время публикации:2023-10-10 Количество просмотров：36
1 цепь, 725 МГц, 1:4, тактовый буфер QUAD SI53306 16-VFQFN, открытая площадкаSi53306 входит в семейство разветвленных буферов универсального/любого формата Si5330x и идеально подходит для распределения тактово…

Какая связь между CR2032 и CR2016?

Время публикации:2023-10-10 Количество просмотров：50
Как и другие батарейки серии CR, CR2016 и CR2032 представляют собой батарейки-таблетки, которые во многих отношениях кажутся очень похожими.Сравнивая CR2032 и CR2016, мы увидим, являются ли они взаимозамен…

ТТА1943 ПРОТИВ. 2SA1943 Как отличить?

Время публикации:2023-10-09 Количество просмотров：54
PNP 150°C TJ 5 мкА ICBO 1 Элементы TO-3PL Трубка со сквозным отверстиемСиловой транзистор TTA1943 PNP — это новая и улучшенная версия знаменитого силового транзистора 2SA1943.В этом посте будет раскрыта р…

8-битный микроконтроллер Atmel ATmega128L: как использовать ATmega128L?

Время публикации:2023-10-09 Количество просмотров：66
128 КБ 64 КБ x 16 FLASH AVR 8-битный микроконтроллер AVR серии ATmega ATMEGA128 64-контактный 8 МГц 3 В 64-TQFPATmega128L — 8-битный микроконтроллер Atmel.В этой статье речь пойдет о распиновке, функциях, применении…

Как выбрать транзистор C 2240

При выборе транзистора C 2240 следует обратить внимание на следующие основные характеристики:

Тип корпуса: C 2240 представлен в корпусе TO-92, который обеспечивает удобство монтажа и надежную защиту от внешних воздействий.
Максимальное рабочее напряжение: транзистор C 2240 обладает максимальным рабочим напряжением в диапазоне от 50 до 120 В, что позволяет использовать его в широком спектре схем и устройств.
Ток коллектора: данная характеристика определяет максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора C 2240. Обычно он составляет от 100 до 200 мА.
Коэффициент усиления тока: величина, определяющая, во сколько раз транзистор усиливает входной сигнал. C 2240 обладает коэффициентом усиления в диапазоне от 100 до 1000.

Важно учитывать требования конкретной схемы или устройства при выборе транзистора C 2240. Рекомендуется обращаться к технической документации на конкретное устройство или проконсультироваться с опытными специалистами перед покупкой

Транзистор C 2240 применяется во многих сферах, включая радиоэлектронику, медицинскую технику, силовую электронику и другие области, где требуется надежный и высококачественный полупроводниковый прибор.

В итоге, правильный выбор транзистора C 2240 позволяет гарантировать стабильное и эффективное функционирование схемы или устройства.

Технические характеристики транзистора C2240

Максимальное напряжение коллектора (V_ceo): 50 В
Максимальный ток коллектора (I_c): 150 мА
Максимальная мощность (P_c): 400 мВт
Максимальная температура перегрева (T_j): 150 °C
Коэффициент усиления тока (h_fe): 50-320
Максимальная частота переключения (f_t): 120 МГц
Тип корпуса: TO-92

Транзистор C2240 широко применяется в различных электронных устройствах, таких как усилители, регуляторы напряжения, генераторы и другие. Он обеспечивает надежную и стабильную работу в широком диапазоне рабочих условий. Особенностью транзистора C2240 является его высокая мощность и низкий уровень шума.

Описание транзистора C 2240

Этот транзистор имеет три электроды: эмиттер, базу и коллектор. Он работает на базе принципа биполярного перехода, основанного на влиянии тока, протекающего через базу, на ток, протекающий через коллектор.

Основные характеристики транзистора C 2240:

Максимальное напряжение коллектора: 50 В
Максимальный ток коллектора: 150 мА
Максимальная мощность: 400 мВт
Коэффициент усиления по току: 100-630
Максимальная рабочая температура: +150 °C

Транзистор C 2240 применяется во многих схемах, где требуется усилительный элемент. Он может использоваться в аудиоусилителях, источниках питания, стабилизаторах напряжения и других устройствах, где необходимо усиление сигнала или контроль тока.

При использовании транзистора C 2240 необходимо учитывать его характеристики и следить за рабочими условиями, чтобы избежать повреждений и обеспечить надежную работу всей схемы или устройства.

Характеристики транзистора КТ3107

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), мВт	h21э	fгр., МГц
КТ3107А	50	45	100(200)	300	70-140	200
КТ3107Б	50	45	100(200)	300	120-220	200
КТ3107В	30	25	100(200)	300	70-140	200
КТ3107Г	30	25	100(200)	300	120-220	200
КТ3107Д	30	25	100(200)	300	180-460	200
КТ3107Е	25	20	100(200)	300	120-220	200
КТ3107Ж	25	20	100(200)	300	180-460	200
КТ3107И	50	45	100(200)	300	180-460	200
КТ3107К	30	25	100(200)	300	380-800	200
КТ3107Л	25	20	100(200)	300	380-800	200

Uкбо(и)

— Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

2SC2240 Power Ratings

Absolute Maximum Ratings of 2SC2240
Pin No.	Pin Description	Pin Name
1	Collector-emitter voltage	120V
2	Collector-base voltage	120V
3	Base-emitter voltage	5V
4	Collector current	0.1A
5	Power dissipation	0.3W
6	Current gain	200 to 700
7	Operating and storage junction temperature range	-55 to 125C

If these ratings are applied more than the required time, they can affect the device reliability.
The collector-current is 0.1A which defines the amount of load this component can support.
The power dissipation is 0.3W which represents the amount of energy released during the working of this component.
The current gain ranges from 200 to 700 which is the amount of current this device can amplify.
The operating and storage junction temperature ranges from -55 to 125C.
The emitter-base voltage is 5V represents the voltage required to bias this component. The collector-base voltage and collector-emitter voltage both are 120V.
When using this device, make sure these ratings don’t exceed the absolute maximum ratings else they can damage the device.