Описание C3039 транзистора
Транзистор C3039 обладает хорошими характеристиками, что позволяет использовать его в различных приложениях. Он способен передавать высокую мощность и обладает низким сопротивлением включения. Это особенно полезно, если требуется усиление сигнала или коммутация с большой мощностью.
C3039 имеет следующие особенности:
- Тип: NPN
- Максимальное напряжение коллектора: 350 В
- Максимальный коллекторный ток: 10 А
- Максимальная мощность: 150 Вт
- Коэффициент усиления по току (β): 40-320
- Диапазон рабочих температур: -55°C до +150°C
Кроме того, C3039 обычно поставляется в корпусе TO-3P, который обеспечивает хорошее теплоотведение
Это особенно важно при работе с высокими токами и мощностями
В целом, C3039 — надежный и производительный транзистор, который может быть использован для усиления и коммутации разнообразных электронных схем.
Биполярный транзистор 2SC3039 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3039
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
2SC3039
Datasheet (PDF)
..1. Size:98K sanyo 2sc3039.pdf
Ordering number:EN996BNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3039400V/7A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 500V).unit:mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParamet
..2. Size:221K inchange semiconductor 2sc3039.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3039DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
8.1. Size:99K sanyo 2sc3038.pdf
Ordering number:EN949BNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3038400V/4A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 500V).unit:mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParamet
8.2. Size:109K fuji 2sc3030.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. — P.O. Box 702708 — Dallas, TX 75370 — 972-733-1700 — www.fujisemiconductor.com
8.3. Size:216K inchange semiconductor 2sc3038.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3038DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
8.4. Size:189K inchange semiconductor 2sc3032.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC3032DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageLow Collector-Emitter Breakdown VoltageGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in humidifier , DC/DC converter andgeneral purpose app
Другие транзисторы… 2SC3031
, 2SC3032
, 2SC3033
, 2SC3034
, 2SC3035
, 2SC3036
, 2SC3037
, 2SC3038
, S8550
, 2SC304
, 2SC3040
, 2SC3041
, 2SC3042
, 2SC3043
, 2SC3044
, 2SC3044A
, 2SC3045
.
Технические характеристики транзистора C3039
Вот некоторые из основных технических характеристик транзистора C3039:
- Максимальная коллектор-эмиттерная напряжение: 200 В
- Максимальная коллекторная ток: 1 А
- Максимальная мощность потери: 50 Вт
- Максимальная температура перегрева: 150 °C
- Транзистор имеет три вывода для подключения: база, эмиттер и коллектор
Транзистор C3039 обладает высокой чувствительностью при слабых сигналах и низким уровнем шума. Он может быть использован в усилительных схемах, источниках питания, блоках управления и других приложениях, где требуется усиление сигналов и коммутация электронных цепей.
Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор C3039 обеспечивает стабильную работу и долгий срок службы в различных условиях эксплуатации. Он может быть легко заменен другими транзисторами с аналогичными характеристиками в случае необходимости.
Применение транзистора C3039
Применение транзистора C3039 связано с его высокой надежностью и стабильностью параметров работы. Он успешно применяется в различных устройствах, включая телевизоры, радиоприемники, автомобильные электронные системы, аудиоусилители и другие.
Данный транзистор обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет использовать его в усилительных схемах. Он способен обеспечить стабильное и качественное усиление сигнала.
Также транзистор C3039 может использоваться в качестве выходного каскада для усиления и коммутации мощных сигналов. Он обладает большой выходной мощностью и низким уровнем искажений, что делает его идеальным для использования в таких приложениях.
Технические характеристики транзистора C3039, включая значения тока коллектора, тока эмиттера и напряжения коллектора, могут варьироваться в зависимости от конкретной модели и производителя. Для получения подробной информации о характеристиках транзистора C3039 рекомендуется обратиться к его техническому описанию и документации производителя.
| Технические характеристики | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Максимальная мощность | 5 Вт |
| Максимальное напряжение коллектора | 50 В |
| Максимальный ток коллектора | 1 А |
| Коэффициент усиления тока | 70 — 500 |
Описание транзистора C3039
Транзистор C3039 имеет максимальную мощность в 5 Вт и максимальное напряжение коллектора в 30 В. Он способен обеспечить ток коллектора не более 1 А. Транзистор отличается низким значением теплового сопротивления и широкой рабочей температурой, что позволяет применять его в различных условиях эксплуатации.
Характеристики C3039 транзистора позволяют усиливать аналоговые и цифровые сигналы, а также коммутировать различные нагрузки. Он применяется в разнообразных устройствах, таких как усилители звука, схемы инверторов, источники питания, автоматические регуляторы и другой электронный оборудование.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Максимальная мощность (Pmax) | 5 Вт |
| Максимальное напряжение коллектора (Vcbo) | 30 В |
| Максимальное напряжение эмиттер-база (Vebo) | 5 В |
| Максимальный ток коллектора (Icmax) | 1 А |
| Тепловое сопротивление (Rthjc) | 125 °C/W |
| Рабочая температура (Tj) | от -55 до +150 °C |
2SC3039 Datasheet (PDF)
..1. Size:98K sanyo 2sc3039.pdf
Ordering number:EN996BNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3039400V/7A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 500V).unit:mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParamet
..2. Size:221K inchange semiconductor 2sc3039.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3039DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
8.1. Size:99K sanyo 2sc3038.pdf
Ordering number:EN949BNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3038400V/4A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO 500V).unit:mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParamet
8.2. Size:109K fuji 2sc3030.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. — P.O. Box 702708 — Dallas, TX 75370 — 972-733-1700 — www.fujisemiconductor.com
8.3. Size:216K inchange semiconductor 2sc3038.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3038DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
8.4. Size:189K inchange semiconductor 2sc3032.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SC3032DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageLow Collector-Emitter Breakdown VoltageGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in humidifier , DC/DC converter andgeneral purpose app
Основные характеристики C3039 транзистора
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное значение напряжения коллектора (VCBO): 150 В
- Максимальное значение напряжения эмиттера (VEBO): 5 В
- Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (VCEO): 140 В
- Максимальный коллекторный ток (IC): 10 А
- Максимальный ток базы (IB): 2 А
- Максимальная мощность потери (PD): 175 Вт
- Максимальная рабочая температура (Tj): 150 °C
- Коэффициент усиления тока (hFE): 20 — 70
Транзистор C3039 обладает высокими рабочими характеристиками и может использоваться в различных электронных схемах, включая усилители и переключатели. Его надежность и долговечность делают его популярным среди электронных разработчиков.
Применение C3039 транзистора
C3039 может работать в качестве ключевого элемента в схемах усилителей мощности, где требуется передача большого сигнала. Он может быть использован в аудиоусилителях, видеоусилителях, усилителях радиосигналов и других подобных устройствах.
Другое практическое применение C3039 — в источниках питания. Транзистор может управлять большим током и обеспечивать стабильное напряжение, что делает его идеальным компонентом для регулируемых блоков питания и источников питания постоянного тока.
C3039 также может использоваться в системах светодиодного освещения. Благодаря его способности управлять большим током и работать с высокими частотами, он может быть использован для управления светодиодами в различных устройствах, включая осветительные панели, лампы и т.д.
Этот транзистор также может применяться в схемах автоматики и управления. Он способен передавать сигналы на большие расстояния и управлять различными устройствами, такими как реле, соленоиды, моторы и другие.
Таким образом, C3039 транзистор является универсальным компонентом с большим количеством применений в электронике. Его высокая мощность, стабильность и надежность делают его незаменимым элементом для различных схем и устройств.
SS9013 Схема контактов транзистора, аналог, использование, характеристики и применение
В этой статье описывается распиновка SS9013, эквиваленты, использование, функции, приложения и другие сведения о том, где и как его использовать в электронной схеме.
Объявления
Объявления
Особенности/технические характеристики:
- Тип упаковки: TO-92
6
6
- Тип транзистора: NPN
- Макс. ток коллектора (I C ): 5 А или 500 мА
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 20 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 5 В
Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 625 Милливатт
Максимальная частота перехода (fT): 150 МГц
Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 64–202
Макс. температура хранения и рабочая температура Должно быть: от -55 до +150 по Цельсию
PNP. другой, пожалуйста, смотрите информацию о распиновке транзистора, который вы хотите заменить.
Транзистор SS9013 Объяснение/описание:
SS9013 — транзистор BJT NPN, изготовленный в корпусе TO-92. Он в основном используется для коммутации и усиления общего назначения в коммерческих устройствах. Кроме того, это также идеальный транзистор для использования в хобби и образовательных проектах по электронике. Транзистор обладает некоторыми очень хорошими характеристиками в своем небольшом корпусе TO-92, благодаря чему его можно использовать в различных электронных приложениях. Напряжение коллектор-эмиттер транзистора составляет 20 В, поэтому его можно легко использовать в электронных приложениях, требующих менее 20 В. Типичное напряжение насыщения этого транзистора составляет 0,16 В, что также подходит для универсального применения. Для полного выходного тока, то есть 500 мА, транзистору требуется 50 мА на его базе. Прирост или ч FE имеет номера от 64 до 202, но этот транзистор имеет разные номера деталей, которые определяют его коэффициент усиления, например коэффициент усиления SS9013D составляет 64–91, коэффициент усиления SS9013E составляет 78–112, коэффициент усиления SS9013F составляет 96–135, коэффициент усиления SS901G составляет 112–166, а коэффициент усиления SS9013H 144~202.
Где мы можем его использовать и как использовать:
SS9013 можно использовать во многих электронных приложениях, и в вашей электронной лаборатории обязательно должен быть транзистор. Этот транзистор в основном разработан для целей усиления звука, поэтому его можно использовать в схемах, где требуется небольшое усиление звука около 1 Вт, например, электронные звонки, небольшие радиоприемники и схемы приемников, усиление аудиосигнала любого электронного приложения, электронный зуммер и т. д. Более того. его также можно использовать для переключения, например, ток коллектора транзистора составляет 500 мА, что достаточно хорошо для рабочих нагрузок, таких как реле, мощные светодиоды, ИС, электронные приложения, другая часть схемы и т. д. Кроме того, он также может использоваться в качестве альтернативного или эквивалентного транзистора для других транзисторов общего назначения в общих приложениях, таких как 2N3904, 2N4401, BC547, BC337, 2N2222 и т.
Рекомендации по подключению C3039 транзистора
При подключении C3039 транзистора необходимо соблюдать следующие рекомендации:
| Параметр | Значение |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 200 В |
| Максимальный ток коллектора (Ic) | 10 А |
| Максимальная мощность (Pd) | 150 Вт |
| Максимальная рабочая частота (fT) | 50 МГц |
| Коэффициент усиления тока (hfe) | 25-250 |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-3P |
Для правильного подключения C3039 транзистора рекомендуется придерживаться следующей схемы подключения:
Соедините коллектор транзистора с положительным полюсом источника питания, а эмиттер — с нагрузкой. Спайки коллектора и эмиттера должны быть надежно зафиксированы и хорошо охлаждены для обеспечения нормальной работы транзистора при высоких нагрузках. Базу транзистора следует подключить к управляющему сигналу через предварительно выбранный резистор для контроля тока базы.
При подключении C3039 транзистора необходимо соблюдать максимальные значения напряжения, тока и мощности, указанные в технических характеристиках. Также следует учитывать температурный диапазон работы транзистора и обеспечивать его хорошее охлаждение для предотвращения перегрева.
Технические данные C3039 транзистора
В таблице приведены основные технические данные C3039 транзистора:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | 50 В |
| Максимальный коллекторный ток (Ic) | 150 мА |
| Максимальная мощность потери на коллекторе (Pc) | 400 мВт |
| Коэффициент усиления по току (hfe) | 50-300 |
| Максимальная рабочая частота (fT) | 150 МГц |
| Максимальная температура перехода (Tj) | 150°C |
| Конфигурация выводов | TO-92 |
Транзистор C3039 обладает высокой надежностью и стабильностью в работе. Он широко применяется в различных приборах, включая усилители, телевизоры, радиоприемники и другие электронные устройства.
Характеристики транзистора C3039 на русском языке
Описание:
Транзистор C3039 — это силовой биполярный полупроводниковый прибор, которым можно управлять электрическим током. Он состоит из трех слоев полупроводникового материала (p-n-p), которые образуют два p-n перехода. Такая конструкция позволяет усиливать сигналы и переключать большие токи.
Применение:
Транзистор C3039 широко применяется в схемах усилителей мощности, стабилизаторах напряжения и других устройствах, где требуется управление большими электрическими токами. Он также может использоваться во множестве других электронных приборов и устройств.
Технические характеристики:
Тип транзистора: C3039
Конфигурация: p-n-p
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: до 200 В
Максимальный коллекторный ток: до 4 А
Максимальная мощность: до 40 Вт
Коэффициент усиления тока hFE: от 40 до 400
Частота переключения: до 3 МГц
Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
Обратите внимание: перед использованием транзистора C3039 в своих проектах, рекомендуется внимательно изучить его документацию и соблюдать все рекомендации производителя
Преимущества использования C3039 транзистора
Основные преимущества использования C3039 транзистора включают:
1. Высокая мощность: C3039 обеспечивает высокую мощность при работе в различных условиях. Это делает его идеальным решением для приложений, требующих высокой мощности.
2. Низкое сопротивление насыщения: Транзистор C3039 имеет низкое сопротивление насыщения, что позволяет значительно уменьшить потери мощности и повысить эффективность системы
Это особенно важно для устройств, работающих на постоянном токе
3. Отличная линейность: C3039 обладает высокой линейностью, что позволяет использовать его в приложениях, где требуется точное воспроизведение сигнала. Это особенно полезно в аудио- и видеоусилителях.
4. Широкий диапазон рабочих температур: Транзистор C3039 способен работать в широком диапазоне температур, что делает его надежным и устойчивым в экстремальных условиях.
5. Простое подключение: C3039 имеет удобный выводной монтажный маршрут, что облегчает его установку и замену в различных электронных устройствах.
В целом, C3039 транзистор предлагает высокую производительность, надежность и простоту использования, что делает его привлекательным выбором для различных приложений, включая усилители, стабилизаторы напряжения, коммутационные схемы и многие другие.