Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.
У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.
Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.
Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.
Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-80
Корпус SOD-80, известный также как MELF, представляет из себя маленький стеклянный цилиндр с металлическими выводами. Примеры маркировки диодов.
Маркировка 2Y4 к 75Y (E24 серия) BZV49 1W кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V) Маркировка C2V4 к C75 (E24 серия) BZV55 500mW кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V)
Катодный вывод помечен цветным кольцом.
Маркировка приборов цветными кольцами.
| Вывод катода | Прибор |
| Черный (Black) | BAS32, BAS45, BAV105 LL4148, 50, 51,53, LL4448 BB241,BB249 |
| Черный и кочичневый (Black Brown) | LL4148, LL914 |
| Черный и оранжевый (Black Orange) | LL4150, BB219 |
| Коричневый и зеленый (Brown Green) | LL300 |
| Коричневый и черный (Brown Black) | LL4448 |
| Красный (Red) | BA682 |
| Красный и оранжевый (Red Orange) | BA683 |
| Красный и зеленый (Red Green) | BA423L |
| Красный и белый (Red White) | LL600 |
| Оранжевый и желтый (Orange Yellow) | LL3595 |
| Желтый (Yellow) | BZV55,BZV80,BZV81 series zeners |
| Зеленый (Green) | BAV105, BB240 |
| Зеленый и черный (Green Black) | BAV100 |
| Зеленый и кочичневый (Green Brown) | BAV101 |
| Зеленый и красный (Green Red) | BAV102 |
| Зеленыый и оранжевый (Green Orange) | BAV103 |
| Серый (Gray) | BAS81, 82, 83, 85, 86 |
| Белый (White) | BB219 |
| Белый и зеленый (White Green) | BB215 |
Электрические характеристики
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO(sus) | IC = 3 А, IB1 = 0,6 А, L = 1 мгн | ≥ 400 |
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEX(sus)1 | IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. | ≥ 450 |
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEX(sus)2 | IC = 6,0 А, IB1 = 2,0 А, IB2 = — 0,6 А, UBE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения. | ≥ 400 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 400 В, IE = 0 | ≤ 10 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICER | UCE = 400 В, RBE = 51 Ом, Tc = 125°C | ≤ 1 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICEX1 | UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5В | ≤ 10 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICEX2 | UCE = 400 В, UBE(off) = — 1,5 В, Tc = 125°C | ≤ 1 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ≤ 10 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) ٭ | IC = 3,0 А, IB = 0,6 А | ≤ 1,0 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) ٭ | IC = 3,0 А, IB = 0,6 А | ≤ 1,2 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 5,0 В, IC = 0,1 А | 20….80 |
| hFE (2) ٭ | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | 20….80 | |
| hFE (3) ٭ | UCE = 5,0 В, IC = 3,0 А | ≥ 10 | |
| Временные параметры транзистора, см. схему измерений | |||
| Время включения транзистора, мкс | ton | UCC = 150 В, IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = — 0,6 А, RL = 50 Ом. | ≤ 1,0 |
| Время сохранения импульса, мкс | tstg | ≤ 2,5 | |
| Время спадания импульса, мкс | tf | ≤ 1,0 |
٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.
Производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.
| Классификация | R | O | Y |
|---|---|---|---|
| hFE2 | 20….40 | 30….60 | 40….80 |
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Технические характеристики
Информация по всем эксплуатационным параметрам взята из datasheet на 2n60b компании Fairchild Semiconductor. Значения характеристик представлены для устройств обоих типов корпусного исполнения. Производитель, в своём технической документации, указал их с учётом возможной температуры кристалла (TC) не превышающей +25°С.
Максимальные параметры
Максимальные характеристики для 2n60b (при ТС=+25°С):
- напряжение между стоком и истоком VDSS = 600 В;
- постоянный ток идущий через сток: при TC=25°C ID = 2.0 A; при TC =100°C ID = 1.3 A.
- импульсный ток стока IDM = 6.0 A;
- напряжение между затвором и истоком VGSS = ±30 В;
- энергия одного импульса EAS =120 мДж;
- ток лавинного пробоя IAR = 2.0 A;
- энергия серии импульсов EAR = 5,4 мДж;
- скорость восстановления диода dv/dt = 5,5 В/нс;
- мощность рассеивания: PD = 3,13 Вт (TA = 25°C); PD = 54 Вт (TC = 25°C);
- диапазон рабочих температур Tstg 55°C … +150°C;
- нагрев контактов при пайке TL до 300°C.
Превышение максимальных параметров может привести к выходу устройства из строя или значительно сократить сроки его полезного использования.
Электрические параметры
Рассмотрим электрические (номинальные) параметры MOSFET-транзистора 2N60B (на русском). Условия их измерений представлены в отдельном столбце. Все значения действительны для температуры ТС не более +25°С.
Аналоги
Полных аналогов 2N60B не существует. В настоящее время его можно поменять на более современные и лучшие по параметрам транзисторы. Например, такие: STP3NK60Z, STP3NK60ZFP, STB3NK60Z, STD3NK60Z, 2SK3767. Или более мощные: 4N60, 6N60, 10N60. При этом стоит учитывать, что расположение выводов и корпуса некоторых из указанных устройств могут быть другими. В любом случае перед заменой необходимо ознакомиться с их datasheet.
Полевые SMD транзисторы
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
А это пример n-p-n и p-n-n биполярных транзисторов (sot-23, sot-323) с типовым расположением выводов:
комплектующие для ноутбуков, кабель сетевой, полевой транзистор
Наведите курсор, чтобы увеличить
Код товара 681
-
Цена:
199,26 грн В наличии
Купить
-
Количество:
–
+ -
Общая стоимость:
-
КУПИТЬ
Пример: +38 084 1112246
Купить в 1 кликНаписать продавцу
+38 (068) 87337XX
Показать телефоны
Способы оплаты:
Наличные, Безналичный, Наложенный платеж.
Способы доставки:
Самовывоз, Доставка Укрпочтой, Новая Почта, Новая Почта (курьерська доставка), Укрпочта
Условия возврата и обмена
Описание 2SA1695+C4468 демонтаж, оригинал
2SA1695+C4468 Деталь выпаяна с платы брендового устройства, 100% оригинал.
Написать отзыв
Отзывы(0) :
2SA1695+C4468 демонтаж, оригинал
Недостатки
Транзистор c2001, несмотря на свои многочисленные преимущества и широкое применение, имеет некоторые недостатки, которые важно учитывать при его использовании:
1. Ограниченные рабочие характеристики: Транзистор c2001 обладает определенными ограничениями в напряжении и токе, которые могут быть существенными в некоторых конкретных ситуациях. Поэтому перед применением транзистора необходимо тщательно изучить его технические параметры и убедиться, что они соответствуют требованиям проекта.
2. Тепловые проблемы: При работе транзистор c2001 может нагреваться, особенно при высоких нагрузках или повышенной температуре окружающей среды. Нагрев транзистора может привести к снижению его эффективности и даже к отказу, поэтому необходимо принимать меры по охлаждению транзистора и контролировать его температуру.
3. Низкая помехозащищенность: Транзистор c2001 может быть чувствителен к внешним помехам и электромагнитным воздействиям. Это может привести к неправильной работе транзистора или его поломке. Для предотвращения возникновения помех необходимо применять соответствующие методы защиты и экранирования.
4. Сложность монтажа: Монтаж транзистора c2001 может требовать определенных навыков и специального оборудования. Неправильный монтаж может привести к повреждению транзистора и сокращению его срока службы. Поэтому для монтажа рекомендуется привлекать опытных специалистов или следовать руководству производителя.
Необходимо учесть эти недостатки транзистора c2001 при его выборе и применении, чтобы обеспечить надежную и эффективную работу системы.
Принцип работы транзистора c2001
Принцип работы транзистора c2001 основан на управлении электрическим током, который протекает через области транзистора. Включение и выключение тока осуществляется с помощью напряжения, подаваемого на базу транзистора.
Когда на базу подается положительное напряжение, области p-типа становятся электронопроводящими, а область n-типа становится электронно непроводящей. Ток может легко протекать от коллектора к эмиттеру через области p-типа.
При отсутствии напряжения на базе, области p-типа становятся электронно непроводящими, а область n-типа становится электронопроводящей. Ток не может протекать от коллектора к эмиттеру, поэтому транзистор находится в выключенном состоянии.
Транзистор c2001 можно использовать для усиления сигналов, так как изменение напряжения на базе может вызвать большое изменение тока от коллектора к эмиттеру. Таким образом, малый сигнал на базе усиливается и выходит на коллектор.
Транзистор c2001 также может быть использован для коммутации сигналов. При наличии напряжения на базе транзистор включается и ток протекает от коллектора к эмиттеру. При отсутствии напряжения на базе транзистор выключается и ток перестает протекать.
| Характеристики | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектора | 20 В |
| Максимальный ток коллектора | 100 мА |
| Максимальная мощность | 300 мВт |
Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Литература по электронике
Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:
- Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
- Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
- Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .
В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.
Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются
В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!. Источники
Источники
- https://habr.com/ru/post/133136/
- https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
- https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
- https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
- https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
- https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
- https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/
Устройство IRF3205
Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.
Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
Биполярный транзистор 2SC2001 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2001
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора:
2SC2001
Datasheet (PDF)
..1. Size:154K nec 2sc2001.pdf
..2. Size:1147K no 2sc2001.pdf
..3. Size:473K secos 2sc2001.pdf
2SC2001 0.7 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High hFE and low VCE(sat) G HhFE(IC=100mA)200(Typ) VCE(sat)(700mA)0.2V(Typ) EmitterJCollectorBase A DCLASSIFICATION OF hFE Millimeter BREF.Product-Rank 2SC2001-M 2S
..4. Size:797K jiangsu 2sc2001.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES High hFE and Low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) 1. EMITTER VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit C2001=Device code Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal dev
..5. Size:226K lge 2sc2001.pdf
2SC2001(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features High hFE and low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base V
0.1. Size:212K mcc 2sc2001-l.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.2. Size:212K mcc 2sc2001-m.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.3. Size:212K mcc 2sc2001-k.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
Другие транзисторы… 2SC1995
, 2SC1996
, 2SC1997
, 2SC1998
, 2SC1999
, 2SC20
, 2SC200
, 2SC2000
, NJW0281G
, 2SC2002
, 2SC2003
, 2SC2008
, 2SC2009
, 2SC201
, 2SC2010
, 2SC2011
, 2SC2012
.
Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;
транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;
Маркировка IRF3205
В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.
Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.
А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).
TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.
Что такое SMD
Прежде всего, что означает «SMD» и откуда такое странное название? Все очень просто: это аббревиатура от английского выражения Surface Mounted Device, означающего прибор, монтируемый на поверхность.
То есть, в отличие от обычной радиодетали, ножки которой вставляются в отверстия в печатной плате и припаиваются с другой ее стороны, smd прибор просто накладывается на контактные площадки, предусмотренные на плате, и с этой же стороны припаивается.
Технология поверхностного монтажа не только позволила уменьшить габариты элементов и плотность элементов на плате, но и существенно упростила сам монтаж, с которым сегодня легко справляются роботы. Автомат прикладывает электронный компонент к нужному месту платы, разогревает это место ИК светом или лазером до температуры плавления нанесенной на площадки паяльной пасты, и монтаж элемента выполнен.
2SC2001 Datasheet (PDF)
..1. Size:154K nec 2sc2001.pdf
..2. Size:1147K no 2sc2001.pdf
..3. Size:473K secos 2sc2001.pdf
2SC2001 0.7 A , 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES High hFE and low VCE(sat) G HhFE(IC=100mA)200(Typ) VCE(sat)(700mA)0.2V(Typ) EmitterJCollectorBase A DCLASSIFICATION OF hFE Millimeter BREF.Product-Rank 2SC2001-M 2S
..4. Size:797K jiangsu 2sc2001.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES High hFE and Low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) 1. EMITTER VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) 2. COLLECTOR 3. BASE Equivalent Circuit C2001=Device code Solid dot=Green molding compound device, XXX if none,the normal dev
..5. Size:226K lge 2sc2001.pdf
2SC2001(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features High hFE and low VCE(sat) hFE(IC=100mA) : 200(Typ) VCE(sat)(700mA): 0.2V (Typ) Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS(TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base V
0.1. Size:212K mcc 2sc2001-l.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.2. Size:212K mcc 2sc2001-m.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
0.3. Size:212K mcc 2sc2001-k.pdf
MCC2SC2001-MMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC2001-LCA 91311Phone: (818) 701-49332SC2001-KFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.6Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0. 7APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 30V Operating and storage junction temperature range: -55
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
Как проверить IRF3205
Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.
Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).
Проверка диода
На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока
Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.
Проверка работы транзистора
Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.
Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.
В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.
После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.
Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.
Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.