Транзистор tip127

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Характеристики транзистора B601 y

Один из основных параметров транзистора B601 y — это его типоразмер. Благодаря своим компактным размерам, данный транзистор широко используется в различных электронных устройствах.

Транзистор B601 y относится к полупроводниковым устройствам, что позволяет ему эффективно выполнять функции усиления и коммутации электрических сигналов. Он способен работать в широком диапазоне температур и обладает высокой надежностью, что делает его применимым в различных условиях эксплуатации.

Одним из важных параметров транзистора B601 y является его максимально допустимая мощность. Этот параметр определяет, какая мощность может быть подана на транзистор без риска его повреждения. Значение максимально допустимой мощности влияет на выбор схемы и режима работы устройства, в котором будет использоваться данный транзистор.

Также стоит обратить внимание на коэффициент усиления по току (hFE) транзистора B601 y. Данный параметр характеризует, во сколько раз транзистор усиливает входной ток

Большое значение коэффициента усиления позволяет использовать транзистор в устройствах с низким уровнем входного сигнала.

Другим важным параметром является рабочая частота транзистора B601 y. Она определяет, в каком диапазоне частот транзистор способен работать эффективно. Выбор транзистора с определенной рабочей частотой важен при проектировании различных устройств связи и измерения сигналов.

Благодаря своим характеристикам, транзистор B601 y находит применение в множестве электронных устройств, включая усилители звука, генераторы сигналов, блоки питания и другие. Его надежность, универсальность и компактность делают его отличным выбором при проектировании различных электронных схем.

Преимущества использования транзистора B601 y

Основные преимущества транзистора B601 y включают:

1.	Высокая мощность и надежность.
2.	Быстрый и точный отклик.
3.	Широкий диапазон рабочих температур.
4.	Малое потребление энергии.
5.	Простота в использовании и монтаже.
6.	Низкая стоимость и доступность.

Эти преимущества делают транзистор B601 y отличным выбором для различных электронных устройств, включая усилители, источники питания, стабилизаторы напряжения, трансформаторы и многие другие. Он успешно применяется в широком спектре отраслей, включая автомобильную промышленность, электронику для потребительских товаров и медицинское оборудование.

Если вам требуется надежный и эффективный транзистор, транзистор B601 y является отличным выбором. Его преимущества делают его идеальным для использования в различных приложениях, где требуется высокая производительность и эффективность.

Биполярный транзистор 2SA1012 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора:

2SA1012
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  toshiba 2sa1012.pdf

 ..2. Size:343K  utc 2sa1012.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1012 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION FEATURES *Low Collector Saturation Voltage V =-0.4V(max.) At I =-3A CE(SAT) C*High Speed Switching Time: t =1.0s (Typ.) S*Complementary To 2SC2562 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SA1012L-x-TA3-

 ..3. Size:116K  mospec 2sa1012.pdf

AAA

 ..4. Size:1282K  jiangsu 2sa1012.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012 TRANSISTOR (PNP) FEATURES High Current Switching Applications. Low Collector Saturation Voltage High Speed Swithing Time 1. BASE 2. COLLECTOR3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base

 ..5. Size:119K  jmnic 2sa1012.pdf

Power Transistors www.jmnic.com 2SA1012 Silicon PNP Transistors Features B C E With TO-220 package Complementary to 2SC2562 Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage -60 V VCEO Collector to emitter voltage -50 V VEBO Emitter to base voltage -5 V IB Base current A IC Collector current -5 A PC Collector power dissip

 ..6. Size:318K  lge 2sa1012.pdf

2SA1012(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOTR3. EMITTER 3 21FeaturesHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = — 0.4V(MAX) at IC= — 3A High Speed Swithing Time : tstg = 1.0us (Typ.) Complementary to 2SC2562 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Coll

 ..7. Size:226K  lzg 2sa1012 3ca1012.pdf

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 ..8. Size:242K  inchange semiconductor 2sa1012.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SC2562100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.1. Size:742K  jiangsu 2sa1012b.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012B TRANSISTOR (PNP) FEATURES TO-252-2L -2A,-50V Middle Power Transistor Suitable for Middle Power Driver Low Collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS 1. BASE Middle Power Driver 2. COLLECTOR LED Driver Power Supply3. EMITTER MARKING A1012B= Dev

 0.2. Size:583K  semtech st2sa1012.pdf

ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollec

 0.3. Size:196K  inchange semiconductor 2sa1012-d.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012-DDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching Speed TO-252 Package-D=Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы… 2SA1008
, 2SA1009
, 2SA1009A
, 2SA101
, 2SA1010
, 2SA1011
, 2SA1011D
, 2SA1011E
, 2SC2655
, 2SA1012O
, 2SA1012Y
, 2SA1013
, 2SA1013O
, 2SA1013R
, 2SA1014
, 2SA1015
, 2SA1015L
.

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

Аналоги

Транзистор TIP127 имеет много зарубежных аналогов. Приведем устройства, которые имеют такой же корпус, расположение выводов, электрические и функциональные характеристики: 2N6035, 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2SB673, 2SB791, ECG26, TIP125, TIP126. На данные приборы можно менять без внесения изменений в электрическую схему.

Существуют похожие транзисторы, которыми можно заменить рассматриваемый, но некоторые электрические параметры могут отличаться: 2SB1024, 2SB676, BD332, BD334, BDT60B, BDW24C, BDW64C, KSB601, KTB1423, NSP702, TIP627.

Имеется также отечественный аналог TIP127 — КТ8115А.

Рекомендуемая комплементарная пара – TIP122.

Распиновка

Цоколевка у TIP127 следующая. Большинство фирм производителей изготавливают данный транзистор в корпусе ТО-220 с жесткими выводами. Материал корпуса пластмасса. Первый вывод слева, если смотреть со стороны маркировки является базой, второй коллектором, третий эмиттером. Коллектором также является металлическое основание.

Но есть и исключения из правил. Так, компания Unisonic Technologies выпускает данный прибор в другом пластовом корпусе ТО-126. Первая ножка рассматриваемого устройства – эмиттер, вторая – коллектор, третья – база.

Маркировка

На лицевой стороне корпуса транзистора наносится маркировка. На ней расположены такие сведения:

• название устройства (TIP127);
• буква G означает, что прибор не содержит свинца;
• А – место сборки;
• год выпуска;
• рабочая неделя.

Технические характеристики

Максимальные значения параметров транзистора TIP127 компании-производители обычно указывают в самом начале технической документации. Они измеряются при температуре +25ОС. Рабочие значения должны быть меньше предельно допустимых на 20%. Рассмотрим их подробнее:

• Максимальное напряжение между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = — 100 В;
• Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер V_CEO (U_{кэ max}) = -100 В;
• Наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = -5 А;
• Наибольший допустимый кратковременный ток коллектора I_CP (I_{к пик} ) = -8 А;
• Предельно допустимый постоянный ток базы I_В (I_{Б max})
• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора Р_С (Р_{к max}) = 65 Вт;
• Диапазон рабочих температур T_stg = -65 … 150 оС;
• Максимальная температура перехода T_j = 150 оС.

Электрические характеристики

В таблице электрических параметров имеется специальный столбец, в котором приведены значения, при которых производитель тестировал устройства. Измерение производится при той же температуре, что и при определении максимальных параметров.

Тепловые параметры

Тепловые характеристики полупроводниковых элементов имеют большое значение. Особенно в конструкциях, где транзистор должен рассеивать значительную мощность. Для подобных схем правильный выбор радиатора имеет решающее значение. Его применение позволяет добиться наилучших результатов в производительности и сгладить негативное влияние от нагрева. 

Необходимо помнит, что без охлаждения, вместе с увеличением температуры, рассеиваемая мощность устройства резко падает. Практически все производители наглядно представляют эти изменения в даташит в виде графиков.

Технические характеристики

Основные технические характеристики B601 транзистора включают:

Характеристика	Значение
Максимальное коллекторное напряжение (VCEO)	60 В
Максимальная коллекторная мощность (PC)	1 Вт
Максимальная коллекторный ток (IC)	0.5 А
Ток базы (IB)	0.3 А
Коэффициент усиления по току (hFE)	40-250
Температурный диапазон	-55°C до +150°C

Этот транзистор обладает высокой надежностью и широким диапазоном температурной стабильности, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации. Б601 транзистор применяется в усилительных схемах, цепях постоянного тока, а также в различных электронных устройствах, требующих небольшой мощности и низкого уровня шума.

Описание B601 y транзистора

Основные характеристики B601 y транзистора:

• Тип: p-n-p
• Предельные постоянные тока коллектора: 2А
• Максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер: 80В
• Мощность рассеяния: 15Вт
• Температурный диапазон: от -65°C до +150°C

B601 y транзистор широко используется в усилителях, генераторах, модуляторах и других радиочастотных устройствах. Благодаря своим надежным характеристикам, он обеспечивает стабильное и качественное усиление сигнала. Кроме того, он может быть использован для управления мощными нагрузками в различных электронных схемах.

Особенности B601 y транзистора включают в себя:

1. Высокая частота переключения, что позволяет использовать его в высокоскоростных схемах;
2. Низкие уровни шума, что делает его привлекательным для применения в чувствительных радиочастотных устройствах;
3. Хорошая теплораспределение благодаря компактному и эффективному корпусу, позволяющая устройству работать при высоких температурах;
4. Высокая надежность и долговечность, что обеспечивает стабильное функционирование устройства на протяжении длительного времени.

Таким образом, B601 y транзистор является важным элементом в электронных схемах, где требуется высокочастотное усиление и низкие уровни шума. Его надежность и стабильность обеспечивают долгий срок службы устройств, в которых он используется.

Применение B601 y транзистора

B601 y транзистор может применяться в следующих областях:

• Аудиоусилители. Благодаря своей высокой мощности и низкому уровню шума, B601 y транзистор может быть использован в усилителях для улучшения качества звука и увеличения громкости.
• Радиоприемники. B601 y обеспечивает высокую чувствительность и точную передачу сигнала, что делает его отличным выбором для усиления и декодирования радиосигналов.
• Импульсные источники питания. Благодаря своим низким потерям мощности и высокой мгновенной мощности, B601 y транзистор может использоваться в импульсных источниках питания для эффективной передачи энергии.
• Системы управления двигателями. Благодаря своим высоким характеристикам и надежности, B601 y может быть использован в системах управления двигателями для улучшения их производительности и эффективности.

Также стоит отметить, что B601 y транзистор может быть использован в других электронных устройствах, где требуется усиление или коммутация сигнала с высокой мощностью и низким уровнем шума.

Уникальные особенности транзистора B601 y

Транзистор B601 y имеет ряд уникальных особенностей, которые делают его привлекательным для применения в различных электронных устройствах.

Высокое быстродействие. Транзистор B601 y обладает высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих устройствах. Благодаря этому он может эффективно работать в системах с высокой частотой.

Низкое сопротивление. Один из главных плюсов транзистора B601 y заключается в его низком внутреннем сопротивлении. Это позволяет снизить потери энергии и повысить эффективность работы устройства, в котором он используется.

Широкий диапазон рабочих температур. Транзистор B601 y может безопасно работать в широком диапазоне температур от -55 до +150 градусов Цельсия. Это позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации и повышает надежность работы устройств.

Высокая степень надежности. Благодаря высокому качеству материалов и строгому контролю производства, транзистор B601 y обладает высокой степенью надежности и долговечности. Он способен прекрасно работать в течение длительного времени без существенного снижения своих характеристик.

Малые габариты. Транзистор B601 y имеет компактные размеры, что делает его удобным для применения в малогабаритных устройствах. Это особенно актуально в случае, когда требуется высокая функциональность при ограниченных размерах.

Все эти особенности делают транзистор B601 y непременным элементом в проектировании и разработке современной электроники.