Irf1010e mosfet datasheet, pinout, features & applications

Транзистор irf1010e: характеристики и описание на русском языке

Схемы подключения транзистора F1010E

Существует несколько распространенных схем подключения транзистора F1010E:

  1. Схема включения транзистора F1010E в качестве ключа:

    В этой схеме транзистор используется в качестве ключа для управления нагрузкой. Когда на базу подается достаточное напряжение, транзистор открывается и позволяет проходить току от источника питания к нагрузке. Это позволяет использовать транзистор для управления различными электронными устройствами.

    Входной сигнал подается на базу через резистор, который ограничивает ток базы. Коллектор транзистора подключается к положительному полюсу источника питания, а эмиттер — к нагрузке. Графическое изображение схемы подключения дано в таблице ниже.

    +--------------------+
    |                    |
    |         Rb         |
    |         +--        |
    |         |          |
    |   +-----|>--+      |
    |   |     |   |      |
    +----    F1010E   --
    |   |   ->|-
    ---      |
    |       |
    GND      |
    |       |
    |       |
    +---|
  2. Схема включения транзистора F1010E в качестве усилителя:

    В этой схеме транзистор используется в качестве усилителя для усиления малых сигналов. Входной сигнал подается на базу через конденсатор, который пропускает только переменные сигналы. Транзистор усиливает сигнал и выводит его на коллектор. Схема подключения дана ниже.

    +--------------------+
    |                    |
    |         Cb         |
    |         +--        |
    |         |          |
    |   +-----|>--+      |
    |   |     |   |      |
    +----    F1010E   --    Output
    |   |   ->|-
    ---      |
    |       |
    GND      |
    |       |
    |       |
    +---
    Input
    
  3. Схема включения транзистора F1010E в качестве импульсного усилителя:

    В этой схеме транзистор используется для усиления импульсных сигналов. Входной сигнал подается на базу через резистор и диод, который ограничивает и стабилизирует входной сигнал. Транзистор усиливает импульсный сигнал и выводит его на коллектор. Схема подключения дана ниже.

    +--------------------+
    |                    |
    |        Rb          |
    |         +--   D1   |
    |         |   -|--+      |
    |   |     |   |      |
    +----    F1010E   --    Output
    |   |   ->|-
    |    D2    |
    |    -|

Это только некоторые из возможных схем подключения транзистора F1010E. Он имеет широкий спектр применений и может быть использован в различных электронных схемах в зависимости от требуемых характеристик. При выборе схемы подключения необходимо учитывать требования конкретной задачи и особенности работы транзистора.

IRF1010E Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number IRF1010E
Description Power MOSFET(Vdss=60V/Rds(on)=12mohm/Id=84A
Manufacturers International Rectifier 
Logo  

There is a preview and IRF1010E download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 8 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

G
Description

Advanced HEXFETPower MOSFETs from International

Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry.
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

IAR

EAR

dv/dt

TJ

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
www.irf.com
PD — 91670
IRF1010E

HEXFETPower MOSFET

D

VDSS = 60V

RDS(on) = 12mΩ

ID = 84A

S
TO-220AB
Max.

84

59
330
200
1.4
± 20
50
17
4.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Units
A
W
W/°C
V
A
mJ
V/ns
°C
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.75
–––
62
Units
°C/W
1
3/16/01

IRF1010E
100
LIMITED BY PACKAGE
80
60
40
20

25 50 75 100 125 150 175

TC , Case Temperature ( °C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature
1

VDS

VGS

RG

RD

D.U.T.

VGS

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

D = 0.50
0.20
0.1 0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001

PDM

SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

t1

t2

0.0001
Notes:

1. Duty factor D = t1 / t 2

2. Peak T J = P DM x Z thJC + TC

0.001

t1, Rectangular Pulse Duration (sec)

0.01

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com
0.1
5


Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRF1010E electronic component.

Information Total 8 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop

In Stock: 19873

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Применение F1010E транзистора в электронике

  • Источник питания: F1010E транзисторы могут использоваться в источниках питания для электронных устройств, где требуется управлять высокой мощностью. Он отлично подходит для работы с постоянным и переменным током.
  • Инверторы: F1010E транзисторы могут быть использованы в инверторах, которые преобразуют постоянный ток в переменный ток. Это позволяет использовать их в солнечных батареях и других энергосистемах.
  • Устройства защиты: F1010E транзисторы могут использоваться в устройствах защиты, таких как стабилизаторы напряжения, громкоговорители и блоки питания. Они могут обеспечивать надежную защиту от перегрузок и короткого замыкания.
  • Аудиоусилители: F1010E транзисторы могут использоваться в аудиоусилителях для усиления звуковых сигналов. Они обеспечивают высокую мощность и качество звука.
  • Светотехника: F1010E транзисторы могут быть использованы в светодиодных схемах освещения, где требуется управление яркостью и цветом света. Они обеспечивают эффективное энергопотребление и долгий срок службы.
  • Индустриальное оборудование: F1010E транзисторы могут использоваться в промышленном оборудовании, таком как робототехника, конвейеры, источники питания и другие системы управления.

F1010E транзистор является надежным и универсальным устройством в электронике. Он может быть полезен во многих различных проектах и приложениях, требующих высокой мощности и эффективности. Благодаря своим характеристикам и надежности, F1010E транзистор широко используется в современной электронике.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: