Параметры транзистора bc549c. интернет-справочник основных параметров транзисторов

Основные технические характеристики

У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):

физические:

• принцип действия – биполярный;
• корпус ТО-92, SOT-23;
• материал корпуса – пластмасса;
• материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;

электрические:

• проводимость – обратная (n-p-n);
• максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) I_{K макс} (I_{c max}) 0,15 А или 150 мА (mA);
• максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U _{КЭ макс.} (V_CEmax) не более 50 В (V);
• максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U_{КБ макс.} (V_CBmax) не более 60 В (V);
• максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) U_{ЭБ макс} (V_{ЕВ max}) не более 5 В (V);
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) U_КЭ.нас. (V_CEsat) не более 0.3 В (V);
• граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) f_гр (f_t) от 100 до 450 МГц (MHz), при U _{КЭ =} 6 В (V), I_K = 10 мА (mA);
• максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) I_КБО (I_CBO) не более 0.01 мкА (µA), при U _{КБ макс.} (V_CBО ) = 60 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора I_Э (I_E)=0);
• максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) I_ЭБО (I_EBO) не более 0.01 мкА (µA), при U _{EБ макс.} (V_EBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора I_К (I_С)=0);
• максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) P_{K макс.} (P_C) 0,400 Вт (Watt) или 400 мВт (mW);
• максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.
• Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) при U_{КЭ макс} = 6 В (V) и I_{K макс}  = 1 мА (mA) находится в пределах от 70 до 700 H_fe.

Классификация по H_fe

</table>

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Биполярный транзистор BC549C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC549C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

BC549C
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  taiwansemi bc546a bc546b bc546c bc547a bc547b bc547c bc548a bc548b bc548c bc549a bc549b bc549c bc550a bc550b bc550c.pdf

BC546A/B/C — BC550A/B/C Taiwan Semiconductor 500mW, NPN Small Signal Transistor FEATURES KEY PARAMETERS Low power loss, high efficiency PARAMETER VALUE UNIT Ideal for automated placement VCBO 30-80 V High surge current capability VCEO 30-65 V Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and VEBO 6 V in accordance to WEEE 2002/96/EC Halogen-free accordi

 0.1. Size:314K  onsemi bc546abu bc546ata bc546bta bc546btf bc546cta bc547ata bc547b bc547bbu bc547bta bc547btf bc547cbu bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 0.2. Size:1554K  lrc bc547cta bc547ctfr bc548bu bc548bta bc548cta bc549bta bc549btf bc549cta bc550cbu bc550cta.pdf

 0.3. Size:81K  diotec bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC548BP
, BC548C
, BC548CP
, BC549
, BC549A
, BC549AP
, BC549B
, BC549BP
, A1015
, BC549CP
, BC550
, BC550AP
, BC550B
, BC550BP
, BC550C
, BC550CP
, BC551
.

Производители

Аналоги транзистора 2SC945 2SC1815, 2SC3198, BC182LB, C1815, C945, KSC1815, KSC945C, KTC3198

Цоколевка транзистора 2SC945

Характеристики транзистора 2SC945

Транзисторы 2SC945 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SC945R в диапазоне от 90 до 180, 2SC945Q  в диапазоне от 135 до 270, 2SC945P — в диапазоне от 200 до 400, 2SC945K — в диапазоне от 300 до 600.

Информация взята по этой ссылке

Похожие материалы:

Распродажа на АлиЭкспресс. Успей купить дешевле!

Понижающий Dc-Dc преобразователь XL4016

Характеристики:

Ток(макс) 5А(8А)

Вх. напряжение 4-40V

Вых. напряжение 1.25-36V

Макс. мощность 200 Вт КПД: 94%

Размер: 61*41*27 мм

Цена: 251руб.

• https://shematok.ru/transistor/c945
• https://rustaste.ru/tranzistor-2sc945.html

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.