Популярные аналоги D2396 транзистора
1. D1356: Этот транзистор имеет схожую конфигурацию и параметры работы с D2396. Он также может быть использован для усиления сигналов и коммутации в аналогичных схемах.
2. D936: Это еще один аналог D2396, который имеет схожие параметры и характеристики. Он может быть использован в широком спектре электронных устройств, включая аудиоусилители и источники питания.
3. D1878: Этот транзистор также является хорошим аналогом D2396. Он обладает схожими электрическими характеристиками и может быть использован в различных схемах усиления и коммутации.
Однако, при замене D2396 на один из этих аналогов, необходимо обратить внимание на их параметры и ограничения, чтобы убедиться, что они подходят для конкретной схемы и приложения
D2396 Detail Informations
|
Part Number : D2396, 2SD2396 Function : NPN Transistor ( Vcbo = 80V, Ic = 3A ) Package : TO-220FN Type Manufactures : Rohm Image Features 1. High dc current gain ( hFE ), typically hFE = 1000 Applications 1. Low frequency power amplifier Pinout
Absolute maximum ratings (Ta=25’C) 1. Collector-to-base voltage : Vcbo = 80 V 2. Collector-to-emitter voltage : Vceo = 60 V 3. Emitter-to-base voltage : Vebo = 6 V 4. Collector Curret : Ic = 3A 5. Collector dissipation ( Tc=25’C) : Pc = 30W
Related articles across the web
Part Number : D2396 Function : 60V, 3A, NPN Transistor Package : TO-220F type Manufactures : JCET ( JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY ) Images :
1 page 2 page JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors 2SD2396 TRANSISTOR (NPN) TO – 220F Features Available in TO-220 F package Darling connection provides high dc current gain (hFE) Large collector power dissipation Low frequency and Power amplifier MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC RθJA Tj Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature 1. BASE 123 2. COLLECTOR 3. EMITTER Value 80 60 6 3 2 62.5 150 -55~+150 Unit V V V A W ℃/W ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Collector-base breakdown voltag V(BR)CBO IC=50μA, IE=0 80 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 60 Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=50u A,IC=0 6 Collector cut-off current ICBO VCB=80V,IE=0 Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage IEBO hFE- VCE(sat)- VEB=6V,IC=0 VCE=4V, IC=0.5A IC=2A,IB=50mA 400 Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=2A,IB=50mA Collector output capacitance Cob VCB=10V,IE=0, f=1MHz Transition frequency fT *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. VCE=5V,IC=0.2A,f=10MHz Typ Max 100 100 2000 0.8 1.5 55 40 Unit V V V μA μA V V pF MHz CLASSIFICATION OF hFE- RANK RANGE H 400-800 J 600-1200 K 1000-2000 www.cj-elec.com 1 A-2,May,2016 Typical Characteristics COLLECTOR CURRENT IC (A) 1.1 COMMON 1.0 EMITTER 0.9 Ta=25℃ 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 Static Characteristic 1mA 0.9mA 0.8mA 0.7mA 0.6mA 0.5mA 0.4mA 0.3mA 0.2 0.2mA 0.1 0.0 0 IB=0.1mA 12345 COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V) 6 V —— I 200 CEsat C 175 150 125 Ta=100℃ 100 75 50 25 0 100 Ta=25℃ 1000 COLLECTOR CURRENT IC (mA) β=40 3000 3000 1000 COMMON EMITTER VCE=4V I C —— V BE BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (mV) DC CURRENT GAIN hFE 10000 1000 100 10 1200 1000 800 600 400 200 0 100 10000 1000 COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV) CAPACITANCE C (pF) =25℃ =100℃ T a COLLCETOR CURRENT IC (mA) T a 100 100 10 COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW) 10 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (mV) P —— T 3000 Ca 2500 2000 1500 1000 500 0 0 25 50 75 100 125 150 AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃) 1 0.1 www.cj-elec.com 2 h —— FE I C Ta=100℃ Ta=25℃ COMMON EMITTER VCE=4V 100 1000 COLLECTOR CURRENT IC (mA) 3000 V —— I BEsat C Ta=25℃ Ta=100℃ 1000 COLLECTOR CURRENT IC (mA) C /C ob ib —— V /V CB EB Cib β=40 3000 f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25℃ Cob 1 REVERSE VOLTAGE V (V) 10 30 A-2,May,2016 TO-220F Package Outline Dimensions Symbol A A1 A2 A3 b b1 b2 c D E e F Ф h h1 h2 L L1 L2 www.cj-elec.com Dimensions In Millimeters
3 page |
Description :
Характеристики D2396 транзистора
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Максимальная частота переключения | 100 МГц |
| Максимальное коллекторное напряжение | 60 В |
| Максимальный коллекторный ток | 200 мА |
| Коэффициент усиления по току | мин. 100 |
| Тип корпуса | TO-92 |
Транзистор D2396 обладает высоким коэффициентом усиления по току, что делает его идеальным для применения в высокочастотных схемах и усилительных устройствах. Он также имеет низкий уровень шума. Благодаря своим характеристикам, транзистор D2396 широко используется в радиоэлектронике, телекоммуникационных системах, а также в других областях, где требуется усиление и переключение сигналов высокой частоты.
Применение D2396 транзистора
Транзистор D2396 применяется в различных электронных устройствах, где требуется усиление или коммутация сигнала.
Основные области применения D2396 транзистора:
- Аудиоусилители. D2396 обладает высокой усиливающей способностью, что делает его идеальным выбором для создания звуковых усилителей.
- Радиоприемники. Благодаря своей низкой шумоподобной характеристике, D2396 транзистор широко используется в радиоприемниках для усиления слабых радиосигналов.
- Телевизионные устройства. В телевизионных устройствах D2396 транзистор используется для усиления видеосигнала и звука, обеспечивая высокое качество и стабильность изображения.
- Светотехника. D2396 транзистор может использоваться в светильниках для управления яркостью светодиодов или других источников света.
- Импульсные источники питания. D2396 транзистор обладает высокой коммутационной способностью, что позволяет использовать его в импульсных источниках питания для эффективного преобразования энергии.
Кроме того, D2396 транзистор широко используется в различных электронных схемах, требующих усиления, коммутации или регулирования сигнала.
Преимущества и недостатки D2396 транзистора
Преимущества:
- Высокая надежность и долговечность. D2396 транзистор имеет прочную конструкцию, что обеспечивает его стабильную работу на протяжении длительного времени.
- Высокая скорость переключения. Благодаря своим характеристикам, D2396 транзистор обладает высокой скоростью переключения, что позволяет ему эффективно выполнять свою функцию в различных электронных схемах.
- Широкий диапазон рабочих температур. D2396 транзистор способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет его использование в различных условиях.
- Низкое потребление энергии. D2396 транзистор имеет низкое потребление энергии, что позволяет сэкономить ресурсы и повысить энергоэффективность использующей его системы.
Недостатки:
- Ограниченная мощность. D2396 транзистор имеет относительно невысокую мощность, что может ограничивать его применение в некоторых схемах, требующих большей мощности.
- Ограниченный диапазон напряжений. D2396 транзистор не подходит для работы в схемах с высокими напряжениями, так как его характеристики не позволяют обеспечить стабильную работу в таких условиях.
- Ограниченный диапазон рабочих токов. D2396 транзистор имеет определенный диапазон рабочих токов, в котором он может эффективно функционировать. Выход за пределы этого диапазона может привести к его поломке или неработоспособности.
Как выбрать и подключить D2396 транзистор
При выборе и подключении D2396 транзистора необходимо учесть следующие особенности:
1. Напряжение и ток коллектора: Перед выбором транзистора необходимо определиться с требуемыми значениями напряжения и тока коллектора. D2396 транзистор может работать с напряжением коллектора до 700 В и током коллектора до 10 А.
2. Тип корпуса: В зависимости от конкретной задачи и условий монтажа можно выбрать транзистор с различным типом корпуса. D2396 транзистор часто выпускается в корпусе TO-220, который обеспечивает хорошую тепловую отдачу.
3. HFE (коэффициент передачи тока): HFE или коэффициент усиления тока является важным параметром транзистора. D2396 транзистор имеет HFE в диапазоне от 40 до 160. Необходимо учесть требования цепи, в которой будет использоваться транзистор, и выбрать транзистор с подходящим HFE.
4. Подключение: D2396 транзистор имеет три вывода: базу (B), эмиттер (E) и коллектор (C)
Правильное подключение транзистора важно для его правильной работы. Обычно на корпусе транзистора есть маркировка выводов (B, E, C), которую можно использовать для подключения
Также необходимо учесть полярность и правильно подключить транзистор к источнику питания и другим компонентам цепи.
5. Охлаждение: Для эффективной работы D2396 транзистора требуется обеспечить его надежное охлаждение. Можно использовать радиатор для отвода излишнего тепла от транзистора. Необходимо учитывать требования к охлаждению указанные в документации на транзисторы.
Правильный выбор и подключение D2396 транзистора позволят обеспечить его стабильную и надежную работу в вашей электрической схеме или устройстве.
Применение D2396 транзистора
Основные области применения D2396 транзистора:
1. Усилительные схемы. D2396 может быть использован в качестве усилителя высокой частоты, обеспечивая усиление сигнала без искажений.
2. Радиотехника. Транзистор D2396 применяется в радиопередатчиках, радиоприемниках и других радиоэлектронных устройствах, позволяя передавать и принимать сигналы на высоких частотах.
3. Коммутационные схемы. Благодаря высокой скорости переключения, D2396 может быть использован в коммутационных схемах, где требуется быстрое открытие и закрытие транзистора.
4. Импульсные источники питания. D2396 может быть использован в импульсных источниках питания, обеспечивая эффективное преобразование электрической энергии и высокую стабильность выходного напряжения.
5. Устройства связи. D2396 широко применяется в устройствах связи для передачи и приема сигналов на высоких частотах, таких как радиотелефоны, радиостанции и сотовые телефоны.
В целом, D2396 транзистор является важным элементом для создания радиоэлектронных устройств и схем, где требуется работа на высоких частотах и быстрые переключения. Благодаря своим характеристикам, он находит применение в широком спектре областей, включая радиосвязь, электронику и импульсные технологии.
Устройство и принцип работы
Первый слой транзистора — база, является тонкой p-областью на полупроводниковом кристалле. Второй слой — коллектор, является толстым n-областью. И третий слой — эмиттер, является тонким n-областью. Переход между базой и эмиттером является pn-переходом, а между базой и коллектором — np-переходом.
Принцип работы транзистора основан на контроле тока эмиттера с помощью тока базы. Когда на базу подается положительное напряжение, pn-переход база-эмиттер открывается и ток начинает протекать из эмиттера в базу. При этом ток коллектора также начинает протекать через pn-переход база-коллектор. Однако, в результате узкой p-области базы усиление тока происходит, и ток коллектора оказывается значительно больше тока базы. Это свойство транзистора позволяет усиливать сигналы электрического тока и использовать его в различных схемах и устройствах.
Роль D2396 транзистора в электронике
Одной из ключевых особенностей D2396 транзистора является его высокая мощность и низкое входное сопротивление. Входная емкость транзистора составляет около 920 пФ, что делает его эффективным для работы с высокочастотными сигналами.
Применение D2396 транзистора находит во многих областях электроники, включая аудиоусилители, радиоприемники, источники питания, электронные блоки и др. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор может обеспечить стабильное и качественное усиление сигналов, а также обеспечить надежную коммутацию.
Кроме того, D2396 транзистор применяется в схемах усиления мощности, особенно в радиотехнике. Он обладает высокой мощностью и низким уровнем шума, что позволяет использовать его для работы с большими сигналами и обеспечивает высокую чувствительность.
Благодаря своей надежности и широким возможностям применения, D2396 транзистор стал одним из основных элементов электронных устройств. Он позволяет улучшить эффективность и производительность различных электронных схем, а также обеспечить стабильность и качество работы электронных устройств.
Основные характеристики D2396 транзистора
- Тип: PNP
- Максимальное сопротивление перехода эмиттер-база (RE-BV): не менее 6 В
- Максимальное сопротивление перехода коллектор-база (RC-BV): не менее 110 В
- Максимальный ток коллектора (IC): 2 А
- Максимальная мощность потери (PD): 20 Вт
- Максимальное напряжение питания (VCEO): 80 В
- Максимальная рабочая температура (Tj): +150°C
Эти характеристики указывают на предельные значения, которые необходимо соблюдать при использовании D2396 транзистора в электронных схемах. Транзистор обладает высоким коэффициентом усиления тока и низкими значениями сопротивления переходов. Однако, для исправной работы транзистора следует учитывать его максимальные значения тока, мощности потери и рабочей температуры.
Особенности D2396 транзистора
Одной из ключевых особенностей D2396 является его высокая частотная пропускная способность. Транзистор способен работать на частоте до нескольких гигагерц, что делает его идеальным выбором для работы в радиочастотных усилителях и высокоскоростных схемах.
Также стоит отметить низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер и высокий коэффициент усиления по току. Это позволяет использовать D2396 в схемах с низким уровнем сигнала и улучшает общую эффективность устройства.
Другой важной особенностью D2396 является его высокая надежность и стабильность работы в широком диапазоне температур. Это обеспечивает стабильность работы устройств на протяжении длительного времени и в различных климатических условиях
Важно отметить, что D2396 транзистор требует правильного подключения и теплоотвода для обеспечения надежной работы и продолжительного срока службы. Рекомендуется ознакомиться с технической документацией и рекомендациями производителя перед использованием данного транзистора в своих проектах
