Критерии выбора альтернативы
При замене транзистора Д965 на альтернативный эквивалент необходимо учитывать несколько критериев
Важно выбрать компонент, который подходит по параметрам и характеристикам, чтобы обеспечить работоспособность целевой системы
Основные критерии выбора альтернативы:
| Критерий | Описание |
|---|---|
| Тип транзистора | Альтернативный компонент должен быть того же типа, что и заменяемый транзистор Д965. Например, если Д965 является NPN-транзистором, то и альтернативный вариант должен быть NPN-транзистором. |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Выбранный альтернативный транзистор должен иметь максимальное напряжение коллектор-эмиттер, соответствующее или превышающее требования целевой системы. |
| Максимальный ток коллектора (IC) | Альтернативный компонент должен обеспечивать требуемый максимальный ток коллектора, необходимый для надежной работы системы. |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | Уровень коэффициента усиления по току (hFE) альтернативного транзистора должен быть совместим с требованиями цепи усиления или коммутации. |
| Допустимая мощность (P) | Альтернативный компонент должен иметь достаточную допустимую мощность для обеспечения работы системы без риска его перегрева. |
При выборе альтернативы транзистора Д965 рекомендуется обратить внимание на технические документы, datasheet и согласовать параметры с требованиями конкретной системы
2SD965 vs 2SD966
Here in the table below we listed the electrical specifications of 2SD965 and 2SD966, this comparison is very useful for a better understanding of the two devices.
| Characteristics | 2SD965 | 2SD966 |
|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | 40V | 40V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | 20V | 20V |
| Emitter to base voltage (VEB) | 7V | 7V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | 1V | 1V |
| Collector current (IC) | 5A | 5A |
| Pulsed collector current | 8A | 8A |
| Power dissipation | 0.75W | 1W |
| Junction temperature (TJ) | -55 to +150°C | -55 to +150°C |
| Transition frequency (FT) | 150MHZ | 150MHZ |
| Gain (hFE) | 230 to 600hFE | 230 to 600hFE |
| Output capacitance | 50pF | 50pF |
| Package | TO-92 | TO-92L |
2SD965 transistor electrical specification
- 2SD965 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor device
- Collector to emitter voltage is 20V
- Collector to base voltage is 40V
- Emitter to base voltage is 7V
- Collector current is 5A
- Pulsed collector current is 8A
- Power dissipation is 75W
- DC current gain is 230 to 600hFE
- Transition frequency (FT) is 150MHz
- Junction temperature is between -55 to 150℃
- Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) is 1V
- Output capacitance is 50pF
- Low saturation voltage
- High operation efficiency with low voltage power supply
- For low-frequency power amplification
- Advanced process technology
- Low error voltage
- Fast switching speed
- High power and current handling capability
Советы по замене транзистора BR D965
При возникновении необходимости заменить транзистор BR D965 следует учитывать несколько важных моментов. Во-первых, стоит убедиться, что выбранный аналог имеет аналогичные характеристики, как по параметрам тока и напряжения, так и по типу и конфигурации.
Во-вторых, необходимо обратить внимание на корпус транзистора BR D965 и его пин-кодировку. Перед заменой следует узнать, совпадают ли эти параметры у аналога
Их различие может привести к некорректной работе или даже повреждению схемы.
Также стоит обратить внимание на параметры мощности транзистора. Если BR D965 использовался в схеме с определенной мощностью, то заменник должен иметь аналогичные или выше характеристики по этому параметру, чтобы обеспечивать нормальную работу схемы
Наконец, рекомендуется приобретать транзисторы у проверенных поставщиков, чтобы избежать покупки подделок или неоригинальных деталей. Качественный аналог BR D965 гарантирует стабильную работу схемы и долговечность устройства.
В случае неполадок или необходимости замены транзистора BR D965 важно придерживаться этих советов, чтобы избежать проблем и обеспечить надежную работу вашего устройства
Применение транзистора BR D965 в электронике
Транзистор BR D965 имеет высокую мощность и низкий уровень шума, что делает его идеальным выбором для использования в аудиоусилителях, радиоприемниках, телевизионных устройствах и других аудио- и видеоаппаратах.
Также транзистор BR D965 может использоваться в цифровой электронике, например, в схемах логического управления и компьютерах. Благодаря своим характеристикам, он способен работать с высокими частотами и обеспечивать стабильное и точное усиление сигнала.
Благодаря низкому уровню паразитных эффектов, транзистор BR D965 также широко применяется в микроэлектронике и микроэлектронных схемах. Он обладает высокой надежностью и долговечностью, что позволяет использовать его во многих промышленных и бытовых устройствах.
Таким образом, транзистор BR D965 является универсальным элементом электроники, который может применяться в различных сферах и устройствах. Благодаря своим характеристикам, он способен обеспечить стабильное и точное усиление электрических сигналов, что делает его незаменимым компонентом для многих электронных устройств.
Аналоги транзистора BR D965
На рынке существует несколько аналогов транзистора BR D965, которые могут быть использованы в его замене. В таблице ниже приведены некоторые из них:
| Марка | Тип | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В | Максимальный ток коллектора, А | Максимальная мощность, Вт |
|---|---|---|---|---|
| 2SD882 | NPN | 40 | 3 | 2 |
| 2N3904 | NPN | 40 | 0.2 | 0.625 |
| BC548 | NPN | 30 | 0.1 | 0.5 |
| 2N5551 | NPN | 160 | 0.6 | 0.5 |
| MPSA42 | PNP | 300 | 0.5 | 0.625 |
При выборе аналога или замены для транзистора BR D965 необходимо учитывать требования конкретной схемы, в которой он будет использоваться
Также следует обратить внимание на параметры и характеристики заменяющих устройств, чтобы они соответствовали требованиям схемы. Кроме того, при замене транзистора необходимо учитывать его совместимость с остальными элементами схемы и спецификацию проекта
Как выбрать оптимальную альтернативу транзистору Д965
При замене транзистора Д965 необходимо правильно выбрать альтернативу, чтобы обеспечить стабильную работу устройства
Важно учитывать следующие параметры:
1. Тип транзистора: В первую очередь, определите тип транзистора, который необходимо заменить. У транзистора Д965 тип PNP
При подборе альтернативы обратите внимание на этот параметр
2. Максимальные допустимые значения: Учтите максимальные рабочие токи и напряжения, которые указаны в спецификации транзистора Д965. Подбирайте альтернативу с аналогичными или более высокими значениями, чтобы избежать перегрузок и повреждений.
3. Коэффициент усиления: Этот параметр указывает на способность транзистора усиливать сигнал. Подберите альтернативу с близким или превышающим коэффициентом усиления, чтобы обеспечить нужную активность.
4. Температурный диапазон: Учтите температурные условия работы устройства. Подбирайте альтернативу, которая работает в том же или широком диапазоне температур.
Важно помнить, что при замене транзистора Д965 рекомендуется обратиться к документации устройства или проконсультироваться с экспертом, чтобы избежать неправильного выбора альтернативы и корректно подключить новый транзистор
Технические характеристики транзистора BR D965
Вот основные технические характеристики транзистора BR D965:
- Тип корпуса: TO-220F
- Максимальное напряжение коллектора (Vceo): 60 В
- Максимальное коллекторное токоотдание (Ic): 8 А
- Максимальная мощность потери (Pc): 40 Вт
- Максимальная рабочая температура (Tj): 150°C
- Усиление тока (hfe): 25 — 400
- Частота перехода (ft): 10 МГц
Благодаря своим характеристикам, транзистор BR D965 обладает надежностью и применяется во многих разных схемах и цепях. Помимо этого, он имеет низкую рассеиваемую мощность и высокую стойкость к перегрузкам, что делает его идеальным выбором для многих электронных систем.
Замена и эквиваленты
Бывает, что вышедший из строя компонент уже не продается. Поэтому радиолюбители подбирают транзистор, который похож по своим техническим характеристикам на неисправный или ищут его аналог. Для поиска аналогов используют информацию из даташит на устройство и приведенные в нем технические характеристики.
Полные аналоги с d1555 по корпусу, его распиновке и техническому описанию, имеют следующие импортные транзисторы: 2SC42943; 2SC4744; BU508D; D1651; D2095; D2195; ECG2331. Можно подобрать похожий по характеристикам, например d5703, как показано на видео ниже о подборе строчника.
Подходящей замены из отечественных устройств для данного импульсника нет. Некоторые умельцы используют в качестве альтернативы, на отдельных вариантах схем, советский КТ838А. Это очень сомнительное решение, вместе с которым надо учесть отсутствие у этого него защитного диода, резистора и при этом наличие большого металлического корпуса.
Биполярный транзистор 2SD1616 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1616
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора:
2SD1616
Datasheet (PDF)
..1. Size:156K nec 2sd1616.pdf
..2. Size:282K utc 2sd1616 2sd1616a.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1616/A NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 11SOT-223SOT-89 DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching 1SIP-311TO-92 TO-92SP ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Plating Halogen-Free 1 2 3 2SD1616L-x-AA3-B 2SD1616G-x-AA3-B SOT-22
..3. Size:1161K wietron 2sd1616.pdf
2SD16162SD1616ANPN TransistorsTO-921. EMITTER122. COLLECTOR33. BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol 2SD16116 2SD1616A UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 60 VdcCollector-Base Voltage VCBO60 120 VdcEmitter-Base Voltage VEBO6.0 VdcCollector Current IC1.0 AdcPD 0.75Total Device Dissipation T =25 C WAJunction Temperature T 150j C-55
0.1. Size:98K nec 2sd1616a.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SD1616, 2SD1616ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.15 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 50 mA) Large PT in small dimension with versatilityPT = 0.75 W, VCEO = 50/60 V, IC(DC) = 1.0 A Complementary transistor with the 2SB1116 and 1
0.2. Size:341K secos 2sd1616a.pdf
2SD1616A 1A , 120V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Power dissipation ADMillimeter REF.Min. Max.BA 4.40 4.70CLASSIFICATION OF hFE (1) B 4.30 4.70C 12.70 -D 3.30 3.81Product-Rank 2SD1616A-L 2SD1616A-K 2SD1616A-UE 0.36 0.56F 0.36 0.51
0.3. Size:758K jiangsu 2sd1616a.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 1. EMITTER 2SD1616A TRANSISTOR (NPN) 2. COLLECTOR FEATURE 3. BSAE Power dissipation MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Co
0.4. Size:193K lge 2sd1616a.pdf
2SD1616A(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 1 A Dimensions in inches and (millimeters)PC C
Другие транзисторы… 2SD1610C
, 2SD1610D
, 2SD1611
, 2SD1612
, 2SD1613
, 2SD1614
, 2SD1615
, 2SD1615A
, BC546
, 2SD1616A
, 2SD1616AG
, 2SD1616AL
, 2SD1616AY
, 2SD1616G
, 2SD1616L
, 2SD1616Y
, 2SD1617
.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые мезо-планарные, NPN, импульсные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки ТВ-приемников и видеоконтрольных устройств, источниках вторичного электропитания и высоковольтных переключающих устройствах.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3P(H)IS |
| КТ838А* | 70 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 115 | ≥ 3 | 170 | ≥ 4 | ТО-3 (КТ-9) |
| КТ839А* | 50 | 1500 | 1500 | 5 | 10 | 125 | ≥ 5 | 240 | от 5 до 12 | |
| КТ886А1/Б1* | 75 | 1400/1000 | 1400/1000 | 7 | 10 | 150 | 135 | от 6 до 25 | TOP-3 (КТ-43В-2) |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Импортное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3P(H)IS |
| 2SD1546/7/8* | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/7/10 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3PF |
| 2SD1556 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 3 | 165 | 8 | |
| 2SD2125 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 3 | 165 | 8 | |
| 2SD2498*/9 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 2 | 95 | 8 | TO-3P(H)IS |
| 2SC4293/4 | 50 | 1500 | 800 | 7 | 5/6 | 150 | 8 | TO-3PN | ||
| 2SC4744 | 50 | 1500 | 6 | 6 | 150 | 25 | TO-3PFM | |||
| BUH417 | 55 | 1700 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | TO-3PF | ||
| BUH515 | 60 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH517* | 55 | 1700 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH615 | 55 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH715* | 65 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| KSC5086 | 50 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | 8 | |||
| KSC5088* | 50 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | 8 | |||
| TS7988 | 70 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| TS7990 | 75 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| TS7992 | 75 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| BU508D | 125 | 1500 | 700 | 8 | 150 | 7 | 125 | от 6 до 30 | SOT-429 | |
| 2SD1847/8 | 100 | 1300 | 1300 | 7 | 6 | 150 | 2 | от 5 до 25 | TO-3PFa | |
| 2SD5072 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 5 | 150 | 3 | 8 | TO-3MPL |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Примечание: все данные в таблицах получены из даташит производителя.
ЗАЩИТА АС УМЗЧ
Изначально задумал использовать схему защиты от БРИГ, но затем читая отзывы о симисторной защите захотел попробовать ее. Блоки защиты были сделаны в самом конце, тогда было туго с финансами, а симисторы и прочие компоненты схемы у нас оказались довольно дороги, поэтому вернулся к релейной защите.
В итоге были собраны три блока защиты, один из них для сабвуферного усилителя, а два остальных для каналов ОМ.
В сети можно найти большое количество схем блоков защиты, но эта схема перепробована мной неоднократно. При наличии постоянного напряжения на выходе (выше допустимого) защита мгновенно срабатывает спасая динамическую головку. После подачи питания реле замыкается, а при срабатывания схемы оно должно размыкаться. Защита включает головку с небольшой задержкой — это тоже в свою очередь, является дополнительной страховкой и щелчок после включения, почти не слышен.
Компоненты блока защиты могут отклоняться от указанного, Основной транзистор можно заменить на наш КТ815Г, использовал высоковольтные транзисторы MJE13003 — их у меня навалом, кроме того, они довольно мощные и не перегреваются в ходе работы, поэтому в теплоотводе не нуждаются. Маломощные транзисторы можно заменить на S9014, 9018, 9012, даже на КТ315, оптимальный вариант — 2N5551. Реле на 7-10 Ампер, подобрать можно любое реле на 12 или 24 Вольта, в моем случае на 12 Вольт.
Блоки защиты для каналов ОМ установлены возле трансформатора второго инвертора, работает все это дело довольно четко, при максимальной громкости защита может сработать (ложно) крайне редко.
Основные технические характеристики
Наличие внутреннего защитного сопротивления и обратного диода являются отличительной характеристикой “строчного транзистора” d1555. Защитная функция демпферного диода заключается в уменьшении обратной индукцию, которая может появиться при работе устройства в ключевом режиме при индуктивной нагрузке.
Предельно допустимые параметры
Транзисторы, которые используются в выходных каскадах блоков развертки и импульсных блоках питания, должны иметь большую мощность рассеивания, а так же способность пропускать высокие токи и напряжение. D1555 подходит под это описание и имеет следующие предельно допустимые значения при эксплуатации (при Токр. = +25 °C)
Электрические характеристики
Для выполнения условий высокой надежности при работе особенно важно допустимое напряжение коллектор-эмиттер UKЭМАКС., а не коллектор-база UKБ МАКС. UKБ МАКС всегда будет больше для данного типа компонентов
Из этого следует то, что нужно осторожно воспринимать фразу “транзистор на 1500 вольт”, так как у 2sd1555 максимальное UKЭМАКС не превышает 600 вольт. Ниже перечислены электрические параметры для d1555 (при температуре окружающей среды Токр.= +25 °C)
Физические характеристики:
- принцип действия — биполярный;
- пластиковый корпус: ТО-3P (HIS); ТО-3PML;
- материал кристалла — Si;
- структура – PNP, с защитным резистором и диодом.
Маркировка
Транзистор d1555 в 1990 годах производила японская компания Toshiba Semiconductor. Исходя из японского происхождения, маркировка на его корпусе нанесена по системам промышленной стандартизации этой страны: JEDEC, Pro-Electron. Символы “2s” обозначают тип полупроводникового устройства. Они иногда не указываются производителем в обозначении. Буква “D” , после “2S”, указывает на NPN-структуру низкой частоты. Под цифрами “1555” скрывается серийный номер устройства. Очень редко транзистор обозначается без первой цифры так — sd1555.
Characteristics curves of 2SD965 transistor
output characteristics of the 2SD965 transistor
The figure shows the output characteristics of the 2SD965 transistor, this is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.
At different base current values, the collector current increases from a lower value to a higher value with respect to the collector-to-emitter voltage value.
safe operation area characteristics of the 2SD965 transistor
The figure shows the safe operation area characteristics of the 2SD965 transistor, the graph plots with collector current, collector-to-emitter voltage, and switching speed.
We can use the operation curves of the 2SD965 transistor for circuit-making based on this transistor.
Более подробно о транзисторе BR D965
Данный транзистор имеет типовой корпус TO-220 и способен выдерживать высокие токи и напряжения. Структура BR D965 является эпитаксиальной, что обеспечивает его высокую надежность и стабильность в работе.
BR D965 является типовым PNP-транзистором, то есть он обладает отрицательным типом проводимости электронов. Это делает его идеальным для работы в схемах, где требуется усиление тока или работы с положительными напряжениями.
Важно отметить, что BR D965 может иметь различные значения характеристик, таких как максимальный ток коллектора, максимальное напряжение коллектора и коэффициент усиления
Поэтому при замене данного транзистора необходимо обращать внимание на эти параметры и выбирать аналог с подходящими характеристиками
Транзистор BR D965 широко применяется в различных сферах, включая системы электроснабжения, промышленные системы управления, аудиоусилители и телекоммуникационное оборудование.
В результате, BR D965 является надежным и универсальным транзистором, который может быть использован во множестве приложений, обеспечивая стабильную и эффективную работу силовых цепей.
Популярные альтернативы транзистору Д965
Одной из популярных альтернатив транзистору Д965 является 2N3904. Он также имеет NPN структуру и может использоваться в аналогичных цепях. Данный транзистор имеет похожие параметры и может заменить Д965 в большинстве случаев.
Также стоит обратить внимание на BC547 или BC548, которые также являются NPN транзисторами и популярными среди электронных разработчиков. Они обладают схожим набором характеристик и подойдут в качестве альтернативы Д965
Еще одной альтернативой является 2N4401. Этот транзистор также имеет NPN структуру и может быть использован вместо Д965. Он обладает схожими параметрами и может быть установлен на место Д965 без изменения схемы.
Однако, при выборе альтернативного транзистора, всегда стоит проверять его параметры и характеристики для совместимости с конкретной схемой. Также рекомендуется обратиться к спецификации и документации транзистора для получения подробной информации о его работе и возможных альтернативах.