Транзистор кт807б: какую замену выбрать?

Общая информация о транзисторе КТ807

Транзистор КТ807 обладает следующими особенностями:

Материал изготовления: кремний;
Тип корпуса: металлокерамический;
Максимальное значение токоотводимой мощности: 50 Вт;
Диапазон рабочих температур: от -65 °C до +175 °C;
Максимальная рабочая частота: 30 МГц;
Структура транзистора: n-p-n;
Тип кристалла: эпитаксиальный;
Тип монтажа: поверхностный.

Транзистор КТ807 обладает высокой надежностью и эффективностью работы, что делает его применимым в различных сферах, включая коммутационные и усилительные схемы, а также в приборах и системах, в которых необходима высокая мощность и стабильность работы.

Почему может понадобиться замена транзистора КТ807Б?

Замена транзистора КТ807Б может быть необходима по нескольким причинам:

1. Выход из строя транзистора: В результате работы или внешних факторов транзистор КТ807Б может выйти из строя. Если это произошло, то замена транзистора становится необходимой для восстановления нормальной работы устройства.

2. Недоступность: В некоторых случаях, транзистор КТ807Б может быть недоступен для покупки по причине прекращения его производства или редкой распространенности на рынке. В таком случае, замена транзистора является единственным способом получить схожую функциональность.

3. Устаревшие технологии: Транзистор КТ807Б может быть разработан на основе устаревших технологий, что в итоге может привести к его неполадкам или низкой эффективности. Замена транзистора на более современный аналог позволит улучшить функциональность и надежность устройства.

4. Улучшение параметров: В некоторых случаях, замена транзистора может быть целесообразна для улучшения определенных параметров устройства, таких как мощность, частотные характеристики, энергопотребление и другие. Выбор аналога с более подходящими параметрами позволит улучшить функциональность и качество работы устройства.

Необходимость замены транзистора КТ807Б может возникнуть по разным причинам, однако правильное выбор аналога позволит восстановить или улучшить работу устройства.

Как правильно подключить новый транзистор

Замена транзистора в устройстве, таком как КТ807Б, требует правильного подключения нового элемента. Вот простая инструкция, которая поможет выполнить это правильно:

Определите положение выводов нового транзистора и сравните его с оригинальным элементом. Убедитесь, что выводы совпадают по номерам и назначению.
Отметьте место подключения на плате устройства, где находится старый транзистор. Убедитесь, что плата отключена от источника питания.
Отпаяйте старый транзистор, применяя припой и паяльник. Примените термопинцеты или пинцеты с теплоизолирующими накладками для предотвращения повреждения нового транзистора при пайке.
Подключите новый транзистор, аккуратно вставляя его выводы в выделенные места на плате. Убедитесь, что каждый вывод полностью проходит сквозь отверстие и находится в правильной позиции.
Соедините выводы транзистора с платой, применяя припой и паяльник. Убедитесь, что соединение надежно и не смещается.
Проверьте качество подключения, осмотрев выводы транзистора на наличие обрывов или короткого замыкания.
Включите плату устройства и проверьте его работу. Убедитесь, что новый транзистор функционирует должным образом.

После того, как вы правильно подключили новый транзистор, можно быть уверенным в надежности работы вашего устройства. В случае затруднений или необходимости получить более подробную информацию, всегда обратитесь к схеме или руководству пользователя устройства.

mpsu31 техническое описание и примечания по применению

Спецификация mpsu31 (8)

Часть	Производитель	Описание	Тип	ПДФ
МПС-У31	Моторола	Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book	Сканировать	PDF
МПС-У31	Моторола	Библиотека данных по полупроводникам, том 3, 1974 г.	Сканировать	PDF
МПСУ31	Другие	Базовая спецификация транзистора и перекрестная ссылка	Сканировать	PDF
МПСУ31	Другие	Транзистор Shortform PDF Лист данных	Сканировать	PDF
МПСУ31	Другие	Semiconductor Master Cross Reference Guide	Сканировать	PDF
МПСУ31	Другие	Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное)	Сканировать	PDF
МПС-У31	Другие	Краткое описание микросхем и компонентов (плюс данные перекрестных ссылок)	Сканировать	PDF
МПСУ31	Национальный полупроводник	Краткое техническое описание National Semiconductor	Сканировать	PDF

Технические характеристики

В первую очередь возможности транзистора зависят от предельно допустимых характеристик. Их превышение во время работы приведет к выходу устройства из строя. Для КТ837 они равны:

постоянное напряжение К-Б:
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 80 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 60 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 45 В;
постоянное напряжение К-Э (R_ЭБ = 100 Ом):
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 70 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 55 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 40 В;
постоянное напряжение К-Э (R_ЭБ = ∞ Ом):
- КТ837А, Б, В, Л, М, Н – 60 А;
- КТ837Г, Д, Е, П, Р, С – 45 В;
- КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф – 30 В;
постоянное напряжение Э-Б:
- КТ837А-К, 2Т837А-В – 15 В;
- КТ837Л-Ф, 2Т837Г-Е – 5 В;
коллекторный ток:
- КТ837А-Ф – 7,5 А;
- 2Т837А-Е – 8 А;
- ток базы – 1 А;
мощность:
- без теплоотвода – 1 Вт;
- с теплоотводом – 30 Вт.

Кроме максимальных на возможности и сферу применения КТ837 влияют также и электрические характеристики. Они измерялись при температуре +25°С. Остальные параметры тестирования, способные повлиять на конечный результат, приведены в следующей таблице в отдельной колонке.

Электрические характеристики транзистора КТ837 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Тр-р	min	max	Ед. изм
Статический к-т усиления в схеме ОЭ	U_КБ = 5 В, I_Э = 2 мА	КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т	10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У	20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	50	150
Обратный ток К-Э	U_КЭ = U_{КЭ макс}	ВСЕ		10	мА
Обратный ток К-Б	U_Кб = U_{Кб макс}	ВСЕ		0,15	мА
Обратный ток через Э	U_ЭБ = 15 В	КТ837А-Г		0,3	мкА
U_ЭБ = 5 В	КТ837Л-Ф		0,3
Напряжение насыщения К-Э	I_к= 3 A, I_б= 0,37 A	КТ837А-В, Л-Н		2,5	В
I_к= 3 A, I_б= 0,37 A	КТ837Г-Е, П-С		0,9
I_к= 2 A, I_б= 0,3 A	КТ837Ж-К, Т-Ф		0,5
Напряжение насыщения Б-Э	I_к= 2 A, I_б= 0,5 A	ВСЕ		1,5	В

Напряжение коллектора-эмиттер

Транзистор КТ807Б имеет следующие технические характеристики по напряжению коллектора-эмиттер:

Максимальное постоянное напряжение коллектора-эмиттер (Vceo)	800 В
Максимальное импульсное напряжение коллектора-эмиттер (Vces)	1000 В
Максимальное обратное напряжение коллектора-эмиттер (Vcer)	800 В

Транзистор КТ807Б обладает высокими показателями по напряжению коллектора-эмиттер, что позволяет использовать его в различных схемах и приложениях с требуемым высоким напряжением. Это делает его привлекательным выбором при проектировании электронных устройств и систем, где необходимо работать с большими напряжениями.

Как выбрать замену для транзистора КТ807Б?

При выборе замены для транзистора КТ807Б необходимо обратить внимание на следующие характеристики:

Тип транзистора: убедитесь, что выбранный вами транзистор имеет такой же тип (например, PNP или NPN), как и КТ807Б.
Максимальное рабочее напряжение: убедитесь, что выбранный вами транзистор имеет такое же или более высокое максимальное рабочее напряжение, чем КТ807Б.
Максимальный ток коллектора: убедитесь, что выбранный вами транзистор имеет такой же или более высокий максимальный ток коллектора, чем КТ807Б.
Коэффициент усиления: убедитесь, что коэффициент усиления выбранного вами транзистора соответствует требуемому значению для вашей схемы.

Один из возможных замен для КТ807Б — транзистор KT815B. Он имеет схожие характеристики и может использоваться вместо КТ807Б во многих случаях.

Однако, прежде чем выбрать замену, рекомендуется обратиться к документации на ваше устройство или связаться с производителем для получения рекомендаций по замене транзистора. Это поможет избежать проблем и непредвиденных ситуаций в вашей схеме или устройстве.

Преимущества и недостатки транзистора КТ807

Преимущества:

Высокие характеристики мощности — транзистор КТ807 способен выдерживать большие значения тока и напряжения;
Относительно низкое внутреннее сопротивление — это позволяет достичь низкого уровня потерь мощности и повысить эффективность работы устройства;
Хорошая теплорассеиваемость — благодаря специальной конструкции и использованию материалов с высокой теплопроводностью, КТ807 способен отводить большое количество тепла и предотвращать перегрев;
Широкий диапазон рабочих температур — транзистор КТ807 обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне температур от -65 до +175 градусов Цельсия;
Надежность и долговечность — данный транзистор имеет высокую степень надежности и срок службы.

Недостатки:

Большие габариты и масса — из-за высоких характеристик мощности и специальной конструкции, транзистор КТ807 имеет большие размеры и вес.
Сложная схема подключения — для работы с данным транзистором требуется соблюдение определенной схемы и наличие специальных знаний в области электроники.
Высокая цена — из-за использования специальных материалов и технологий, транзистор КТ807 имеет относительно высокую стоимость.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска. Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
К209 – ромб (серая точка).
К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
КТ342 – четверть круга (синяя точка).
КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
К366 – буква Т (цвета нет).
КТ6127 – перевернутая буква П.
КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
КТ638 – без символа (оранжевая точка).
КТ680 – буква Г.
КТ681 – вертикальная палочка.
КТ698 – буква П.

Общая информация о транзисторе КТ807Б

Транзистор КТ807Б обладает следующими основными характеристиками:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 800 В
Максимальный коллекторный ток: 5 А
Максимальная мощность коллектора: 150 Вт
Максимальная рабочая частота: 0.5 МГц

Транзистор КТ807Б обеспечивает высокий коэффициент усиления и обладает низким уровнем шума. Его конструкция позволяет эффективно отводить тепло и обеспечивает надежную работу при высоких температурах.

Транзистор КТ807Б широко применяется в различных электронных устройствах, таких как аудиоусилители, источники питания, силовые блоки и другие устройства, требующие коммутации и усиления высоких мощностей.

Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора:

2N5087
Datasheet (PDF)

..1. Size:434K motorola 2n5086 2n5087.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123

..2. Size:49K philips 2n5087 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1

..3. Size:100K fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf

2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect

..4. Size:60K central 2n5086 2n5087.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..5. Size:1285K sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf

0.1. Size:300K motorola 2n5087rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT

0.2. Size:155K onsemi 2n5087-d.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

0.3. Size:156K onsemi 2n5087g.pdf

0.4. Size:156K onsemi 2n5087rlrag.pdf

0.5. Size:49K hsmc h2n5087.pdf

Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..

Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.

Способы удаления и установки КТ807Б

Для замены транзистора КТ807Б необходимо выполнить следующие шаги:

Шаг
Действие
1
Отключите устройство от источника питания и дайте ему некоторое время для разрядки
2
Осмотрите плату и найдите транзистор КТ807Б

Обратите внимание на его положение и ориентацию
3
Подержите паяльник над каждым контактом транзистора, чтобы нагреть паяльную пасту
4
С помощью паяльника аккуратно отпаяйте каждый контакт транзистора. При необходимости используйте паяльную пасту или флюс
5
После удаления старого транзистора отведите его в сторону, чтобы освободить место для нового
6
Установите новый транзистор КТ807Б на ту же позицию и в ту же ориентацию, что и предыдущий
7
Снова нагрейте контакты каждого пина транзистора с помощью паяльника
8
Припаяйте каждый контакт нового транзистора на плату

Убедитесь, что пин не перемещается, пока паста не остынет
9
Проверьте связи и убедитесь, что новый транзистор правильно установлен и функционирует
10
Подключите устройство обратно к источнику питания и проведите тестовую работу

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора

6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

Применение транзистора КТ807 в электронике

Основное применение транзистора КТ807 связано с усилением сигнала и управлением мощными нагрузками. Он часто используется в акустических системах, радиоприемниках, усилителях мощности и других аудиоустройствах. Благодаря высокой мощности и низкому уровню шума, транзистор КТ807 позволяет достичь более качественного и мощного звучания.

Также, транзистор КТ807 может применяться в схемах и устройствах силовой электроники. Он обеспечивает эффективное управление мощными токами и высокие значения напряжения. Поэтому его можно встретить в источниках питания, переключающих схемах, стабилизаторах напряжения и других подобных устройствах.

Транзистор КТ807 также находит применение в устройствах связи, таких как передатчики и приемники. Благодаря своей высокой частотной характеристике и низкому уровню искажений, он обеспечивает стабильную передачу и прием сигналов. Это позволяет использовать его в системах радиосвязи, радарах и радиолокации.

Таким образом, транзистор КТ807 имеет широкий спектр применения в электронике и может использоваться в различных устройствах и схемах для усиления сигнала, управления мощными нагрузками и передачи данных. Будучи надежным и эффективным элементом, он способствует повышению производительности и качества работы электронных устройств.

Температурный дрейф

Температура влияет на характеристики транзисторов по постоянному и переменному току. Двумя аспектами этой проблемы являются изменение температуры окружающей среды и самонагревание. Некоторые приложения, например, военные и автомобильные, требуют работы в расширенном температурном диапазоне. В благоприятной же среде схемы подвергаются самонагреванию, в частности высоковольтные схемы.

Ток утечки I_К0 и коэффициент β увеличиваются с ростом температуры. Коэффициент β по постоянному току h_FE возрастает экспоненциально. Коэффициент β по переменному току h_fe увеличивается, но не так быстро. При повышении температуры от -55°C до 85°C он удваивается. По мере увеличения температуры увеличение h_fe даст больший выходной сигнал в схеме с общим эмиттером, который в крайних случаях будет ограничен (отсечен). Увеличение h_FE сдвигает точку смещения, приводя к возможному отсечению пиков на одной из полуволн. В многокаскадных усилителях с прямой связью сдвиг точки смещения усиливается. Решением этой проблемы является использование отрицательной обратной связи для стабилизации точки смещения. Это также стабилизирует и коэффициент усиления по переменному току.

Повышение температуры на рисунке ниже (a) приведет к уменьшению V_БЭ от номинальных 0,7 В для кремниевых транзисторов. Уменьшение V_БЭ увеличивает ток коллектора в усилителе с общим эмиттером, что дополнительно приводит к сдвигу точки смещения. Лекарством от смещения V_БЭ является использование пары транзисторов, собранных в схему дифференциального усилителя. Если оба транзистора на рисунке ниже (b) имеют одинаковую температуру, V_БЭ будет отслеживать изменение температуры и компенсировать его.

(a) односторонний усилитель с общим эмиттером и (b) дифференциальный усилитель с компенсацией изменений V_БЭ

Рекомендуемая максимальная температура перехода для кремниевых устройств часто составляет 125°C. Хотя для повышения надежности, работать необходимо при более низких температурах. Транзистор прекращает работать при температуре выше 150°C. Транзисторы из карбида кремния и алмазные транзисторы будут работать при значительно более высоких температурах.

Что такое КТ807Б транзистор?

Он может выдерживать ток до 18А и напряжение до 1500В, что делает его идеальным для применения в усилителях мощности, источниках питания и других схемах, где требуется большая мощность.

КТ807Б транзистор имеет хорошую линейность и низкую искаженность, что позволяет использовать его в звуковых усилителях высокого качества.

Он доступен в металлическом корпусе TO-3P, который обеспечивает эффективное управление теплом и позволяет избежать перегрева при работе на больших мощностях.

КТ807Б транзистор также обладает высокой надежностью и долгим сроком службы, что делает его популярным выбором для инженеров и электронщиков.