Параметры полевого транзистора irf840. интернет-справочник паратран

Аналоги

Маркировка	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Корпус
IRF840	125 W	500 V	20 V	4 V	8 A	150 °C	63 nC		1500 pf	0,85 Ohm	TO220
IRF840A	125 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	38 nC		1018 pf	0,85 Ohm	TO220
IRF840B	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	41 nC	65 ns	145 pf	0,8 Ohm	TO‑220
IRF840PBF	125 W	500 V	20 V	4 V	8 A	150 °C	63 nC	23 ns	310 pf	0,85 Ohm	TO‑220AB
IRF840APBF	125 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	38 nC	23 ns	155 pf	0,85 Ohm	TO‑220AB
2SK1574	125 W	500 V	30 V		8 A	150 °C				0,85 Ohm	TO220AB
2SK2866	125 W	600 V	30 V	4 V	10 A	150 °C	45 nC	22 ns	630 pf	0,75 Ohm	TO220AB
8N50	125 W	500 V	30 V		8 A	150 °C		38 ns	115 pf	0,77 Ohm	TO‑220 TO‑220F1 TO‑220F2
9N65	167 W	650 V	30 V		9 A	150 °C		20 ns	177 pf	0,85 Ohm	TO‑220 TO‑220F
10N50	143 W	500 V	30 V		10 A	150 °C		80 ns	177 pf	0,54 Ohm	TO‑220 TO‑220F1
10N60	156 W	600 V	30 V		10 A	150 °C		69 ns	166 pf	0,72 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 TO‑262 TO‑263
10N60A	156 W	600 V	30 V	4 V	10 A	150 °C	44 nC	69 ns	166 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
10N65	178 W	650 V	30 V		10 A	150 °C		69 ns	166 pf	0,72 Ohm	TO‑263 TO‑220 TO‑262 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2
10N65A	156 W	650 V	30 V		10 A	150 °C		26,2 ns	146,5 pf	0,85 Ohm	TO220
12N50	195 W	500 V	30 V		12 A	150 °C		54 ns	198 pf	0,42 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 TO‑263
12N60	225 W	600 V	30 V		12 A	150 °C		115 ns	200 pf	0,6 Ohm	TO‑220 TO‑220F1 TO‑220F TO‑262
12N65	140 W	650 V	30 V	4 V	12 A	150 °C	58 nC	28 ns	195 pf	0,7 Ohm	TO220AB
12N80	390 W	800 V	30 V		12 A	150 °C		12 ns	315 pf	0,75 Ohm	TO‑3P TO‑247 TO‑230 TO‑220F2
13N50	168 W	500 V	30 V		13 A	150 °C		140 ns	245 pf	0,42 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1
15N50	170 W	500 V	30 V		15 A	150 °C		150 ns	250 pf	0,26 Ohm	TO‑220F2
15N60	312 W	600 V	30 V		15 A	150 °C		200 ns	270 pf	0,5 Ohm	TO‑247 TO‑3P TO‑220F1
15N65	312 W	650 V	30 V		15 A	150 °C		125 ns	295 pf	0,5 Ohm	TO‑247 TO‑220F TO‑220F2
18N50	277 W	500 V	30 V		18 A	150 °C		165 ns	330 pf	0,24 Ohm	TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2
AOT11S60	178 W	600 V	30 V		11 A	150 °C		20 ns	37,3 pf	0,399 Ohm	TO‑220
BUZ91	150 W	600 V	20 V	4 V	8,5 A	150 °C		70 ns	180 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
BUZ91A	150 W	600 V	20 V	4 V	8 A	150 °C		70 ns	180 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
CS840	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C		75 ns	150 pf	0,85 Ohm	TO‑220
FMP20N60S1	150 W	600 V	30 V	3,5 V	20 A	150 °C	48 nC	40 ns	3120 pf	0,19 Ohm	TO‑220
FQP12N60C	225 W	600 V	30 V	4 V	12 A	150 °C	48 nC			0,65 Ohm	TO220
FQP13N50C	195 W	500 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	56 nC			0,48 Ohm	TO220
FQPF13N50C	195 W	500 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	56 nC			0,48 Ohm	TO220F
FTP14N50C	188 W	500 V	30 V	4 V	14 A	150 °C	41 nC	30 ns	180 pf	0,46 Ohm	TO220
IPP60R190C6	151 W	600 V	20 V	3,5 V	20,2 A	150 °C	63 nC	11 ns	85 pf	0,19 Ohm	TO220
IRFB11N50A	170 W	500 V	10 V	4 V	11 A	150 °C	52 nC			0,52 Ohm	TO220AB
IRFB9N60A	170 W	600 V	10 V	4 V	9,2 A	150 °C	49 nC			0,75 Ohm	TO220AB
NCE65T130	260 W	650 V	30 V	4 V	28 A	150 °C	37,5 nC	12 ns	120 pf	0,13 Ohm	TO220
SPP11N60C3	125 W	600 V	20 V	3,9 V	11 A	150 °C	45 nC	5 ns	390 pf	0,38 Ohm	TO220
STP14NM65N	125 W	650 V	25 V	4 V	12 A	150 °C	45 nC	13 ns	90 pf	0,38 Ohm	TO220
STP26NM60N	140 W	600 V	25 V	4 V	20 A	150 °C	60 nC	25 ns	115 pf	0,165 Ohm	TO220
WFP840	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	59 nC	22 ns	145 pf	0,8 Ohm	TO‑220

В качестве отечественного аналога могут подойти транзисторы КП777А, КП840.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Применение транзистора IRF840 в силовых устройствах и блоках питания

Одним из основных применений транзистора IRF840 является его использование в источниках питания с постоянным током (СИ). Транзистор обеспечивает высокую эффективность и низкий уровень потерь мощности, что позволяет достичь стабильного и надежного питания для различных электронных устройств. Такие источники питания обычно используются в промышленных системах, системах освещения, аудиоусилителях и других схемах, требующих большой мощности и стабильного постоянного тока.

Еще одним важным применением транзистора IRF840 является его использование в импульсных источниках питания. Импульсные источники питания используются в различных областях, таких как компьютеры, телекоммуникационное оборудование, системы связи и др. Они предназначены для обеспечения стабильной высокой энергии в виде импульсных наведений питания. Транзисторы IRF840 обладают высоким быстродействием, что идеально подходит для реализации импульсных источников питания с высокой частотой работы.

Другим применением транзистора IRF840 является его использование в устройствах для управления электродвигателями. Электродвигатели являются важными компонентами для множества промышленных процессов. IRF840 может использоваться для управления мощными электродвигателями, обеспечивая высокую эффективность и надежность в работе. Транзистор позволяет управлять большими токами и обеспечивает стабильное питание для электродвигателя.

Кроме того, транзистор IRF840 может быть использован в других силовых устройствах и блоках питания, таких как сварочные приборы, преобразователи напряжения, источники бесперебойного питания (ИБП) и многие другие. Благодаря своим высоким токовым и напряженным характеристикам, транзистор обеспечивает стабильность и эффективность в работе таких устройств.

Транзистор IRF840 — надежный и мощный компонент, который находит широкое применение в различных силовых устройствах и блоках питания. Его высокая эффективность, стабильность и хорошие тепловые характеристики делают его идеальным выбором для множества приложений.

IRF840 MOSFET specification

• IRF840 is an N-channel POWER MOSFET device
• Drain to source voltage (V_DS) is 500V
• Gate to source voltage (V_GS) is +/- 20V
• Gate to the threshold voltage (V_{GS (th)}) is 2V to 4V
• Drain current (I_d) is 8A
• Pulsed drain current (I_DM) is 32A
• Power dissipation is (P_D) is 125W
• Total gate charge (Q_g) is 63nC
• Drain to source on-state resistance (R_{DS (ON)}) 85Ω
• Zero gate voltage drain current (I_DSS) is 25 to 250uA
• Rise time (tr) is 23ns
• Peak diode recovery dv/dt is 5V/ns
• Thermal resistance junction to ambient (R_th j-A) is 62℃/W
• Junction temperature (T_J) is between -55 to 150℃
• Body diode reverse recovery (trr) 460 to 970ns
• Input capacitance (C_iss) 1300pF
• Dynamic dv/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Simple drive requirement
• Nanosecond switching speed
• Linear transfer characteristics
• High input impedance

Модификации

Тип	Uds	Ugs	Ugs(th)	Pd	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRF840	500 V	20 V	4 V	125 W	150 °C	1500 pf	8 A	63 nC	0.85 Ohm	TO220
HIRF840	500 V	30 V		74 W	150 °C	310 pf	8 A	63 nC	0.85 Ohm	TO220AB
HIRF840F	500 V	30 V		38 W	150 °C	310 pf	8 A		0.85 Ohm	TO220FP
IRF840A	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	1018 pf	8 A	38 nC	0.85 Ohm	TO220
IRF840ALPBF	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	155 pf	8 A	38 nC	0.85 Ohm	TO-262
IRF840APBF	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	155 pf	8 A	38 nC	0.85 Ohm	TO-220AB
IRF840AS	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	1018 pf	8 A	38 nC	0.85 Ohm	D2PAK
IRF840ASPBF	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	155 pf	8 A	38 nC	0.85 Ohm	TO-263
IRF840B	500 V	30 V	4 V	134 W	150 °C	145 pf	8 A	41 nC	0.8 Ohm	TO-220
IRF840FI	500 V	20 V		40 W	150 °C	1500 pf	4.5 A		0.85 Ohm	ISOWATT220
IRF840I	500 V	20 V		35 W	150 °C	270 pf	8 A	45 nC	0.85 Ohm	TO-220CFM
IRF840LC	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	170 pf	8 A	39 nC	0.85 Ohm	TO-220AB
IRF840LCLPBF	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	170 pf	8 A	39 nC	0.85 Ohm	TO-262
IRF840LCPBF	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	170 pf	8 A	39 nC	0.85 Ohm	TO-220AB
IRF840LCSPBF	500 V	30 V	4 V	125 W	150 °C	170 pf	8 A	39 nC	0.85 Ohm	TO-263
IRF840LPBF	500 V	20 V	4 V	125 W	150 °C	310 pf	8 A	63 nC	0.85 Ohm	TO-262
IRF840PBF	500 V	20 V	4 V	125 W	150 °C	310 pf	8 A	63 nC	0.85 Ohm	TO-220AB
IRF840S	500 V	20 V	4 V	125 W	150 °C		8 A	63 nC	0.85 Ohm	D2PAK
IRF840SPBF	500 V	20 V	4 V	125 W	150 °C	310 pf	8 A	63 nC	0.85 Ohm	TO-263

Аналоги IRF840

• Максимальное напряжение стока (Vds) — 500 В;
• Максимальный ток стока (Id) — 8 A;
• Максимальная мощность (Pd) — 125 Вт;
• Сопротивление стока-истока (Rds(on)) — 0,85 Ом;
• Напряжение порога открытия (Vgs(th)) — 2-4 В;

Если IRF840 недоступен или не подходит для конкретного проекта, можно рассмотреть следующие аналоги:

1. IRFZ44 — MOSFET-транзистор мощности схожих характеристик, максимальное напряжение стока — 55 В, максимальный ток стока — 49 А;
2. IRF3205 — MOSFET-транзистор мощности, максимальное напряжение стока — 55 В, максимальный ток стока — 110 А;
3. IRF630 — MOSFET-транзистор мощности, максимальное напряжение стока — 200 В, максимальный ток стока — 9 А;
4. IRFP260 — MOSFET-транзистор мощности, максимальное напряжение стока — 200 В, максимальный ток стока — 50 А;

Эти аналоги достаточно распространены и могут быть использованы в качестве замены IRF840 в различных схемах и устройствах, где требуется мощный MOSFET-транзистор.

Учитывайте основные характеристики

При замене транзистора Irf840 важно учесть несколько основных характеристик, чтобы подобрать подходящий аналог:

1. Тип транзистора: Убедитесь, что выбранный аналог имеет такой же тип транзистора, как и Irf840. Например, если Irf840 является N-канальным MOSFET-транзистором, то и его аналог должен быть N-канальным MOSFET-транзистором.

2. Максимальное напряжение стока-истока (Vds): Это максимальное напряжение, которое может выдерживать транзистор между его стоком и истоком. Убедитесь, что аналог имеет такое же или большее максимальное напряжение Vds, чтобы не превышать его при использовании в вашей схеме.

3. Максимальный ток стока (Id): Это максимальный ток, который может протекать через транзистор между его стоком и истоком. Убедитесь, что аналог имеет такое же или большее максимальное значение Id, чтобы быть совместимым с требуемым током в вашей схеме.

4. Максимальная мощность (Pd): Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать как тепло. Убедитесь, что выбранный аналог имеет такую же или большую максимальную мощность Pd, чтобы избежать перегрева и повреждения при использовании в вашей схеме.

5. Сопротивление канала-исток (Rds(on)): Это сопротивление канала-исток включенного транзистора. Чем ниже значение сопротивления, тем меньше потерь мощности и тепла. Учитывайте это значение при выборе аналога для обеспечения максимальной эффективности и производительности.

Соблюдение этих основных характеристик позволит подобрать подходящий аналог для замены транзистора Irf840 без проблем и гарантировать правильную работу вашей электронной схемы.

Схема включения транзистора IRF840 в усилительном устройстве

Транзистор IRF840 широко используется в усилительных устройствах благодаря своей высокой надежности и отличным характеристикам. В данном разделе мы рассмотрим схему включения транзистора IRF840 в типовом усилительном устройстве.

Схема представляет собой простой классический усилитель мощности с одним транзистором. Он состоит из источника питания, усилителя непосредственного усиления (УНУ), выходной цепи и управляющего устройства.

Управляющее устройство состоит из резистора R1 и затворного конденсатора C1, которые обеспечивают правильное управление транзистором IRF840. Резистор ограничивает ток базы, а конденсатор обеспечивает плавное изменение напряжения на затворе.

Усилитель непосредственного усиления образован резисторами R2 и R3, образующими делитель напряжения, и транзистором IRF840. Резистор R2 обеспечивает правильную полярность усиленного сигнала, а резистор R3 образует общий коллекторный исток для транзистора.

Выходная цепь включает резистор R4, который обеспечивает правильную нагрузку на транзистор IRF840, и конденсатор C2, который блокирует постоянную составляющую сигнала и передает только переменную составляющую сигнала на нагрузку.

Таким образом, схема включения транзистора IRF840 в усилительном устройстве позволяет получить усиленный сигнал на выходе

Важно правильно подобрать значения компонентов схемы для достижения желаемых характеристик и качественного усиления

Примечание: Представленная схема является общей и может быть использована в различных усилительных устройствах. Для конкретных приложений требуется дополнительная настройка и подбор компонентов для достижения оптимальных результатов.

Особенности применения транзистора IRF840 в схемах с микроконтроллерами

Он обладает низким сопротивлением насыщения и хорошими коммутационными характеристиками, что делает его отличным выбором для работы с микроконтроллерами.

При использовании транзистора IRF840 в схемах с микроконтроллерами следует учесть несколько особенностей:

1. Необходимость использования драйвера тока

Транзистор IRF840 требует достаточно большого тока для переключения, поэтому в схемах с микроконтроллерами необходимо использовать драйвер тока, который усиливает сигнал с микроконтроллера и обеспечивает достаточную мощность для переключения транзистора.

2. Диодная защита

Для защиты транзистора IRF840 от обратной электромагнитной энергии при переключении нагрузки необходимо добавить диод, соединенный параллельно с нагрузкой. Диод должен быть быстродействующим и способным переносить большие токи.

3. Теплоотвод

Транзистор IRF840 генерирует значительное количество тепла при работе с высокими токами. Поэтому для обеспечения его надежной и стабильной работы необходимо обеспечить эффективный теплоотвод, используя радиатор или вентилятор.

4. Правильное подключение

При подключении транзистора IRF840 необходимо правильно соблюдать полярность. Наиболее распространенной схемой является подключение транзистора как ключа с общим коллектором (common collector). При этом порт (gate) подключается к микроконтроллеру, дрен (drain) — к нагрузке, а исток (source) — к земле.

Транзистор IRF840 является надежным и эффективным устройством, которое может быть успешно использовано в схемах с микроконтроллерами. Однако для достижения наилучших результатов необходимо учитывать его особенности и следовать рекомендациям по правильному подключению, использованию драйвера тока, диодной защите и теплоотводу.

Основные характеристики транзистора IRF840

Вот основные характеристики транзистора IRF840:

• Тип транзистора: IRF840 — n-канал МОП-транзистор с усилением прямого типа.

• Максимальное напряжение смещения затвор-исток (Vgs): 20 вольт. Это напряжение указывает на предельное значение разности потенциалов между затвором и истоком транзистора.

• Максимальное напряжение стока-исток (Vds): 500 вольт. Это напряжение указывает на предельное значение разности потенциалов между стоком и истоком транзистора.

• Максимальный постоянный стоковый ток (Id): 8 ампер. Этот параметр обозначает максимальное значение постоянного тока, который может протекать через сток источника.

• Максимальная мощность стока (Pd): 125 ватт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.

• Максимальное сопротивление переключения (Rds (on)): 0,45 Ом. Это сопротивление указывает на сопротивление канала транзистора при насыщении и отражает его эффективность.

• Температурный диапазон: от -55°C до +175°C. Этот параметр указывает на допустимый температурный диапазон работы транзистора.

Транзистор IRF840 обладает высокой эффективностью, надежностью и универсальностью, что делает его привлекательным для использования в различных проектах, связанных с усилением и коммутацией сигналов в схемах средней и высокой мощности.

IRF840 vs IRF740 vs 2SK1805

In this table, we listed the electrical specifications of IRF840, IRF740, and 2SK1805 MOSFET devices, this is a much easier way to understand the MOSFET device.

Characteristics	IRF840	IRF740	2SK1805
Drain to source  voltage (VDS))	500V	400V	500V
Gate to source voltage (Vgs)	20V	20V	30V
Gate threshold voltage (Vg(th))	2 to 4V	2 to 4V	2 to 4V
Drain current (Id)	20A	6.3A	7A
Zero gate voltage drain current (I­DSS)	25 to 250uA	25 to 250uA	25 to 250uA
Total gate charge (Qg)	63nC	63nC	—
Power dissipation (PD)	125W	125W	45W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55  to +150°C
Drain to source on-state resistance (RDS)	0.85Ω	0.55Ω	0.85Ω
Rise time (tr)	23ns	27ns	60ns
Reverse recovery time (trr)	460 to 970ns	370 to 790ns	—
Package	TO-220	TO-220AB	TO-220F

In Stock: 8088

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Characteristics curves of IRF840 MOSFET

output characteristics of IRF840 MOSFET

The figure shows the output characteristics of IRF840 MOSFET, the graph is plotted with drain current vs drain to source voltage.

At the different gate to source voltage values, the drain current value will be increasing with respect to drain to source voltage.

on-state resistance of the IRF840 MOSFET device

The figure shows the on-state resistance of the IRF840 MOSFET device, the graph is plotted with on-state resistance vs temperature.

At the fixed drain current and gate to source voltage, the on-state resistance value increase from the lowest value to higher with respect to temperature.

maximum safe operating area of the IRF840 MOSFET

The figure shows the maximum safe operating area of the IRF840 MOSFET device, the graph is plotted with drain current vs drain to source voltage.

Где купить IRF840

1. Онлайн-магазины электронных компонентов:

2. Официальные дистрибьюторы производителя:

IRF840 производится компанией International Rectifier (сейчас Infineon Technologies), поэтому вы можете обратиться к официальным дистрибьюторам данного производителя. Некоторые из них: «Микропроцессорные системы» (г. Москва), «Mouser Electronics», «Digi-Key» и др. Они предлагают оригинальные продукты и гарантируют их качество.

Важно отметить, что перед покупкой следует внимательно изучить характеристики и комплектацию IRF840, обратиться к техническому описанию (Datasheet) и убедиться в совместимости транзистора с вашими потребностями. Приобретая IRF840 у надежных поставщиков, вы можете быть уверены в получении качественного продукта, соответствующего необходимым техническим характеристикам

Приобретая IRF840 у надежных поставщиков, вы можете быть уверены в получении качественного продукта, соответствующего необходимым техническим характеристикам.

Datasheet IRF840

Ниже приведены основные технические характеристики IRF840:

Параметр	Значение
Tип	N-канальный
Напряжение сток-исток (VDS)	500 В
Максимальный ток стока (ID)	8 А
Напряжение затвор-исток (VGS)	±20 В
Мощность (PD)	125 Вт
Сопротивление открытого канала (RDS(on))	0.85 Ом
Максимальная рабочая температура (TJ)	175 °C
Корпус	TO-220

IRF840 обладает хорошими электрическими характеристиками, которые делают его подходящим для использования во многих приложениях, включая управление моторами, преобразователи энергии, импульсные источники питания и другие устройства, требующие высокой мощности и быстрой коммутации.

Основная информация о IRF840

IRF840 является N-канальным MOSFET транзистором, что означает, что у него есть канал N-типа, через который протекает основной ток. Транзистор имеет высокую входную емкость и низкое сопротивление, что обеспечивает эффективность его работы.

IRF840 имеет следующие основные технические характеристики:

• Максимальное напряжение смещения в открытом состоянии: 500 В
• Максимальный непрерывный ток стока: 8 А
• Максимальная мощность: 125 Вт
• Сопротивление открытого состояния: 0,9 Ом
• Входная емкость: 740 пФ
• Время переключения насыщения/растекания: 45 нс/120 нс

IRF840 может использоваться в различных приложениях, включая аудиоусилители, источники питания, ключевые схемы и другие электронные устройства.

IRF840 является популярным и широко используемым транзистором в электронике, благодаря своим высоким характеристикам и надежности.

Как использовать IRF840: примеры применения

Пример 1: Регулирование яркости светодиодов

IRF840 отлично подходит для управления яркостью светодиодов в световых индикаторах и осветительных приборах. Для этого достаточно подключить транзистор к микроконтроллеру или другому источнику управляющего сигнала и подать на его управляющий пин управляющий сигнал с разными значениями. После этого, пропорционально значению сигнала на входе управления, будет регулироваться яркость светодиода.

IRF840	Светодиод
Пин1 (Управление)	Анод
Пин2 (Земля)	Катод
Пин3 (Исток)	Анод (через резистор)

Пример 2: Инвертор напряжения

IRF840 может быть использован для создания инвертора напряжения, который позволяет преобразовывать постоянный ток в переменный. Для этого требуется подключить IRF840 к источнику постоянного тока и использовать его для управления выходным напряжением при помощи схемы генерации импульсов.

IRF840	Схема генерации импульсов
Пин1 (Управление)	Вход с генератора импульсов
Пин2 (Земля)	Общий (земля)
Пин3 (Исток)	Выход схемы генерации импульсов

Пример 3: Использование IRF840 в источнике питания

IRF840 также может быть использован в источнике питания для управления высокими токами и напряжениями. Он может быть использован вместе с трансформатором и выпрямителем для преобразования напряжения переменного тока в постоянное с высокой мощностью.

IRF840	Трансформатор и выпрямитель
Пин1 (Управление)	Управляющий сигнал
Пин2 (Земля)	Общий (земля)
Пин3 (Исток)	Последовательно с трансформатором и выпрямителем

Это лишь некоторые примеры применения IRF840. Благодаря своим характеристикам, он может использоваться во множестве других приложений, где требуется управление высокими токами и напряжениями.

Транзисторы, обладающие лучшими характеристиками по сравнению с Irf840

Транзистор Irf840 отличается своими характеристиками, однако в некоторых случаях возникает потребность в более продвинутых аналогах. Вот несколько транзисторов, которые могут заменить Irf840 и обладают улучшенными характеристиками:

1. Транзистор Irf830: этот транзистор имеет похожие характеристики с Irf840, однако он может выдержать более высокие токи и имеет меньшее внутреннее сопротивление, что делает его более эффективным в плане потерь энергии и тепла.
2. Транзистор Irf740: этот транзистор также имеет схожие характеристики с Irf840, однако его максимальное напряжение входа и выхода является незначительно выше. Это может быть полезным в схемах, где требуется более высокий уровень напряжения.
3. Транзистор Irfz44: данный транзистор отличается от Irf840 более низким внутренним сопротивлением и меньшими потерями энергии. Он также способен выдерживать более высокие токи, что делает его превосходным выбором в схемах с высокими нагрузками.

Выбор замены для транзистора Irf840 зависит от конкретных требований и характеристик необходимой схемы

Важно учитывать все параметры перед выбором лучшего аналога для оптимальной работы системы

IRF840 MOSFET Лист данных, вывод, характеристики и эквиваленты

21 марта 2019 – 0 комментариев

IRF840 Мощный МОП-транзистор N-Channel

Распиновка IRF840

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 500 В.

Конфигурация контактов

Номер контакта	Штифт Наименование	Описание
1	Источник	Ток протекает через источник (максимум 8 А)
2	Ворота	Управляет смещением MOSFET (пороговое напряжение 10 В)
3	Слив	Ток поступает через сток

Особенности

· N-канальный мощный MOSFET

· Непрерывный ток дренажа (ID): 8A

· Порогловое напряжение затвора (VGS-TH) составляет 10 В (предел = ± 20 В)

· Дренаж для источника.

· Сопротивление источника источника дренажа (RDS) составляет 0,85 Ом

· Время восстания, а время падения составляет 23NS, а 20NS

· Доступно в пакете-до 220

Примечание: Полные технические данные можно найти на IRF840.

IRF740, BSS138, IRF520, 2N7002, BS170, BSS123, IRF3205, IRF1010E

около IRF840

, который может нагрузка , что может быть нагрузкой. МОП-транзистор может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, его можно включить, подав пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. Поскольку MOSFET предназначен для переключения сильноточных высоковольтных нагрузок, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому его нельзя использовать напрямую с выводом ввода-вывода ЦП. Если вы предпочитаете MOSFET с низким напряжением затвора, попробуйте IRF540N или 2N7002 и т. д.

Одним из существенных недостатков IRF840 Mosfet является его высокое значение сопротивления во включенном состоянии (RDS), которое составляет около 0,85 Ом.

Следовательно, этот МОП-транзистор нельзя использовать в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Мосфету требуется схема драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого мосфета. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, полевой МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока.

Применение

• Переключение устройств большой мощности
• Схемы инвертора
• Преобразователи постоянного тока
• Управление скоростью двигателей
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Применения для высокоскоростного переключения

2D-модель компонента

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных IRF840 будет полезно, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.