Основная классификация транзисторов, параметры
Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам.
Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на:
- транзисторы малой мощности,
- транзисторы средней мощности,
- транзисторы большой мощности.
По частоте транзисторы делят на:
- низкочастотные,
- среднечастотные,
- высокочастотные,
- сверхвысокочастотные.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы разделяют на:
- германиевые,
- кремниевые.
Основными параметрами биполярных транзисторов являются:
- статический коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой;
- статический коэффициент усиления по току |3 в схеме с общим эмиттером. Параметры аир связаны зависимостями вида в = а/(1 — а) или а = в/(1 + в);
- обратный ток коллектора Іко;
- граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.
Основными параметрами полевых транзисторов являются:
- напряжение отсечки U0 — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
- максимальный ток стока Іс. макс;
- напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;
- входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.
Лучшие альтернативы и советы
Если вы не можете найти транзистор Tip36c, вот несколько лучших альтернатив, которые вы можете использовать:
- 2N3055 — это популярный универсальный транзистор, который может заменить Tip36c в многих приложениях.
- BD140 — это другая хорошая альтернатива, которая имеет схожие характеристики и может использоваться в различных устройствах.
- MJ15003 — если вам нужна более мощная альтернатива, то этот транзистор может быть исполненным решением.
При выборе альтернативы убедитесь, что эта замена имеет подходящие параметры и характеристики для вашего приложения. Также рекомендуется обратиться к документации и схеме вашего устройства для получения дополнительной информации и рекомендаций.
Основные характеристики транзистора TIP36C
Транзистор TIP36C представляет собой мощный биполярный NPN транзистор, который часто используется в усилителях мощности, стабилизаторах напряжения и других электронных устройствах.
Вот основные характеристики этого транзистора:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Максимальное коллекторное напряжение (VCEO) | 40 В |
| Максимальный коллекторный ток (IC) | 25 А |
| Максимальная мощность (PC) | 125 Вт |
| Коэффициент усиления тока (hFE) | от 20 до 1000 |
| Частота переключения (fT) | 3 МГц |
| Тип монтажа | TO-247 |
Транзистор TIP36C обладает высокой мощностью и хорошими коммутационными характеристиками, что делает его идеальным для применения в высокопроизводительных электронных схемах.
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
Как правильно подключить транзистор TIP36C: цоколевки и подключение
Цоколевки транзистора TIP36C имеют следующее расположение:
- Коллектор (Collector) — обозначается символом «С» и подключается к положительному полю внешнего источника питания или нагрузке.
- База (Base) — обозначается символом «B» и используется для управления током коллектора. Подключается к сигнальному источнику или управляющему элементу с помощью резистора базы.
- Эмиттер (Emitter) — обозначается символом «E» и подключается к отрицательному полю внешнего источника питания или нагрузке.
Для подключения транзистора TIP36C следует использовать следующую схему:
- Подключите коллектор (С) к положительному полю внешнего источника питания или нагрузке.
- Подключите эмиттер (E) к отрицательному полю внешнего источника питания или нагрузке.
- Подключите базу (B) к сигнальному источнику или управляющему элементу через резистор базы. Это позволит управлять током коллектора.
Правильное подключение транзистора TIP36C позволит использовать его для усиления сигналов или управления нагрузкой с высокой эффективностью и надежностью.
Особенности транзистора TIP36C
Транзистор TIP36C относится к типу NPN и предназначен для использования в усилительных схемах и источниках питания средней и высокой мощности. Он имеет следующие особенности:
- Высокая надежность и долговечность. Транзистор TIP36C выполнен в металлокерамическом корпусе, что обеспечивает надежную защиту от внешних воздействий и улучшает теплоотвод.
- Высокий коэффициент усиления тока. TIP36C обладает высоким hFE (более 1000), что позволяет использовать его в схемах с большим усилением сигнала.
- Высокая рабочая температура. Диапазон рабочих температур для TIP36C составляет от -65°C до +150°C, что делает его пригодным для работы в условиях повышенных температур.
- Низкое сопротивление перехода. TIP36C имеет низкое сопротивление перехода между эмиттером и коллектором, что обеспечивает эффективность работы при больших токах и мощностях.
- Широкий диапазон рабочих напряжений. TIP36C может работать с напряжением до 100 В, что расширяет его возможности для применения в различных схемах.
Благодаря своим особенностям, транзистор TIP36C нашел широкое применение во многих устройствах, требующих высокой мощности и надежности, например, в блоках питания, стабилизаторах и аудиоусилителях.
Технические характеристики
Обратите внимание на букву «С» в конце маркировки данного транзистора. Устройство без неё значительно уступает по параметрам. Так, стандартные TIP35 рассчитаны на максимальное напряжение коллектор-эмиттер до 40 В, а TIP35C выдерживают до 100 В
У некоторых китайских производителей данные величины могут достигать по даташит 80 и 140 В соответственно
Так, стандартные TIP35 рассчитаны на максимальное напряжение коллектор-эмиттер до 40 В, а TIP35C выдерживают до 100 В. У некоторых китайских производителей данные величины могут достигать по даташит 80 и 140 В соответственно.
По остальным параметрам устройства одинаковые, но найти в продаже TIP35 в настоящее время достаточно проблематично. Транзисторы TIP35А и TIP35B, относящиеся к этой же серии, тоже уже не продаются. Им на смену пришли более совершенствованные и мощные TIP35CW (STM) и TIP35CG (ON Semiconductor), собранные с применением безсвинцовых технологий и современных стандартов.
Максимальные параметры
Рассмотрим максимальные значения параметров TIP35C:
- допустимые величины напряжения: К-Б (VCBO) до 100 В; К-Э (VCEO) до 100 В; Э-Б (VEBO) до 5 В;
- ток коллектора: постоянный (IС) до 25 А; импульсный (ICP) до 40 А;
- ток базы (IB) до 5 А;
- рассеиваемая мощность (PD) до 125 Вт (при TC = 25 о C);
- температура кристалла TJ от – 65 до +150 о
Электрические параметры
В некоторых datasheet на TIP35С, в таблицах электрических характеристик, приводятся значения для включённого (On) и выключенного (Off) состояния. Они указываются производителями для случаев применения устройства в переключающих схемах. Отдельно представлены значения параметров для работы в режиме усиления.
Для переключающих схем большое значение имеет напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCESAT). Этот параметр считается у TIP35С достаточно низким и составляет при IС до 15 А не более 1.8 В. С ростом тока IС до 25 А он увеличивается до 4 В. Однако в настоящее время, у более современных транзисторов со схожими характеристиками, данных показатель уже меньше 1 В.
БД 238 | РАЗЛИЧНЫЕ Транзистор PNP -2A/ 80V 25W
Изображение только для иллюстрации, пожалуйста, смотрите технические характеристики в описании продукта.
Transistor PNP -2A/ 80V 25W TO126
| Ord.number: | 13730 |
|---|---|
| In stock | 36 pcs |
| MOQ: | 5 PCS | ||||||
| Допустимые заказа. в трубке) | |||||||
| Категория: | Биполярные транзисторы — Силовые | ||||||
| Информация о продукте: | В наличии | ||||||
| Производитель (Марка): | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 7 | 0022 |
Price excl.VAT
| 5 pcs+ | 0,4460 € |
|---|---|
| 50 pcs+ | 0, 3840 € |
| 250 ПК+ | 0,3460 € |
| 950 ПК+ | 0,3230 € |
| Производство. Производство.0199 |
Показать стоимость доставки
Узнать цену
Нужны лучшие цены?
Как зарегистрированный клиент вы получите скидку до 20% на большинство товаров в наличии.
Цены указаны без учёта. НДС. Цены на товары, которых нет на нашем складе, могут отличаться от указанных. Мы гарантируем цены только для количества на складе.
ЗАКАЗ: ШТ. 2,2300 €
В вашей корзине уже 0 шт.
В вашем запросе ценового предложения уже 0 шт.
Вы уже заказали: 0 шт.
Ценовое предложение создано для этого продукта .
| Ord.Number: | 13730 |
|---|---|
| в запасе | 36 PCS |
| MOQ: | 5 PCS | ||
| Разрешено количество заказа: | 1 ПК (5, 6, 7 … ПК) | ||
| Категория: | Биполярные транзисторы — Power | ||
| Информация о продукте: | в запасе | ||
| Производитель (бренд): | Различные | (бренд): | 9 |
Price excl.VAT
| 10 pcs+ | 0,4310 € |
|---|---|
| 50 pcs+ | 0,3840 € |
| 250 pcs+ | 0,3460 € |
| 950 pcs+ | 0,3230 € |
| Manufacturers Standard Package |
Показать стоимость доставки
Узнать цену
Нужны лучшие цены?
Как зарегистрированный клиент вы получите скидку до 20% на большинство товаров в наличии.
Цены указаны без учёта. НДС. Цены на товары, которых нет на нашем складе, могут отличаться от указанных.
ЗАКАЗАТЬ: ШТ. 2,2300 €
В вашей корзине уже 0 шт.
В вашем ценовом предложении уже 0 шт.0009
You ordered already: 0 pcs
Price offer was created for this product
Выходная мощность усилителя
Выходная мощность усилителя, отдаваемая в активную нагрузку, будет выражаться формулой:
где
Pвых – выходная мощность усилителя, Вт
Iвых – сила тока в цепи нагрузки, А
UВых – напряжение на нагрузке, В
Мощность на нагрузку с реактивной составляющей будет уже выражаться через формулу:
где
Pвых – выходная мощность усилителя, Вт
Iвых – сила тока в цепи нагрузки, А
Uвых – напряжение на нагрузке, В
cosφ – где φ – это разность фаз между осциллограммой тока и напряжения
Например, разность фаз между током и напряжением в активной нагрузке равна нулю, следовательно, cos0=1. Поэтому формула для активной нагрузки принимает вид
Более подробно про это можно прочитать в статье про активное и реактивное сопротивление.
Максимальная выходная мощность, при которой искажение сигнала на выходе не превышает качественных значений усилителя, называют номинальной мощностью усилителя.
Ну и обобщенное правило, для того, чтобы было проще запомнить все эти три вида усилителя:
В УН KU > 1, KI = 1; в УТ KI > 1, KU = 1; в УМ KU > 1 и KI > 1.
TIP35C Datasheet (PDF)
TIP35CW TIP36CW Complementary power transistors . Features ■ Low collector-emitter saturation voltage ■ Complementary NPN — PNP transistors Applications ■ General purpose 3 2 ■ Audio amplifier 1 TO-247 Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with “base island” layout. The resulting transistors show exc
TIP35C TIP36C Complementary power transistors . Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose 3 2 � Audio amplifier 1 TO-247 Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with �base island� layout. The resulting transistors show exceptional high gai
TIP35CP TIP36CP Complementary power transistors . Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN-PNP transistors Applications � General purpose 3 � Audio amplifier 2 1 TO-3P Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with �base island� layout. The resulting transistors show exceptional high gain
TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors http://onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON � 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS � Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125 WATTS
1.5. tip35c.pdf Size:138K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TIP35C NPN SILICON TRANSISTOR HIGH POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION The UTC TIP35C is a NPN Expitaxial-Base transistor, designed for using in general purpose amplifier and switching applications. Complement to TIP36C. ? INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM C (2) (1) B E (3) ? ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Ha
SEMICONDUCTOR TIP35CA TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B N FEATURES O K Recommended for 75W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Complementary to TIP36CA. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + Icmax:25A. _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 D _ G 3.50 +
1.7. tip35c.pdf Size:289K _kec
SEMICONDUCTOR TIP35C TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Recommended for 75W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to TIP36C. A 15.9 MAX B 4.8 MAX Icmax:25A. _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 G 3.3 MAX d H 9.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) I 4.5 P PT J 2.0
Аналоги транзистора Tip35c:
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Hfe | Caps |
| BU323AP | Si | NPN | 125,00 | 350,00 | 250,00 | 7,00 | 40,00 | 200,00 | 4,00 | 1000,00 | TOP3 |
| BU999 | Si | NPN | 100,00 | 160,00 | 140,00 | 25,00 | 150,00 | 40,00 | TOP3 | ||
| BUD98 | Si | NPN | 250,00 | 850,00 | 400,00 | 32,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUD98I | Si | NPN | 110,00 | 850,00 | 400,00 | 32,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420 | Si | NPN | 200,00 | 850,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420A | Si | NPN | 200,00 | 1000,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420AI | Si | NPN | 115,00 | 1000,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420AM | Si | NPN | 115,00 | 1000,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420I | Si | NPN | 115,00 | 850,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUF420M | Si | NPN | 115,00 | 850,00 | 450,00 | 30,00 | 150,00 | 100,00 | TOP3 | ||
| BUS24B | Si | NPN | 250,00 | 750,00 | 400,00 | 30,00 | 200,00 | 25,00 | TOP3 | ||
| BUS24C | Si | NPN | 250,00 | 850,00 | 450,00 | 30,00 | 200,00 | 25,00 | TOP3 | ||
| TIP35C | Si | NPN | 90,00 | 140,00 | 100,00 | 5,00 | 25,00 | 150,00 | 3,00 | 20,00 | TOP3 |
Кроме диодов
На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:
- устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
- стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
- SMD элементы.
Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.
Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.
Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.
