Характеристики транзистора sec c5030fo: подробное описание и особенности

Назначение и область применения

Транзистор C5030 FO используется в различных электронных устройствах для усиления и коммутации электрических сигналов. Он обладает высокой мощностью и низким уровнем шума, что позволяет использовать его в системах связи, радиоэлектронике, а также аудио и видео устройствах.

Благодаря своим характеристикам, транзистор C5030 FO может быть использован во многих различных приложениях. Он может служить ключевым элементом в усилителях мощности, радиопередатчиках, источниках питания, а также в схемах управления и оцифровки сигналов.

Транзистор C5030 FO широко применяется в производстве электроники, автомобильной и промышленной отраслях. Он может использоваться для создания силовых блоков, инверторов и преобразователей. Также данная модель транзистора активно используется при проектировании и сборке аудио- и видеоусилителей, телекоммуникационного оборудования и других устройств связи.

Надежность, стабильность и высокие технические характеристики делают транзистор C5030 FO востребованным компонентом во многих промышленных секторах и проектировании различных устройств.

Технические характеристики транзистора c5030fo

Основные особенности транзистора c5030fo:

Тип кремниевого транзистора: PNP
Максимальное значение коллекторного тока: 15 А
Максимальное значение напряжения коллектора-эмиттера: 60 В
Максимальное значение мощности потерь: 150 Вт
Высокая скорость коммутации и низкие искажения сигнала
Отличная линейность передачи сигналов
Рабочие частоты до 150 МГц
Высокая температурная стабильность и долговечность

Транзистор c5030fo имеет 3 вывода: базу (B), эмиттер (E) и коллектор (C). Он может применяться в проектах, где требуется высокочастотное усиление, стабильная передача сигнала и высокие рабочие частоты.

Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор c5030fo широко используется в различных радиотехнических устройствах и электронных системах для обеспечения эффективной работы и высокого качества передачи сигнала.

Примечание: При использовании транзистора c5030fo необходимо соблюдать правила и рекомендации производителя, указанные в техническом описании и документации.

Преимущества

1. Высокая надежность и долговечность: Транзистор c5030fo отличается стабильной работой в широком диапазоне напряжений и температур, что обеспечивает его надежность и долговечность

Это особенно важно для применения в сложных условиях эксплуатации

2. Высокая эффективность работы: Благодаря оптимизированной конструкции и высокому коэффициенту усиления, транзистор c5030fo обеспечивает высокую эффективность работы устройства или системы, в которой он используется.

3. Низкий уровень шума: Транзистор c5030fo имеет минимальный уровень шума, что позволяет использовать его в чувствительных электронных устройствах и системах, где требуется высокая точность и четкость сигнала.

4. Широкий диапазон рабочих частот: Транзистор c5030fo обладает широким диапазоном рабочих частот, что позволяет его использовать в различных приложениях и системах, включая сверхвысокочастотные и устройства сверхмалой мощности.

5. Простота в установке и подключении: Транзистор c5030fo имеет стандартные размеры и выводы, что облегчает его установку и подключение к другим элементам схемы или платы.

6. Широкая коммерческая доступность: Транзистор c5030fo производится множеством компаний и доступен на рынке по конкурентным ценам, что позволяет его использовать в различных проектах без дополнительных затрат на поиск и закупку.

7. Гибкость в применении: Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор c5030fo может быть использован в различных областях, включая аудио и видео системы, радиотехнику, медицинскую технику, энергетику и другие.

Про использование транзистора c5030fo в конкретных проектах и системах следует проконсультироваться с профессионалами в данной области.

Электрические характеристики

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO(sus)	I_C = 3 А, I_B1 = 0,6 А, L = 1 мгн	≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)1	I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)2	I_C = 6,0 А, I_B1 = 2,0 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 400 В, I_E = 0	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CER	U_CE = 400 В, R_BE = 51 Ом, T_c= 125°C	≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА	I_CEX1	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5В	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CEX2	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5 В, T_c= 125°C	≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat) ٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 0,1 А	20….80
h_FE(2) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 1,0 А	20….80
h_FE (3) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 3,0 А	≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс	t_on	U_CC = 150 В, I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, R_L = 50 Ом.	≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс	t_stg	≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс	t_f	≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE₂ на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация	R	O	Y
h_FE2	20….40	30….60	40….80

Схемы с использованием TL431

Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.

Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)

Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:

Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)

Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.

Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.

Лабораторный блок питания на TL431 с защитой

Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.

Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.

Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)

Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.

Индикатор напряжения

Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.

Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.

Таймер задержки на TL431

Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).

Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.

Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317

Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).

Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.

Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.

Биполярный транзистор KSC5030F — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSC5030F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: ISOTO3

KSC5030F
Datasheet (PDF)

..1. Size:142K fairchild semi ksc5030f.pdf

KSC5030FHigh Voltage Fast Switching TransistorFeatures Fast Speed Switching Wide Safe Operating AreaTO-3PF11.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 1100 VVCEO Collector-Emitter Voltage 800 VVEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current (DC) 6 AICP * Collector Current (Pulse) 20 APC Collect

..2. Size:116K inchange semiconductor ksc5030f.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5030F DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 800V(Min) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Col

7.1. Size:24K samsung ksc5030pwd.pdf

KSC5030 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILTYTO-3PHIGH SPEED SWITCHINGWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO 1100 V Collector- Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter- Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 6 A Collector Current (Pulse) IC 20 A Base Current IB 3 A Collector Dissipation (TC=25

8.1. Size:54K fairchild semi ksc5039.pdf

KSC5039High Voltage Power Switch Switching ApplicationTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 5 A ICP Collector Current (Pulse) 10 AIB Base

8.2. Size:58K fairchild semi ksc5039f.pdf

KSC5039FHigh Voltage Power Switch Switching ApplicationTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V V CEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 5 A ICP Collector Current (Pulse) 10 A

8.3. Size:23K samsung ksc5039.pdf

KSC5039 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE POWER SWITCHTO-220SWITCHING APPLICATIONABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 800 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 5 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 3 A Collector Dissipation ( TC=25 ) PC 70 W1.Base

8.4. Size:24K samsung ksc5039f.pdf

KSC5039F NPN PLANAR SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE POWER SWITCHSWITCHING APPLICATION TO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 800 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 5 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 3 A Collector Dissipation (TC=25 ) PC 30 W

8.5. Size:109K inchange semiconductor ksc5031.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5031 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : V(BR)CBO= 1100V(Min) Fast Switching speed Wide Area of Safe Operation High Reliability APPLICATIONS Designed for switching regulator Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltag

8.6. Size:138K inchange semiconductor ksc5039.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5039 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 400V(Min) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collec

Другие транзисторы… KSC5028N
, KSC5028O
, KSC5028R
, KSC5029
, KSC5029N
, KSC5029O
, KSC5029R
, KSC5030
, TIP35C
, KSC5030N
, KSC5030O
, KSC5030R
, KSC5031
, KSC5031N
, KSC5031O
, KSC5031R
, KSC5032
.

Что такое C5030fo транзистор?

Основным назначением C5030fo транзистора является усиление и коммутация электрических сигналов. Он может использоваться в радиоприемниках, телевизорах, усилителях звука, блоках питания и других устройствах.

Идеальный фактор передачи тока C5030fo составляет от 60 до 100, а напряжение коллектор-эмиттер может достигать 300 В. Также он обладает низким уровнем паразитной ёмкости и хорошей температурной стабильностью.

Для работы C5030fo транзистора необходима подводимая электрическая энергия, которая приводит его в состояние насыщения или отсечки. Контрольный электрический сигнал подается на базу транзистора, а результат работы отображается на коллекторной электроде.

Таким образом, C5030fo транзистор является неотъемлемой частью многих электронных устройств и схем, обеспечивая их надежную работу и качественное усиление сигналов.

Описание транзистора C5030 FO: основные характеристики и параметры

Основные характеристики транзистора C5030 FO:

1. Тип корпуса: TO-220.

2. Максимальное значение прямого коллекторного тока (IC): 25 А.

3. Максимальное значение обратного напряжения коллектор-эмиттер (VCEO): 80 В.

4. Максимальное значение прямого напряжения коллектор-эмиттер (VCE): 60 В.

5. Максимальная мощность потери коллектора (PC): 125 Вт.

6. Максимальное значение прямого базового тока (IB): 5 А.

7. Максимальное значение напряжения обратного тока коллектора (IC): 25 В.

8. Максимальная рабочая температура (Tj): 150 °С.

Эти параметры позволяют транзистору C5030 FO обеспечивать высокую эффективность и надежность работы в различных схемах и приложениях, требующих высоких значений тока и напряжения.

Особенности и преимущества C5030fo транзистора

Транзистор C5030fo отличается от других моделей своими уникальными особенностями и преимуществами. Ниже приведены некоторые из них:

Особенности	Преимущества
Высокая мощность	Транзистор C5030fo обладает высокой мощностью, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах, требующих большого количества энергии.
Надежность и долговечность	Этот транзистор отличается высокой надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для применения в интенсивных и длительных рабочих условиях.
Широкий диапазон рабочих частот	Спектр частот, на которых может работать C5030fo транзистор, достаточно широкий. Это обеспечивает его универсальность, позволяя его использовать в различных целях и в нескольких областях.
Низкий уровень шума	Транзистор C5030fo имеет низкий уровень шума, что делает его идеальным для применения в устройствах, где требуется высокая точность сигнала.
Хорошая теплопроводность	C5030fo транзистор обладает хорошей теплопроводностью, что обеспечивает эффективное отвод тепла и предотвращает перегрев устройств, в которых он используется.

Все эти особенности делают C5030fo транзистор незаменимым элементом в различных современных электронных устройствах, а его высокое качество гарантирует стабильную и надежную работу.

Применение и возможности транзистора Sec c5030fo

Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор Sec c5030fo может использоваться в создании радиоэлектронных устройств, электронных схем, аудио- и видеоаппаратуры, компьютерной техники и др. Он может быть использован в качестве переключателя, усилителя, регулятора силы тока и других электронных функций.

Одной из особых возможностей транзистора Sec c5030fo является его высокая скорость работы. Благодаря этому, он может быть использован в создании устройств, требующих высокой производительности и быстрого отклика. Например, в цифровой электронике, системах передачи информации и других подобных областях, где требуется высокая скорость коммутации сигнала.

Также стоит отметить, что транзистор Sec c5030fo обладает хорошими характеристиками стабильности и надежности работы. Он имеет низкий уровень шума и высокую степень устойчивости к переменным внешним условиям, таким как колебания температуры или напряжения. Благодаря этому, он может быть эффективно использован в условиях суровых климатических условий или при работе в источниках питания с переменным напряжением.

Вывод: транзистор Sec c5030fo – это мощный и надежный полевой транзистор с высокой скоростью работы, стабильностью и низким уровнем шума, что делает его универсальным и применимым во многих сферах электроники и техники.

Характеристики транзистора Sec c5030fo:

Тип транзистора: Sec c5030fo относится к типу N-канальных MOSFET транзисторов.
Максимальное напряжение стока: Sec c5030fo имеет максимальное напряжение стока величиной 100 В.
Максимальный ток стока: Максимальный ток стока Sec c5030fo составляет 6 А.
Мощность потери в канале: Мощность потери в канале составляет 2 Вт.
Сопротивление открытого стока: Сопротивление открытого стока Sec c5030fo равно 0.285 Ом.
Рабочая температура: Допустимая рабочая температура транзистора Sec c5030fo составляет от -55°C до +150°C, что обеспечивает его стабильную работу в широком диапазоне условий.
Корпус: Sec c5030fo имеет корпус в форме TO-220AB, что облегчает его монтаж на печатную плату или радиатор.
Применение: Транзистор Sec c5030fo может использоваться в усилителях звука, импульсных источниках питания, световых источниках, DC-DC преобразователях и других электронных устройствах.

Sec c5030fo — надежный и эффективный транзистор, который обеспечивает стабильную и качественную работу в различных электронных устройствах. Благодаря своим характеристикам, он может быть использован в различных приложениях, где требуется низкочастотная мощность и высокая надежность работы.

Аналоги

Довольно часто для замены КТ503 ищут подходящий аналог. Для начала стоит отметить прототип для создания данного транзистора. Таковым является зарубежный полупроводниковый триод KSC815 от Fairchild, модифицированная версия которого до сих пор производится на заводах компании ON Semiconductor. Он замечательно подходит в качестве замены КТ503А(Б). Ниже рассмотрены альтернатива и для других групп.

Аналоги для транзисторов, входящего в серию КТ503:

КТ503А: 2N4123, MPS2711, BC337;
КТ503Б: 2N4124, BC635;
КТ503Г: BC637;
КТ503Д: BC546A.
КТ503Е: 2SC2240GR, BC639.

Перед принятием решения о замене рекомендуется повторно изучить схему, в которой будет использоваться устройство.

Описание

Транзистор c5030fo имеет следующие технические характеристики:

Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение: 150 В
Максимальный ток коллектора: 15 А
Максимальная мощность потери: 115 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 В
Температурный коэффициент усиления: 0.026%/°C

Транзистор c5030fo обладает высокой надежностью и долговечностью, что обеспечивает стабильную работу устройств и схем на его основе. Он может быть использован в широком спектре приложений, включая аудиоусилители, силовые блоки питания и другие электронные устройства.

Благодаря своим техническим характеристикам и высокой производительности, транзистор c5030fo является привлекательным выбором для разработчиков и инженеров, которым требуется мощный и надежный элемент для их проектов.

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».