Какой транзистор можно использовать вместо d1047?+

Использование микросхем вместо транзистора D1047

Микросхемы представляют собой интегральные схемы, содержащие большое количество транзисторов и других элементов на одном кристалле. Они обладают множеством преимуществ перед отдельными транзисторами, такими как меньший размер, большая надежность и улучшенные характеристики.

Одной из популярных альтернатив для замены транзистора D1047 является микросхема TIP122. Она обладает схожими характеристиками и может быть легко установлена на место D1047. TIP122 имеет высокую коммутационную способность и хорошую теплопроводность, что делает ее идеальной заменой для D1047.

Еще одной возможной альтернативой может быть микросхема TIP120. Она также обладает высокой коммутационной способностью и теплопроводностью, и может быть использована вместо D1047 во многих приложениях.

В таблице приведено сравнение характеристик транзистора D1047 и микросхем TIP122 и TIP120:

Характеристика	D1047	TIP122	TIP120
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (Vce)	100V	100V	60V
Максимальный ток коллектора (Ic)	8A	5A	5A
Максимальная мощность (Pd)	80W	65W	65W
Температурный диапазон	-55°C до +150°C	-65°C до +150°C	-65°C до +150°C

Как видно из таблицы, микросхемы TIP122 и TIP120 имеют схожие характеристики с транзистором D1047 и могут быть использованы в качестве его альтернативы во многих электронных устройствах.

В заключение, использование микросхем вместо транзистора D1047 представляет собой эффективный способ замены и обновления устаревших устройств. Микросхемы TIP122 и TIP120 являются популярными альтернативами D1047 и могут успешно использоваться в широком спектре приложений.

Транзисторные УНЧ

Транзисторные усилители мощности низкой частоты (УМЗЧ) для звуковой и аудио-аппаратуры. В разделе собраны принципиальные схемы самодельных усилителей мощности НЧ на биполярных и полевых транзисторах.

Здесь вы найдете схемы транзисторных усилителей разной сложности и с разным классом мощности:

низкой мощности — до 1,5 Ватт;
средней мощности — от 1,5 Ватт до 20 Ватт;
большой мощности — 25 Ватт, 50 Ватт, 100 Ватт, 200 Ватт, 300 Ватт и более.

Для самодельного аудио-комплекса или при ремонте музыкального центра можно изготовить многоканальный усилитель мощности в конфигурациях:

система 2.1 (сабвуфер + 2 сателлита);
система 5.1 (сабвуфер + 5 сателлитов);
стерео — два канала усиления;
квадро — четыре канала усиления.

На транзисторах можно без лишних сложностей собрать небольшой самодельный усилитель для наушников. Присутствуют очень простые и доступные по себестоимости конструкции усилителей, которые прекрасно подойдут для изготовления начинающими радиолюбителями.

Усилитель построен по простой схеме на трех транзисторах. На выходе, на нагрузке сопротивлением 4 От выдает мощность 2W при питании от источника напряжением 12V. Входное сопротивление усилителя мало, и составляет 470 Ом. Столь малое входное сопротивление позволяет ему хорошо согласовываться .

Схема самодельного гибридного усилителя звука на лампах и микросхемах с выходной мощностью 30 Ватт. Усилитель построен на лампе ECC88 (отечественный аналог — 6Н23П) и мощной микросхеме LM3875.

Принципиальная схема гитарного усилителя мощности низкой частоты с предусилителем и темброблоком. УМЗЧ собран на транзисторах TIP142 и TIP147, выходная мощность — 40Вт на 8 Ом, 60 Вт на 4 Ома.

Несколько принципиальных схем высококачественных УМЗЧ на полевых транзисторах, привлекающие своей простотой и техническими характеристиками. Применение полевых транзисторов в усилителе мощности позволяет значительно повысить качество звучания при общем упрощении схемы.

Схема электрическая принципиальная усилителя приведена на рисунке (в скобках приведены замененные элементы). Данная конструкция является модернизациейразработки . Принципиальная схема УМЗЧ на MOSFET транзисторах (200Вт). Все основные части усилителя — трансформатор, радиаторы .

При разработке усилителей ЗЧ с максимальной выходной мощностью более 100 Вт первостепенноезначение приобретает необходимость получения возможно большего КПД усилителя при достаточно малых нелинейных искажениях. Вопрос о допустимом проценте нелинейных искажений усилителя ЗЧ не раз обсуждался на .

Свое знакомство с мощными усилителями я начал в 1958 году, когда учился в энергетическомтехникуме, и мне поручили обслуживать радиоузел. Он состоял из трех частей: малогабаритной радиотрансляционной установки “ТУ-100″, магнитофона “Днепр 9” и ЛАТРа на .

Уже давно разработчики УМЗЧ задают себе вопрос: до какого уровня необходимо снижать нелинейность усилителя? . Если проанализировать рекламные журналы по аудиотехнике, то гармонические искажения даже “топовых” моделей УМЗЧ в основном лежат в диапазоне 0,003. 0,05% .

Всем доброго времени суток! Вот с чем я осмелюсь с Вами поделиться. Тема для многих известна, и понятна. В чём она состоит. Дальше чисто моё ИМХО. Давно любителям звука внушают – если лампы, то в любом проявлении, а если транзисторы, то чтобы их было o-очень много! Иначе лапового звука не добьёшься. Например советские стандарты сначала классифицировали аудио-аппаратуру по кассам 4-й, 3-й, 2-й, 1-й!, и наконец.

Принципиальная схема простого трехтранзисторного усилителя мощности для применения в разнообразной малогабаритной аппаратуре. Зачастую, от «компьютерных колонок» требуется только воспроизведение каких-то звуковых сигналов, речевых сигналов, не требующих HI-FI или Hl-end качества .

Биполярный транзистор KTD1047 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTD1047

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

KTD1047
Datasheet (PDF)

..1. Size:72K kec ktd1047.pdf

SEMICONDUCTOR KTD1047TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.A Q BKFEATURES Complementary to KTB817. Recommended for 60W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATIN

0.1. Size:365K kec ktd1047b.pdf

SEMICONDUCTOR KTD1047BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. AFEATURES Q BNO KComplementary to KTB817B.DIM MILLIMETERSRecommended for 60W Audio Frequency _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Amplifier Output Stage._C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20_G 3.50 + 0.20D _

9.1. Size:398K kec ktd1003.pdf

SEMICONDUCTOR KTD1003TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. A CFEATURESGH High DC Current GainLM: hFE=800 3200. (VCE=5.0V, IC=300mA). Wide Area of Safe Operation.N Low Collector Saturation VoltageD D: VCE(sat)=0.17V (IC=500mA, IB=5.0mA).KDIM MILLIMETERSF FA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20C 1.70 MAXD 0.45+0.15/-0.101

9.2. Size:307K kec ktd1028.pdf

SEMICONDUCTOR KTD1028TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATURESHigh DC Current Gain: hFE=800 3200 (VCE=5.0V, IC=300mA).Wide Area of Safe Operation. Low Collector Saturation Voltage. : VCE(sat)=0.17V (IC=500mA, IB=5.0mA).MAXIMUM RATING (Ta=25 )CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITVCBOCollector-Base Voltage 60 VVCEOCollector-Emitter Vo

Другие транзисторы… KTC9014
, KTC9015
, KTC9016
, KTC9018
, KTD1003A
, KTD1003B
, KTD1003C
, KTD1028
, A1941
, KTD1145
, KTD1146
, KTD1302
, KTD1303
, KTD1304
, KTD1351
, KTD1352
, KTD1413
.

Биполярный транзистор 2SD1207 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1207

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2SD1207
Datasheet (PDF)

..1. Size:51K sanyo 2sd1207.pdf

Ordering number : EN930D2SB892 / 2SD1207SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB892 / 2SD1207Large-Current Switching ApplicationsApplications Power supplies, relay drivers, lamp drivers, and automotive wiring.Features FBET and MBIT processed (Original process of SANYO). Low saturation voltage. Large current capacity and

..2. Size:942K blue-rocket-elect 2sd1207.pdf

2SD1207 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features ,Low saturation voltage, large current capacity. / Applications ,,Power supplies, relay drivers, lamp

8.1. Size:86K 1 2sd1206.pdf

8.2. Size:51K 1 2sd1205a.pdf

Transistor2SD1205, 2SD1205ASilicon NPN epitaxial planer type darlingtonUnit: mmFor low-frequency amplification6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0FeaturesR0.9Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE= 4000 to 2000.A shunt resistor is omitted from the driver.0.85M type package all

8.3. Size:42K rohm 2sd1200.pdf

2SB1189 / 2SB1238 / 2SB899FTransistorsTransistors2SD1767 / 2SD1859 / 2SD1200F(96-618-B13)(96-750-D13)278

8.4. Size:51K panasonic 2sd1205.pdf

8.5. Size:56K panasonic 2sd1205 e.pdf

8.6. Size:31K hitachi 2sd1209.pdf

2SD1209(K)Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SA1193(K)OutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SD1209(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7VCo

8.7. Size:114K inchange semiconductor 2sd1208.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1208 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High DC current gain Darlington APPLICATIONS Power regulator for line operated TV PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings (Ta=25) SY

8.8. Size:185K inchange semiconductor 2sd1204.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1204DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current Gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE

8.9. Size:183K inchange semiconductor 2sd1202.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1202DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current Gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE

Другие транзисторы… 2SD1200
, 2SD1201
, 2SD1202
, 2SD1203
, 2SD1204
, 2SD1205
, 2SD1205A
, 2SD1206
, , 2SD1207R
, 2SD1207S
, 2SD1207T
, 2SD1207U
, 2SD1208
, 2SD1209
, 2SD120H
, 2SD121
.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
2SD2499	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
КТ839А	50	1500	—	5	10	150	˂ 1,5	—	5	240	˃ 5	—	TO-3
КТ872А	100	1500	700	6	8	150	˂ 1,0	—	—	—	6	— / 7,5 / 1,0	TO-218
КТ872А1	34	1200	700	6	8	150	˂ 1,5	—	—	—	6	— / 7,5 / 1,0	TO-218
КТ8107А	100	1500	700	6	10	125	˂ 3,0	—	—	—	2,3	— / 3,5 / 0,5	TO-3
КТ710А	50	—	3000	5	5	—	˂ 3,5	—	˃ 1,5	—	˃ 3,5	—	TO-3
2Т856А	125	950	950	5	10	—	˂ 1,5	—	—	—	10…60	— / — / 0,5	TO-3
КТ8118	50	900	800	—	3	—	—	—	˃ 15	—	10…40	—	TO-220

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
2SD2499	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
2SD2498	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,2	2	95	5…30	— / 10 / 0,7	TO-3PHIS
2SD2500	50	1500	600	5	10	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	135	10	— / 11 / 0,7	TO-3PHIS
2SD5702	60	1500	800	6	6	150	˂ 5	˂ 1,5	3	—	10	— / — / 0,4	TO-3PHIS
2SC5048	50	1500	600	5	12	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	160	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5129	50	1500	600	5	10	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	135	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5150	50	1700	700	5	10	150	˂ 3	˂ 1,2	2	185	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5280	50	1500	600	5	8	150	˂ 5	˂ 1,5	2	115	10	— / 5 / 0,5	TO-3PHIS
2SC5339	50	1500	600	5	7	150	˂ 5	˂ 1,3	2,4	82	10	— / 8 / 0,5	TO-3PHIS
2SC5386	50	150	600	5	8	150	˂ 3	˂ 1,5	1,7	105	15	— / 3,5 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5404	50	1500	600	5	9	150	˂ 3	˂ 1,5	2,5	115	10	— / 3,5 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5802	60	1500	800	6	10	150	˂ 3	˂ 1,5	—	—	15	— / — / 0,3	TO-3PHIS
BU4508DZ	32	1500	800	—	8	150	˂ 3	˂ 1,03	—	—	7	— / 3,75 / 0,4	SOT186A
BU508DXI	45	1500	700	—	8	150	˂ 1	˂ 1,3	7	125	˂ 30	— / 6,5 / 0,7	ISO218
BUH515DX1	50	1500	700	5	8	150	˂ 1,5	˂ 1,3	—	—	3…10	— / 3,6 / 0,26	ISO218
BUH515FP	38	1500	700	10	8	150	˂ 1,5	˂ 1,3	—	—	4…12	— / 3,9 / 0,28	TO-220FP

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

2SD1047 Datasheet (PDF)

Ordering number : ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit : mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P / 2S

1.3. 2sd1047.pdf Size:125K _sanyo

Ordering number:680F PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB817/2SD1047 140V/12A AF 60W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit:mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817/2SD1047] � Wide ASO because of on-chip ballast resista

1.4. 2sd1047.pdf Size:174K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1047 DESCRIPTION Ў¤ Complement to type 2SB817 Ў¤ With TO-3PN package APPLICATIONS Ў¤ Power amplification Ў¤ Low frequency and audio band PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25Ўж )

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Когда благодарность многих к одному отбрасывает всякий стыд, возникает слава.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1047.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1047 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2SD1047 транзистором 2N5631; транзистором 2SB817; транзистором BD745F; транзистором КТ879А;

транзистором 2SC2581; транзистором 2SC3182; транзистором 2SC2580; транзистором 2SD1148; транзистором 2SD751;

дата записи: 2016-12-07 14:18:11

2SB817 — комплементарная пара; дата записи: 2017-02-12 19:48:01

Добавить аналог транзистора 2SD1047.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SD1047? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Измерить ток покоя выходного транзистора

Током покоя называют коллекторный ток, который проходит по транзисторам выходных каскадов при условии, что сигнал отсутствует. В условно-идеальных (невозможных на самом деле) условиях значение такого тока должно находиться на нулевой отметке. На деле это не совсем так, собственная температура и характерные различия разнотипных транзисторов влияют на данный показатель. В наихудшем случае возможен перегрев, который станет причиной теплового пробоя транзистора.

Кроме того, существует ещё один показатель — напряжение покоя. Он демонстрирует значение напряжения соединительной точки транзисторов. Если питание у каскада двухполярное, то напряжение будет равно нулю, а если однополярное, тогда напряжение составляет 1/2 питающего напряжения.

На роль стабилизатора обычно берётся дополнительный транзистор, которые в качестве балласта подсоединяется к базовым цепям (наиболее часто он при этом оказывается прямо на радиаторе, максимально близко к выходным транзисторам).

Чтобы выявить, каков ток покоя выходных транзисторов или каскадов, необходимо при помощи мультиметра измерить данные по падению напряжения для его эммитерных резисторов (значения обычно выражаются в милливольтах), а потом, опираясь на закон Ома и данные по реальному сопротивлению, можно будет вычислить нужный показатель: значение падения напряжения разделить на значение реального сопротивления — значения тока покоя для данного выходного транзистора.

Все замеры необходимо производить весьма осторожно, иначе придётся производить замену транзистора.

Есть ещё один способ, гораздо менее травмоопасный. Взамен предохранителей потребуется установить сопротивление в 100 Ом и минимальную мощность в 0,5 Ватт для каждого канала. При отсутствии предохранителей сопротивление подсоединяется к разрыву питания. После осуществляется подача питания усилителю, производятся замеры показаний по падению напряжения на приведённом выше уровне сопротивления. Дальнейшая математика до крайности проста: падению напряжения в 1 В соответствует ток покоя величиной в 10мА. Аналогичным образом при 3,5 В получится 35 мА и так далее.

D1047 транзистор: основные характеристики и параметры

Основные параметры D1047 транзистора:

Тип корпуса: TO-3P
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 140 В
Максимальный ток коллектора: 12 А
Максимальная мощность диссипации: 120 Вт
Максимальная рабочая температура: 150°C

Этот транзистор обладает высокой коммутационной способностью и низким сопротивлением. Он может использоваться для управления высокими токами и мощностями, что делает его идеальным для применения в усилителях мощности и других электронных устройствах.

Примечательно, что D1047 транзистор имеет хорошую линейность усиления и обратное усиление, что позволяет получать качественный сигнал без искажений.

Данная информация о D1047 транзисторе является общей и может варьироваться в зависимости от определенной модели и производителя. Для более подробной информации рекомендуется обратиться к спецификации и документации производителя.

Архив блога

►

2020

(2)

►

февраля
(1)
►

фев 09
(1)

►

января
(1)
►

янв 19
(1)

►

2019

(11)

►

июня
(1)
►

июн 29
(1)

►

апреля
(2)
►

апр 30
(1)

►

апр 26
(1)

►

февраля
(5)
►

фев 27
(1)

►

фев 24
(1)

►

фев 16
(1)

►

фев 12
(1)

►

фев 07
(1)

►

января
(3)
►

янв 27
(1)

►

янв 25
(1)

►

янв 15
(1)

►

2018

(35)

►

декабря
(1)
►

дек 01
(1)

►

ноября
(1)
►

ноя 18
(1)

►

октября
(4)
►

окт 24
(1)

►

окт 09
(1)

►

окт 06
(1)

►

окт 04
(1)

►

сентября
(4)
►

сен 18
(4)

►

июля
(6)
►

июл 31
(5)

►

июл 03
(1)

►

мая
(2)
►

мая 24
(1)

►

мая 17
(1)

►

апреля
(5)
►

апр 25
(1)

►

апр 22
(1)

►

апр 19
(1)

►

апр 01
(2)

►

марта
(5)
►

мар 29
(1)

►

мар 10
(1)

►

мар 06
(1)

►

мар 05
(2)

►

февраля
(2)
►

фев 25
(1)

►

фев 12
(1)

►

января
(5)
►

янв 27
(1)

►

янв 18
(1)

►

янв 17
(2)

►

янв 09
(1)

►

2017

(98)

►

декабря
(10)
►

дек 24
(2)

►

дек 06
(1)

►

дек 03
(2)

►

дек 02
(1)

►

дек 01
(4)

►

ноября
(35)
►

ноя 29
(1)

►

ноя 22
(1)

►

ноя 19
(2)

►

ноя 16
(20)

►

ноя 14
(9)

►

ноя 13
(2)

►

октября
(9)
►

окт 23
(1)

►

окт 21
(1)

►

окт 20
(1)

►

окт 17
(3)

►

окт 13
(2)

►

окт 08
(1)

►

сентября
(8)
►

сен 22
(1)

►

сен 18
(1)

►

сен 13
(2)

►

сен 12
(1)

►

сен 09
(1)

►

сен 04
(1)

►

сен 02
(1)

►

августа
(1)
►

авг 13
(1)

►

июля
(1)
►

июл 09
(1)

►

июня
(1)
►

июн 22
(1)

►

мая
(3)
►

мая 23
(1)

►

мая 22
(1)

►

мая 16
(1)

►

апреля
(3)
►

апр 09
(2)

►

апр 07
(1)

►

марта
(11)
►

мар 31
(1)

►

мар 25
(1)

►

мар 23
(1)

►

мар 18
(1)

►

мар 17
(2)

►

мар 14
(1)

►

мар 03
(1)

►

мар 02
(2)

►

мар 01
(1)

►

февраля
(6)
►

фев 28
(1)

►

фев 26
(1)

►

фев 24
(2)

►

фев 20
(1)

►

фев 02
(1)

►

января
(10)
►

янв 28
(3)

►

янв 24
(2)

►

янв 21
(1)

►

янв 19
(1)

►

янв 14
(1)

►

янв 13
(2)

►

2016

(184)

►

декабря
(8)
►

дек 24
(1)

►

дек 23
(1)

►

дек 22
(1)

►

дек 20
(1)

►

дек 15
(1)

►

дек 14
(1)

►

дек 13
(1)

►

дек 11
(1)

►

ноября
(24)
►

ноя 30
(1)

►

ноя 29
(3)

►

ноя 28
(1)

►

ноя 26
(3)

►

ноя 25
(1)

►

ноя 21
(2)

►

ноя 19
(2)

►

ноя 15
(1)

►

ноя 14
(3)

►

ноя 12
(2)

►

ноя 10
(1)

►

ноя 08
(1)

►

ноя 06
(2)

►

ноя 04
(1)

►

октября
(7)
►

окт 31
(1)

►

окт 24
(1)

►

окт 19
(2)

►

окт 11
(2)

►

окт 02
(1)

►

сентября
(23)
►

сен 24
(2)

►

сен 23
(1)

►

сен 22
(8)

►

сен 20
(2)

►

сен 16
(1)

►

сен 15
(1)

►

сен 12
(1)

►

сен 10
(2)

►

сен 03
(3)

►

сен 01
(2)

►

августа
(7)
►

авг 06
(4)

►

авг 03
(2)

►

авг 01
(1)

►

июля
(28)
►

июл 31
(2)

►

июл 30
(3)

►

июл 28
(1)

►

июл 24
(1)

►

июл 22
(1)

►

июл 21
(2)

►

июл 20
(2)

►

июл 18
(4)

►

июл 15
(3)

►

июл 10
(1)

►

июл 07
(1)

►

июл 06
(3)

►

июл 05
(1)

►

июл 04
(2)

►

июл 01
(1)

►

июня
(11)
►

июн 27
(1)

►

июн 26
(2)

►

июн 19
(2)

►

июн 16
(1)

►

июн 13
(1)

►

июн 06
(2)

►

июн 05
(1)

►

июн 03
(1)

►

мая
(22)
►

мая 31
(5)

►

мая 27
(2)

►

мая 26
(1)

►

мая 24
(2)

►

мая 22
(3)

►

мая 21
(2)

►

мая 16
(1)

►

мая 15
(1)

►

мая 14
(1)

►

мая 09
(2)

►

мая 04
(1)

►

мая 01
(1)

►

апреля
(9)
►

апр 23
(2)

►

апр 16
(1)

►

апр 13
(1)

►

апр 09
(1)

►

апр 04
(1)

►

апр 02
(3)

►

марта
(25)
►

мар 26
(1)

►

мар 22
(1)

►

мар 21
(3)

►

мар 20
(5)

►

мар 19
(3)

►

мар 17
(1)

►

мар 12
(1)

►

мар 09
(1)

►

мар 08
(1)

►

мар 07
(2)

►

мар 06
(3)

►

мар 05
(3)

►

февраля
(10)
►

фев 28
(1)

►

фев 24
(1)

►

фев 22
(1)

►

фев 20
(1)

►

фев 10
(1)

►

фев 06
(2)

►

фев 02
(3)

►

января
(10)
►

янв 30
(1)

►

янв 26
(1)

►

янв 24
(1)

►

янв 20
(1)

►

янв 19
(4)

►

янв 09
(1)

►

янв 06
(1)

►

2015

(125)

►

декабря
(16)
►

дек 30
(4)

►

дек 24
(1)

►

дек 21
(1)

►

дек 20
(5)

►

дек 13
(3)

►

дек 05
(1)

►

дек 04
(1)

►

ноября
(35)
►

ноя 27
(1)

►

ноя 25
(1)

►

ноя 22
(3)

►

ноя 21
(7)

►

ноя 19
(1)

►

ноя 18
(1)

►

ноя 17
(2)

►

ноя 16
(3)

►

ноя 15
(3)

►

ноя 14
(6)

►

ноя 11
(2)

►

ноя 09
(3)

►

ноя 06
(2)

►

октября
(8)
►

окт 31
(1)

►

окт 23
(3)

►

окт 22
(3)

►

окт 08
(1)

►

сентября
(5)
►

сен 29
(1)

►

сен 28
(1)

►

сен 18
(1)

►

сен 17
(1)

►

сен 11
(1)

►

августа
(10)
►

авг 21
(1)

►

авг 20
(5)

►

авг 18
(1)

►

авг 16
(1)

►

авг 07
(2)

►

июля
(4)
►

июл 31
(1)

►

июл 10
(1)

►

июл 06
(1)

►

июл 01
(1)

►

июня
(9)
►

июн 30
(1)

►

июн 26
(1)

►

июн 25
(1)

►

июн 22
(1)

►

июн 19
(1)

►

июн 18
(1)

►

июн 13
(1)

►

июн 09
(1)

►

июн 01
(1)

►

мая
(11)
►

мая 27
(1)

►

мая 25
(1)

►

мая 23
(2)

►

мая 20
(1)

►

мая 17
(1)

►

мая 16
(2)

►

мая 11
(1)

►

мая 05
(1)

►

мая 04
(1)

►

апреля
(5)
►

апр 29
(1)

►

апр 19
(2)

►

апр 16
(1)

►

апр 06
(1)

►

марта
(4)
►

мар 26
(2)

►

мар 23
(1)

►

мар 10
(1)

►

февраля
(6)
►

фев 28
(1)

►

фев 22
(1)

►

фев 14
(1)

►

фев 10
(2)

►

фев 01
(1)

►

января
(12)
►

янв 17
(1)

►

янв 13
(2)

►

янв 12
(1)

►

янв 09
(1)

►

янв 06
(2)

►

янв 05
(1)

►

янв 04
(1)

►

янв 03
(2)

►

янв 01
(1)

▼

2014

(232)

►

декабря
(13)
►

дек 31
(1)

►

дек 27
(1)

►

дек 26
(1)

►

дек 23
(1)

►

дек 22
(1)

►

дек 20
(1)

►

дек 19
(1)

►

дек 14
(2)

►

дек 13
(1)

►

дек 06
(1)

►

дек 01
(2)

►

ноября
(5)
►

ноя 30
(3)

►

ноя 19
(1)

►

ноя 03
(1)

►

октября
(1)
►

окт 16
(1)

►

сентября
(1)
►

сен 21
(1)

►

августа
(5)
►

авг 19
(1)

►

авг 11
(1)

►

авг 08
(3)

►

июня
(15)
►

июн 30
(1)

►

июн 27
(1)

►

июн 24
(3)

►

июн 22
(2)

►

июн 21
(3)

►

июн 05
(2)

►

июн 04
(1)

►

июн 03
(2)

►

мая
(2)
►

мая 26
(1)

►

мая 20
(1)

►

апреля
(5)
►

апр 17
(2)

►

апр 13
(1)

►

апр 12
(1)

►

апр 02
(1)

►

марта
(3)
►

мар 10
(2)

►

мар 03
(1)

►

февраля
(10)
►

фев 19
(1)

►

фев 04
(8)

►

фев 01
(1)
- ▼
  
  января
  
  (172)
  
  ►
  
  янв 26
  
  (20)
  
  ▼
  
  янв 25
  (16)
  
  ►
  
  янв 20
  
  (2)
  
  ►
  
  янв 19
  
  (30)
  
  ►
  
  янв 18
  
  (10)
  
  ►
  
  янв 17
  
  (41)
  
  ►
  
  янв 10
  
  (13)
  
  ►
  
  янв 06
  
  (40)

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.