Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Сравнение с электронными лампами
До разработки транзисторов вакуумные (электронные) лампы (или просто «лампы») были основными активными компонентами электронного оборудования. По принципу управления наиболее родственен электронной лампе полевой транзистор, многие соотношения, описывающие работу ламп, пригодны и для описания работы полевых транзисторов.
Радиолампа 6Ф12П
Многие схемы, разработанные для ламп, стали применяться для транзисторов и получили развитие, поскольку электронные лампы имеют только один тип проводимости — электронный, а транзисторы могут иметь как электронный, так и дырочный тип проводимости. Так называемый эквивалент воображаемой «позитронной лампы». Это привело к широкому использованию комплементарных схем (КМОП).
Преимущества
Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников (вакуумные лампы) в большинстве электронных устройств:
- малые размеры и небольшой вес, что способствует развитию миниатюризации электронных устройств;
- высокая степень автоматизации и групповой характер операций на многих этапах технологического процесса изготовления, что ведёт к постоянному снижению удельной стоимости при массовом производстве;
- низкие рабочие напряжения, что позволяет использовать транзисторы в небольших по габаритам и энерговооружённости электронных устройствах с питанием от малогабаритных электрохимических источников тока;
- не требуется дополнительного времени на разогрев катода после включения, что позволяет достичь почти мгновенной готовности к работе транзисторных устройств, сразу после подачи питания;
- малая, по сравнению с лампами, рассеиваемая мощность, в том числе из-за отсутствия разогрева катода, что способствует повышению энергоэффективности, облегчает отвод избыточного тепла и позволяет повышать компактность устройств;
- высокая надёжность и большая физическая прочность, стойкость к механическим ударам и вибрации, что позволяет избежать проблем при использовании устройств в условиях любых ударных и вибрационных нагрузок;
- очень продолжительный срок службы — некоторые транзисторные устройства находились в эксплуатации более 50 лет и при этом не потеряли своей работоспособности;
- возможность объединения множества элементов в едином миниатюрном конструктивном модуле позволяет значительно повысить степень интеграции и облегчает разработку комбинированных схем высокой сложности, что не представляется возможным с вакуумными лампами.
Уменьшение размеров радиоэлементов
Недостатки
- Обычные кремниевые транзисторы не работают при напряжениях выше 1 кВ, вакуумные лампы могут работать с напряжениями на несколько порядков выше 1 кВ. Для коммутации цепей с напряжением свыше 1 кВ разработаны IGBT транзисторы.
- Применение транзисторов в мощных радиовещательных и СВЧ передатчиках нередко, оказывается, технически и экономически нецелесообразным: требуется параллельное включение и согласование многих сравнительно маломощных усилителей. Мощные и сверхмощные генераторные лампы с воздушным или водяным охлаждением анода, а также магнетроны, клистроны, лампы бегущей волны(ЛБВ) обеспечивают лучшее соотношение частотных характеристик, мощностей и приемлемой стоимости.
- Транзисторы значительно более уязвимы, чем вакуумные лампы, к действию сильных электромагнитных импульсов, которые, в том числе, являются одним из поражающих факторов ядерного взрыва;
- Чувствительность к радиации и воздействию космических излучений. Для работы в космосе созданы специальные радиационно-стойкие микросхемы для электронных устройств космических аппаратов.
Маркировка диодов
Маркировка выводных диодов:
Наиболее распространены следующие системы кодирования:
JEDEC(США)— Стандартизированная система EIA370 нумерации N-серии.
Вид кода: .
Первая цифра – цифра, отражающая количество переходов в элементе (1 для диодов).
Буква – всегда буква “N”.
Серийный номер – двух-, трех- или четырехзначное число, которое отражает порядковый номер регистрации полупроводникового прибора в EIA.
Суффикс – отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам. Суффикс может состоять из одной или нескольких букв.
Например: 1N34A/1N270 (германиевый диод), 1N914/1N4148 (кремниевый диод), 1N4001-1N4007 (кремниевый выпрямительный диод на 1A) и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямительный диод на 3A).
PRO ELECTRON (Европа);
Обозначение состоит из четырех элементов.
Первый элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового материала, используемого в приборе:
- A – германий;
- B – кремний;
- C – арсенид галлия;
- R – другие полупроводниковые материалы.
Второй элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- A – маломощные импульсные и универсальные диоды;
- B – варикапы;
- E – туннельные диоды;
- G – приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;
- H – магниточувствительные диоды;
- P – светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);
- Q – светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);
- X – умножительные диоды;
- Y – выпрямительные диоды, бустеры;
Третий элемент – буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (промышленной, профессиональной, военной и т.п.). Обычно используются буквы “Z”, “Y”, “X” или “W”. В обозначениях приборов общего назначения этот элемент отсутствует.
Четвертый элемент – двух-, трех- или четырехзначный серийный номер прибора.
В обозначении могут присутствовать и некоторые дополнительные элементы. Например, такой же, как и в системе JEDEC суффикс, который отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.
Для некоторых типов приборов (таких как стабилитроны) может применяться дополнительная классификация. При этом к основному обозначению (может также быть через дефис или дробь) добавляется дополнительный код. Например, часто применяется дополнительный код, содержащий сведения о напряжении стабилизации и его возможном разбросе (“A” – 1%, “B” – 2%, “C” – 5%, “D” – 10%, “E” – 15%). Если напряжение стабилизации – не целое число, то вместо запятой ставится буква V. В дополнительном коде для выпрямительных диодов указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.
Например, BZY88C4V7 – это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 88, напряжением стабилизации 4.7 В с максимальным отклонением этого напряжения от номинального значения ±5%.
Таблица 1 — Цветовое кодирование диодов (PRO ELECTRON).
JIS (Япония, Азия);
Обозначение состоит из пяти элементов.
Первый элемент – цифра, отражающая количество переходов в элементе (0 – фотодиоды; 1 – диоды).
Второй элемент – буква “S”, обозначающая полупроводниковые приборы (Semiconductors).
Третий элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- E – диоды;
- G – диоды Ганна;
- Q – светоизлучающие диоды;
- R – выпрямительные диоды;
- S – слаботочные диоды;
- T – лавинные диоды;
- V – варикапы, p-i-n-диоды, диоды с накоплением заряда;
- Z – стабилитроны, ограничители.
Четвертый элемент – это серийный (регистрационный) номер прибора.
Пятый элемент – модификация прибора (“A” – первая, “B” – вторая и т.д.).
После стандартной маркировки может следовать дополнительный индекс (“N”, “M”, “S”), отражающий некоторые специальные свойства прибора.
Маркировка SMD диодов:
SMD диоды маркируются обычно с помощью буквенно-числового кода. В зависимости от типа корпуса (т.е. его размера) и производителя, применяется та или иная система кодирования. Вполне очевидно, что рассмотреть все виды кодирования не представляется возможным. Поэтому далее будут рассмотрены некоторые коды для наиболее часто применяемых корпусов диодов. Более полную версию систем кодирования SMD диодов Вы можете посмотреть .
Для корпусов SOD80 (MiniMELF):
Пример: BZV87-1V4 – кремниевый стабилитрон на напряжение стабилизации 1.4 В.
Остальные номиналы стабилитронов кодируются подобным образом.
Цветовая маркировка:
Часто производитель кодирует лишь тип диода:
Особенности применения
При применении аналогов транзистора BCP52 необходимо учитывать ряд особенностей, которые могут влиять на его работу и эффективность:
1. Напряжение и ток. Учитывайте значения максимального напряжения и тока, которые может выдерживать выбранный аналог. Они должны быть совместимы с требованиями вашей схемы.
2. Температурный режим
Обратите внимание на температурный диапазон работы аналога. Если он не соответствует вашим требованиям, это может привести к снижению надежности и долговечности устройства
3. Тип корпуса. Учтите, что аналоги могут иметь разные типы корпусов (например, SOT23 или SOT223) и количество выводов. Убедитесь, что выбранный аналог подходит для вашей печатной платы и схемы.
4. Характеристики. Сравните основные электрические характеристики аналога с BCP52, такие как коэффициент усиления, потери мощности и другие параметры. Они должны быть близкими или лучше значениям оригинального транзистора.
5. Надежность. Проверьте надежность и репутацию производителя выбранного аналога. Чтобы избежать проблем с качеством или совместимостью, рекомендуется выбирать компоненты от проверенных производителей.
6. Стоимость. Сравните цену аналога с BCP52 и учитывайте бюджет своего проекта. Не забывайте, что недорогие аналоги могут иметь худшее качество или характеристики.
Учитывая эти особенности, вы сможете выбрать наиболее подходящий аналог для BCP52 и успешно использовать его в своих схемах и устройствах.
Корпуса чип-компонентов
Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:
| выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
| 2 вывода | SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
| 3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) |
| 4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
| 6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
| > 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510 |
Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.
Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.
Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.
Типы корпусов SMD по названиям
| Название | Расшифровка | кол-во выводов |
| SOT | small outline transistor | 3 |
| SOD | small outline diode | 2 |
| SOIC | small outline integrated circuit | >4, в две линии по бокам |
| TSOP | thin outline package (тонкий SOIC) | >4, в две линии по бокам |
| SSOP | усаженый SOIC | >4, в две линии по бокам |
| TSSOP | тонкий усаженный SOIC | >4, в две линии по бокам |
| QSOP | SOIC четвертного размера | >4, в две линии по бокам |
| VSOP | QSOP ещё меньшего размера | >4, в две линии по бокам |
| PLCC | ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
| CLCC | ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
| QFP | квадратный плоский корпус | >4, в четыре линии по бокам |
| LQFP | низкопрофильный QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| PQFP | пластиковый QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| CQFP | керамический QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| TQFP | тоньше QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| PQFN | силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор | >4, в четыре линии по бокам |
| BGA | Ball grid array. Массив шариков вместо выводов | массив выводов |
| LFBGA | низкопрофильный FBGA | массив выводов |
| CGA | корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | массив выводов |
| CCGA | СGA в керамическом корпусе | массив выводов |
| μBGA | микро BGA | массив выводов |
| FCBGA | Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом | массив выводов |
| LLP | безвыводной корпус |
Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.
Что представляет собой данный элемент электрических схем
Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое.
Вольт-амперная характеристика стабилитрона
Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод (smd) имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.
Имея такую область, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IСТ.МИН до IСТ.МАКС практически не наблюдается изменений показателя напряжения. Данный эффект применяется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда к смд подключена параллельно нагрузка RH, тогда напряжение диода будет оставаться постоянным, причем в указанных пределах изменения тока, текущего через стабилитрон.
Кроме смд существуют еще и стабистроны, которые включаются при прямом включении. Они применяются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать тогда, когда нужно стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Область их прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 – 2v. При этом оно практически не зависит от силы тока. Стабисторы в своей работе применяют прямую ветвь вольт-амперной характеристики. Их также следует включать при прямом подключении. Хотя это будет не самое лучшее решение, поскольку стабилитрон в такой ситуации будет все же более эффективен. Стабисторы, как и smd, производятся зачастую из кремния. Стабилитроны маркируют по их основным характеристикам. Эта маркировка имеет следующий вид:
- UСТ. Эта маркировка означает номинальное напряжение для стабилизации;
- ΔUСТ. Означает отклонение показателя напряжения номинального напряжения стабилизации;
- IСТ. Обозначает ток, который протекает через диод при номинальном напряжении стабилизации;
- IСТ.МИН — минимальное значение тока, которые течет через стабилитрон. При этом значении такой smd диод будет иметь напряжение в диапазоне UСТ ± ΔUСТ;
- IСТ.МАКС. Означает максимально допустимую величину тока, которая может течь через стабилитрон.
Такая маркировка важна при выборе элемента под определенную электросхему.
Маркировка SMD диодов — справочник кодовых обозначений
Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard
| # | Конфигурация | Тип корпуса | Цоколевка |
| Одиночный диод | SOT23 | D1a | |
| 2 | Два последовательно включенных диода | SOT23 | D1i |
| 3 | Два диода с общим анодом | SOT23 | D1j |
| 4 | Два диода с общим катодом | SOT23 | D1h |
| 5 | Два отдельных диода | SOT143 | D6d |
| 7 | Кольцо из четырех диодов | SOT143 | D6c |
| 8 | Мост из четырех диодов | SOT143 | D6a |
| 9 | Перевернутая четверка диодов | SOT143 | – |
| B | Одиночный диод | SOT323 | D2a |
| C | Два последовательно включенных диода | SOT323 | D2b |
| E | Два диода с общим анодом | SOT323 | D2c |
| F | Два диода с общим катодом | SOT323 | D2d |
| K | Два отдельных диода | SOT363 | D7b |
| L | Три отдельных диода | SOT363 | D7f |
| M | Четыре диода с общим катодом | SOT363 | D7g |
| N | Четыре диода с общим анодом | SOT363 | D7h |
| P | Мост из четырех диодов | SOT363 | D7i |
| R | Кольцо из четырех диодов | SOT363 | D7j |
| T | Диод с низкой индуктивностью | SOT363 | – |
| U | Последовательно-параллельная пара диодов | SOT363 | – |
Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах
| Тип | 1 полоса | 2 полоса | Эквивалент |
| BA682 | Красная | Нет | BA482 |
| BA683 | Красная | Желтая | BA483 |
| BAS32 | Черная | Нет | 1N4148 |
| BAV100 | Зеленая | Черная | BAV18 |
| BAV101 | Зеленая | Красная | BAV19 |
| BAV102 | Зеленая | Красная | BAV20 |
| BAV103 | Зеленая | Желтая | BAV21 |
| BB219 | Нет | Нет | BB909 |
Маркировка диодов и диодных сборок
| Наименование | Маркировка | Кол-во диодов | Обратное напр. | Прямой ток | Время рас. | Емкость диода | Корпус |
| LL 4148 | … | один | 70 В | 100 мА | 4 нс | 4,0 пФ | mini-МELF |
| BAS 216 | … | один | 75 В | 250 мА | 4 нс | 1,5 пф | SOD110 |
| BAT254 NEW | … | один | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOD110 |
| BAS 16 | JU/A6 | один | 75 В | 200 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
| BAS 21 | JS | один | 200 В | 200 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
| BAV 70 | JJ/A4 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
| BAV 99 | JK, JE, A7 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
| BAW 56 | JD, A1 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
| BAT54S | L44 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
| BAT54C | L43 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
| BAV23S | L31 | 2 диода | 200В | 225 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
Маркировка стабилитронов BZX84
| Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
| BZX84C2V7 | W4 | 2,4B | 2,7B | 3,1B | 85 Oм | -0,06% |
| BZX84C3V0 | W5 | 2,8B | 3,0B | 3,2B | 85 Oм | -0,06% |
| BZX84C3V3 | W6 | 3,1В | 3,3В | 3,5В | 85 Ом | -0,06% |
| BZX84C3V9 | W8 | 3,7В | 3,9В | 4,1В | 85 Ом | -0,06% |
| BZX84C4V3 | Z0 | 4,1B | 4,3B | 4,5B | 80 Ом | -0,03% |
| BZX84C4V7 | Z1 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 80 Ом | -0,03% |
| BZX84C5V1 | Z2 | 4,9B | 5,1B | 5,3B | 60 Ом | 0,03% |
| BZX84C5V6 | Z3 | 5,2В | 5,6В | 6,0В | 40 Ом | 0,03% |
| BZX84C6V2 | Z4 | 5,8В | 6,2В | 6,6В | 10 Ом | 0,05% |
| BZX84C6V8 | Z5 | 6,4В | 6,8В | 7,2В | 15 Ом | 0,05% |
| BZX84C7V5 | Z6 | 7,1В | 7,5В | 7,9В | 15 Ом | 0,05% |
| BZX84C8V2 | Z7 | 7,7В | 8,2В | 8,7В | 15 Ом | 0,06% |
| BZX84C9V1 | Z8 | 8,8В | 9,1В | 9,5В | 20 Ом | 0,05% |
| BZX84C10 | Z9 | 9,4В | 10,0В | 10,6В | 20 Ом | 0,07% |
| BZX84C12 | Y2 | 11,4В | 12,0В | 12,7В | 25 Ом | 0,07% |
| BZX84C15 | Y4 | 13,8В | 15,0В | 15,6В | 30 Ом | 0,08% |
| BZX84C18 | Y6 | 16,8В | 18,0В | 19,1В | 45 Ом | 0,08% |
| BZX84C20 | Y8 | 17,8В | 20,0В | 21,0В | 45 Ом | 0,08% |
Маркировка стабилитронов BZT52
| Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
| BZT52-C3V3S | W4 | 3,1B | 3,3B | 3,5B | 95 Oм | -0,055% |
| BZT52-C3V9S | W6 | 3,7B | 3,9B | 4,1B | 95 Oм | -0,050% |
| BZT52-C4V3S | W7 | 4,0В | 4,3В | 4,6В | 95 Ом | -0,035% |
| BZT52-C4V7S | W8 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 75 Ом | -0,015% |
| BZT52-C5V1S | W9 | 4,8B | 5,1B | 5,4B | 60 Ом | -0,005% |
| BZT52-C6V8S | WB | 6,4B | 6,8B | 7,2B | 8 Ом | 0,045% |
Как проверить SMD компоненты
Что такое SMD
Прежде всего, что означает «SMD» и откуда такое странное название? Все очень просто: это аббревиатура от английского выражения Surface Mounted Device, означающего прибор, монтируемый на поверхность.
То есть, в отличие от обычной радиодетали, ножки которой вставляются в отверстия в печатной плате и припаиваются с другой ее стороны, smd прибор просто накладывается на контактные площадки, предусмотренные на плате, и с этой же стороны припаивается.
Технология поверхностного монтажа не только позволила уменьшить габариты элементов и плотность элементов на плате, но и существенно упростила сам монтаж, с которым сегодня легко справляются роботы. Автомат прикладывает электронный компонент к нужному месту платы, разогревает это место ИК светом или лазером до температуры плавления нанесенной на площадки паяльной пасты, и монтаж элемента выполнен.
Фелер 404
Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote
Sprache
Верунг
Preise
нетто
брутто
нетто
брутто
Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе
или другой адрес:
Дом
Abonnieren Sie jetzt
В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
* Pflichtfeld
AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten
больше
Венигер
TME-Newsletter abonnieren
Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME
AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten
Daten werden verarbeitet
Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.
Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.
Логин
Пароль
Логин и пароль заранее.
Технические характеристики
Наиболее полная и подробная информация о 2N7002, с характеристиками и графиками зависимостей, представлена в технической документации (datasheet). Согласно справочных данных, основные параметры таких устройств у всех производителей практически одинаковые. Но прогресс не стоит на месте. Вместе с новыми требованиями предъявляемыми заказчиками, ужесточением экологических стандартов, многие компании совершенствуют процессы производства с одновременным улучшением свойств своих электронных продуктов.
Например, обновлённые 2N7002 от Infineon, производят с учётом требований европейских экономических норм (RoHS), с использованием безсвинцовых (Pb-Free) и безгалогеновым (Halogen-free) технологий. Последние имеют более прочные огнеупорные пластиковые корпуса PG-SOT-23 по классификации 94V-0, внешние выводы под пайку по стандарту MIL-STD-202. Последние обладают усиленной влагозащитой согласно J-STD-020, сертификатами соответствия методике испытаний JESD22, оценены по чувствительности к электрическим разрядам (ESS class) и др.
В datasheet некоторых компаний напрямую указывается о соблюдении при производстве требований JEDEC (США). Таким образом они подчёркивают качество свой продукции и её соответствие заявленным параметрам. Почти все известные брэнды являются членами указанной ассоциации полупроводниковых технологий. Очевидно, что основные максимальные и электрические параметры у новых устройств значительно лучше, чем у первых версий 90-х годов. Именно они будут рассмотрены далее.
Максимальные значения
Максимальные характеристики 2N7002 (при ТА=25oC):
- напряжение: сток-исток (V DS) до 60 В; затвор-исток (V GS) до 40 В;
- предельный ток стока (I D) до 0.3 A; импульсный (I D pulse) до 1.2 A;
- сопротивление проводящего канала сток-исток (R DS(on)): до 3 Ом (при VGS=10 В); до 4 Ом (при VGS=4.5 В);
- рассеиваемая мощность (P tot) — 0.5 Вт;
- рабочая температура (Tj) -55…150 oC.
Электрические значения
Следует отметить, что представленные выше значения справедливы только для идеальных условий эксплуатации. Их превышение зачастую приводит к разрушению структуры транзистора, его нестабильной работе с последующим выходом из строя. С ростом температуры окружающей среды (свыше +25oC) свойства изделия ухудшаются. Поэтому при планировании использования 2N7002 необходимо предусматривать 30% запас по всем параметрам. В datasheet вместе с максимальными (абсолютными) характеристиками приводятся электрические, при которых устройство работает стабильно и долго.
Маркировка
У smd-транзистора 2N7002 буквенно-цифровая маркировка. Чаще всего на его корпусе присутствуют следующие обозначения: 7002, 12W, 7200, 702. Очень редко, особенно на старых материнских платах, такие устройства встречается с символами: K7K, 72K, 7S2.
Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23
Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:
- снижение канального сопротивления;
- паразитного сопротивления;
- выводной емкости и индуктивности;
- увеличение рабочего тока;
- увеличение рабочего напряжения;
- увеличение скорости действия.
Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.
Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.
Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.
К транзисторам предъявляются следующие требования:
- Невысокое открытое сопротивление.
- Стабильность температуры, если не используется радиатор.
- Невысокий порог напряжения затвора.
- Бюджетная стоимость.
У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.
У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.
Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.
Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.
Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23
Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.
Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой
Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения
На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.
Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.
Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23
В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:
- управляющее напряжение затвора;
- тип корпуса;
- технология кристаллизации;
- уровень напряжения стока и размера кристалла.
Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:
- L — уровень управляющего напряжения.
- F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
- L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.
Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.
Аналоги и комплементарная пара
Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.
Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.
В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.