Транзистор кт872а: характеристики, цоколевка, принцип работы

Монтаж и подключение транзистора Кт872а

1. Номинальное напряжение коллектора:

5 В

2. Номинальный ток коллектора:

100 мА

3. Мощность потерь:

0.3 Вт

Перед подключением транзистора Кт872а необходимо убедиться, что он находится в исправном состоянии. Для этого можно использовать специальное испытательное устройство или мультиметр. Проверьте, чтобы все выводы транзистора были правильно подключены.

Для монтажа транзистора Кт872а необходимо выполнить следующие шаги:

1. Подготовьте плату:

Очистите поверхность платы от загрязнений и окислов, используя специальные средства или спирт. Убедитесь, что все контактные площадки на плате хорошо пропаяны и не имеют трещин или повреждений.

2. Разместите транзистор на плате:

Аккуратно разместите транзистор на плате так, чтобы его контакты совпадали с контактными площадками на плате. Убедитесь, что транзистор плотно прилегает к плате и не имеет зазоров или наклонов.

3. Пайка контактов:

Плавким припоем пайте контакты транзистора с контактными площадками на плате

Обратите внимание на правильное соединение контактов и исключите возможность короткого замыкания

4. Защита контактов:

После пайки контактов рекомендуется применить защитный лак или специальную силиконовую смазку для предотвращения коррозии и повреждения контактов.

После проведения всех монтажных операций необходимо проверить правильность подключения транзистора Кт872а. Это можно сделать с помощью мультиметра или другого измерительного прибора

Особое внимание следует уделить контактам базы, эмиттера и коллектора, чтобы избежать переключения и ошибок

Теперь вы готовы использовать транзистор Кт872а для реализации различных электронных схем и устройств. Учтите, что при монтаже и подключении транзистора необходимо соблюдать все технические требования и предписания, указанные в его техническом паспорте.

Аналоги транзистора КТ872А: лучшие альтернативы на рынке

1. Транзистор КТ361 – это хороший аналог КТ872А. Он имеет похожие характеристики и обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет использовать его в различных электронных схемах.

2. Транзистор КТ3107 – это также отличная альтернатива КТ872А. Он обладает высокой надежностью и стабильностью работы, а также обеспечивает высокую скорость коммутации сигнала.

3. Транзистор КТ315 – это еще один хороший аналог КТ872А. Он обладает высоким коэффициентом усиления и может использоваться в широком диапазоне рабочих температур.

4. Транзистор КТ805 – это отличный аналог КТ872А с высокой надежностью и стабильностью работы. Он также обладает высоким коэффициентом усиления и может использоваться во многих различных электронных схемах.

5. Транзистор КТ815 – это еще одна хорошая альтернатива КТ872А. Он обладает высокой скоростью коммутации сигнала и может использоваться в широком диапазоне рабочих температур.

Выводя все воедино, можно сказать, что рынок предлагает множество альтернатив транзистору КТ872А, каждый из которых обладает своими особенностями и преимуществами. При выборе аналога необходимо учитывать требования конкретной схемы и ее условия эксплуатации, чтобы выбрать наиболее подходящий вариант.

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера. Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора

С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

Схемы с использованием TL431

Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.

Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)

Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:

Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)

Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.

Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.

Лабораторный блок питания на TL431 с защитой

Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.

Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.

Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)

Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.

Индикатор напряжения

Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.

Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.

Таймер задержки на TL431

Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).

Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.

Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317

Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).

Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.

Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Теория работы составного транзистора (СТ)

Для получения основных параметров СТ следует задаться моделью самого биполярного транзистора (БТ) для низких частот на рис. 1а.

Рис. 1. Варианты схемы замещения БТ n-p-n

Первичных расчётных параметра всего два: коэффициент усиления по току и входное сопротивление транзистора. Получив их, для конкретной схемы по известным формулам можно рассчитать коэффициент усиления по напряжению, входное и выходное сопротивления каскада.

Схемы замещения составных транзисторов Дарлингтона (СТД) и Шиклаи (СТШ) приведены на рис. 2, готовые формулы для расчёта параметров – в табл. 1.

Таблица 1 – Формулы для расчёта параметров СТ

Здесь rэ – сопротивление эмиттера, вычисляемое по формуле:

Рис. 2 Варианты составных транзисторов

Известно, что b зависит от тока коллектора (график зависимости указывается в даташите). Если ток базы VT2 (он же – эмиттерный или коллекторный ток VT1) окажется слишком мал, реальные параметры СТ окажутся намного ниже расчётных. Поэтому для поддержания начального коллекторного тока VT1 достаточно воткнуть в схему дополнительный резистор Rдоп (рис. 2в). Например, если в СТД в качестве VT1 использован КТ315 с минимальным необходимым током Ik.min , то дополнительное сопротивление будет равно

можно поставить резистор номиналом 680 Ом.

Шунтирующее действие Rдоп снижает параметры СТ, поэтому в микросхемах и иных навороченных схемах его заменяют источником тока.

Как видно из формул в табл. 1, усиление и входное сопротивление СТД больше, чем у СТШ. Однако последний имеет свои преимущества:

на входе СТШ падает меньшее напряжение, чем у СТД (Uбэ против 2Uбэ);
коллектор VT2 соединён с общим проводом, т.е. в схеме с ОЭ для охлаждения VT2 можно посадить прямо на металлический корпус устройства.

Технические характеристики

Первое, на что стоит обратить внимание при подборе транзистора для замены или проектировании новой схемы, это предельные эксплуатационные данные. Превышение их недопустимо даже в течение небольших промежутков времени

Также устройство не сможет долго функционировать при значениях параметров равных максимальным. Для КТ827А эти характеристики равны:

наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном R_БЭ = 1000 Ом) – 100 В;
максимально возможное напряжение (действующее постоянно или длительное время) между К-Э – 100 В;
предельное импульсное напряжение действующее между К-Э (при t_Ф= 0,2 мкс) – 100 В;
наибольшее возможное постоянно действующее напряжение между Э — Б – 5 В;
максимально допустимый ток через коллектора (действующий на протяжении длительного времени) – 20 А;
наибольший кратковременный ток через коллектора – 40 А;
максимальный длительный ток через базу – 0,5 А;
предельно допустимый кратковременный ток через базу – 0,8 А;
максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при (Т_К = -60 … +25ОС) – 125 Вт;
тепловое сопротивление между переходом и корпусом – 1,4 ОС /Вт;
наибольшая возможная температура перехода – +200ОС;
рабочий диапазон температур окружающего воздуха – -60 … +100ОС.

При конструировании схем кроме максимальных значений следует также обращать внимание на электрические параметры. Из таблицы, которая находится ниже по тексту, можно узнать их основные величины

Условия тестирования приведены в столбце под названием «Режимы измерения». Наибольшие и наименьшие значения, полученные во время измерения, находятся в колонках «min» и «max».

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Статический к-т передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером	U_КЭ= 3 В, I_К= 10 A, Т_К = 25ОС Т = Т_{К макс} Т_К = — 60ОС U_КЭ= 3 В, I_К= 20 A	h_21Э	750 750 100 100	6000 3500
Граничная частота к-та передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером	U_КЭ= 3 В, I_К= 10 A	f_гр		4	МГц
Напряжение насыщения перехода К-Э	I_К = 10 A, I_Б = 40 мA I_К = 20 A, I_Б = 200 мA	U_КЭ_нас	1 1,8	2 3	В В
Напряжение насыщения перехода Б-Э	I_К = 20 A, I_Б = 200 мA	U_БЭ_нас	2,6	4	В
Входное напряжение Б-Э	I_К= 10 A, U_КЭ= 3 В		1,6	2,8	В
Время включения	I_К= 10 A, I_Б = 40 мA	t_вкл	0,3	1	мкс
Время выключения	I_К= 10 A, I_Б = 40 мA	t_выкл	3	6	мкс
Время рассасывания	I_К= 10 A, I_Б = 40 мA	t_рас	2	4,5	мкс
Обратный ток К-Э,	U_КЭ= U_{КЭ макс}R_БЭ = 1000 Ом Т = +25 и — 60ОС Т = Т_{К макс}	I_КЭO		3 5	мА мА
Обратный ток через эмиттер	U_ЭБ= 5 В	I_ЭБО		2	мА
Емкость коллекторного перехода	U_КБ= 10 В	c_к	200	400	пФ
Емкость эмиттерного перехода	U_ЭБ= 5 В	c_к	160	350	пФ

Описание и назначение кт872а транзистора

Основное назначение кт872а транзистора — это усиление сигналов высокой частоты и коммутация сигналов. Также этот транзистор может использоваться для создания различных электронных схем и устройств.

Кт872а обладает следующими характеристиками:

Тип корпуса: TO-18
Максимальное коллекторное напряжение: 30 В
Максимальный коллекторный ток: 100 мА
Мощность, выделяющаяся в кристалле: 250 мВт
Коэффициент усиления по току: не менее 40
Частота переключения: не менее 600 МГц

Кт872а транзистор обладает небольшими габаритами, что позволяет его эффективно использовать в компактных устройствах.

Важно отметить, что для корректной работы кт872а транзистора необходимо соблюдать правила монтажа и эксплуатации, а также учитывать его электрические и тепловые характеристики

Пара Шиклаи и каскодная схема

Другое название составного полупроводникового триода – пара Дарлингтона. Кроме неё существует также пара Шиклаи. Это сходная комбинация диады основных элементов, которая отличается тем, что включает в себя разнотипные транзисторы.

Что до каскодной схемы, то это также вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый триод включается по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОБ. Такое устройство аналогично простому транзистору, который включён в схему с ОЭ, но обладающему более хорошими показателями по частоте, высоким входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.

Что такое Кт872а транзистор?

Кт872а имеет следующие основные характеристики:

Максимальное значение коллекторного тока: 40 А;
Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения: 600 В;
Максимальное значение мощности: 150 Вт;
Максимальное значение частоты переключения: 20 кГц;
Низкое значения внутреннего сопротивления;
Высокая надежность и долговечность работы.

Кт872а транзистор широко используется в различных схемах проектирования электронных устройств для управления мощными нагрузками и генерации сигналов на высоких частотах. Его применение может быть особенно полезно в области электроники, автоматики, радиотехники и других сферах промышленности и науки.

Характеристики КТ872А транзистора: что это?

Главной особенностью КТ872А является его малый ток потребления в активном режиме, что позволяет использовать его в устройствах с ограниченной энергоемкостью и автономных источниках питания.

Вот основные характеристики КТ872А:

Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (U_кэ): 50 В
Максимальный допустимый коллекторный ток (I_к): 100 мА
Максимальная мощность потерь на открытом коллекторе (P_к): 400 мВт
Максимальная рабочая частота переключения (f_T): 150 МГц
Максимальный коэффициент усиления по току (h_21e): 250

КТ872А транзистор обладает низким уровнем шума и низкой утечкой тока, что делает его полезным для использования в схемах радиоприемников и усилителей сигнала.

Помните, что электронные компоненты, включая КТ872А, должны использоваться в соответствии с указаниями производителя и рекомендациями электрической схемы.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

Маркировка: D1415B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO220SIS

Уникальные особенности кт872а транзистора

Высокая надежность: Кт872а транзистор прошел строгие испытания и проверки, что гарантирует его долговечность и стабильную работу.
Высокая мощность: Транзистор обладает высокой мощностью, что позволяет использовать его в различных схемах и устройствах.
Широкий диапазон рабочих температур: Кт872а транзистор может надежно функционировать в широком диапазоне температур, что делает его идеальным для работы в различных условиях.
Быстродействие: Транзистор обладает высокой скоростью переключения и реакции, что позволяет использовать его в быстродействующих электронных схемах.
Хорошая теплопроводность: Кт872а транзистор имеет хорошую теплопроводность, что помогает эффективно рассеивать тепло, предотвращая перегрев и обеспечивая стабильную работу устройства.

Все эти особенности делают Кт872а транзистор востребованным компонентом в различных инженерных и электронных проектах.

Применение аналогов транзистора КТ872А

Транзистор КТ872А имеет широкое применение в различных электронных устройствах. Однако, в случае отсутствия данной модели на рынке или желании использовать альтернативные варианты, можно применить следующие аналоги:

Транзистор КТ315 с параметрами, близкими к КТ872А. Он также является низкочастотным транзистором и может быть использован в аналогичных схемах.
Транзистор КТ3107, который также обладает схожими характеристиками и может быть заменой для КТ872А.
Транзистор КТ368А, который выдерживает большие токи и может быть использован в приборах, требующих высокой мощности.

Однако, при замене транзистора КТ872А необходимо учитывать разницу в параметрах и подбирать аналоги, которые подходят для конкретной схемы и требований проекта. Рекомендуется обращаться к документации и спецификациям аналоговых моделей транзисторов для более детальной информации.

Преимущества использования кт872а транзистора

Кт872а транзистор имеет ряд преимуществ, которые делают его популярным в различных электронных устройствах:

Высокая надежность. Кт872а транзистор обладает стабильной работой при различных условиях эксплуатации, что позволяет ему использоваться в различных сферах применения.
Широкий рабочий диапазон. Транзистор способен работать в широком диапазоне напряжений и токов, что повышает его универсальность.
Отличная переключающая способность. Кт872а транзистор обладает высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих электронных устройствах.
Низкое потребление энергии. Благодаря оптимизированной конструкции, транзистор потребляет меньше энергии по сравнению с другими аналогичными устройствами.
Хорошая теплопроводность. Кт872а транзистор обладает высокой теплопроводностью, что позволяет эффективно отводить тепло и предотвращать перегрев.

Все эти преимущества делают кт872а транзистор незаменимым компонентом в различных электронных схемах и устройствах, гарантируя их надежность и высокую производительность.

Технические характеристики

Как уже писалось ранее, неплохие технические характеристики КТ827А обеспечиваются его составной структурой. Как известно коэффициент усиления по току (h_21Э) в такой схеме очень высокий. Фактически он представляет собой произведение h_21Эдвух транзисторов находящихся в ней. В нашем случае h_21Э находится в диапазоне от 750 до 18000, а его типовое значение для большинства подобных устройств составляет около 5000.

Рассмотрим подробнее предельно допустимые режимы эксплуатации КТ827А:

напряжение между выводами: К-Э постоянное до 100 В (при R_ЭБ= 1 кОм); К-Э импульсное до 100 В (при t_Ф=2 мкс); Э-Б до 5 В;
ток коллектора (I_К): постоянный до 20 А; импульсный до 40 А;
ток базы до 500 мА;
мощность рассеиваемая на коллекторе (P_{К макс}) до 125 Вт (при T_К от -60 до +25 оС);
температура p-n-перехода (Т_К) до +200 оС;
тепловое сопротивление кристалл-корпус (R_{Т П-К}) до 4 °С/Вт (при U_КЭ= 10 В, I_К = 12.5 А);
диапазон рабочих температур вокруг корпуса (T_ОКР.) от -60 до +100 °C.

Превышение предельных значений или длительная эксплуатация в максимальных режимах приводит к выходу устройства из строя. Для расчета предельно возможной P_{К макс}, при превышении T_К более 25 оС, используют следующую формулу P_{К макс} = (200-Т_К)/1.4 Вт.

Электрические

Теперь приведем таблицу электрических параметров КТ827А. В ней указаны минимальные и максимальных значения характеристик для этого транзистора с учетом различных режимов измерений, при выпуске устройства производителем. Температура Т_К, при этом составляет не более 25 оС.

Аналоги

Для КТ827А очень сложно найти аналог как среди отечественных, так и импортных компонентов. Полностью идентичных транзисторов с соответствующими физическими и электрическими свойствами не существует. На многих интернет-форумах возможной заменой указывают TIP142 (STMicroelectronics). Он похож по своей мощности (до 125 Вт) и типу корпуса, однако имеет меньший максимальный коллекторный ток 10 А и напряжение насыщения К-Э -3 В

Из российских аналогов рекомендуем обратить внимание на КТ8105А, но его найти в продаже проблематично

В связи с трудностями в поисках достойной замены, многие радиолюбители прибегают к использованию вместо КТ827А его эквивалентной схемы. Состав её радиоэлектронных компонентов небольшой. Пару Дарлингтона составляют два биполярных транзистора из серии КТ815 и КТ819. Маломощный диод Д223А можно заменить на импульсные КД521 или КД522.

Рекомендуем Вам просмотреть информацию о содержании драгоценных металлов в КТ827, так как отдельные экземпляры представляют ценность даже в нерабочем состоянии, особенно устаревшие модели.

Транзистор кт872а: характеристики и цоколевка