2sc828 npn amplifier transistor

Биполярный транзистор 2SC828 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC828

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65

Корпус транзистора:

2SC828
Datasheet (PDF)

..1. Size:53K no 2sc828.pdf

9.1. Size:55K panasonic 2sc829.pdf

Transistor2SC829Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesOptimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stageof FM/AM radios.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 30 V1.27 1.27Collector to emitter voltage VCE

9.2. Size:59K panasonic 2sc829 e.pdf

Другие транзисторы… 2SC822
, 2SC822Z
, 2SC823
, 2SC824
, 2SC825
, 2SC826
, 2SC827
, 2SC827T
, D965-KEHE
, 2SC828A
, 2SC829
, 2SC829Z
, 2SC83
, 2SC830
, 2SC830H
, 2SC831
, 2SC833
.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	TO-92
КТ604А/Б	0,8	300	250	5	0,2	150	40	≤ 7	10…120	TO-92
КТ608А/Б	0,8	60	60	4	0,4	150	200	≤ 15	20…160	TO-92
КТ611А/Б/В/Г	0,8	200	180	4	0,1	150	≥ 60	≤ 5	10…120	TO-8
КТ6110	0,625	40	20	5	0,5	150	—	—	60…200	TO-92
КТ6111	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ6117А/Б	0,625	180	160	15	0,6	150	100	≤ 6	60…250	TO-92
КТ6137	0,625	60	40	6	0,2	150	300	4	100…300	TO-92
КТ660А/Б	0,5	50/30	5	0,8	150	200	≤ 10	110…450	TO-92
К125НТ1	0,4	45	4	0,4	—	—	15	10…150	Транзисторная сборка

Зарубежное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	от 25 до 700	TO-92
2SA1246	0,4	60	50	15	0,15	150	100	9	100	TO-92
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	175	80	3,5	≥ 70	TO-92
2SC3331	0,5	60	50	6	0,2	150	200	3	≥ 100	TO-92
2SC3382	0,4	60	50	6	0,2	150	250	2,7	≥ 100	TO-92
KTC3199	0,4	50	50	5	0,15	150	80	2	270	TO-92S
2N6428/A	0,625	60	50	6	0,2	150	100	—	100	TO-92
2SC5343T	0,625	60	50	—	0,15	—	80	—	70	TO-92
3DG1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	—	85	TO-92
BC431	0,625	60	—	5	0,5	150	100	—	63	TO-92
BC445A	0,625	60	60	6	0,2	150	100	—	120	TO-92
BC547BA3	0,625	60	50	6	0,2	150	100	—	200	TO-92
BTC945A3	0,625	60	50	5	0,2	150	150	—	135	TO-92
DTD113Z	0,625	60	50	—	0,5	150	200	—	200	TO-92
DTD143E	0,625	60	50	5	0,5	150	200	—	47	TO-92, SOT-23, SOT-323
FTC1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	—	85	TO-92
H1420	0,625	60	60	7	0,2	150	150	—	70	TO-92
KSP8098	0,625	60	60	6	0,5	150	150	—	100	TO-92
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	80	—	70	TO-92
KTC945/B	0,625	60	50	5	0,15	150	300	—	90/70	TO-92
STS5343	0,625	60	50	5	0,15	150	80	—	120	TO-92
TEC9014A/B	0,625	60	50	5	0,15	150	150	—	60/100	TO-92

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.

Транзисторы
КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные
низкочастотные, структуры p-n-p. Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах.
Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814.
Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока —
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750. У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 . У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в. У транзисторов КТ825Е — 25 в. У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в. У транзисторов КТ825Г — 70 в. У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А. У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе) У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт. У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт. У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт. Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора
10 А и базовом токе 40 мА— 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода
при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА
— не более 2в.

Максимальная температура перехода: У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия. У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051. КТ825Д — 2N6050. КТ825Е — BDX64.КТ825ГM — 2N6052G.2Т825В -2N6285.2Т825Б — 2N6286.2Т825А — TIP147, TIP142

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».

На главную страницу

Транзистор КТ829 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

Параметры транзистора КТ829
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ829А		BD267B, TIP122, BD901, BDW23C 2, BDW73C, BDW63C 2, 2SD1128 2, 2SD1740 2, BD267A *2
КТ829Б		BD267A, BD263, TIP121, BD899A, BD899, BDW23B 2, BDW73B 2, BD267 *2
КТ829В		BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2
КТ829Г		BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73, BDW63 2, BD695 1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P_{K, τ max},P*_{K, и max}	КТ829А	—	60*	Вт
КТ829Б	—	60*
КТ829В	—	60*

КТ829Г
—
60*
КТ829АТ
—
50

КТ829АП
—
50

КТ829АМ
—
60

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр,f*_h31б,f**_h31э, f***_max
КТ829А
—
≥4
МГц

КТ829Б

—
≥4

КТ829В
—
≥4

КТ829Г
—
≥4

КТ829АТ
—
≥4

КТ829АП
—
≥4

КТ829АМ
—
≥4

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб.,}U*_{КЭR проб.,}U**_{КЭО проб.}

КТ829А
1к
100*
В

КТ829Б
1к
80*

КТ829В
1к
60*

КТ829Г
1к
45*

КТ829АТ
—
100

КТ829АП
—
160

КТ829АМ
—
240

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

U_{ЭБО проб.,}
КТ829А
—5
В

КТ829Б
—5

КТ829В
—5

КТ829Г
—5

КТ829АТ
—5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ829А
—
8(12*)
А

КТ829Б
—
8(12*)

КТ829В
—
8(12*)

КТ829Г
—
8(12*)

КТ829АТ
—
5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
8

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ829А
100 В
≤1.5*
мА
КТ829Б
80 В
≤1.5*

КТ829В
60 В
≤1.5*

КТ829Г
60 В
≤1.5*

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ

—
—

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э, h*_21Э
КТ829А
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Б
3 В; 3 А
≥750*

КТ829В
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Г
3 В; 3 А
≥750*

КТ829АТ
—

≥1000

КТ829АП
—
≥700

КТ829АМ
—
400…3000

Емкость коллекторного перехода
c_к, с*_12э
КТ829А
—
≤120
пФ

КТ829Б
—
≤120

КТ829В
—
≤120

КТ829Г
—
≤120

КТ829АТ
—

—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ829А
—
≤0.57
Ом, дБ

КТ829Б
—
≤0.57

КТ829В
—
≤0.57

КТ829Г
—
≤0.57

КТ829АТ

—
≤0.3

КТ829АП
—
≤0.25

КТ829АМ
—
≤0.66

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ829А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ829Б
—
—

КТ829В
—
—

КТ829Г
—
—

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас, t**_выкл, t***_пк(нс)
КТ829А
——
пс

КТ829Б
——

КТ829В
——

КТ829Г
——

КТ829АТ
——

КТ829АП
——

КТ829АМ
——

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Входные характеристики	Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб	Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса	Область максимальных режимов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Учимся ремонтировать кинескопные, LED и ЖК телевизоры вместе.

23.09.2015 Lega95 3 Комментариев

Всем привет. Сегодня на ремонт привезли Rainford TV5555 с типичной неисправностью «не включается». При попытке включения, телевизор издает умирающий писк, после чего снова переходит в дежурный режим. Хозяин сказал, что несколько раз отвозил его к знакомому мастеру, после чего телевизор проработал не более года.

Сняв заднюю крышку, сразу в глаза бросается прикрученный дополнительный радиатор для BU808DF. В принципе, это не является чем-то новым, так как многие мастера добавляют такие радиаторы, чтобы уменьшить температуру строчного транзистора, которая порой может достигать 80 градусов. Я лично такого ни разу не делал, так как в этом не было необходимости.

Дополнительный радиатор BU808DF

Немного почистив плату от пыли, приступил к визуальному осмотру. Сразу увидел вздутый конденсатор C623 47мкф на 160в. Более никаких внешних особенностей на плате мною замечено не было.

Из остатков флюса на плате видно, что предыдущий мастер производил замену транзистора BU808DF и конденсатора C613 10мкф на 50в. Это было сделано правильно, так как севший с613 и является частой причиной «смерти» сточного транзистора.

Приступим к ремонту

Первым же делом я заменил C623 47мкф на 160в. Неисправность этого конденсатора могла вызывать плохую фильтрацию напряжения +B на строчник, что приводит к перегреву транзистора и помехам на изображении. Далее, прозвонил сам BU808DF. Как я и предполагал, он был пробитый. Переход коллектор-база показывал 450 Ом в обе стороны. Так как одну причину возможного выхода из строя строчного транзистора мы определили, я решил сразу проверить C613, и как оказалось не зря. Выпаяв конденсатор, подключил его к ESR метру. Результат был далеко не в пользу конденсатора, так как замеры показали, что его внутренне сопротивление составляет 16 Ом, а должно быть не более 1 Ома! С таким C613 шансов выжить у строчного транзистора не было вообще.

Завышенный ESR конденсатора

Заменить C613 я решил на конденсатор, номиналом 22 Мкф на 63в. После благополучной замены приступил к замене самого транзистора BU808DF.

Замена BU808DF на сборку из двух транзисторов.

С виновниками «смерти» BU808DF разобрался, теперь приступил к замене самого транзистора. Выпаиваю из платы такие вещи я с помощью оплетки. Если в наличии нет заводской оплетки, то использую обычный многожильный медный провод хорошо покрытым флюсом.Нагретым паяльником прижимаю к ножке транзистора оплетку, чтоб та вобрала в себя все олово. Убираю оплетку, и кусачками откусываю использованный кусочек.

Выпаивание транзистора оплеткой

Так повторяю пока ножки детали полностью не освободятся от олова. Результат таких действий видно на картинке ниже.

Результат выпаивания BU808 оплеткой

Купить BU808DF нормального качества сейчас почти не реально, да и цена его очень сильно кусается. Как только стало проблематично закупать транзисторы BU808DF , я задался вопросом о замене транзистора на что-то другое. На одном из форумов (наверное форум сайта монитор), я наткнулся на сборку BU808DF из 2-х транзисторов MD1802 и MD1803DFX. Перерисовав схему, пользуюсь ей по сей день. Кстати, вместо 1802 и 1803 неоднократно использовал BU508AF и BU508DF, работают они также хорошо, правда немного больше греются, но это ни на что не влияет. Вот сама схема:

Схема замены BU808DF

Из дополнительных запчастей еще понадобится диод (можно любой выпрямительный из блока питания) и сопротивление 390-400 Ом. Сначала выпаиваю сам радиатор. Откручиваю дополнительный радиатор установленный предыдущим мастером, и устанавливаю транзисторы как на картинке ниже.

Обязательно под транзисторы необходимо намазать немного теплопроводящей пасты. Вверх ножками у нас установлен транзистор MD1802. Для того, чтоб не сделать ошибку, на радиаторе делаю надписи с обозначением выводов, чтобы случайно их не попутать. Вот так выглядит конечный результат.

Готовая замена BU808DF

Для большей наглядности провода сделал разными цветами. Устанавливаем все на место.

Забыл добавить, что перед установкой транзистора, я измерял напряжение, приходящее на строчник. Оно ровняется 115в, что в пределах нормы. Конечный вариант после чистки платы от флюса.

После всех манипуляций телевизор заработал.

После 20 минут работы, температура радиатора составила 45 градусов. Так как термопара может немного искажать результат, думаю, что реальная температура радиатора составила не более 50 градусов, так как руку держать на нем можно без усилий.

температура радиатора BU808DF

Подводя итоги:

11AK30-A4.rar (705,3 KiB, 4 977 hits)

In Stock: 17022

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

2SC828 Datasheet (PDF)

..1. Size:53K no 2sc828.pdf

9.1. Size:55K panasonic 2sc829.pdf

9.2. Size:59K panasonic 2sc829 e.pdf

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
Напряжение эмиттер – база 5 V;
Ток коллектора – 15 А;
Ток коллектора максимальный – 30 А;
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

KT829A Datasheet (PDF)

0.1. kt829a.pdf Size:33K _no

n-p-n, 829Ik max,A 8Uo (U max),B100U max,B 100P max(P max), 60T max,C 150h21(h21) 750 U(U),B 3 I(I),A 3U ,B 2I(IR), 1500f(fh21), 4R -(R -),/ 2.08

0.2. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia

0.3. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE

Другие транзисторы… KT826V, KT827A, KT827B, KT827V, KT828A, KT828B, KT828G, KT828V, 2SC1740, KT829B, KT829G, KT829V, KT830, KT830A, KT830G, KT830V, KT834A.