Транзистор, который включен по схеме с общим эмиттером
В данной конфигурации вывод эмиттера является общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация обеспечивает среднее полное сопротивление на входе, среднее полное сопротивление на выходе, средний коэффициент усиления тока и коэффициент усиления напряжения.
Рисунок 9 Схема с общим эмиттером
Характеристики входа
Рисунок 10 показывает характеристики входа для данной конфигурации, которая объясняет изменение в IB в соответствии с VBE, где VCE является постоянной.
Рисунок 10 Характеристики входа
Исходя из рисунка, сопротивление на входе может быть представлено как:
Характеристики выхода
Характеристики выхода у такой конфигурации (Рисунок 11) также рассматриваются как характеристики коллектора. Этот график показывает изменение в IC с изменениями в VCE, когда IB удерживается постоянной. Исходя из графика, можно получить сопротивление на выходе следующим образом:
Рисунок 11 Характеристики выхода
Характеристики передачи тока
Эти характеристики данной конфигурации показывают изменение IC с IB, удерживающим VCE в качестве постоянной. Это может быть математически выражено как:
Это соотношение рассматривается как коэффициент усиления тока с общим эмиттером, и оно всегда больше единицы.
Рисунок 12 Характеристики передачи тока
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.
Fehler 404
Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote
Sprache
Верунг
Preise
нетто
брутто
брутто
Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:
Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе
или zurück zu:
Дом
Abonnieren Sie jetzt
В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
* Pflichtfeld
AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten
больше
Венигер
Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME
AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten
Daten werden verarbeitet
Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.
Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.
Логин
Пароль
Логин и пароль заранее.
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
- Изолированный корпус.
Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 900 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 7 | В |
Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 3,0/5,0 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 25 | Вт |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,15 А | 15 | — | — | — |
Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А | — | — | 1,0 | В |
Ib | Ток базы | — | — | — | 1,0 | А |
Tr/Tf | Время нарастания/спада | — | — | 0,5 | 0,7/0,5 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось — ничего, все равно нужно было выбрасывать. Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn |
Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
25000 | 900 | 800 | 7 | 3000 | +150 | 200000 | 15 |
Bosch pke611d17e варочная панель как подключить провода
Производитель: UTCСфера применения: Популярность: 3246Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC5353
Общий вид транзистора 2SC5353. | Цоколевка транзистора 2SC5353. |
Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор 2SC5353 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5353
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220NIS
2SC5353 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:
«>
Немного подробнее о модуле и принципе его работы
Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.
Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.
Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.
ВИДЕО УСИЛИТЕЛЯ
Плата для LM крепится на основную плату УНЧ через стойки в виде трубок и болтов. Питание для этого блока берется со второго инвертора, предусмотрена отдельная обмотка. Выпрямитель и фильтрующие конденсаторы расположены непосредственно на плате усилителя. В качестве выпрямительных диодов уже традиционные КД213А. Дросселей для сглаживания ВЧ помех не использовал, да и нет нужды их применять, поскольку даже в довольно брендовых автомобильных усилителях их часто не ставят. В качестве теплоотвода использовал набор дюралюминиевых болванок 200х40х10 мм.
На плату также укреплен кулер, который одновременно отводит теплый воздух с этого блока и отдувает теплоотводы инверторов. С электроникой аудиокомплекса полностью разобрались — переходим к механике и слесарным работам…
Основа любой радиолюбительской конструкции — красивый удобный корпус, тем более он должен прилично смотреться у аппарата, который занимает достойное место в гостинной или вашем рабочем кабинете.
Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.
Отечественное производство
Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | hFE | Временные параметры | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSC2335 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | — | 10…80 | ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс | TO-220 |
КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 8 | 10…60 | ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс | TO-3 |
КТ841А | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 | 150 | 10 | 10 | ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс | TO-3 |
2Т842А | 50 | 300 | 300 | 5 | 5 | 150 | 20 | 15 | ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс | TO-3 |
КТ847А | 125 | 650 | — | 8 | 15 | 150 | ˃ 15 | ˃ 8 | tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс | TO-3 |
КТ858А | 60 | 400 | 400 | 6 | 7 | 150 | — | ˃ 10 | tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс | TO-220 |
2Т862 | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 | 150 | 20 | 12…50 | ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс | TO-3 |
КТ812А | 50 | 400 | 400 | 7 | 8 | 150 | ˃ 3 | — | tf = 0,2…1,3 мкс | TO-3 |
КТ8126А1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8 | 150 | ˃ 4 | 8…40 | ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс | TO-220 |
КТ8164А | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | ˃ 4 | 10…60 | ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс | TO-220 |
Зарубежное производство
Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | hFE | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSC2335 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 10…80 | TO-220 |
KSC2334 | 40 | 150 | 100 | 7 | 7 | 150 | 20…240 | TO-220C |
2SC2502 | 50 | 500 | 400 | 7 | 8 | 150 | ˃ 15 | TO-220 |
TT2194 | 50 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | TO-220 |
WBP3308 | 45 | 900 | 500 | 7 | 7 | 150 | 20 | TO-220 |
2SC3038 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 50 | TO-220 |
2SC3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 30 | TO-220 |
2SC3170 | 40 | 500 | — | — | 7 | 150 | 25 | TO-220 |
2SC3626 | 40 | — | 400 | — | 8 | — | 55 | TO-220 |
2SC4055 | 60 | 600 | 450 | 7 | 8 | 180 | 100 | TO-220 |
2SC4106 M/N | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 60 | TO-220 |
2SC4107 M/N | 60 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | 20/60 | TO-220 |
2SC4274 | 40 | 500 | 400 | — | 10 | 150 | 40 | TO-220 |
2SC4458 L | 40 | 900 | 500 | 9 | 8 | 150 | 25 | TO-220F |
2SC4559 | 40 | 500 | 400 | — | 7 | 175 | 150 | TO-220 |
2SD1162 | 40 | 500 | — | 10 | 10 | 150 | 400 | TO-220 |
2SD1349 | 50 | 500 | — | — | 7 | 150 | 150 | TO-220 |
2SD1533 | 45 | 500 | — | — | 7 | 150 | 800 | TO-220 |
2SD1710A | 50 | 900 | 500 | 9 | 8 | 150 | 25 | TO-220 |
3DK3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 25 | TO-220, TO-276AB |
MJ10012T | 65 | 600 | 400 | — | 15 | 200 | 200 | TO-220 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.
Преимущества и недостатки транзистора D288
Транзистор D288 предлагает ряд преимуществ, которые делают его привлекательным в различных электронных приложениях. Основные преимущества данного транзистора включают:
- Высокая производительность: транзистор D288 обладает высокой мощностью и низким сопротивлением, что позволяет ему работать эффективно и обеспечивать стабильную производительность.
- Надежность: благодаря своей конструкции и использованию высококачественных материалов, транзистор D288 обладает высокой надежностью и долговечностью.
- Широкий диапазон рабочих условий: транзистор D288 может работать в широком диапазоне температур и напряжений, что делает его универсальным и применимым в различных ситуациях.
- Удобство в использовании: транзистор D288 имеет компактный и удобный корпус, что облегчает его установку и подключение.
Однако, помимо преимуществ, транзистор D288 также имеет некоторые недостатки:
- Высокая стоимость: по сравнению с другими транзисторами, D288 может быть более дорогим в приобретении, что может ограничить его использование для некоторых проектов.
- Ограниченные параметры: D288 может иметь ограничения в некоторых рабочих условиях, таких как диапазон температур или напряжений, что требует тщательного выбора и использования.
- Доступность: местонахождение и доступность транзистора D288 могут быть ограничены, что может затруднять его получение для некоторых разработчиков и производителей.
Изучение преимуществ и недостатков транзистора D288 позволяет выбрать наиболее подходящий компонент для конкретных электронных задач и учесть его особенности при разработке и использовании.