Транзистор c9014: характеристики и цоколевка

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

1. SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
2. ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2SC1623-L6

• Маркировка: L6
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
• Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623-L7

• Маркировка: L7
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
• Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623SLT1

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
• Корпус транзистора: SOT-23

Наименование производителя: 2SC2412-S

• Маркировка: BS
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
• Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC2412KSLT1

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
• Корпус транзистора: SOT23

Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014

S9014 transistor electrical specification description/ application

In this section we try to explain the electrical specifications of the S9014 transistor device, this will help us to know about the component completely.

And at the replacement process, the electrical specifications had a major role to play, so this explanation will also help in that process.

Voltage specs

The terminal voltage specs of the S9014 transistor are collector to base voltage is 50V, collector to emitter voltage is 45V and emitter to base voltage is 5V, the voltage value shows it is a general-purpose device.

The collector to emitter saturation voltage is 0.14 to 0.3V, it is the region switching voltage of the S9014 transistor.

Overall voltage specifications of the S9014 transistor show that it is a low-power device mainly used for audio-based applications.

Current specs

The collector current value of the S9014 transistor is 0.7A, the current value of the S9014 transistor shows the load capacity of the device.

The current values show that it is a low-power device mainly used for low-power switching applications.

Dissipation specs

The power dissipation of the S9014 transistor is 450mW, it is the power dissipation of the device.

The dissipation ability of the device mainly depends on the device package and applications.

Current gain specs

The current gain value of the S9014 transistor is 60 to 1000hFE, this is why these transistors are used for amplifier applications.

The amplifier circuits like a preamp, push-pull amplifier, and low noise circuit applications.

Transition frequency

The bandwidth transition frequency value of the S9014 transistor is 150 to 220MHz, it is the frequency range of the transistor used in audio applications.

In Stock: 2786

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Технические характеристики

Максимально допустимые характеристики S9018 это то, на что нужно обратить внимание при подборе транзистора для замены. Их превышение и эксплуатация на предельных рабочих режимах в течении длительного времени может стать причиной поломке изделия

Приведём данные характеристики:

• напряжение К-Б: V_CBO = 50 В;
• напряжение К-Э: V_CEO = 45 В;
• напряжение Э-Б: V_EBO = 5 В;
• ток коллектора I_C = 100 мА;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе
• в корпусе ТО-92: Р_С = 450 мВт;
• в корпусе SOT-23: Р_С = 200 мВт.
• температура кристалла: T_j = 150°С;
• диапазон температур хранения: Tstg = -55 … 150°С.

Теперь займёмся рассмотрением электрических параметров. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора. Стандартная температура тестирования +25°С. Другие важные параметры измерения можно найти в столбце «Условия измерения» следующей таблицы.

Электрические характеристики транзистора S9014 (при Т = +25 оC)
Параметры	Условия измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Напряжение К-Б, необходимое для пробоя	IC = 100мкA, IЕ = 0	V(BR)CВO	50		В
Напряжение К-Э, необходимое для пробоя	IC=0,1мA, IВ= 0	V(BR)CEО	45		В
Напряжение Э-Б, необходимое для пробоя	IE= 100мкA, IC= 0	V(BR)EBO	5		В
Обратный ток коллектора	VCВО= 50 В, IЕ = 0	ICВO		0,1	мкА
Обратный ток К-Э	VCEО=35В, IB = 0	ICEО		1	мкА
Обратный ток эмиттера	VEBО = 3В, IC = 0	IEBO		0,1	мкА
Статический к-т усиления в схеме с ОЭ	VCE=5В,IC= 1мA	hFE	60	1000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC=100мA, IB=5мA	V CE(sat)		0,3	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	IC=100мA, IB=5мA	V ВE(sat)		1	В
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=5В, IC= 10мA, f = 30 МГц	fT	150		МГц

Производители делят S9014 в корпусе ТО-92, в зависимости от величины статического к-та усиления, на четыре категории:

• A от 60 до 150;
• B от 100 до 300;
• C от 200 до 600;
• D от 400 до 1000.

Для транзисторов в SOT-23 существует две категории:

• L от 200 до 450;
• H от 450 до 1000;

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц.

У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Характеристика КТ315

Несмотря на то, что КТ315 считается настоящим ветераном-транзистором, его характеристика даже на сегодняшний день является не самой худшей, а в свое время — настоящим прорывом. Развитие в сфере транзисторов повлияла на уход КТ315 с рынка.

Рассмотрим характеристику КТ315 в корпусе КТ-26 (ТО-92). В datasheet говорится, что:

1. рабочая температура КТ315 от -45 °С до +100 °С;
2. максимальное напряжение коллектор-база равняется от 20 В до 40 В;
3. предельное напряжение коллектор-эмиттер равняется от 20 В до 60 В;
4. наивысшее напряжение эмиттер-база равняется 6 В;
5. максимальный постоянный ток коллектора равен 100 мА, но у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 50 мА;
6. рассеиваемая мощность коллектора равна 150 мВТ, а у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 100 мВТ.

Электрическая характеристика

Как и говорилось, “оранжевая чума” достаточно неплоха в работе, но ее показатели слишком отстают ее конкурентов (чего только стоит работа при максимальной температуре в +100 °С, что очень мало).

Электрические характеристики будут проанализированы с условием, что температура окружающей среды будет равна +25 °С.

• Обратный ток коллектора от 0,5 нА до 0,6 нА;
• Обратный ток эмиттера от 3 мкА до 50 мкА;
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер от 0,4 В до 0,9 В;
• Напряжение насыщения база-эмиттер от 0,9 В до 1,35 В;
• Емкость коллекторного перехода — 7 пФ, у КТ315Ж1 — 10 пФ, у КТ315И1 — 10 пФ;
• Граничная частота коэффициента передачи тока — 250 МГц;
• Постоянная времени цепи обратной связи от 300 пс до 1000 пс.

Классификация

Всего насчитывается 10 видов КТ315 (от А1 до Р1). Они различаются по своим показателям, например, напряжение насыщения коллектор-эмиттер у А1 составляет 25 В, а у В1 — 40 В. Всю остальную информацию можно посмотреть в этой таблице.

Маркировка

КТ315 отличает не только его внешний вид, но и отметка. Она сосредоточена в цифро-буквенном значении (нужно выделить, что буква всегда расположена в левом углу), а у тех, кто отличался повышенной надежностью и использовался для компьютеров, телевизоров и т.д., рядом с маркировкой стояла точка. Как говорилось ранее, два кремниевых транзистора очень легко спутать

Чтобы этого избежать, важно обратить свое внимание на описываемый пункт. Какая маркировка у КТ315 понятна, а у КТ361 она отличается тем, что буква размещена посередине самого корпуса

Способы подключения транзистора C9014

Существует несколько способов подключения транзистора C9014 в различных схемах:

1. Усилитель с общим эмиттером: В данной схеме, эмиттер подключается к общему заземлению (например, отрицательной шине питания), а база подключается к управляющему источнику (например, микроконтроллеру) через предварительный резистор. Коллектор подключается к нагрузке.

2. Усилитель с общей базой: В этой схеме, база подключается к общему заземлению, эмиттер подключается к нагрузке, а коллектор подключается к источнику питания через резистор нагрузки.

3. Усилитель с общим коллектором: В данной схеме, коллектор подключается к общему заземлению, база подключается к управляющему источнику через предварительный резистор, и эмиттер подключается к нагрузке.

Выбор способа подключения транзистора C9014 зависит от требуемого усиления, частоты сигнала и других параметров схемы. Необходимо учитывать особенности работы транзистора и цели использования в конкретной схеме.

Корпус и цоколевка

Существует два варианта корпусов S9014:

1. SOT-23 – используется при поверхностном монтаже. Это параллелепипед размером 3 х 1,3 х 1 мм с двумя ножками по краям одной из длинных сторон и одной посередине другой. Если смотреть на корпус со стороны надписи (S9014 имеет следующую маркировку: J6), при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы идут в следующем порядке (по часовой стрелке) – эмиттер, база, коллектор.

2. ТО-92 – усеченный с одной стороны пластмассовый цилиндр. Через торец цилиндра выходят три ножки, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны сечения, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Корпус предназначен для навесного монтажа.

KST9013C Datasheet (PDF)

0.1. kst9013c.pdf Size:388K _kexin

SMD Type ICSMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9013CSOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A12+0.1+0.050.95-0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO 40 VCollector — Emitter Voltag

7.1. kst9013.pdf Size:987K _kexin

SMD Type TransistICsSMD Type orSMD TypeNPN TransistorsKST9013SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A1 2+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO 40 VCollector — Emitter Voltage

 8.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin

SMD Type TransistorsSMD Type ICSMD TypePNP TransistorsKST9012CSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE liearityCollector Current :IC=-0.5A 12+0.050.95+0.1-0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO -40 VCollector — Emitter Voltag

8.2. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin

SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST9015-DSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=-0.1A1 2Complementary to KST9014-D+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollect

 8.3. kst9012.pdf Size:925K _kexin

SMD Type orSMD Type TransistICsSMD TypePNP TransistorsKST9012SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE liearityCollector Current :IC=-0.5A 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO -40 VCollector — Emitter Volta

8.4. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin

SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9014-DSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.1A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01Complementary to KST9015-D1.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-E

 8.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin

SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST9015SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesComplementary to KST90141 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -45 VEmitter-Base Voltage VEBO —

8.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin

SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9014SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.1A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 45 VEmit

8.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin

SMD Type SMD Type Tra n s i s to rs ICSMD TypeNPN TransistorsKST9018SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Features High current gain bandwidth product. 1 2+0.1+0.05 power dissipation.(PC=200mW) 0.95 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating UnitCol

STS9013 Datasheet (PDF)

0.1. sts9013.pdf Size:197K _auk

STS9013NPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose application. C Switching application. BFeatures Excellent hFE linearity. E Complementary pair with STS9012 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9013 STS9013 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-B

8.1. sts9012.pdf Size:106K _auk

STS9012SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity. Complementary pair with STS9013Ordering InformationType NO. Marking Package Code STS9012 STS9012 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54

8.2. sts9015.pdf Size:97K _auk

STS9015SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF = 10dB(Max.) Complementary pair with STS9014Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9015 STS9015 TO-92 Outline Dimensions uni

 8.3. sts9014.pdf Size:207K _auk

STS9014NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose application C Switching application Features B Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92A

8.4. sts9018.pdf Size:232K _auk

STS9018NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection High frequency low noise amplifier application C VHF band amplifier application BFeatures Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz High transition frequency fT = 800MHz(Typ.) E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9018 STS9018 TO-92 Absolute maximum ratings T

 8.5. gsts9014lt1.pdf Size:221K _globaltech_semi

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.

Функции и применение транзистора C9014

В основном транзистор C9014 используется как усилитель низкой частоты, а также в схемах усиления постоянного тока и повышения уровня сигнала. Он может быть включен как в усилительный, так и в коммутационный режим, в зависимости от требований конкретной схемы.

Благодаря своим характеристикам, транзистор C9014 также часто применяется в радиоэлектронике, телекоммуникационной оборудовании, аудиоусилителях, источниках питания и других электронных устройствах.

Важно отметить, что для успешного использования транзистора C9014 необходимо учитывать его параметры, включая максимальные значения напряжения и тока, чтобы избежать перегрузки и повреждения. Применение транзистора C9014 в электронике позволяет улучшить работу и эффективность различных устройств, обеспечивая надежное усиление сигналов и коммутацию

Применение транзистора C9014 в электронике позволяет улучшить работу и эффективность различных устройств, обеспечивая надежное усиление сигналов и коммутацию.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE)

Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с  параметрами устройств в корпусе ТО-92

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R_s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много

Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111

 

S9014 vs KSP05 vs MPSA42

In this table, we try to list the electrical specifications of S9014, KSP05, and MPSA42 transistors, this is helpful for the replacement process.

Characteristics	S9014	KSP05	MPSA42
Collector to base voltage (VCB)	50V	60V	300V
Collector to emitter voltage (VCE)	45V	60V	300V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	4V	6V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	0.14 to 0.3V	0.25V	0.5V
Collector current (IC)	100mA	500mA	500mA
Power dissipation	450mW	625mW	625mW
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Transition frequency (FT)	270MHZ	100MHZ	50MHz
Gain (hFE)	60 to 1000hFE	50hFE	25 to 40hFE
Output capacitance	2.2 to 3.5pF	—	3pF
Noise figure	0.9 to 10dB	—	—
Package	TO-92	TO-92	TO-92

Each of these transistors has different electrical specification property changes, the S9014 is good at audio circuit applications, and this is why S9014 had a moderate voltage and current specs with higher DC current gain apt for an amplifier device.

The KSP05 transistor had a little bit higher current and voltage values, with a low DC gain value, so this will indicate it is a very suitable switching application.

And the MPSA42 is a power transistor in this list, they had a higher voltage and power value, which is why they have power applications.

Characteristics curves of S9014 transistor

static characteristics of the S9014 transistor

The figure shows the static characteristics of the S9014 transistor, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current ranges, the collector current produces curves with respect to the collector to emitter voltage.

The collector current increases with an increase in base current and the voltage value will drop at the end.

DC current gain characteristics of the S9014 transistor

The figure shows the DC current gain characteristics of the S9014 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs collector current.

At the fixed collector to emitter voltage, the DC current gain value increases from a higher value with respect to collector current, and then the gain of the transistor drops at the end.