Характеристики
Максимально допустимые технические характеристики BC557:
- Допустимое напряжение на участке К-Б (Uкб max) = -50 В;
- Напряжение К-Э (Uкэ max) не должно превышать -45 В;
- Предельное напряжение на участке Э-Б (Uэб max) = -5 В;
- Допустимый постоянный ток К (Ik max) = -100 мА;
- Пиковый рабочий ток К ((Ik пик) = -200 мА;
- Предельная рассеиваемая мощность К (Рк max) = 0,5 Вт;
- Рабочая температура при хранении (Tstg) = от -65 до +150°C;
- Температура на переходах (Тj) = +150°C
При эксплуатации транзистора важно учитывать и электрические параметры. Тестирование устройства проводилось при температуре в 12°C
Остальные параметры измерения указаны в таблице.
В Datasheet описана характеристика «теплового сопротивления кристалл-окружающей среды». Этот параметр указывает на то, на сколько нагреется кристалл при повышении рассеиваемой мощности. Все транзисторы линейки ВС557 делятся на 3 класса (А, В и С) в зависимости от статического коэффициента передачи тока (hfe). Подробнее:
- А – от 110 до 200;
- В – от 200 до 450;
- С – от 420 до 800.
Ниже представлен график зависимости hfe при подключении транзистора в схеме с общим эмиттером. Значение по оси абсцисс указаны характеристики тока К в логарифмическом отражении. На оси ординат приведены параметры hfe.
BC556 vs BC327 vs 2SA1017
In this table, we try to compare the electrical specifications of BC556 vs BC327 vs 2SA1017, this type of comparison is really helpful to understand more about the transistor to make circuit networks.
| Characteristics | BC556 | BC327 | 2SA1017 |
|---|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | -80V | -50V | -120V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | -65V | -45V | -100V |
| Emitter to base voltage (VEB) | -5V | -5V | -5V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | -90 to -650mV | -0.7V | -0.5V |
| Collector current (IC) | -100mA | -800mA | -50mA |
| Power dissipation | 500mW | 625mW | 500mW |
| Junction temperature (TJ) | 150°C | 150°C | 125°C |
| Transition frequency (FT) | 150MHZ | 260MHZ | 110MHZ |
| Gain (hFE) | 110 to 800hFE | 100 to 630hFE | — |
| Package | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
The voltage specs of these three transistors are almost the same, the 2SA1017 transistor had a higher value of collector terminal to voltage.
At the current value, the BC327 transistor had a higher value than the other two transistors.
The transition frequency value is higher for the BC327 transistor, this is why they had more audio system-based applications.
BC556 transistor electrical specification description with application note
In this section, we descript the BC556 transistor electrical specification and also its applications.
Voltage specs
The voltage specs of BC556 transistor are collector to base voltage is -80V, collector to emitter voltage is -65V, and emitter to base voltage is -5V, the voltage specs show that it is a medium power transistor.
The collector to emitter saturation voltage value is -90 to -650mV, it is a lower value for saturation switching.
Current specs
The collector current value is -100mA, the current value of the transistor shows that they are capable of low load, this is why they are been used for small load switching circuits.
The pulse collector current value is -200mA.
BC556 transistor characteristics
DC gain characteristics of the BC556 transistor
The figure shows the DC gain characteristics of the BC556 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs Collector current.
At a fixed collector to emitter voltage, the DC gain starts at a point with respect to collector current, and then the gain value will drops.
static characteristics of the BC556 transistor
The figure shows the static characteristics of the BC556 transistor, the graph is plotted with collector current vs collector to emitter voltage.
At different base current values, the collector current had different values of variations with respect to voltage variations.
In Stock: 5064
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Datasheet Download — STMicroelectronics
| Номер произв | BC857 | ||
| Описание | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS | ||
| Производители | STMicroelectronics | ||
| логотип | |||
|
1Page
BC857 s SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORS s MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING s VERY LOW NOISE AF AMPLIFIER s NPN COMPLEMENTS FOR BC857 IS BC847 2 VCES V CBO V CEO V EBO IC ICM IBM IEM Ptot Tstg Tj Collector-Emit ter Voltage (VBE = 0) Collector-Base Voltage (IE = 0) Collector-Emitter Voltage (IB = 0) Emitter-Base Voltage (IC = 0) Collector Current Total Dissipation at Tc = 25 oC Storage Temperature oC oC 1/5
BC857/BC858 Rthj-amb • Thermal Resistance Junction-Ambient Rth j-SR • Thermal Resistance Junction-Substrat e • Mounted on a ceramic substrate area = 10 x 8 x 0.6 mm Max oC/W oC/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified) Symb ol ICBO Collector Cut-off Current (IE = 0) VCE = -30 V VCE = -30 V Ta mb = 150 oC V(BR)CES ∗ Collect or-Emitter Breakdown Voltage (VBE = 0) IC = -10 µA for BC857 for BC858 V( BR)CBO ∗ Collect or-Base Breakdown Voltage (IE = 0) IC = -10 µA for BC857 for BC858 V( BR)CEO ∗ Collect or-Emitter Breakdown Voltage (IB = 0) V(BR)EBO Em it t er -Base (IC = 0) VCE(sat)∗ Collect or-Emitter Saturation Voltage IC = -2 mA for BC857 for BC858 IC = -10 µA for BC857 for BC858 IC = -10 mA IC = -100 mA IB = -0.5 mA IB = -5 mA VBE(s at)∗ Base-Emitt er Saturation Voltage IC = -10 mA IB = -0.5 mA IC = -100 mA IB = -5 mA VBE(on)∗ Base-Emitt er O n Voltage IC = -2 mA VCE = -5 V IC = -10 mA VCE = -5 V hFE DC Current G ain IC = -10 µA for group A for group B IC = -2 mA for group A for group B VCE = -5 V VCE = -5 V fT Transit ion F requency IC = -10 mA VCE = -5 V f = 100MHz CCB Collect or Base Capacitance IE = 0 VCB = -10 V f = 1 MHz NF Noise Figure VCE = -5 V IC = -0.2 mA f = 1KHz ∆f = 200 Hz RG = 2 KΩ ∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 % Min. µA V
BC857/BC858 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) Symb ol hie Input Impedance VCE = -5 V IC = -2 mA for group A for group B f = 1KHz hre Reverse Voltage Ratio VCE = -5 V IC = -2 mA f = 1KHz for group A for group B hfe Small Signal Current VCE = -5 V IC = -2 mA f = 1KHz Gain for group A for group B hoe Output Admittance VCE = -5 V IC = -2 mA for group A for group B ∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 % f = 1KHz 1.6 2.7 4.5 KΩ 3.2 4.5 8.5 KΩ 1.5 10-4 2 10-4 220 18 30 µs 30 60 µs 3/5 |
|||
| Всего страниц | 5 Pages | ||
| Скачать PDF |
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).
Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
| Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
| A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
| A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
| A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
| B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
| D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
| D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
| D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
| D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
| E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
| E2 | Два импульсных диода | Dual |
| E3 | Три импульсных диода | Triple |
| E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
| F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
| F2 | Два диода Шоттки | Dual |
| F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
| F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
| K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
| K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
| L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
| L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
| L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
| N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
| N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
| N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
| N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
| N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
| N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
| 01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
| 02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
| P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
| P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
| P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
| P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
| P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
| P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
| S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
| S2 | Два сапрессора | Dual |
| T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
| T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
| T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
| U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
| U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
| U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
| V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
| V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
| Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Поиск
Возможна отправка в тот же день.
Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас, вам понравится ✓Отправьте заказ в тот же день! ✓Доставка по всему миру! ✓Ограниченная распродажа ✓Легкий возврат.
| Обзор продукта | |
| Название продукта | Поиск |
| Доступное количество | Возможна отправка немедленно |
| № модели. | |
| Код ТН ВЭД | 8529908100 |
| Минимальное количество | Начиная с одной детали |
| Атрибуты продукта | |
| Категории |
Поиск |
| идентификатор продукта | |
| артикул | |
| gtin14 | |
| мпн | |
| Статус детали | Активный |
Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal
Товары отправляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости. Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества. Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.
| Судоходная компания | Расчетное время доставки | Информация об отслеживании |
|---|---|---|
| Плоская транспортировочная | 30-60 дней | Нет в наличии |
| Заказная авиапочта | 15-25 дней | В наличии |
| ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ | 5-10 дней | В наличии |
| Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления. |
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте. Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений. После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте. Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение. Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.
Подробнее о программе защиты покупок PayPal. Получите заказанный товар или верните деньги.
Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
Достаточный запас по вашему срочному требованию.
Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.
Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
Круглосуточно.
Каковы ваши основные продукты?
| Интегральные схемы (ИС) | Дискретный полупроводник | Потенциометры, регулируемые R |
| Звук специального назначения | Аксессуары | Реле |
| Часы/хронометраж | Мостовые выпрямители | Датчики, преобразователи |
| Сбор данных | Диакс, Сидак | Резисторы |
| Встроенный | Диоды | Катушки индуктивности, катушки, дроссели |
| Интерфейс | МОП-транзисторы | Фильтры |
| Изоляторы — драйверы затворов | БТИЗ | Кристаллы и осцилляторы |
| Линейный | JFET (эффект поля перехода) | Соединители, межсоединения |
| Логика | ВЧ полевые транзисторы | Конденсаторы |
| Память | ВЧ-транзисторы (BJT) | Изоляторы |
| PMIC | SCR | Светодиод |
| Транзисторы (БЮТ) | ||
| Транзисторы | ||
| Триаки |
Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).
Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.
PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
Если есть какие-либо проблемы с качеством, пожалуйста, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену.
(Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
Вы можете купить столько, сколько захотите.
Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке
| Наименование параметра (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение | Норма | Температура, °С | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Обратный ток коллектора (UКБ=10 В), мкА | ||||||||||||||||||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (IЭ=1 мА, UКБ=10 В) | ||||||||||||||||||
| Обратный ток коллектор-эмиттер (RБЭ=10 кОм UКЭ=25 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=20 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=40 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=35 В), мА |
||||||||||||||||||
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ = 10 В, IЭ= 5 мА, f = 100 МГц) | ||||||||||||||||||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (IЭ= 5 мА, UКБ=10 В, f=5 МГц), пс |
В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:
где Jp – рабочий ток коллектора, мА;tн – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.
