Биполярный транзистор MJD127 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJD127
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6000
Корпус транзистора:
MJD127
Datasheet (PDF)
..1. Size:284K motorola mjd122re mjd127.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJD122/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN*MJD122Complementary DarlingtonPNPMJD127*Power TransistorsDPAK For Surface Mount Applications*Motorola Pre
..2. Size:93K st mjd122 mjd127.pdf
MJD122MJD127COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR- EMITTER DIODE SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX T4)3 ELECTRICAL SIMILAR TO TIP122 ANDTIP1271APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDDPAKAMPLIFIER.TO-252(Suffix
..3. Size:201K lge mjd127.pdf
MJD127(NPN)TO-251/TO-252-2L TransistorTO-2511. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 Features High DC current gain Electrically similar to popular TIP127 Built-in a damper diode at E-C TO-252-2L MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -100 VVCEO Collector-Emitter Voltage -100 VVEBO Emitter-B
0.1. Size:142K onsemi njvmjd122 njvmjd127.pdf
MJD122, NJVMJD122(NPN), MJD127,NJVMJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements
0.2. Size:205K onsemi mjd127t4g.pdf
MJD122,NJVMJD122T4G (NPN), MJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements for 2N
0.3. Size:205K onsemi mjd127g.pdf
MJD122,NJVMJD122T4G (NPN), MJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements for 2N
0.4. Size:977K slkor mjd127d.pdf
MJD127DSilicon PNP Darlington Power TransistorDESCRIPTIONLow Collector-Emitter saturation voltageLead formed for surface mount applicationsHigh DC current gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applications.ABSOLUTE MAXI
Другие транзисторы… MJD112-1
, MJD112T4
, MJD117
, MJD117-1
, MJD117T4
, MJD122
, MJD122-1
, MJD122T4
, 2SC2922
, MJD127-1
, MJD127T4
, MJD13003
, MJD148
, MJD200
, MJD200-1
, MJD210
, MJD210-1
.
Аналоги
К транзистору TIP127 легко подобрать аналоги заграничного производство. Многие их них выполнены в таком же корпусе, с похожей цоколевкой и предназначены для подобных функций. Среди импортных аналогов можно выделить:
- TIP125;
- 2N6040;
- TIP126;
- 2N6035;
- 2N6041;
- 2SB791;
- 2N6042;
- 2SB673;
- ECG26.
Есть и другая категория устройств, которые могут использоваться как аналог, но отличаются по электрических характеристикам. Например:
- NSP702;
- 2SB676;
- BD332;
- 2SB1024;
- BD334;
- BDW24C.
При необходимости можно подобрать на замену отечественное устройство КТ8115А. Комплементарной парой для TIP127 считается TIP122.
Технические характеристики
Максимальные значения параметров транзистора TIP127 компании-производители обычно указывают в самом начале технической документации. Они измеряются при температуре +25ОС. Рабочие значения должны быть меньше предельно допустимых на 20%. Рассмотрим их подробнее:
- Максимальное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = — 100 В;
- Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCEO (Uкэ max) = -100 В;
- Наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой VEBO (Uэб max) = -5 В;
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора IC (Iк max) = -5 А;
- Наибольший допустимый кратковременный ток коллектора ICP (Iк пик ) = -8 А;
- Предельно допустимый постоянный ток базы IВ (IБ max)
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РС (Рк max) = 65 Вт;
- Диапазон рабочих температур Tstg = -65 … 150 оС;
- Максимальная температура перехода Tj = 150 оС.
Электрические характеристики
В таблице электрических параметров имеется специальный столбец, в котором приведены значения, при которых производитель тестировал устройства. Измерение производится при той же температуре, что и при определении максимальных параметров.
Тепловые параметры
Тепловые характеристики полупроводниковых элементов имеют большое значение. Особенно в конструкциях, где транзистор должен рассеивать значительную мощность. Для подобных схем правильный выбор радиатора имеет решающее значение. Его применение позволяет добиться наилучших результатов в производительности и сгладить негативное влияние от нагрева.
Необходимо помнит, что без охлаждения, вместе с увеличением температуры, рассеиваемая мощность устройства резко падает. Практически все производители наглядно представляют эти изменения в даташит в виде графиков.
Search Stock
onsemi
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics (2) |
MJD127G |
10,926 | 9 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
|||||
|
MJD127G |
190 | 9 Weeks | 1 |
|
Buy Now |
||||||
|
Verical (2) |
MJD127G |
10,920 | 13 |
|
Buy Now |
||||||
|
MJD127G |
190 | 15 |
|
Buy Now |
|||||||
|
Avnet EBV |
MJD127G |
150 | 1 Weeks, 4 Days | 75 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Silica |
MJD127G |
2,400 | 1 Weeks, 3 Days | 75 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Americas |
MJD127G |
Tube | 1,572 | 9 Weeks | 75 |
|
Buy Now |
||||
| More Distributors | |||||||||||
|
Avnet Asia |
MJD127G |
9 Weeks | 1,500 |
|
Buy Now |
||||||
|
New Advantage Corporation (2) |
MJD127G |
4,950 | 1 |
|
Buy Now |
||||||
|
MJD127G |
1,950 | 1 |
|
Buy Now |
|||||||
STMicroelectronics
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics (3) |
MJD127T4 |
5,000 | 14 Weeks | 2,500 |
|
Buy Now |
|||||
|
MJD127T4 |
1 |
|
Get Quote |
||||||||
|
MJD127T4 |
14 Weeks | 2,500 |
|
Get Quote |
|||||||
|
Verical |
MJD127T4 |
5,000 | 2,500 |
|
Buy Now |
||||||
|
Avnet EBV |
MJD127T4 |
2 Weeks, 1 Days | 2,500 |
|
Buy Now |
||||||
|
Avnet Silica |
MJD127T4 |
2 Weeks, 1 Days | 2,500 |
|
Buy Now |
||||||
|
Avnet Americas |
MJD127T4 |
Reel | 14 Weeks | 5,000 |
|
Buy Now |
|||||
| More Distributors | |||||||||||
|
Bristol Electronics |
MJD127T4 |
248 |
|
Get Quote |
|||||||
Micro Commercial Components
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics |
MJD127-TP |
20 Weeks | 2,500 |
|
Get Quote |
||||||
onsemi
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Arrow Electronics (2) |
MJD127T4G |
14 Weeks | 2,500 |
|
Get Quote |
||||||
|
MJD127T4G |
14 Weeks | 2,500 |
|
Get Quote |
|||||||
|
Avnet EBV |
MJD127T4G |
2,500 | 2 Weeks, 2 Days | 2,500 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Silica |
MJD127T4G |
2,500 | 2 Weeks, 1 Days | 2,500 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Americas |
MJD127T4G |
Reel | 14 Weeks | 2,500 |
|
Buy Now |
|||||
|
Bristol Electronics |
MJD127T4G |
20 |
|
Get Quote |
|||||||
| More Distributors | |||||||||||
|
Avnet Asia |
MJD127T4G |
14 Weeks | 2,500 |
|
Buy Now |
||||||
|
New Advantage Corporation (3) |
MJD127T4G |
5,000 | 1 |
|
Buy Now |
||||||
|
MJD127T4G |
2,500 | 1 |
|
Buy Now |
|||||||
|
MJD127T4G |
2,500 | 1 |
|
Buy Now |
|||||||
|
Wuhan P&S |
MJD127T4G |
2,400 | 1 |
|
Buy Now |
||||||
onsemi
|
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
Avnet EBV |
NJVMJD127T4G |
2 Weeks, 2 Days | 2,500 |
|
Buy Now |
||||||
|
Avnet Silica |
NJVMJD127T4G |
2 Weeks, 1 Days | 2,500 |
|
Buy Now |
||||||
|
Avnet Americas |
NJVMJD127T4G |
Reel | 14 Weeks | 2,500 |
|
Buy Now |
|||||
|
Avnet Asia |
NJVMJD127T4G |
14 Weeks | 2,500 |
|
Buy Now |
Распиновка
Цоколевка у TIP127 следующая. Большинство фирм производителей изготавливают данный транзистор в корпусе ТО-220 с жесткими выводами. Материал корпуса пластмасса. Первый вывод слева, если смотреть со стороны маркировки является базой, второй коллектором, третий эмиттером. Коллектором также является металлическое основание.
Но есть и исключения из правил. Так, компания Unisonic Technologies выпускает данный прибор в другом пластовом корпусе ТО-126. Первая ножка рассматриваемого устройства – эмиттер, вторая – коллектор, третья – база.
Маркировка
На лицевой стороне корпуса транзистора наносится маркировка. На ней расположены такие сведения:
- название устройства (TIP127);
- буква G означает, что прибор не содержит свинца;
- А – место сборки;
- год выпуска;
- рабочая неделя.
MJD127 Datasheet (PDF)
..1. Size:284K motorola mjd122re mjd127.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJD122/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN*MJD122Complementary DarlingtonPNPMJD127*Power TransistorsDPAK For Surface Mount Applications*Motorola Pre
..2. Size:93K st mjd122 mjd127.pdf
MJD122MJD127COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR- EMITTER DIODE SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX T4)3 ELECTRICAL SIMILAR TO TIP122 ANDTIP1271APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDDPAKAMPLIFIER.TO-252(Suffix
..3. Size:201K lge mjd127.pdf
MJD127(NPN)TO-251/TO-252-2L TransistorTO-2511. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 Features High DC current gain Electrically similar to popular TIP127 Built-in a damper diode at E-C TO-252-2L MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -100 VVCEO Collector-Emitter Voltage -100 VVEBO Emitter-B
0.1. Size:142K onsemi njvmjd122 njvmjd127.pdf
MJD122, NJVMJD122(NPN), MJD127,NJVMJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements
0.2. Size:205K onsemi mjd127t4g.pdf
MJD122,NJVMJD122T4G (NPN), MJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements for 2N
0.3. Size:205K onsemi mjd127g.pdf
MJD122,NJVMJD122T4G (NPN), MJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements for 2N
0.4. Size:977K slkor mjd127d.pdf
MJD127DSilicon PNP Darlington Power TransistorDESCRIPTIONLow Collector-Emitter saturation voltageLead formed for surface mount applicationsHigh DC current gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applications.ABSOLUTE MAXI
Способы проверки
Представленный транзистор состоит из нескольких стандартных устройств, объединенных кристаллом и общей защитной оболочкой. Обычно на чертежах местонахождение устройства не обозначается отдельными символами, а теми же, которые применяют для стандартных изделий.
У составных моделей постепенное падение напряжение вдоль проводника на участке Б-Э вдвое превышает значения стандартных. Показатель сокращения напряжения на открытом транзисторе примерно равен падению напряжения на диоде. По этому параметру составной элемент можно сравнить с понижающим трансформатором, но он обладает значительно большим усилением по мощности. Такие устройства способы взаимодействовать с переключателями частотой до 25 Гц.
Для проверки транзистора Дарлингтона нужно:
- Подключить контакт Э к «минусу» источника питания;
- Контакт К подключить к одному из выводов лампочки, а другой – перенаправить на «плюс» источнкиа питания;
- От резистора к Б передать положительное напряжение – лампочка должна засветится;
- От резистора к базе подать отрицательное напряжение – лампочка перестает гореть.
Если все получилось по схеме, то устройство исправно и его можно использовать для сборки.
Аналоги
Транзистор TIP127 имеет много зарубежных аналогов. Приведем устройства, которые имеют такой же корпус, расположение выводов, электрические и функциональные характеристики: 2N6035, 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2SB673, 2SB791, ECG26, TIP125, TIP126. На данные приборы можно менять без внесения изменений в электрическую схему.
Существуют похожие транзисторы, которыми можно заменить рассматриваемый, но некоторые электрические параметры могут отличаться: 2SB1024, 2SB676, BD332, BD334, BDT60B, BDW24C, BDW64C, KSB601, KTB1423, NSP702, TIP627.
Имеется также отечественный аналог TIP127 — КТ8115А.
Рекомендуемая комплементарная пара – TIP122.
mjd127* datasheet (33)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Type | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| MJD127 |
Fairchild Semiconductor |
PNP Silicon Darlington Transistor | Original |
|
||
| MJD127 |
Fairchild Semiconductor |
PNP transistor, for general purpose amplifier and low speed switching applications, 100V, 8A | Original |
|
||
| MJD127 |
Motorola |
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT | Original |
|
||
| MJD127 |
On Semiconductor |
MJD127 — TRANSISTOR 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3, BIP General Purpose Power | Original |
|
||
| MJD127 |
On Semiconductor |
Bipolar Power DPAK PNP 8A 100V; Package: DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount; No of Pins: 4; Container: Rail; Qty per Container: 75 | Original |
|
||
| MJD127 |
STMicroelectronics |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | Original |
|
||
| MJD127 |
Motorola |
Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book | Scan |
|
||
| MJD127 |
Motorola |
Silicon Power Transistors 8A 100V 20W | Scan |
|
||
| MJD127 |
Unknown |
Historical semiconductor price guide (US$ — 1998). From our catalog scanning project. | Scan |
|
||
| MJD127 |
Samsung Electronics |
PNP (D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS) | Scan |
|
||
| MJD127-1 |
Fairchild Semiconductor |
PNP transistor for high DC current gain, 100V, 8A | Original |
|
||
| MJD127-1 |
Fairchild Semiconductor |
PNP transistor, for general purpose amplifier and low speed switching applications, 100V, 8A | Original |
|
||
| MJD127-1 |
Motorola |
SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT | Original |
|
||
| MJD127-1 |
STMicroelectronics |
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS | Original |
|
||
| MJD127-1 |
STMicroelectronics |
Low voltage power Darlington transistor | Original |
|
||
| MJD127-1 |
Motorola |
Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book | Scan |
|
||
| MJD127-1 |
Unknown |
Historical semiconductor price guide (US$ — 1998). From our catalog scanning project. | Scan |
|
||
| MJD127-1 |
Samsung Electronics |
PNP transistor, 100V, 8A | Scan |
|
||
| MJD127G |
On Semiconductor |
MJD127 — TRANSISTOR 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3, BIP General Purpose Power | Original |
|
||
| MJD127G |
On Semiconductor |
Bipolar Power DPAK PNP 8A 100V | Original |
|
Previous
1
2
Next
Характеристики
Предельные технические характеристики позволяют подобрать оптимальные радиокомпоненты для работы транзистора в стандартном и максимальном эксплуатационном режиме. В технической документации приведены значения, полученные при тестировании в условиях температуры окружающей среды до +25 °C. Рекомендуется при работе в штатном режиме не нагружать транзистор более 80% от предельных параметров.
Максимальные характеристики TIP127:
- Допустимое напряжение на участке К-Б VCBO (Uкб max) – 100 В;
- Разрешенное напряжение на участке Э-Б VCBO (Uкэ max) – 100 В;
- Напряжение на участке Э-Б VCBO (Uэб max) – 5 В;
- Предельный постоянный ток коллектора Ic(Ikmax) 5 A;
- Предельный кратковременный ток коллектора Icp(Ik пик) – 8 А;
- Допустимые рабочие температуры Tstg– от -65 до 150 °C;
- Предельная температура перехода Tj – 150 °C;
- Разрешённая рассеиваемая мощность коллектора Pс (Рk max) – 65 Вт.
Также в документации от производителя приведены электрические параметры. Температура окружающей среды при тестировании не изменилась — +25 °C. Другие условия приведены в графе таблицы «Режимы измерения».
При изменении температуры кристалла параметры изделия могут меняться. Тепловые характеристики:
- Сопротивление нагреву на участке кристалл-корпус Rthj-case – 1,92 °C/Вт;
- Сопротивление нагреву на участке кристалл-окружение Rthj-amb – 62,5 °C/Вт.
Обозначенные параметры важны при выборе элемента для охлаждения. Без радиатора вместе с увеличением температуры падает и рассеиваемая мощность транзистора. Если кристалл прогрет до +25°C или менее, то транзистор сможет рассеивать до 65 Вт. Когда показатель растет, то мощность сокращается.
