Кт829: характеристики транзистора, аналоги, цоколевка

Цоколевка транзистора Кт829

Транзистор Кт829 имеет следующую цоколевку:

1. Коллектор.

2. База.

3. Эмиттер.

Цоколевка транзистора Кт829 соответствует стандартной схеме подключения транзисторов p-n-p типа. Коллекторный вывод является выходом, базовый вывод — входом, а эмиттерный вывод — общим выводом транзистора.

Правильное подключение транзистора Кт829 к схеме обеспечивает его полноценное функционирование и управление электрическим током посредством изменения тока базы.

Для изготовления электрической схемы, требующей использования транзистора Кт829, необходимо правильно подключить каждый вывод к соответствующему выводу схемы. Это поможет избежать несанкционированных электрических соединений и ошибок при монтаже.

Как отличить стабилизационный диод от обычного полупроводника

Очень часто люди задаются вопросом, как можно отличить стабилитрон от стандартного полупроводника, ведь, как мы выяснили раньше, оба этих элемента имеют практически идентичное обозначение на электросхеме и могут выполнять схожие функции. Самым простым способом отличить стабилизационный полупроводник от обычного является использование схемы приставки к мультиметру. С его помощью можно не только отличить оба элемента друг от друга, но и выявить напряжение стабилизации, которое характерно для данного смд (если оно, конечно, не превышает 35В). Схема приставки мультиметра является DC-DC преобразователем, в которой между входом и выходом имеется гальваническая развязка. Эта схема имеет следующий вид:

Схема приставки мультиметра

В ней генератор с широтно-импульсной модуляцией выполняется на специальной микросхеме МС34063, а для создания гальванической развязки между измерительной частью схемы и источником питания контрольное напряжение следует снимать с первичной обмотки трансформатора. Для этой цели имеется выпрямитель на VD2. При этом величина для выходного напряжения или тока стабилизации устанавливается путем подбора резистора R3. На конденсаторе С4 происходит выделение напряжения примерно в 40В. При этом проверяемый смд VDX и стабилизатор для тока А2 будут формировать параметрический стабилизатор. Мультиметр, который подключили к выводам Х1 и Х2, будет измерять на данном стабилитроне напряжение. При подключении катода к «-«, а анода к «+» диода, а также к несимметричному смд мультиметра, последний покажет незначительное напряжение. Если подключать в обратной полярности (как на схеме), то в ситуации с обычным полупроводником прибор будет регистрировать напряжение около 40В.

Здесь трансформатор Т1 будет намотан на торообразном ферритовом сердечнике с внешним диаметром в 23 мм. Такая обмотка 1 будет содержать 20 витков, а вторая обмотка — 35 витков провода ПЭВ 0,43

При этом важно при намотке укладывать виток к витку. Следует помнить, что первичная обмотка идет на одной части кольца, а вторая – на другой. Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX

Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4 Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод

Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX. Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4 Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод.

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:

выводы/размер	Очень-очень маленькие	Очень маленькие	Маленькие	Средние
2 вывода	SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2)	SOD323, SOD328	SOD123F, SOD123W	SOD128
3 вывода	SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416	SOT323, SOT1061 (DFN2020-3)	SOT23	SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268)
4-5 выводов	WLCSP4, SOT1194, WLCSP5, SOT665	SOT353	SOT143B, SOT753	SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов	SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6*	SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6)	SOT457, SOT505	SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов	WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8)	WLCSP16, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24	SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12)	SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.

Типы корпусов SMD по названиям

Название	Расшифровка	кол-во выводов
SOT	small outline transistor	3
SOD	small outline diode	2
SOIC	small outline integrated circuit	>4, в две линии по бокам
TSOP	thin outline package (тонкий SOIC)	>4, в две линии по бокам
SSOP	усаженый SOIC	>4, в две линии по бокам
TSSOP	тонкий усаженный SOIC	>4, в две линии по бокам
QSOP	SOIC четвертного размера	>4, в две линии по бокам
VSOP	QSOP ещё меньшего размера	>4, в две линии по бокам
PLCC	ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J	>4, в четыре линии по бокам
CLCC	ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J	>4, в четыре линии по бокам
QFP	квадратный плоский корпус	>4, в четыре линии по бокам
LQFP	низкопрофильный QFP	>4, в четыре линии по бокам
PQFP	пластиковый QFP	>4, в четыре линии по бокам
CQFP	керамический QFP	>4, в четыре линии по бокам
TQFP	тоньше QFP	>4, в четыре линии по бокам
PQFN	силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор	>4, в четыре линии по бокам
BGA	Ball grid array. Массив шариков вместо выводов	массив выводов
LFBGA	низкопрофильный FBGA	массив выводов
CGA	корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя	массив выводов
CCGA	СGA в керамическом корпусе	массив выводов
μBGA	микро BGA	массив выводов
FCBGA	Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом	массив выводов
LLP	безвыводной корпус

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.

Поиск аналога транзистора КТ829

Когда возникает необходимость заменить транзистор КТ829, важно найти подходящий аналог для его замены. Подобный аналог должен иметь схожие технические характеристики и быть совместимым с остальными компонентами устройства

Для поиска аналога можно использовать специальные каталоги транзисторов, которые предоставляют информацию о доступных моделях и их параметрах. Такие каталоги помогут найти совместимые аналоги для транзистора КТ829.

Когда вы находите несколько подходящих аналогов, рекомендуется сверить их технические характеристики с параметрами транзистора КТ829

Важно учесть такие параметры, как максимальное рабочее напряжение, максимальный ток коллектора, структура и тип корпуса и другие

Также полезным инструментом для поиска аналогов может быть специализированное программное обеспечение или интернет-сервисы, которые основаны на базах данных информации о различных транзисторах.

Помните, что замена транзистора КТ829 аналогом может потребовать корректировки схемы устройства или подбора дополнительных компонентов

Также стоит обратить внимание на рекомендации производителя и по возможности проконсультироваться с опытными специалистами в области электроники

В таблице ниже представлен некоторый список аналогов для транзистора КТ829:

Модель	Максимальное рабочее напряжение (В)	Максимальный ток коллектора (А)	Тип корпуса
KT815A	45	1	TO-92
KF127	40	0.1	TO-92
KSP2222A	40	0.6	TO-92
BC337	50	0.8	TO-92

Зарубежные прототипы

КТ815Б — BD135
КТ815В — BD137
КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования

Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Подробные описания технических параметров Кт829

Основные технические параметры Кт829 включают следующее:

Максимальное значение коллекторного тока (I_Cmax): 0.8 А.
Максимальное значение базового тока (I_Bmax): 0.1 А.
Максимальное значение обратного тока коллектора (I_CBOmax): 0.1 мкА.
Максимальное значение обратного тока эмиттера (I_EBOmax): 0.1 мкА.
Максимальное значение коллекторного напряжения (V_Cmax): 45 В.
Максимальное значение напряжения эмиттера (V_Emax): 5 В.
Максимальная мощность потери (P_totmax): 1.5 Вт.
Температурный диапазон работы (T_j): от -55 до +150 °C.

Транзистор Кт829 имеет пластмассовый корпус с цилиндрической формой и цоколевку с трех центральных выводов: коллектора, базы и эмиттера. Он прост в монтаже и подключении.

Основные особенности транзистора Кт829:

Универсальность использования.
Низкий уровень шума и искажений в усилительных схемах.
Высокая надежность и долговечность.
Стабильные характеристики на протяжении всего температурного диапазона.
Малая паразитная емкость и индуктивность.

Транзистор Кт829 представляет собой надежное и эффективное устройство для работы в различных схемах низкочастотной радиотехники и электроники. Благодаря своим техническим параметрам и особенностям он успешно применяется в устройствах для усиления и коммутации сигналов.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Указание паспортных характеристик

Они же являются основными показателями отечественных и импортных стабилитронов, которыми необходимо руководствоваться при подборе стабилитрона под конкретную электронную цепь.

UCT – указывает, какое номинальное значение модуль способен стабилизировать.
ΔUCT – используется для указания диапазона возможного отклонения входящего тока в качестве безопасной амортизации.
ICT – параметры тока, который может протекать при подаче номинального напряжения на модуль.
ICT.МИН – показывает самое маленькое значение, которое способно протекать по стабилизатору. При этом протекающее напряжение по диоду будет находиться в диапазоне UCT ± ΔUCT.
ICT.МАКС – модуль не способен выдерживать более высокое напряжение, чем это значение.

На фото ниже представлен классический вариант

Обратите внимание, что прямо на корпусе показано, где у него анод и катод. По кругу нарисована черная (реже встречается серая) полоска, которая располагается со стороны катода. Противоположная сторона – анод

Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов

Противоположная сторона – анод. Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
К209 – ромб (серая точка).
К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
КТ342 – четверть круга (синяя точка).
КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
К366 – буква Т (цвета нет).
КТ6127 – перевернутая буква П.
КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
КТ638 – без символа (оранжевая точка).
КТ680 – буква Г.
КТ681 – вертикальная палочка.
КТ698 – буква П.

Встречное, параллельное, последовательное соединение стабилитронов

Для повышения напряжения стабилизации можно последовательно соединять два и более стабилитрона. Например на нагрузке нужно получить 17 В, тогда, в случае отсутствия нужного номинала, применяют опорные диоды на 5,1 В и на 12 В.

Параллельное соединение применяется с целью повышения тока и мощности.

Также стабилитроны находят применение для стабилизации переменного напряжения. В этом случае они соединяются последовательно и встречно.

В один полупериод переменного напряжения работает один стабилитрон, а второй работает как обычный диод. Во второй полупериод полупроводниковые элементы выполняют противоположные функции. Однако в таком случае форма выходного напряжения будет отличается от входного и выглядит как трапеция. За счет того, что опорный диод будет отсекать напряжение, превышающее уровень стабилизации, верхушки синусоиды будут срезаться.

Параметры Кт829г регулятора напряжения

Кт829г — это регулятор напряжения, который используется в электроэнергетике для стабилизации и контроля напряжения в электросетях.

Регулятор напряжения Кт829г имеет следующие основные параметры:

Напряжение питания: 220 В;
Номинальное напряжение сети: 380 В;
Диапазон регулирования напряжения: от 342 до 396 В;
Точность регулирования напряжения: ±1%;
Частота сети: 50 Гц;
Потребляемая мощность: 2 ВА;
Габаритные размеры: 160х100х100 мм;
Масса: 1 кг.

Кт829г обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что позволяет использовать его в различных условиях. Он имеет защиту от перегрузки и короткого замыкания, что обеспечивает безопасность работы и предотвращает повреждения оборудования.

В общем, Кт829г является надежным регулятором напряжения, который широко применяется в энергетической отрасли для обеспечения стабильной работы электрооборудования.

Цоколевка

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.

Технические характеристики

КТ818Г является самым мощным транзистором в своей серии, если не брать во внимание устройства в металлостеклянном корпусе. Среди своих собратьев он способен выдерживать наибольшее возможное напряжение между коллектором (К) и эмиттером (Б) (Uкэ макс), однако имеет самый низкий коэффициент усиления по току (H21э). Далее рассмотрим максимальные параметры поподробнее

Далее рассмотрим максимальные параметры поподробнее.

Максимальные параметры

Максимальные параметры КТ818Г:

постоянное напряжение: К-Э U_{кэ макс} до 90 В (при R_эб < 1 кОм); К-Б U_{кб макс} до 90 В; Э-Б U_{кэ макс} до 5 В;
коллекторный ток: I_к до 10 А; импульсный I_к_имп. до 15 А;
ток базы: I_б до 3 А; импульсный I_б_имп. до 5 А;
рассеиваемая мощность ограничена корпусом (при Т_Корп. до +25 oC) P_{к макс}до 1,5 Вт; до 60 Вт (с радиатором);
диапазон температур окружающей среды (Т_{окр. среды}): -40 … +100 oC;
температура кристалла до +125 oC.

Превышение указанных максимальных параметров недопустимо, чаще всего приводит к порче и выходу устройства из строя

Для переменного тока длительность импульса (tи) должна быть менее 10 мс, а скважности (Q) более 100

Для предотвращения перегрева устройства, особенно при больших нагрузках, желательно применение радиатора. В случае превышения Т_Корп.более +25 oC рассеиваемая на коллекторе мощность P_{к макс}снижается линейно на 0,015 Вт/ oC, с применением теплоотвода на 0,6 Вт/оС.

При монтаже на плату, находящуюся под напряжением, вывод базы (Б) должен паяться в первую очередь, а отпаиваться в последнюю. Допустимый статический потенциал до 1 кВ.

Электрические параметры

Ниже представлены основные электрические характеристики взятые из даташит на КТ818Г белорусского предприятия электронной промышленности ОАО «Интеграл». Аналогичные параметры будут и у других современных производителей. Все значения представлены для температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Многие радиолюбители, разочаровавшиеся в качестве отечественного КТ818Г, ищут его импортный аналог, но не находят полноценной замены. Вместе с тем, технологии изготовления подобных устройств ушли далеко вперёд и на рынке как отечественной, так и зарубежной радиоэлектроники появилось много достойных для него альтернатив. Вот самые популярные: BD304, MJE2955T, 2SA1962, MJL21193, MJL21195, 2SA1386, BD911, 2SA1943N. С меньшим коллекторным током возможной заменой могут быть: 2N6107, TIP42С.

Из отечественных транзисторов функциональным аналогом считается КТ8102. Немного другой корпус (КТ-431) имеет новый КТ818Г1, но по остальным характеристикам он практически идентичен рассматриваемому. В случае наличия места на плате, можно рекомендовать более мощный транзистор в металлостеклянном корпусе КТ818ГМ (он же зарубежный BDX18).

Описание транзистора КТ829Г

КТ829Г имеет три вывода, которые обозначены как эмиттер (Е), коллектор (К) и база (Б). Эмиттер является выводом, через который идет выходной ток, а коллектор — входной ток. База служит для управления током между эмиттером и коллектором.

Этот транзистор обладает следующими техническими характеристиками:

Максимальное значение напряжения между коллектором и эмиттером: 120 В
Максимальное значение тока коллектора: 500 мА
Максимальная мощность потерь: 500 мВт
Максимальная рабочая частота: 100 МГц

Транзистор КТ829Г широко применяется в радиолюбительских устройствах, аудиоусилителях, источниках питания и других электронных схемах. Благодаря своим характеристикам и надежности, он позволяет создавать эффективные и стабильные электронные устройства.

Распиновка и маркировка

Транзистор выполнен в корпусе ТО-220 из пластика. Для электрического подключения предназначены три жёстких вывода одинаковой длины. Вес элемента не превышает пары грамм. Цоколевка КТ829 стандартная. На лицевой части слева направо идут база, коллектор и эмиттер. Внешний вид и схема распиновки представлены на рисунке:

Маркируются устройства очень просто. КТ обозначает кремниевый биполярный транзистор. Первая цифра 8 обозначает, что элемент мощный и высокоточный. Последние два числа 29 обозначают серию. Линейка транзисторов представлена четырьмя моделями, для обозначения каждой из которых используется символ — А, Б, В или Г.

Элемент не оснащен радиатором, и во многих применениях может спокойно эксплуатироваться без него. Однако, при работе на максимальных токовых значения лучше всего установить охлаждающий радиатор.

Немного подробнее о модуле и принципе его работы

Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.

Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.

Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.

Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г не более 2 гр.

Электрические параметры транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.

Граничное напряжение при I_К=100 мА, не менее
КТ829А	100 В
КТ829Б	80 В
КТ829В	60 В
КТ829Г	45 В
КТ827В, 2Т827В	60-80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I_К=3,5 А, I_Б=14 мА, не более	2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К=3,5 А, I_Б=14 мА, не более	2,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КЭ=3 В, I_К=3 А, не менее
при Т_К=24,85°С и Т_К=84,85°С	750
при Т_К=-40,15°С	100
при Т=Т_{К макс}, не менее	750
при Т=-60,15°С, не менее	100
Модуль коэффициента передачи тока при U_КЭ=3 В, I_К=3 А, ƒ=10 МГц, не менее	0,4
Обратный ток коллектор-эмиттер при R_БЭ=1 кОм, U_КЭ=U_{КЭ макс}, не более
при Т=24,85°С и Т=-40,15°С	1,5 мА
при Т_К=84,85°С	3 мА
Обратный ток эмиттера при U_БЭ=5 В, не более	2 мА

Предельные эксплуатационные данные КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ≤1 кОм, постоянное напряжение коллектор база
КТ829А	100 В
КТ829Б	80 В
КТ829В	60 В
КТ829Г	45 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	5 В
Постоянный ток коллектора	8 А
Постоянный ток базы	0,5 А
Импульсный ток коллектора при τ_и≤500 мкс, Q≥10	12 А
Постоянный ток базы	0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т_к≤24,85°С	60 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус	2,08 К/Вт
Температура перехода	149,85°С
Температура окружающей среды	От -40,15 до Т_к=84,85°С

Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Т_к>298÷358 К рассчитывается по формуле:

Р_{К макс}=(423-Т_к)/2,08.

2. Пайка выводов транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора, при этом температура корпуса не должна превышать 84,85°С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ПМС-100 ГОСТ 13032-77.

Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от I_К/I_Б. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.