Irf540n параметры полевого транзистора n-канального. справочник транзисторов паратран

Irf540 – популярный транзистор

Этот транзистор отличается высокой мощностью и низким сопротивлением в открытом состоянии, что позволяет использовать его в различных устройствах, включая источники питания, моторные контроллеры, аудиоусилители и другие.

Irf540 имеет следующие характеристики:

Максимальное напряжение стока-истока: 100 В
Максимальный ток стока: 33 А
Низкое сопротивление канала (он-сопротивление): 0.077 Ом
Максимальная мощность: 130 Вт

Для работы с Irf540 необходимо учитывать его параметры и подключать его правильно. При использовании транзистора в усилительных схемах, следует использовать соответствующие сопротивления и конденсаторы для обеспечения стабильной и надежной работы.

Важно обратить внимание, что Irf540 может нагреваться в процессе работы, поэтому рекомендуется использовать радиатор для отвода излишнего тепла. Также следует избегать перегрузки транзистора и соблюдать максимальные значения напряжения и тока

В целом, Irf540 – надежный и мощный транзистор, который широко применяется в электронных устройствах. При правильном использовании он может быть полезным инструментом для создания высококачественных устройств и схем.

Characteristics curves of IRF540 MOSFET

output characteristics of IRF540 MOSFET

The figures show the output characteristics of IRF540 MOSFET, the characteristics variations are been made at the fixed gate to source voltage and the graph is plotted with drain current vs drain to source voltage.

At the different gates to the source voltage range, the current value starts zero and attains a fixed rate, and becomes constant.

At the maximum gate to source voltage, the drain current value reaches the peak limit along with the drain to source voltage.

transfer characteristics of IRF540 MOSFET

The figure shows the transfer characteristics of IRF540 MOSFET, the graph is plotted with drain current vs gate to source voltage.

At a fixed drain to source voltage, the drain current starts at a low rate and reaches a higher limit with respect to the gate to source voltage.

on-state resistance characteristics of IRF540 MOSFET

The figure shows the on-state resistance characteristics of IRF540 MOSFET, the graph is plotted with on-state resistance vs drain current.

At the fixed gate to source voltage, the on-state resistance value of IRF540 MOSFET will be increased from a certain limit toward the maximum value, with respect to drain current.

Модификации

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRF540	150 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	2100 pf	30 A	72 nC	0.077 Ohm	TO220
AUIRF540Z	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO220AB
AUIRF540ZS	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	D2PAK
AUIRF540ZSTRL	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	180 pf	36 A	42 nC	0.0265 Ohm	D2PAK
IRF540A	107 W	100 V		4 V	150 °C	1320 pf	28 A	78 nC	0.052 Ohm	TO220
IRF540FI	45 W	100 V	20 V		175 °C	2100 pf	16 A		0.077 Ohm	ISOWATT220
IRF540N	140 W	100 V	10 V	4 V	150 °C		33 A	47.3 nC	0.052 Ohm	TO220AB
IRF540NL	140 W	100 V	10 V	4 V	150 °C		33 A	47.3 nC	0.052 Ohm	TO262
IRF540NLPBF	130 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	250 pf	33 A	71 nC	0.044 Ohm	TO-262
IRF540NPBF	130 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	250 pf	33 A	71 nC	0.044 Ohm	TO-220AB
IRF540NS	140 W	100 V	10 V	4 V	150 °C		33 A	47.3 nC	0.052 Ohm	D2PAK
IRF540NSPBF	130 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	250 pf	33 A	71 nC	0.044 Ohm	TO-263
IRF540S	150 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	560 pf	28 A	72 nC	0.077 Ohm	TO-263
IRF540SPBF	150 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	560 pf	28 A	72 nC	0.077 Ohm	TO-263
IRF540Z	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO220AB
IRF540ZL	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO262
IRF540ZLPBF	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	180 pf	36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO-262
IRF540ZPBF	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	180 pf	36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO-220AB
IRF540ZS	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	D2PAK
IRF540ZSPBF	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	180 pf	36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO-263

Характеристики

Если углубляться в технические тонкости, то все оригинальные «irf» сделаны по запатентованной IR технологии HEXFET, которая имеет более сложную структуру. Неоригинальные устройства, от других компаний, имеют свои технологии изготовления, но общий принцип един для всех. Ниже представлены основные характеристики itf540, к ним относятся:

Максимальное напряжение стока-истока (V _DS) — 100 В;
Максимальный постоянный ток стока (I _D) – 28 А; импульсный — 110 А;
Сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DSon) — 77 мОм;
Максимальный суммарный заряд затвора (Q_G₍_Max₎ ) — 72 нКл;
Рассеиваемая мощность (P_D) — 150 Вт;
Диапазон рабочих температур (T_J) от — 55 до +175 °C.

Максимальные

Транзистор выдерживает достаточно большой ток в нагрузке, до 28 А. В последнее время на рынке представлены более современные модификации, такие как irf540n, irf540z. Они имеют улучшенные параметры. Так, у некоторых представителей этого семейства I_D достигает 36 А, а сопротивление открытого канала снижено до 26.5 мОм. Это связано с совершенствованием технического процесса производства. Рассмотрим предельно допустимые или так называемые максимальные для данного устройства.

Электрические

Электрические характеристики представлены, при температуре окружающей среды +25 °C. Максимальное пороговое напряжение на затворе, при этом у всех производителей не более 4 В. Однако практика показывает, что для полного открытия перехода, необходимо подавать больше 5 В. А для использования с контроллером, лучше использовать рекомендуемый производителем IRF540NL.

Тепловые сопротивления

Температуры окружающей среды +25 °C, при работе транзистора, невозможно добиться в обычных условиях его использования. Поэтому все, без исключения, производители в своих DataSheet предоставляют значения тепловых сопротивлений. Они могут понадобиться для расчета элементов охлаждения в схеме.

Кроме вышеперечисленных параметров, для принятия решения об использовании, необходимо учитывать , устройства и др.

IRF540NPBF Datasheet (PDF)

0.1. irf540npbf.pdf Size:153K _international_rectifier

PD — 94812IRF540NPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 44m Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 33A Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely l

0.2. irf540npbf.pdf Size:153K _infineon

0.3. irf540npbf.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel Mosfet Transistor IRF540NPBFFEATURESDrain Current I = 33A@ T =25D CStatic Drain-Source On-Resistance: R = 44m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationDESCRITIONDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switchi

Как правильно выбрать и использовать Irf540

При выборе транзистора Irf540 для определенной задачи необходимо учитывать следующие характеристики:

Характеристика	Описание
Максимальный дренажный ток (Id)	Это максимальное значение тока, которое может протекать через транзистор в режиме работы. Необходимо выбрать транзистор, способный выдерживать требуемый ток для конкретной схемы.
Напряжение перекрытия (Vds)	Это максимальное напряжение, которое может быть подано на дренажный исток транзистора. Также стоит учитывать напряжение, с которым будет работать схема.
Сопротивление открытого канала (Rds(on))	Это сопротивление, которое представляет транзистор во включенном состоянии. Чем меньше это сопротивление, тем меньше потери мощности и тепла при работе.
Температурный режим	Необходимо учесть температурный режим работы и выбрать транзистор, который способен работать в данных условиях.

При использовании транзистора Irf540 в схеме необходимо следовать некоторым рекомендациям:

При работе с высокими токами рекомендуется использовать радиатор для охлаждения транзистора.
Необходимо обеспечить достаточное питание для транзистора, учитывая максимальное напряжение и ток.
Правильно подключите транзистор к схеме, соблюдая правильную полярность и соответствующие токи управления.
Для более надежной работы можно использовать защитные диоды для предотвращения обратной полярности и перенапряжений.
Рассчитайте и подберите необходимые компоненты схемы, учитывая требования и характеристики транзистора Irf540.

Соблюдая эти рекомендации и выбрав подходящий транзистор Irf540, можно обеспечить эффективную и надежную работу электронной схемы или устройства.

Роль транзистора в электронике

Основная функция транзистора заключается в усилении и регулировании электрических сигналов. Он позволяет увеличивать амплитуду слабых сигналов и управлять подачей сигнала на нагрузку. Также транзистор может выполнять функцию ключа, переключая ток в различных устройствах.

Транзистор состоит из трех основных слоев: эмиттера, базы и коллектора. Подача тока между базой и эмиттером позволяет изменять проводимость слоя и, следовательно, управлять током, проходящим через коллектор. Таким образом, транзистор может быть использован для усиления, управления или коммутации электрических сигналов.

Распиновка

У irf540 следующая цоколевка, он имеет три гибких вывода, слева на право: затвор (G), сток (D) и исток (S). Радиатор физически соединен с выводом стока. Чаще всего представляет собой полупроводниковое устройство с изолированным затвором (IG-FET), в пластмассовом корпусе ТО-220AB. Между выводами стока и истока встроен паразитный диод. Распиновка представлена на рисунке.

Примерно до 1990 года, некоторые экземпляры от IR, выпускались в корпусе для поверхностного монтажа SMD-220. IRF540FI от компании STM был исполнен в нестандартном корпусе ISOWATT220 или ТО-220FI. В настоящее время появились улучшенные модификации этого транзистора, в более современном корпусном исполнении. Так Vishay, производит их в корпусе ТО-262, например IRF540ZL и D₂PAK (он же TO-263 или SOT404), с маркировкой: IRF540S (SiHF540S), IRF540NS (SiHF540NS), IRF540ZS.

IRF540A Datasheet (PDF)

0.1. irf540a.pdf Size:256K _fairchild_semi

IRF540AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.052 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 28 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 175 C Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.041 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Sour

0.2. irf540a.pdf Size:951K _samsung

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.052 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 28 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.041 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

0.3. irf540a.pdf Size:283K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF540AFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 52m100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Применение Irf540 транзистора

Одной из основных областей применения Irf540 является управление высокими токами и высокой мощностью. Благодаря низкому внутреннему сопротивлению (RDS(on)), этот транзистор обеспечивает эффективную и надежную работу в устройствах, где требуется коммутация больших токов.

Также Irf540 часто применяется в силовых источниках, где его высокая мощность позволяет эффективно управлять нагрузками. Он способен работать с высокими напряжениями, что делает его подходящим для использования в различных системах питания и инверторах.

Другим областью применения транзистора Irf540 является электроника автомобильных систем. Благодаря его низкому внутреннему сопротивлению и высокой мощности он может использоваться для управления электродвигателями, освещением и другими силовыми устройствами в автомобильной сфере.

Кроме того, Irf540 также может быть использован в системах управления освещением, солнечных панелях, аудиоусилителях, импульсных источниках питания и многих других электронных устройствах, где требуется коммутация высоких токов и мощности.

Общая информация о характеристиках и применении транзистора Irf540 поможет вам выбрать подходящий компонент для ваших электронных проектов и устройств. Знание его особенностей и возможностей поможет вам эффективно применить его в вашей конкретной задаче и достичь необходимых результатов.

Анализ характеристик irf540

Основные характеристики транзистора irf540:

Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) : 100 Вольт
Максимальное напряжение сток-исток (VDS) : 100 Вольт
Максимальное среднее сопротивление сток-исток (RDS(on)) : 0.055 Ом
Максимальный средний ток стока (ID) : 28 Ампер
Максимальная мощность (PD) : 110 Ватт

Транзистор irf540 имеет TO-220 корпус, который обеспечивает хорошее отвод тепла и удобства при монтаже. Это делает его широко используемым в радиоэлектронике, силовых блоках и других приложениях, где требуется управление большими токами и мощностью.

Однако, в некоторых случаях может возникнуть необходимость заменить транзистор irf540. Например, если он не доступен на рынке или не соответствует требованиям конкретного проекта. При замене транзистора необходимо учитывать его характеристики, особенно максимальные значения напряжения, тока и мощности.

Альтернативами для замены транзистора irf540 могут быть другие мощные MOSFET-транзисторы, например:

IRF3205: Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) — 20 Вольт, максимальное напряжение сток-исток (VDS) — 55 Вольт, максимальный средний ток стока (ID) — 110 Ампер.
IRFZ44N: Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) — 20 Вольт, максимальное напряжение сток-исток (VDS) — 55 Вольт, максимальный средний ток стока (ID) — 49 Ампер.
STP55NF06L: Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) — 20 Вольт, максимальное напряжение сток-исток (VDS) — 60 Вольт, максимальный средний ток стока (ID) — 50 Ампер.

При замене транзистора необходимо также обратить внимание на параметры заменяемого транзистора, например, тип и подключение (NPN или PNP, а также source-drain или drain-source), чтобы новый транзистор работал корректно и соответствовал требованиям схемы или проекта

IRF540 MOSFET specification

IRF540 is an N-channel POWER MOSFET device
Drain to source voltage (V _DS) is 100V
Gate to source voltage (V_gs) is +/- 20V
Gate to the threshold voltage (V_{g (th)}) is 2 to 4V
Drain current (I_d) is 20A to 28A
Pulsed drain current (I_DM) is 110A
Power dissipation is (P_D) is 150W
Drain to source on-state resistance (R_{DS (ON)}) 077Ω
Gate to source leakage current (I_GSS) is 100nA
Total gate charge (Q_g) is 72nC
Zero gate voltage drain current (I_DSS) is 25 to 250uA
Reverse recovery time (trr) is 180 to 360ns
Peak diode recovery (dv/dt) is 5V/ns
Rise time (tr) is 44ns
Thermal resistance junction to case (R_thj-c) is 1℃/W
Junction temperature (T_J) is between -55 to 175℃

IRF540NL Datasheet (PDF)

0.1. irf540nlpbf irf540nspbf.pdf Size:279K _international_rectifier

PD — 95130IRF540NSPbFIRF540NLPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating TemperatureVDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 44ml Lead-FreeGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from ID = 33AInternational Rectifier utilize advanced processing Stechniques to achi

0.2. irf540ns irf540nl.pdf Size:277K _infineon

PD — 91342BIRF540NSIRF540NLl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 44mDescription GAdvanced HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing ID = 33AStechniques to achieve extremely l

0.3. irf540nl.pdf Size:255K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540NLFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100

IRF540 vs IRFZ44 vs BUZ21

In this table we try to compare the electrical specifications of each MOSFET device such as IRF540 vs IRFZ44 vs BUZ21, this comparison will be really helpful for the replacement process.

Characteristics	IRF540	IRFZ44	BUZ21
Drain to source voltage (VDS))	100V	60V	100V
Gate to source voltage (Vgs)	20V	20V	20V
Gate threshold voltage (Vg(th))	2 to 4V	2 to 4V	3 to 4V
Drain current (Id)	20A to 28A	36A to 50A	19A
Total gate charge (Qg)	72nC	67nC	—
Power dissipation (PD)	200W	150W	75W
Junction temperature (TJ)	-55 to +175°C	-55 to +175°C	-55 to +175°C
Drain to source on-state resistance (RDS)	0.007Ω	0.028Ω	0.09 to 0.1Ω
Rise time (tr)	44ns	110ns	50 to 75ns
Reverse recovery time (trr)	180 to 360ns	120 to 180ns	200ns
Package	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB

The electrical specification comparison of IRF540 vs IRFZ44 vs BUZ21 shows that each of these MOSFETs had almost the same specs, so we can use them as the replacement for each other.

IRF540NSPBF Datasheet (PDF)

0.1. irf540nlpbf irf540nspbf.pdf Size:279K _international_rectifier

6.1. irf540ns.pdf Size:125K _international_rectifier

PD — 91342IRF540NSIRF540NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating Temperature VDSS = 100V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 44mDescription GAdvanced HEXFET Power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing ID = 33AStechniques to achieve extremely low on-r

6.2. irf540ns irf540nl.pdf Size:277K _infineon

6.3. irf540ns.pdf Size:2432K _kexin

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETIRF540NS (KRF540NS)TO-263Unit:mm 9.65 (Min)10.67 (Max) Features5.33 (Min) VDS (V) = 100V 90 ~ 93 ID = 33 A (VGS = 10V) RDS(ON) 44m (VGS = 10V)6.22 (min) Fast Switching 4.06 (Min) 4.83 (Max) 1.14 (Min) 1.40 (Max)1.65 (max)D1.27~1.781.14~1.400.43~0.63G 1 Gate0.51~0.992 Drain 2.543 Sour

6.4. irf540ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540NSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Сравнение аналогов транзистора irf540: какой выбрать?

Один из наиболее близких аналогов irf540 — это транзисторы серии IRF типа IRF530, IRFZ44N или IRFP460. Они имеют схожие параметры и способны обеспечить похожие характеристики, такие как максимальное напряжение, максимальный ток и сопротивление.

Если же требуется транзистор с более высокими характеристиками, можно обратить внимание на транзисторы серии IRFP. Они предлагают повышенные параметры мощности и тока, такие как IRFP360, IRFP250 или IRFP450

Однако, необходимо учесть, что при выборе аналогов транзистора irf540 необходимо не только ориентироваться на параметры, но и учесть технические требования конкретного проекта или приложения. Рекомендуется обратиться к документации и спецификациям производителя для более точного определения наиболее подходящего аналога.

Не менее важно обратить внимание на репутацию и качество производителя, чтобы обеспечить надежность работы заменяемого транзистора. В итоге, выбор аналога транзистора irf540 зависит от поставленных задач и требований для конкретного приложения. Каждый из предложенных аналогов обладает своими особенностями и может успешно заменить irf540, если выбор будет осуществлен правильно и основан на анализе технических характеристик и требований проекта

Каждый из предложенных аналогов обладает своими особенностями и может успешно заменить irf540, если выбор будет осуществлен правильно и основан на анализе технических характеристик и требований проекта

В итоге, выбор аналога транзистора irf540 зависит от поставленных задач и требований для конкретного приложения. Каждый из предложенных аналогов обладает своими особенностями и может успешно заменить irf540, если выбор будет осуществлен правильно и основан на анализе технических характеристик и требований проекта.

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с максимально допустимых характеристик. Они важны как при проектировании новой конструкции, так и при подборе замены, так как при их превышении устройство «сгорит». Длительная эксплуатация при значениях очень близких или равных максимальным так же нежелательна, так как в этом случае транзистор может перегреться и тоже выйти из строя.

Характеристики IRF540N:

напряжение сток-исток V_DS = 100 В;
напряжение затвор-исток: V_GS = ±20 В;
ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
- при Тс= +25°С I_D = 27 А;
- при Тс= +100°С I_D = 19 А;
кратковременный ток стока I_DM = 110 А;
мощность P_D = 130 Вт;
коэффициент линейного снижения мощности 0,87 Вт/°С;
лавинный ток I_AR = 16 А;
повторяющаяся лавинная энергия E_AR = 13 мДж;
термическое сопротивление, кристалл – корпус 1,6 °С/Вт;
термическое сопротивление, кристалл – воздух 62 °С/Вт;
рабочая т-ра: от -55°С до +175°С.

Теперь рассмотрим электрические значения. Они измерялись при стандартной температуре +25°С. Остальные важные параметры тестирования приведены в отдельной колонке следующей таблицы.

Электрические характеристики транзистора irf540n (при Т = +25 оC)
Статические
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Напряжение пробоя С-И	V_GS= 0 В,I_D= 250 мА	V₍_BR₎_DS_S	100			В
Температурный к-т изменения напряжения С-И	I_D = 1 мА	∆V(_BR)DSS/∆T_J		0,12		В/°С
Сопротивление С-И при открытом транзисторе	V_GS= 10 В, I_D= 16 A	R_DS(on)			44	мОм
Пороговое напряжение З-И	V_DS= V_GS, I_D=250 мкА	V_GS(th)	2		4	В
Прямая крутизна	g_fs		21
Ток утечки затвора	V_GS= ± 20 В	I_GSS			±100	нА
Ток стока при нулевом напряжении затвора	V_DS=100 В, V_GS= 0 V	I_DSS			25	мкА
V_DS=80 В, V_GS=0 В, T_J= 150°C			250	мкА
Заряд на затворе открывающий транзистор	V_GS= 10 В, I_D= 16 A, V_DS= 80 В	Q_g			71	нКл
Заряд З-И	Q_gs			14	нКл
Заряд З-С	Q_gd			21	нКл
Время открытия транзистора	V_DD=50 В, I_D=16 A, R_g=5,1 Ом, R_D=10 Ом	t_d(on)		11		нс
Время нарастания импульса открытия	t_r		35		нс
Время закрытия транзистора	t_d(off)		39		нс
Время спада импульса	t_f		35		нс
Входная емкость	V_GS= 0 В, V_DS= 25 В, f = 1,0 МГц	C_iss		1960		пФ
Выходная емкость	C_oss		250		пФ
Емкость З-И	C_rss		40		пФ
Индуктивность стока		L_D		4,5		нГн
Индуктивность истока		L_S		7,5		нГн
Единичный энергетический импульс				700	185	мДж
Характеристики канала исток-сток
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Непрерывный длительный ток через истоковый диод		I_S			33	А
Максимальный импульсный ток через диод		I_SM			110	А
Падение напряжения на диоде	T_J= 25 °C, I_S= 16 A, V_GS= 0 В	V_SD			1,2	В
Время обратного восстановления	T_J= 25 °C, I_F= 16 A, dI/dt = 100 A/мкС	t_rr		115	170	нс
Заряд восстановления	Q_rr		505	760	нКл

IRF540Z Datasheet (PDF)

0.1. irf540zlpbf irf540zspbf.pdf Size:376K _international_rectifier

PD — 95531AIRF540ZPbFIRF540ZSPbFIRF540ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 26.5mG Lead-FreeID = 36ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremel

0.2. irf540zpbf.pdf Size:302K _international_rectifier

PD — 94758IRF540ZAUTOMOTIVE MOSFETIRF540ZSIRF540ZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 26.5mGDescriptionID = 36ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOSFE

0.3. auirf540zstrl.pdf Size:326K _international_rectifier

PD — 96326AUTOMOTIVE GRADEAUIRF540ZAUIRF540ZSFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS100Vl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.21ml Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGmax. 26.5ml Lead-Free, RoHS CompliantID 36Al Automotive Qualified *SDescriptionSpecifically designe

0.4. irf540z.pdf Size:173K _international_rectifier

PD — 94644IRF540ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 29.5m 175C Operating TemperatureG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 34ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes t

0.5. auirf540z auirf540zs.pdf Size:702K _infineon

AUIRF540Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF540ZS Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 175C Operating Temperature 21m Fast Switching max. 26.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID 36A Automotive Qualified * Description D

0.6. irf540z irf540zs irf540zl.pdf Size:302K _infineon

0.7. irf540zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

0.8. irf540z.pdf Size:251K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF540ZIIRF540ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.0265Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

0.9. irf540zl.pdf Size:256K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540ZLFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Важные моменты при замене транзистора IRF540

Совместимость параметров: При выборе замены для транзистора IRF540, важно обратить внимание на совместимость основных параметров, таких как напряжение, ток и мощность. Убедитесь, что заменяемый транзистор имеет аналогичные характеристики, чтобы не возникло проблем с работой и надежностью схемы

2. Тип корпуса: IRF540 обычно поставляется в корпусе TO-220, поэтому при замене следует выбрать транзистор с аналогичным типом корпуса. Однако, существуют и другие типы корпусов, такие как TO-247 и TO-263, которые могут быть более удобными для использования в определенных ситуациях.

3. Производитель: Учитывайте производителя транзистора при замене. Известные и надежные производители обычно предлагают транзисторы с более высоким качеством и надежностью

Обратите внимание на репутацию производителя и отзывы о его продукции

Условия эксплуатации: При выборе заменяемого транзистора, обратите внимание на условия эксплуатации. Если у вас есть особые требования к рабочим параметрам, например, высокая температура окружающей среды или большие перепады напряжения, выберите транзистор, способный работать в этих условиях без снижения производительности

5. Проверка схемы: Перед заменой транзистора IRA540, убедитесь, что проблема действительно связана с неисправностью транзистора. Проверьте схему и проведите необходимые измерения, чтобы исключить другие возможные поломки. Если проблема подтверждается, тогда можно приступать к выбору и замене транзистора.

Важно помнить, что замена транзистора требует осторожности и аккуратности. Убедитесь, что вы правильно подключаете заменяемый транзистор и не перепутайте выводы. Действуйте согласно схеме и обращайтесь к документации для получения подробной информации о замене

Выберите аналогичный транзистор, соответствующий требованиям вашей схемы, и следуйте процедуре замены, чтобы убедиться, что ваше устройство работает без сбоев

Действуйте согласно схеме и обращайтесь к документации для получения подробной информации о замене. Выберите аналогичный транзистор, соответствующий требованиям вашей схемы, и следуйте процедуре замены, чтобы убедиться, что ваше устройство работает без сбоев.