Irf1404z datasheet pdf ( pinout ) - power mosfet ( transistor )

Преимущества полевых транзисторов

Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.

Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.

Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.

С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.

Защита и прочность транзистора IRF1404

Транзистор IRF1404 представляет собой мощный MOSFET с низким сопротивлением и высокой коммутационной способностью. Он обладает надежной защитой и высокой прочностью, что позволяет использовать его в широком спектре приложений.

Для обеспечения защиты транзистора IRF1404 от перегрузок и повреждений рекомендуется применять системы защиты, такие как предохранительные устройства, токовые ограничители и защитные диоды. Эти устройства помогут предотвратить повреждение транзистора при возникновении кратковременных токовых импульсов или перенапряжений в схеме.

Кроме того, важно учитывать тепловые условия эксплуатации транзистора IRF1404. Он обладает низким значением термического сопротивления и отличной тепловой стабильностью

Тем не менее, для обеспечения надежной работы транзистора важно обеспечить достаточное охлаждение, используя радиаторы или системы активного охлаждения.

Общая прочность транзистора IRF1404 также зависит от его корпуса. Транзисторы этой серии обычно поставляются в TO-220AB корпусе, который обеспечивает надежное механическое крепление и эффективное отвод тепла. При монтаже транзистора на печатную плату рекомендуется использовать правильные методы и техники монтажа, чтобы избежать неправильной установки или повреждения припоя.

В целом, транзистор IRF1404 отличается высокой защитой и прочностью, что делает его надежным и долговечным компонентом для использования в различных электронных устройствах и системах.

Характеристики транзистора IRF1404	Значение
Максимальное напряжение стока-истока (V_DS)	40 В
Максимальный ток стока-истока (I_D)	162 А
Напряжение порога затвора-истока (V_GS(th))	2-4 В
Сопротивление открытого канала (R_DS(on))	1.8-2.6 мОм
Максимальная рабочая температура	175°C
Тип корпуса	TO-220AB

Проверка транзистора IRF1404: основные инструкции и советы

1. Измерение сопротивления между пинами

Для начала, убедитесь, что транзистор выключен и не подключен к цепи. Используйте мультиметр в режиме измерения сопротивления и прикрепите его к пинам транзистора. Установите мультиметр в ячейку измерения сопротивления в диапазоне, соответствующем ожидаемым значениям. На основе даташита транзистора IRF1404, обратитесь к таблице и оцените, соответствуют ли измеренные значения диапазону для каждой пары пинов.

2. Проверка короткого замыкания

Хорошая практика при проверке транзистора — это убедиться, что нет короткого замыкания между какими-либо парами пинов. Опять же, убедитесь, что транзистор отключен и не подключен к цепи. Используя мультиметр в режиме измерения сопротивления, прикрепите его к пинам транзистора. Если значение сопротивления практически равно нулю, это может указывать на короткое замыкание.

3. Проверка функциональности

Чтобы убедиться, что транзистор работает должным образом, можно использовать мультиметр в режиме измерения напряжения. Подключите транзистор к цепи и прикрепите мультиметр к пинам транзистора, измеряя напряжение на каждой паре. Сравните полученные значения с ожидаемыми значениями, указанными в даташите. Если значения близки или сопадают, это говорит о том, что транзистор работает должным образом.

Примечание:

При проведении проверки транзистора IRF1404 всегда следуйте инструкциям, указанным в даташите. Если у вас возникли сомнения или вопросы, лучше обратиться за помощью к опытному специалисту или электронному инженеру.

Мощность и температурный диапазон транзистора IRF1404

Мощность

Транзистор IRF1404 отличается высокой мощностью. Его номинальная мощность составляет 200 Вт. Это обеспечивает передачу больших объемов энергии, что позволяет использовать транзистор в различных мощных электронных устройствах.

Температурный диапазон

IRF1404 способен работать в широком температурном диапазоне. Его рабочая температура составляет от -55°C до +175°C. Такой широкий диапазон позволяет использовать транзистор даже в экстремальных условиях, где температура может быть очень низкой или высокой.

Транзистор IRF1404 представляет собой мощный и надежный компонент, обладающий высокой мощностью и приспособленный для работы в широком температурном диапазоне. Это делает его идеальным выбором для использования в различных электронных устройствах, включая системы управления мощностью, инверторы, импульсные источники питания и другие промышленные и автомобильные приложения.

Транзистор IRF1404: основные характеристики

Вот основные характеристики транзистора IRF1404:

1. Максимальное напряжение стока-истока (Vds): IRF1404 способен выдержать напряжение до 40 вольт. Это обеспечивает стабильную работу транзистора при подключении к высоким напряжениям.

2. Максимальный ток стока (Id): Ток стока IRF1404 может достигать 162 ампер, что позволяет использовать его для управления большими электрическими нагрузками.

3. Омовое сопротивление (Rds(on)): Этот параметр определяет, насколько эффективно транзистор IRF1404 проводит ток при полностью открытом состоянии. Для данного транзистора Rds(on) составляет всего 5 миллиомов, что обеспечивает низкое потребление энергии и малую потерю напряжения.

4. Мощность (Pd): IRF1404 может выдерживать мощность до 280 ватт. Это позволяет использовать его в высокоэнергетических системах и устройствах.

5. Корпус: IRF1404 доступен в корпусе TO-220AB, который обеспечивает надежное соединение с платой и улучшенное теплоотвод.

Транзистор IRF1404 является незаменимым элементом в различных схемах электроники, таких как источники питания, усилители, регуляторы напряжения и постоянного тока, а также в других приложениях, где требуется управление большими токами при высоких напряжениях.

Применение транзистора IRF1404 в автопромышленности

Основное применение транзистора IRF1404 связано с управлением электронными системами автомобиля. Он широко используется для управления двигателями, электронными тормозами, системами освещения и другими важными компонентами.

Благодаря высокой коммутационной способности и низкому сопротивлению, транзистор IRF1404 обеспечивает стабильное и эффективное управление электрическими системами в автомобиле. С его помощью можно регулировать электрический ток и напряжение, что позволяет оптимизировать работу систем автомобиля.

Также транзистор IRF1404 может использоваться в системах гибридных и электрических автомобилей, где требуется высокая мощность и надежность. Он может быть задействован в системах управления батареями, контроллерах электромоторов и других компонентах, обеспечивая эффективную конверсию энергии и управление электролитическими процессами.

Таким образом, транзистор IRF1404 является востребованным компонентом в автомобильной промышленности благодаря своим высоким характеристикам и возможностям управления различными электрическими системами автомобиля.

Напряжение и ток транзистора IRF1404

Максимальное напряжение смещения транзистора IRF1404 составляет 40 вольт, а максимальный ток смещения — 202 ампера. При таких параметрах транзистор может обеспечивать эффективную работу даже в условиях высоких нагрузок.

Также стоит отметить, что транзистор IRF1404 обладает низким сопротивлением в открытом состоянии, что позволяет ему работать с высокой эффективностью и минимальным нагревом. Это делает его особенно полезным в приложениях с высокими токами и требованиями к надежности.

В целом, транзистор IRF1404 является мощным и надежным силовым элементом, который можно использовать в различных сферах, включая промышленность, энергетику и электронику. Его высокие показатели напряжения и тока позволяют ему эффективно выполнять свои функции в самых требовательных условиях.

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

IRF1404Z MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF1404Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 100
nC

Время нарастания (tr): 110
ns

Выходная емкость (Cd): 1030
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0037
Ohm

Тип корпуса:

IRF1404Z
Datasheet (PDF)

..1. Size:181K international rectifier irf1404z.pdf

PD — 11371AUTOMOTIVE MOSFETIRF1404ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 3.7m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

..2. Size:298K international rectifier irf1404zlpbf irf1404zpbf irf1404zspbf.pdf

PD — 96040CIRF1404ZPbFIRF1404ZSPbFIRF1404ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperature V(BR)DSS 40VDl Fast SwitchingRDS(on) typ. 2.7ml Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 3.7ml Lead-FreeGID (Silicon Limited) 180A DescriptionID (Package Limited) 120A SThis HEXFET P

..3. Size:302K infineon irf1404zpbf irf1404zspbf irf1404zlpbf.pdf

..4. Size:2504K kexin irf1404z.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETIRF1404Z (KRF1404Z)TO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 40V ID = 75 A (VGS = 10V) RDS(ON) 3.7m (VGS = 10V) Fast Switching1.27 0.10 1.52 0.10 Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax21 30.80 0.10 +0.100.50 0.05 2.40 0.202.54TYP 2.54T

..5. Size:245K inchange semiconductor irf1404z.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF1404ZIIRF1404ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.7mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

0.1. Size:362K international rectifier auirf1404zstrl.pdf

PD — 97460AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1404ZAUIRF1404ZSAUIRF1404ZLFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceDV(BR)DSS 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.3.7m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited) Lead-Free, RoHS Compliant 180A Automotive Qualified *SID (Package Limited)160A

0.2. Size:286K international rectifier irf1404zgpbf.pdf

PD — 96236AIRF1404ZGPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 40Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeRDS(on) = 3.7ml Halogen-Free GDescription ID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely low

0.3. Size:383K infineon auirf1404z auirf1404zs auirf1404zl.pdf

AUIRF1404Z AUIRF1404ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1404ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 3.7m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 180A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 160A Lead-Free, RoHS Compliant Auto

0.4. Size:258K inchange semiconductor irf1404zs.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1404ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

Другие MOSFET… IRF1104L
, IRF1104S
, IRF1324
, IRF1324L
, IRF1324S
, IRF1324S-7P
, IRF1404L
, IRF1404S
, IRF3710
, IRF1404ZG
, IRF1404ZL
, IRF1404ZS
, IRF1405
, IRF1405L
, IRF1405S
, IRF1405Z
, IRF1405ZL
.

Транзистор IRF1404: Характеристики, цоколевка и аналоги

В данной статье разберём технические характеристики IRF1404 – это силовые МОП транзисторы седьмого поколения от International Rectifier. При их производстве используются передовые технологии, благодаря которым удалось добиться чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. Благодаря этим преимуществам, в сочетании с высокой скоростью переключения, позволило создать эффективное и надёжное устройство, которое можно использовать в самых различных конструкциях. Чаще всего его устанавливают в регуляторах, системах управления и регулирования электроприводах, звуковых и высокочастотных генераторах и других изделиях.

Цоколевка

Для упаковки IRF1404 используется корпус ТО-220, который считается лучшим для транзисторов с мощностью около 50 Вт, так как он обладает невысоким термосопротивлением и стоимостью. Чтобы определить назначение выводов нужно расположить транзистор так, чтобы вы смотрели прямо на маркировку, а ножки смотрели вниз.

Технические характеристики

Знакомство с техническими параметрами начнём, как и большинство производителей, с максимально допустимых. Их превышение может привести к перегреву и поломке транзистора. Измерялись они при стандартной т-ре +25°С. Для IRF1404 они равны:

разность потенциалов C-И V_D_S_S = 40 В;
разность потенциалов З-И V_GS = 20 В;
ток стока (разность потенциалов З-И 10 В) I_D = 162 А;
ток стока, действующий кратковременно I_DM = 650 А;
мощность P_D = 200 Вт;
термическое сопротивление между кристаллом и корпусом R_{th j-c} = 0,75 °С/Вт;
термическое сопротивление кристалл – окружающая среда R_{th j-а} = 62 °С/Вт;
Максимальная т-ра +300°С;
Рабочая т-ра (диапазон) -55°С … +175°С.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров. Они также важны, ведь от них зависят возможности IRF1404 и сфера его применения. Они измеряются при стандартной температуре +25°С. Остальные характеристики, при которых производилось тестирование приведены в отдельном столбце «Условия измерения».

Электрические характеристики IRF1404 (при Т = +25ОC)
Параметры	Условия измерения	Обозн.	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм
Статические
Нпряжение пробоя С-И	V_GS = 0 В, I_D = 250 мкА	V₍_BR₎_D_S_S	40			В
К-т, показывающий зависимость напр. пробоя от температуры	I_D=1,0 мА	ΔV₍_BR₎_D_S_S /T_J		0,036		В/ОС
Сопротивление С-И в открытом состоянии	V_GS = 10 В, I_D = 95 A	R_DS(on)		0,0035	0,004	Ом
Пороговая разность потенциалов З-И	V_DS = 10 В_, I_D = 250 мкА	V_GS(th)	2		4	В
Крутизна	V_DS = 25 В, I_D = 60 A	g_fs	106
Ток утечки когда напряжение на затворе равно 0	V_DS = 40 В, V_GS = 0 В	I DSS			20	мкА
V_DS = 32 В, V_GS = 0 В, T_J = 150ОC			250
Утечка З-И	V_GS = 20 В	I_GSS			200	нА
V_GS = -20 В			-200
Заряд затвора	V_GS = 10 В, I_D = 8 А, V_DS = 400 В	Q_g		160	200	нКл
Заряд З-И	Q_gs		35
Заряд З-С	Q_gd		42	60
Время открытия	V_DD = 20 В, I_D = 95 А, R_G = 2,5 Ом, R_D=0,21 Ом	t_d(on)		17		нс

Время нарастания

t_r

140

Время закрытия

t_d(off)

Время спада

t_f

Индуктивность стока

L_D

4,5

нГн

Индуктивность истока

L_S

7,5

Входная ёмкость тр-а

V_GS = 0 В, V_DS = 25 В,

f = 1,0 МГц

C_iss

7360

пФ

Выходная ёмкость тр-а

C_oss

1680

Обратная передаточная ёмкость

C_rss

240

Длительный ток И-С

162

Импульсный ток через канал

I_SM

650

Падение разности потенциалов на диоде

T_J = 25ОC, I_S = 95 A,

V_GS = 0 В

V_SD

1,3

Время обратного восстановления

T_J= 25ОC, I_F = 95 A,

dI/dt = 100 A/мкс

t_rr

110

нс

Заряд обратного восстановления

Q_rr

180

270

нКл

Аналоги

Наиболее полным аналогом IRF1404 является STP200NF04.

FDP7045L;
STP120NF04;
STP200NF04;
STB100NF04T4;
STB100NF04T4.

В любом случае перед принятием решения нужно изучить технические характеристики обеих устройств.

Производители и Datasheet

Среди производителей назовём следующие фирмы:

Kersemi Electronic;
Inchange Semiconductor Company Limited.

В отечественных магазинах чаще всего можно встретить IRF1404 изготовленные компанией:

International Rectifier.

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

IRF1404Z Datasheet (PDF)

..1. Size:181K international rectifier irf1404z.pdf

..2. Size:298K international rectifier irf1404zlpbf irf1404zpbf irf1404zspbf.pdf

..3. Size:302K infineon irf1404zpbf irf1404zspbf irf1404zlpbf.pdf

..4. Size:2504K kexin irf1404z.pdf

..5. Size:245K inchange semiconductor irf1404z.pdf

0.1. Size:362K international rectifier auirf1404zstrl.pdf

0.2. Size:286K international rectifier irf1404zgpbf.pdf

0.3. Size:383K infineon auirf1404z auirf1404zs auirf1404zl.pdf

0.4. Size:258K inchange semiconductor irf1404zs.pdf

IRF1404Z Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number	IRF1404Z
Description	Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers	International Rectifier
Logo
There is a preview and IRF1404Z download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 12 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

PD — 94634B
Features

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Description

This HEXFETPower MOSFET utilizes the latest

processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. Additional features
of this design are a 175°C junction operating
temperature, fast switching speed and improved
repetitive avalanche rating.These features
combine to make this design an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Absolute Maximum Ratings
G
TO-220AB
IRF1404Z
Parameter

ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V

ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)

IDM Pulsed Drain Current

PD @TC = 25°C Power Dissipation

Linear Derating Factor

VGS Gate-to-Source Voltage

dEAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy

hEAS (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

ÃIAR Avalanche Current

gEAR Repetitive Avalanche Energy

TJ Operating Junction and

TSTG

Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds

iMounting Torque, 6-32 or M3 screw

Thermal Resistance
Parameter

RθJC

RθCS

RθJA

Junction-to-Case

iCase-to-Sink, Flat Greased Surface

iJunction-to-Ambient

jJunction-to-Ambient (PCB Mount)

www.irf.com
IRF1404Z
IRF1404ZS
IRF1404ZL

HEXFETPower MOSFET

VDSS = 40V

RDS(on) = 3.7mΩ

S ID = 75A

D2Pak

IRF1404ZS
TO-262
IRF1404ZL
Max.
190
130
75
750
220
1.5
± 20
320
480
See Fig.12a, 12b, 15, 16
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )

y y10 lbf in (1.1N m)

Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
°C
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.65
–––
62
40
Units
°C/W
1
10/12/11
http://www.Datasheet4U.com

IRF1404ZS_L
200
LIMITED BY PACKAGE
160
120
80
40

25
50 75 100 125 150
TC , Case Temperature (°C)
175

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature
2.0
ID = 75A
VGS = 10V
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)

Fig 10. Normalized On-Resistance

Vs. Temperature
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02

0.01 0.01

0.001
1E-006
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
1E-005
0.0001
0.001
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.01 0.1

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com
5
http://www.Datasheet4U.com

Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRF1404Z electronic component.

Information	Total 12 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Characteristics curves of IRF1404z MOSFET

output characteristics curves of IRF1404z MOSFET

The figure shows the output characteristics curves of IRF1404z MOSFET, the graph is plotted with the drain to source current vs drain to source voltage.

The curve is plotted at a constant gate to source voltage values, the drain to source current increases and touches a limit then the voltage value increases.

safe operating area of IRF1404z MOSFET

The figure shows the safe operating area of IRF1404z MOSFET, we can see two of the areas of safe operation which are on the drain to source on-resistance and drain to source current and drain to source voltage.

transfer characteristics of IRF1404z MOSFET

The figure shows the transfer characteristics of IRF1404z MOSFET, the graph is plotted with the drain to source current vs gate to source voltage.

IRF1404z vs IRF2204 vs IRFB7437

In this table, we listed the comparison of IRF1404z vs IRF2204 vs IRFB7437, we try to list the electrical specs of each of the MOSFETs.

Characteristics	IRF1404z	IRF2204	IRFB7437
Drain to source breakdown voltage (VBR (DSS))	40V	40V	40V
Gate to source voltage (Vgs)	20V	20V	20V
Gate threshold voltage (Vg(th))	2 to 4V	5V	3.9V
Drain current (Id)	180A	210A	250A
Total gate charge (Qg)	150nC	130nC	225nC
Power dissipation (PD)	200W	330W	230W
Junction temperature (TJ)	150°C	150°C	150°C
Drain to source on-state resistance (RDS)	3.7Mohm	3.6Mohm	2Mohm
Rise time (tr)	100ns	140ns	70ns
Package	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB

Each of the MOSFET devices have almost the same electrical specs, each MOSFET had its strengths and weakness.

Выбор инструментов для проверки транзистора IRF1404

Для проверки транзистора IRF1404 рекомендуется использовать следующие инструменты:

Мультиметр: Мультиметр позволяет измерить основные параметры транзистора, такие как напряжение, ток и сопротивление. При проверке IRF1404 можно измерить напряжение на затворе, сопротивление между затвором и истоком, а также ток слива.

Осциллограф: Осциллограф позволяет визуально отобразить сигналы на затворе и сливе транзистора. Использование осциллографа позволяет детально изучить форму сигналов, амплитуду, частоту и фазу.

Экспериментальная плата и источник питания: Плата и источник питания позволяют создать экспериментальную схему для проверки транзистора. С помощью платы можно подключить транзистор и провести различные тесты, например, проверить работу транзистора в режиме ключевого выключателя.

Схема для тестирования транзистора: Разработка или использование готовой схемы для тестирования транзистора позволяет провести более сложные тесты и измерения. Например, можно проверить параметры переходных процессов и длительность выходного импульса.

Важно отметить, что при выборе инструментов для проверки транзистора IRF1404 необходимо учитывать его технические характеристики и требования к проверке, указанные в документации производителя

Преимущества полевых транзисторов

Защита и прочность транзистора IRF1404

Проверка транзистора IRF1404: основные инструкции и советы

Мощность и температурный диапазон транзистора IRF1404

Транзистор IRF1404: основные характеристики

Применение транзистора IRF1404 в автопромышленности

Напряжение и ток транзистора IRF1404

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Режим активной работы irfz44n

Режим насыщения irfz44n

IRF1404Z MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF1404Z Datasheet (PDF)

Транзистор IRF1404: Характеристики, цоколевка и аналоги

Цоколевка

Технические характеристики

Аналоги

Производители и Datasheet

Маркировка irfz44n

IRF1404Z Datasheet (PDF)

IRF1404Z Datasheet PDF — International Rectifier

Electronic Components Distributor

Characteristics curves of IRF1404z MOSFET

IRF1404z vs IRF2204 vs IRFB7437

Выбор инструментов для проверки транзистора IRF1404

Похожие записи:

Похожие записи:

IRF1404Z
Datasheet (PDF)