Irf3205 схема включения в качестве реле

Выбор замены для транзистора Irf3205

Если вам нужно заменить транзистор Irf3205, вам необходимо учитывать несколько ключевых характеристик этого компонента, чтобы выбрать подходящую замену:

• Тип транзистора: Irf3205 является N-канальным MOSFET транзистором, поэтому его замена также должна быть N-канальным MOSFET транзистором.
• Максимальное напряжение стока-истока и сток-исток: Убедитесь, что заменяемый транзистор имеет достаточное максимальное напряжение стока-истока и сток-исток для требуемых приложений.
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Rds(on) представляет собой сопротивление открытого канала, которое влияет на потери мощности и эффективность транзистора. Выберите замену с аналогичным или более низким значением Rds(on) для достижения максимальной эффективности.
• Максимальная токовая нагрузка (Id): Убедитесь, что заменяемый транзистор имеет достаточную максимальную токовую нагрузку для требуемых приложений.
• Пакет: Irf3205 имеет TO-220AB пакет, поэтому выберите замену с аналогичным пакетом для удобства монтажа.

При выборе замены для транзистора Irf3205, обратитесь к даташиту для обеспечения соответствия характеристик и спецификаций нового компонента вашим требованиям

Важно также обратить внимание на надежность и репутацию производителя, чтобы быть уверенным в качестве замены

Безопасная эксплуатация IRF3205

У всех МОСФЕТ транзисторов одинаковые причины для поломки.

Первое, о чем стоит помнить, так это о характеристиках конкретного экземпляра. Не вздумайте использовать его на недопустимых пределах. А при использовании на больших мощностях всегда нужно иметь под рукой дополнительное охлаждения в виде радиатора и, при необходимости, кулера.

Вторая по распространенности проблема — короткое замыкание между стоком и истоком. При такой ситуации кристалл внутри транзистора может легко расплавиться, что приведет устройство в негодность.

Последнее, о чем стоит помнить, это напряжение на затворе. В случае с этим МОП-транзистором, слой диэлектрика способен разрушиться при превышении 25 Вольт на затворе.

Чтобы выбрать подходящий для любого проекта транзистор, нужно опираться на его запас по мощности. Желательно, чтобы этот запас составлял около 30%: этого должно хватить и на нестабильность питания, и на возможную неисправность других компонентов.

Основные графические характеристики

Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.

Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.

Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.

Рис 4. Зависимость сопротивления, при открытом канале, от температуры.

Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.

Рис 6. Зависимость падения напряжения от тока стока и температуры.

Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии, в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.

Рис 8. Зависимость значения заряда затвора от напряжения на затвор-исток.

Рис 9. Зависимость значение тока на истоке от температуры транзистора.

Стоит отметить, что на предельной температуре есть высокая вероятность выхода из строя транзистора.

Электрические параметры

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение сток-исток	V(BR)DSS	55 В
Температурный коэффициент напряжения пробоя	∆V(BR)DSS/∆TJ	0.057 В/°C
Сопротивление между стоком и истоком при открытом канале	RDS(on)	8 mΩ
Минимальное напряжение необходимое для включения транзистора	VGS(th)	От 2 до 4 В
Крутизна передаточной характеристики – отношение ∆I стока к ∆U на затворе	gfs	44 А/В
Ток утечки стока	IDSS	25..250 мкА
Ток утечки затвора	IGSS	-100..100 нА
Заряд для затвора необходимый для открытия транзистора	Qg	146 нКл
Заряд емкости затвор-исток	Qgs	35 нКл
Емкость Миллера	Qgd	53 нКл
Время необходимое для открытия транзистора	td(on)	14 нс
Время нарастания импульса для открытия (передний фронт)	tr	101 нс
Время необходимое для закрытия транзистора	td(off)	50 нс
Время спада импульса при закрытии транзистора (задний фронт)	tf	65 нс
Значение индуктивности стока	LD	4.5 нГн
Значение индуктивности истока	LS	7.5 нГн
Входная емкость	Ciss	3247 пФ
Выходная емкость	Coss	781 пФ
Емкость затвор-сток	Crss	211 пФ
Максимальная энергия одного импульса на стоке	EAS	1050 мДж

Альтернативные модели Irf3205

В случае, если у вас нет возможности использовать транзистор Irf3205, есть ряд альтернативных моделей, которые могут быть использованы вместо него. Ниже приведен список некоторых заменительных транзисторов:

• IRFZ44: Это N-канальный MOSFET транзистор, который имеет аналогичные технические характеристики и может быть использован в тех же приложениях.
• IRF1404: Этот N-канальный MOSFET транзистор обладает высоким током стока и низким сопротивлением, что делает его хорошим заменителем для Irf3205.
• IRFB4110: Это еще один N-канальный MOSFET транзистор с высоким током стока и низким сопротивлением, который может быть использован вместо Irf3205.
• IRLZ44N: Этот MOSFET транзистор также является заменителем для Irf3205 и имеет схожие технические характеристики.
• IRFP260N: Этот N-канальный MOSFET транзистор обладает высоким током стока, низким сопротивлением и может быть использован в тех же приложениях.

Если у вас возникла необходимость заменить Irf3205, приведенные выше модели могут быть хорошими вариантами замены. Однако рекомендуется внимательно изучить технические характеристики каждого транзистора и выбрать модель, наиболее подходящую для вашего конкретного проекта.

Модификации транзистора

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRF3205	150 W	55 V	10 V		150 °C		98 A	146 nC	0.008 Ohm	TO220AB
AUIRF3205	150 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		98 A	146 nC	0.008 Ohm	TO220AB
AUIRF3205Z	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	TO220AB
AUIRF3205ZS	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	D2PAK
AUIRF3205ZSTRL	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	550 pf	75 A	76 nC	0.0065 Ohm	D2PAK
IRF3205A	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	780 pf	110 A	146 nC	0.01 Ohm	TO220AB
IRF3205H	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	780 pf	110 A	146 nC	0.01 Ohm	TO263
IRF3205L	200 W	55 V	10 V	4 V	150 °C		110 A	97.3 nC	0.008 Ohm	TO262
IRF3205LPBF	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	781 pf	110 A	146 nC	0.008 Ohm	TO262
IRF3205PBF	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	781 pf	110 A	146 nC	0.008 Ohm	TO220AB
IRF3205S	200 W	55 V	10 V		150 °C		110 A	97.3 nC	0.008 Ohm	D2PAK
IRF3205SPBF	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	781 pf	110 A	146 nC	0.008 Ohm	TO263
IRF3205STRLPBF	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	781 pf	110 A	146 nC	0.008 Ohm	TO263
IRF3205Z	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	TO220AB
IRF3205ZL	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	TO262
IRF3205ZLPBF	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	550 pf	75 A	110 nC	0.0065 Ohm	TO262
IRF3205ZPBF	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	550 pf	75 A	110 nC	0.0065 Ohm	TO220AB
IRF3205ZS	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	D2PAK
IRF3205ZSPBF	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	550 pf	75 A	110 nC	0.0065 Ohm	TO263

Примечание: данные в таблице взяты из даташит компаний-производителей.

IRF3205 аналоги

Сам по себе транзистор IRF3205 (судя по даташитам) выпускался с 2001 и заслужил справедливую популярность и вот в 2011 выпустили обновленную версию с индексом «Z». Причем новая серия содержит три типа в разных корпусах:

• IRF3205Z — TO-220AB
• IRF3205ZS — D2Pak (поверхностный монтаж)
• IRF3205ZL — TO-262 (для пайки стока к охладителю)

IRF3205Z обладает пониженным сопротивленим канала в открытом состоянии Rси вкл. = 6,5 мОм (0,0065 Ом), улучшенными временными характеристиками.

IRF3205 и IRF3205Z можно купить на ибее, первые от 3 долларов за десяток, вторые от 6,5 долларов. Разница в цене больше чем в два раза. Покупайте электронные компоненты из Китая только у проверенных продавцов и проверяйте их перед использованием.

• https://shematok.ru/transistor/irf3205
• http://www.joyta.ru/10369-tranzistor-irf3205-parametry-cokolevka-analog-datasheet/
• http://hardelectronics.ru/tranzistor-irf3205-parametry.html

Камрад, рассмотри датагорские рекомендации

Полезные и проверенные железяки, можно брать

Опробовано в лаборатории редакции или читателями.

Соответственно, выходов тут несколько:1) Отказаться от этой бредовой идеи (зачастую самый простой и правильный выбор)2) Поставить еще пару аккумуляторов и генераторов… (без комментариев =))3) Собрать сверхмощный усилитель на TDA1562Q и ей подобных (настоящие 80Вт мощности на 4Ома, в кратковременном пике при напряжении питания 14.4В)4) Приспособить бесперебойник от компа (или т.н. инвертор) и усилитель с питанием 220В (по этому пункту я вообще промолчу)5) Ну и для самых садомазохистически настроенных – собрать импульсный преобразователь напряжения (далее просто ИП) своими руками.

Все эти решения встречал в реальности (от вида большинства из них долго валялся в конвульсиях прямо рядом с этими «чудесами техники»).И если вы выбрали вариант, отличный от последнего – читать дальше вам не стоит.Ну, а если вы всё же считаете себя садомазахистом – читайте повнимательнее и это поможет вам сэкономить кучу нервов!

После огромного количества бессонных ночей, проведенных в поисках по интернету, подобрал оптимальную элементную базу:Силовые ключи – MOSFET транзисторы IRF3205 — 100А, 55В, цена

35р.ШИМ контроллер – SG2525/SG3525 – питание 8-35В, частота 100Гц – 500кГц, софтстарт, регулировка «мертвого» интервала и многое другое, при цене

В теорию вдаваться не буду, если заинтересует – опишу в отдельной статье, поэтому сразу перейду к схемам.

Транзисторы схожей функциональностью

• IRF3704: Удобный заменитель для IRF3205, обладающий подобными характеристиками и работающий в аналогичных условиях.
• IRF1010: Заменитель с высоким противодавлением и поддержкой высоких токов, который может быть использован вместо IRF3205.
• IRFZ44N: Еще один мощный полевой транзистор, который может быть альтернативой для IRF3205 во многих приложениях.

Это лишь несколько примеров транзисторов, которые могут быть использованы вместо IRF3205, и их выбор может зависеть от конкретных требований и условий эксплуатации

Важно проверить технические характеристики и сравнить их с требованиями вашей схемы или проекта перед выбором альтернативного транзистора

Основные параметры

Для определения возможности использования транзистора irf 3205 в своем проекте необходимо изучить его технические характеристики. Они указываются в техническом описании (даташит) от производителя. Основные параметры изготовители представляют в двух таблицах, с наименование: абсолютные максимальные рейтинги и электрические характеристики.

Абсолютные максимальные рейтинги

Абсолютные максимальные рейтинги определяют предельные значения напряжений, тока, рассеиваемой мощности и рабочей температуры, которые способен выдержать полупроводниковый прибор в различных условиях эксплуатации. Надо знать, что эти величины устройство способно выдержать, но это не значит, что возможна его эксплуатация при таких значениях. Использование устройства на максимальных параметрах однозначно приведет к выходу его из строя. У irf3205 следующие максимальные параметры:

Необходимо внимательней отнестись к этим значениям. Иногда производители хитрят и указывают не применимые на практике величины. Так, максимальный заявленный ток стока (I_D) у irf3205, указанный в первой строке таблицы, равен 110 A. Однако можно сказать, что это значение не более чем рекламный ход изготовителя, способствующий возможным продажам. Кристалл рассматриваемого прибора действительно может выдержать такой I_D, но не корпус ТО-220 в который он заключен, ограниченный током 75 А. Об этих ограничениях в применении производитель указывает только в конце таблицы.

Электрические характеристики

В таблица электрических характеристик все параметры проверены производителем с учетом условий измерений, указных в столбце с соответствующим названием. Они проверяются при температуре окружающей среды менее 25 градусов. У данного устройства они следующие при T_J = 25 °C:

Тепловые параметры

Рассмотрим тепловые параметры irf3205. Они представлены в виде тепловых сопротивлений корпус-кристалл (R_θJC=0.75°C /Вт)и кристалл-окружающая среда (R_θJA=62°C /Вт)_.  Для большинства современных полевых МОП-транзисторов R_θJA определяется в первую очередь размещением элементов на печатной плате, а не самим полевым МОП-транзистором. Поэтому R_θJA имеет меньшее значение для оценки тепловых характеристик, чем R_θJC.

Маркировка

Первые символы маркировки указывают на изготовителя — International Rectifier (IR). Однако, так как транзистор выпускается очень давно (примерно с 2000 г.), выпуск его копии наладили и другие компании. Обновленные, безсвинцовые версии, размещенные в другом корпусе, содержат в конце маркировки символ “Z”: irf3205z (TO-220AB), irf3205zs (D2Pak), irf3205zl (TO262). Встречающиеся иногда символы «PbF» в конце , так же указывают на наличие безсвинцовой технологии изготовления.

Замена и аналоги

Аналог irf3205 можно подобрать из: BUK7508-55 (Philips), BUZ111S (Infineon), HRF3205 (Fairchild), HUF75343P3 (Fairchild, Intersil), 2SK2985 (Toshiba), MTP75N05 (ON Semiconductor), 2SK2985 (Toshiba), STP80NE06 (STMicroelectronics), SUB75N06, IRFD120 (Vishay). Полным отечественным аналогом является КП783A.

Характеристики IRF3205

• Постоянный максимальный ток на коллектора при 10В и 25C — 110А
• Постоянный максимальный ток на коллекторе при 10В и 100C — 80А
• Максимальный ток при импульсном режиме — 390А
• Максимальное напряжение на канале сток-исток — 55В
• Напряжение для открытия — 2-4В
• Максимальное напряжение на затворе — ±20В
• Сопротивление канала сток-исток — 8 мОм
• Емкость затвора — ±3200 пФ
• Время открытия — ±14 нс
• Время закрытия — ±50 нс
• Максимальная мощность рассеивания — 200 Вт
• Диапазон рабочих температур — -55-175C
• Температура пайки (до 10 секунд) — 300C

Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер — это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.

Если Вам необходимы полные характеристики и графики зависимости, то найти Вы их сможете в официальном datasheet.

Принцип работы

Назначение выводов сток и исток у мосфетов аналогичны контактам коллектора и эмиттера биполярного транзистора. Эти выводы делаются из материала n-типа, а корпус устройства и подложка из материала p-типа. Добавление диоксида кремния SiO₂ на подложку образует тонкий слой диэлектрика, который отделяет клемму затвора от всего корпуса.

Получается однополярное устройство, в котором проводимость осуществляется движением электронов. Область между стоком и истоком образуют свободную от носителей заряда зону. Ее насыщение электронами управляется путем подачи положительного напряжения на клемму затвора.

Оно изменяет распределение заряда в полупроводнике, поэтому дырки под слоем диэлектрика, под действием электрического поля двигаются вниз, а свободные электроны притягиваются к области вверх, образуя таким образом n-переход. По этому переходу в последующем и течет электрический ток, сила которого зависит от величины приложенного на затвор напряжения. Возможная схема включения irf3205 показан на рисунке ниже.

Так же, в зависимости от величины управляющего сигнала МОП-транзистор закрываться (низкая проводимость) или в открываться (высокая проводимость).

Устройство IRF3205

Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.

При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.

Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.

Правила безопасности

Основная причина отказа у полевых транзисторов — КЗ между контактами стока-истока. В таком случае только внутреннее сопротивление источника напряжения сдерживает максимальный ток. Из за КЗ кристалл устройства плавится. А повышенное напряжение на затворе разрушает тонкий слой диэлектрика MOSFET. Таким образом, затвор irf3205 разрушится если напряжение на нем будет  превысит 25 вольт. Производители советуют выбирать транзистор с 30% запасом по ожидаемым параметрам, при этом должны быть соблюдены требования по подавлению различных скачков напряжения и тока.

Источники

• https://radiosvod.ru/tranzistor/irf3205
• https://www.chipdip.by/product/irf3205
• https://www.RusElectronic.com/irf3205/
• https://shematok.ru/transistor/irf3205
• https://mirshem.ru/irf3205/
• https://eandc.ru/catalog/detail.php?ID=3411
• http://HardElectronics.ru/tranzistor-irf3205-parametry.html

Как вам статья?

Павел

Бакалавр «210400 Радиотехника» – ТУСУР. Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Написать

Пишите свои рекомендации и задавайте вопросы

Как проверить IRF3205

Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.

Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).

Проверка диода

На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока

Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.

Проверка работы транзистора

Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.

Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.

В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.

После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.

Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.

Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

Характеристика	Обозначение	Величина
Постоянный ток на стоке	ID	110 А
Импульсный ток на стоке	IDM	390 А
Мощность рассеивания	PD	200 Вт
Коэффициент линейного снижения мощности	—	1.3 Вт/°C
Напряжение насыщения затвор-исток	VGS	± 20 В
Максимальный прерываемый ток	IAR	62 А
Максимальная энергия повторяющихся импульсов на стоке	EAR	20 мДж
Предельная скорость нарастания напряжения на стоке	dv/dt	5 В/нс
Безопасный температурный диапазон	TJ	-55..+175 °C
Допустимая температура при пайке	—	300 °C
Максимальный момент затяжки при креплении элемента	—	1.1 Нм

Характеристики популярных аналогов

Наименование прибора: SSFM8005

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 376 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 96 nC
• Время нарастания (tr): 12.2 ns
• Выходная емкость (Cd): 670 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB

Наименование прибора: SQP120N06-06

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 175 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 119 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Время нарастания (tr): 14 ns
• Выходная емкость (Cd): 708 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
• Тип корпуса: TO-220AB

Наименование прибора: PSMN7R8-100PSE

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 294 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 128 nC
• Время нарастания (tr): 48 ns
• Выходная емкость (Cd): 450 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm
• Тип корпуса: TO-220AB

Наименование прибора: PSMN7R8-100PSE

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 294 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 128 nC
• Время нарастания (tr): 48 ns
• Выходная емкость (Cd): 450 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm
• Тип корпуса: TO-220AB

Наименование прибора: PSMN7R0-100PS

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 269 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
• Общий заряд затвора (Qg): 125 nC
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB

Наименование прибора: PSMN6R5-80PS

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
• Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 71 nC
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0069 Ohm
• Тип корпуса: TO220AB

Аналоги для транзистора Irf3205

IRFZ44: Этот транзистор также является мощным N-канальным MOSFET и имеет схожие параметры с Irf3205. Он может быть хорошей альтернативой в некоторых случаях.

IRF3205PbF: Это тот же самый транзистор, что и Irf3205, но он имеет свинцовое покрытие. Если вам необходимо соблюдать определенные требования по окружающей среде или соблюдать стандарты безопасности, этот аналог может быть более предпочтителен.

IRFB3077: Этот транзистор также является мощным N-канальным MOSFET и имеет схожие параметры с Irf3205. Он может быть использован как замена в некоторых схемах.

IRF1010E: Этот транзистор является мощным N-канальным MOSFET и имеет похожие параметры с Irf3205. Он может быть использован в качестве альтернативы в некоторых схемах.

FQP50N06: Этот транзистор также является мощным N-канальным MOSFET и имеет схожие параметры с Irf3205. В некоторых случаях он может быть заменой для Irf3205.

Помните, что при выборе аналога для транзистора Irf3205 необходимо обратить внимание на параметры и требования вашей схемы

Важно учитывать все возможные ограничения и не допускать превышения предельных значений

Основные характеристики транзистора Irf3205

Вот основные характеристики транзистора Irf3205:

• Максимальное напряжение стока-истока: 55 В
• Максимальный ток стока: 110 А
• Открытый канал: Да
• Стандартная конфигурация сток-исток-ворот: 1
• Максимальное значение сопротивления открытого канала: 8 мОм

Транзистор Irf3205 обладает высокой коммутационной способностью, что позволяет использовать его в различных приложениях, таких как: источники питания, инверторы переменного тока, системы управления двигателями и другие. Благодаря своим характеристикам он обеспечивает надежное и эффективное функционирование в силовых электронных схемах.

Применение IRF3205

Максимальное напряжение стока-истока в 55 В дает возможность использовать этот транзистор в схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, блоков питания, источниках бесперебойного питания и прочем. Также зачастую при создании высокочастотных инверторов.

Так как IRF3205 имеет малую паразитную емкость, а, соответственно, и время открытия/закрытия, в совокупности с очень маленьким сопротивлением, то он является универсальным вариантом для многих проектов, связанных с коммутацией небольшого напряжения.

Если же Вам не хватает токовых характеристик этого транзистора, Вы можете подключить несколько штук параллельно, что дает хорошую возможность использовать его для управления большой нагрузкой.

Производители

Далее можете скачать DataSheet транзистора IRF3205 от нескольких производителей. В России наиболее распространены: International Rectifier; Infineon Technologies. Однако, встречаются и других марок: First Silicon, Nell, Kersemi Electronic и др.

Технические параметры транзистора IRF3205 Габаритные и установочные размеры полевого транзистора IRF3205 для монтажа на печатных платах Ближайшие аналоги транзистора IRF3205: BUZ111S; HRF3205; HRF3205L; HUF75344P3; HUF75344S3S; STB80NF55L-08-1: STP80NF55-06; КП783А Максимальное напряжение сток-исток 55 В, позволяет IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от всех типов автомобильных аккумуляторов 12, 24 и 36 В, во многих источниках бесперебойного питания и т.п.

Схема предназначена для регулировки и поддержания стабильной частоты вращения низковольтного двигателя мощностью от единиц ватт до 1000 ватт при напряжении питания не более 20 Вольт.

От стандартной автомобильной батареи такая схема может питать устройство мощностью 100 ватт в течение 5-6 часов. В роли задающего генератора применяется специализированная микросхема КР1211ЕУ1. Она содержит тактовый генератор, частота следования которого задается постоянной времени цепи, подсоеденяемой к седьмому выводу микросборки. Выходные импульсы с генератора открывают по очереди полевые транзисторы VT4, VT5, которые генерируют в первичной обмотке трансформатора T1 переменный ток, на вторичной обмотки формируется выходное переменное напряжение близкое по форме к сетевому.

Производители

Все производители полевого транзистора IRF3205 и его DataSheet:

• Kersemi Electronic;
• Thinki Semiconductor;
• ARTSCHIP ELECTRONICS;
• Nell Semiconductor;
• First Silicon.

На Российском рынке можно приобрести изделия таких компаний:

• International Rectifier;
• Inchange Semiconductor.

Модификации транзистора

ТипPdUdsUgsUgs(th)TjCdIdQgRdsКорпус

IRF3205	150 W	55 V	10 V		150 °C		98 A	146 nC	0.008 Ohm	TO220AB
AUIRF3205	150 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		98 A	146 nC	0.008 Ohm	TO220AB
AUIRF3205Z	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	TO220AB
AUIRF3205ZS	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	D2PAK
AUIRF3205ZSTRL	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	550 pf	75 A	76 nC	0.0065 Ohm	D2PAK
IRF3205A	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	780 pf	110 A	146 nC	0.01 Ohm	TO220AB
IRF3205H	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	780 pf	110 A	146 nC	0.01 Ohm	TO263
IRF3205L	200 W	55 V	10 V	4 V	150 °C		110 A	97.3 nC	0.008 Ohm	TO262
IRF3205LPBF	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	781 pf	110 A	146 nC	0.008 Ohm	TO262
IRF3205PBF	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	781 pf	110 A	146 nC	0.008 Ohm	TO220AB
IRF3205S	200 W	55 V	10 V		150 °C		110 A	97.3 nC	0.008 Ohm	D2PAK
IRF3205SPBF	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	781 pf	110 A	146 nC	0.008 Ohm	TO263
IRF3205STRLPBF	200 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	781 pf	110 A	146 nC	0.008 Ohm	TO263
IRF3205Z	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	TO220AB
IRF3205ZL	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	TO262
IRF3205ZLPBF	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	550 pf	75 A	110 nC	0.0065 Ohm	TO262
IRF3205ZPBF	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	550 pf	75 A	110 nC	0.0065 Ohm	TO220AB
IRF3205ZS	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C		110 A	76 nC	0.0065 Ohm	D2PAK
IRF3205ZSPBF	170 W	55 V	20 V	4 V	175 °C	550 pf	75 A	110 nC	0.0065 Ohm	TO263

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов

Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов: • VDS — Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток. • VGS — Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока. • RDS(on) — Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор- исток. • ID — Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока. • Qg — Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. • Rjc — Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус. • Pd — Максимальная рассеиваемая мощность.

Аналоги

Сам по себе транзистор IRF3205 (судя по даташитам) выпускался с 2001 и заслужил справедливую популярность и вот в 2011 выпустили обновленную версию с индексом «Z». Причем новая серия содержит три типа в разных корпусах:

• IRF3205Z — TO-220AB
• IRF3205ZS — D2Pak (поверхностный монтаж)
• IRF3205ZL — TO-262 (для пайки стока к охладителю)

IRF3205Z обладает пониженным сопротивленим канала в открытом состоянии Rси вкл. = 6,5 мОм (0,0065 Ом), улучшенными временными характеристиками.

IRF3205 и IRF3205Z можно купить на ибее, первые от 3 долларов за десяток, вторые от 6,5 долларов. Разница в цене больше чем в два раза. Покупайте электронные компоненты из Китая только у проверенных продавцов и проверяйте их перед использованием.