Irfz34n pdf даташит

Рекомендации по использованию

При использовании транзистора IRFZ34N рекомендуется соблюдать некоторые основные правила.

1. Тепловой расчет:

Перед началом работы с транзистором необходимо выполнить тепловой расчет, чтобы убедиться, что он справится с необходимыми параметрами и не превысит свою максимальную температуру. В расчете учитываются мощность, рабочее напряжение и сопротивление нагрузки.

2. Применение радиатора:

Важно установить радиатор на транзистор для отвода избыточной тепловой энергии. Размер радиатора и выбор материала зависят от конкретных условий и требований проекта

Рекомендуется обратиться к документации на производство транзистора для определения требований к радиатору.

3. Защита от перегрузки:

Для предотвращения повреждения транзистора рекомендуется использовать защитные элементы, такие как предохранители, диоды и транзисторы-стабилизаторы напряжения. Эти элементы помогут избежать перегрузки и снизить риск повреждения транзистора.

4. Применение подходящей схемы:

При выборе схемы с использованием транзистора IRFZ34N необходимо учитывать его электрические характеристики и требования проекта. Рекомендуется обратиться к документации на производство транзистора для получения рекомендаций и подходящих схем применения.

5. Ограничение рабочего напряжения:

Важно соблюдать ограничение рабочего напряжения транзистора IRFZ34N. При превышении этого значения может произойти его повреждение или неработоспособность

Убедитесь, что рабочее напряжение не превышает указанный в документации предел.

Соблюдение указанных рекомендаций поможет обеспечить стабильное и безопасное функционирование транзистора IRFZ34N в вашем проекте.

Резюме и дополнительные рекомендации

В данной статье вы узнали, как проверить транзистор Irfz34n. Следуя пошаговой инструкции, вы сможете с легкостью определить, исправен ли данный транзистор или нет

Не забывайте следовать мерам предосторожности и обращаться за помощью к профессионалам, если у вас возникают сложности

Для удобства, мы предлагаем вам краткую резюме по проведению проверки транзистора Irfz34n:

1. Подготовьте необходимые инструменты: мультиметр, паяльную станцию (при необходимости).
2. Отсоедините транзистор от схемы.
3. Проверьте, нет ли проблем с самим транзистором, производя общие проверки.
4. Проверьте вязкость внутренних диодов транзистора.
5. Измерьте сопротивление канала дренаж-исток.
6. Проверьте сопротивление между вентилем и дренажом.
7. Проверьте сопротивление между вентилем и истоком.
8. Сравните полученные данные с рекомендациями производителя.

Следуя этим шагам, вы сможете определить, исправен ли транзистор Irfz34n или нет. Если вы не уверены в своих навыках или у вас возникли какие-либо сложности, рекомендуется обратиться за помощью к более опытным специалистам или посетить специализированный сервисный центр.

Помните, что правильная проверка транзистора перед использованием может значительно улучшить производительность и надежность вашей электронной схемы.

Характеристики

— Напряжение сток-исток (Vds): 55 В;

— Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В;

— Непрерывный ток стока (Id): 30 А;

— Напряжение затвор-порог (Vgs(th)): 2-4 В;

— Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.04 Ом;

— Мощность (Pd): 94 Вт;

— Температурный диапазон (Tj): -55 до +175 °C.

Эти характеристики делают транзистор IRFZ34N идеальным для использования в приложениях, требующих управления большими электрическими нагрузками и работающих при высоких напряжениях и токах. Он часто применяется в силовых источниках, инверторах, коммутационных схемах и других электронных устройствах, где важна эффективность и надежность работы.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

• Infineon Technologies (брэнд International Rectifier);
• Philips Semiconductors;
• INCHANGE Semiconductor;
• Leshan Radio Company.

Применение Irfz34n и Irfz44n

Они оба предназначены для работы с постоянным током до 30 Ампер и обеспечивают высокую производительность при работе с высоким напряжением в диапазоне до 55 Вольт.

Irfz34n и Irfz44n имеют похожие характеристики, и в большинстве случаев могут быть взаимозаменяемыми. Однако есть некоторые различия в их параметрах.

Irfz34n имеет сопротивление канала (Rds) в диапазоне 0,04 — 0,06 Ома, в то время как Irfz44n имеет более низкое сопротивление канала в диапазоне 0,022 — 0,029 Ома. Оба транзистора имеют сходные значения максимального напряжения стока (Vds) — 55 Вольт.

Важно учитывать эти различия при замене Irfz34n на Irfz44n и наоборот. Если требуется более низкое сопротивление канала, Irfz44n может быть более предпочтительным вариантом

Если же сопротивление канала не является критическим параметром, то Irfz34n и Irfz44n вполне могут быть взаимозаменяемыми.

В любом случае, перед заменой транзисторов в проекте, важно учесть все электрические и механические параметры, чтобы обеспечить надлежащую работу системы

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Технические характеристики транзистора IRFZ34N

• Максимальное напряжение стока до 55 В
• Максимальный ток стока 30 А
• Низкое сопротивление канала 0,044 Ом
• Время восстановления диода до 75 нс
• Максимальная температура перегрева до 175 °C
• Прочный пакет TO-220AB

Транзистор IRFZ34N обладает высокой эффективностью и надежностью в работе, что делает его идеальным для использования в схемах управления мощными нагрузками. Низкое сопротивление канала позволяет снизить потери мощности и улучшить энергетическую эффективность системы.

Также стоит отметить, что транзистор обеспечивает высокую скорость переключения и малые потери на коммутацию, что позволяет использовать его в приложениях, требующих быстрого реагирования и высокой производительности.

Характеристики транзистора IRFZ34N

1. Мощность: IRFZ34N обладает высокой мощностью, что позволяет использовать его в приложениях, требующих большой электрической мощности.

2. Сопротивление канала (Rds(on)): Это параметр, характеризующий сопротивление канала транзистора при его открытии. Для IRFZ34N это значение составляет около 0,055 Ом, что гарантирует низкое сопротивление и эффективную передачу электрического тока.

3. Напряжение пробоя (Vds): Напряжение, на котором происходит пробой между коллектором и эмиттером транзистора. Для IRFZ34N это значение составляет 55 В, что позволяет использовать транзистор в приложениях с высоким напряжением.

4. Ток стока (Id): Максимальное значение тока, который может протекать через транзистор в режиме работы в открытом состоянии. Для IRFZ34N этот параметр составляет около 30 А.

5. Коэффициент усиления (hFE): Это параметр, характеризующий усиление тока в транзисторе. Для IRFZ34N этот параметр равен примерно 30-40.

6. Потеря мощности: Эта характеристика показывает количество мощности, которое транзистор теряет в виде тепла. Для IRFZ34N это значение составляет около 75 Вт.

Транзистор IRFZ34N является надежным и эффективным устройством, которое широко используется в силовых электронных схемах, таких как источники питания, преобразователи постоянного тока и другие системы, где требуется высокая мощность и низкое сопротивление. С его помощью можно управлять большими токами и напряжениями, что делает его особенно полезным в индустриальных и энергетических приложениях.

IRFZ44N

мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). Хорошие характеристики IRFZ44N дают возможность использовать его для управления мощной нагрузкой, благодаря низкому сопротивления n-канала мощность рассеивания может доходить до 83Вт. Конечно обязательным элементом будет радиатор способный рассеивать данную мощность для предотвращения выхода из строя транзистора IRFZ44N. Файл документации доступен на русском языке.

Цоколевка транзистора IRFZ44N показана на рис. 1

Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус — TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 17.5 мОм Ток стока 41 А Заряд затвора 42.0 нКл Термосопротивление 1.8 К/Вт Рассеиваемая мощность 83 Вт

Видео работы контроллера бесколлекторного двигателя IRFZ44N:

В интернете часто вижу вопросы, чем отличается IRFZ44N от IRFZ44E, по сути идентичные полевые транзисторы отличающиеся лишь выходными характеристиками и то не значительно.

В своей практике использовал данные транзисторы для управления трехфазным бесколлекторным двигателем (BLDC), желательно совместно с данным транзистором использовать драйвер полевых транзисторов IR4427

Аналог транзистора IRFZ44E: iRF740

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRFZ44N идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 110 Вт. Безусловно, в этом случае необходимо использовать хороший теплоотвод (радиатор).

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Чтение и анализ результатов проверки

После проведения проверки транзистора Irfz34n, необходимо проанализировать полученные результаты, чтобы определить его состояние и работоспособность.

1. Внимательно изучите значения, полученные при проверке каждого вывода транзистора

Обратите внимание на следующие факторы:

• Напряжение открытия (Vbe): это значение должно быть в пределах нормы, указанной в технической документации на транзистор.
• Коэффициент усиления тока транзистора (hfe): это значение должно быть близким к номиналу транзистора. Если значение hfe слишком мало или слишком велико, это может указывать на неисправность транзистора.
• Сопротивление транзистора (Rce): это значение должно быть высоким, чтобы гарантировать нормальную работу транзистора.

2. Сравните полученные значения с номиналами, указанными в технической документации на транзистор. Если значения существенно отличаются от номиналов, это может указывать на неисправность транзистора.

3. Проанализируйте служебные параметры транзистора, такие как допустимая мощность и температура эксплуатации. Убедитесь, что полученные значения не превышают указанные в технической документации. Превышение данных значений может привести к повреждению транзистора.

4

Особое внимание уделите наличию повреждений внешнего корпуса транзистора или на его выводах. Любые физические повреждения могут указывать на неисправность транзистора

В случае обнаружения каких-либо отклонений от нормы или физических повреждений рекомендуется заменить транзистор Irfz34n на новый, исправный экземпляр.

Понимание транзистора Irfz34n

Этот транзистор обладает высоким значением напряжения затвор-исток (Vgs), что позволяет использовать его в схемах с высоким напряжением. Он также характеризуется низким внутренним сопротивлением (Rds(on)), что позволяет снизить потери мощности и увеличить эффективность работы схемы.

Для проверки транзистора Irfz34n на исправность необходимо использовать мультиметр в режиме проверки диодов. Подключите выводы мультиметра к выводам транзистора: положительный к истоку (S) и отрицательный к затвору (G). Если мультиметр показывает напряжение примерно 0,7 В, это означает, что диодный переход между этими выводами в целом исправен.

Затем измените полярность подключения выводов мультиметра: положительный к затвору (G) и отрицательный к истоку (S). Если мультиметр показывает напряжение примерно 0,7 В, это означает, что диодный переход между этими выводами также исправен.

Если результаты проверки диодных переходов соответствуют ожидаемым значениям, транзистор Irfz34n считается исправным. В противном случае, если мультиметр не показывает значений вблизи 0,7 В, это может указывать на неисправность транзистора.

Используя описанную выше пошаговую инструкцию, можно проверить транзистор Irfz34n и удостовериться в его исправности перед его использованием в электронной схеме.

Важные характеристики irfz34n на русском языке

• Напряжение стока-истока (VDS): максимальное допустимое напряжение между стоком и истоком, при котором транзистор может работать надежно. Для irfz34n это значение составляет 60 В.
• Напряжение затвор-исток (VGS): напряжение между затвором и истоком, которое определяет состояние транзистора. Для irfz34n это значение может быть от -20 В до +20 В.
• Сила тока стока (ID): максимальное допустимое значение постоянного тока, проходящего через сток источника. Для irfz34n это значение составляет 30 А.
• Сопротивление открытого стока (RDS(on)): это значение сопротивления транзистора при полностью открытом состоянии и при номинальном затворном напряжении. Для irfz34n это значение составляет 44 мОм.
• Мощность потерь (PD): максимально допустимая мощность, которую транзистор может потерять при работе. Для irfz34n это значение составляет 110 Вт.

Эти характеристики позволяют транзистору irfz34n обеспечить надежное и эффективное управление электрическими сигналами в мощных электронных схемах.

Характеристики транзистора irfz34n на русском языке

Транзистор irfz34n представляет собой N-канальный MOSFET, который часто используется в различных электронных устройствах и схемах

Он обладает рядом особенностей и параметров, которые важно знать при его использовании

Основные характеристики транзистора irfz34n:

• Тип: N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
• Максимальное напряжение стока (Vds): 55 В
• Максимальный ток стока (Id): 30 А
• Максимальная мощность (Pd): 94 Вт
• Максимальная температура стока (Tj): 175°C
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0,04 Ом
• Напряжение управления (Vgs): ±20 В
• Тип корпуса: TO-220AB

Эти параметры определяют главные возможности и ограничения данного транзистора. Например, максимальное напряжение стока (Vds) указывает, какое максимальное напряжение может выдержать транзистор без повреждения. Максимальный ток стока (Id) указывает на максимальное значение тока, который транзистор может пропустить через себя.

Еще одной важной характеристикой является сопротивление открытого канала (Rds(on)). Оно определяет, насколько малым можно сделать сопротивление, когда транзистор находится в открытом состоянии

Чем меньше это сопротивление, тем меньше будет мощность диссипации транзистора и тем более эффективно он будет работать.

Транзистор irfz34n обладает достаточно высоким значением максимального тока стока, что делает его подходящим для использования в различных устройствах, требующих высокие электрические мощности. Также, благодаря низкому сопротивлению открытого канала, он может быть эффективно использован в различных усилительных и коммутационных схемах.

Зная особенности и параметры транзистора irfz34n, можно правильно подобрать его для конкретного применения и получить максимальную эффективность работы электронного устройства или схемы.