Транзистор кт812: характеристики и цоколевка

Технические характеристики транзистора КТ812

Некоторые из основных технических характеристик транзистора КТ812 включают:

Максимальное значение коллекторного тока (Ic): 500 мА. Это значение определяет максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора. Превышение этого значения может привести к повреждению транзистора.
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Vce): 30 В. Это значение указывает на максимальное напряжение, которое может быть приложено между коллектором и эмиттером транзистора без его повреждения.
Максимальное значение тока базы (Ib): 100 мА. Это значение определяет максимальный ток, который может поступать на базу транзистора.
Максимальная мощность потери на тепло (Pd): 625 мВт. Это значение указывает на максимальную мощность, которую транзистор может рассеивать в виде тепла, чтобы не перегреться.
Коэффициент усиления по току (hfe): 80-240. Это значение показывает коэффициент усиления по току транзистора, то есть во сколько раз выходной ток будет больше входного.

Транзистор КТ812 обладает и другими характеристиками, такими как рабочая температура, рассеиваемая мощность и динамические параметры, которые также важны при его выборе и применении в электронных схемах и устройствах.

В целом, технические характеристики транзистора КТ812 определяют его возможности и позволяют его успешно применять в различных устройствах, таких как усилители звука, источники питания, переключатели и другие электронные схемы.

Описание и применение

Транзистор КТ812 может быть использован в качестве усилителя, ключа или регулятора в различных устройствах, таких как радиоприемники, телевизоры, микрофоны, усилители звука, блоки питания и другие. Он обладает высоким коэффициентом усиления и малым потреблением энергии, что делает его идеальным выбором для многих приложений.

Транзистор КТ812 может работать как в постоянном, так и в переменном режиме, и имеет высокую надежность и стабильность работы. Он может работать при широком диапазоне температур и обеспечивает стабильную и точную передачу сигнала.

В целом, транзистор КТ812 представляет собой надежный и многофункциональный компонент, который находит применение во многих электронных устройствах. Он имеет малые габариты и низкую стоимость, что делает его удобным и доступным для использования в различных проектах. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является незаменимым компонентом для многих электронных систем.

Сравнение транзистора КТ812 с другими аналогами

Характеристика	Транзистор КТ812	Аналог 1	Аналог 2
Тип транзистора	Полевой	Биполярный	Биполярный
Максимальное напряжение коллектора	40 В	30 В	50 В
Максимальный ток коллектора	2 А	1 А	1.5 А
Усиление по току	30-400	50-500	100-1000
Максимальная мощность	500 мВт	400 мВт	600 мВт
Цоколевка	TO-92	TO-92	TO-92
Применение	Общего назначения	Звуковое усиление	Источник тока

Из таблицы видно, что транзистор КТ812 имеет определенные характеристики, отличные от аналогов. Он является полевым транзистором с максимальным напряжением коллектора 40 В и максимальным током коллектора 2 А. Также он обладает усилением по току в диапазоне от 30 до 400 и максимальной мощностью 500 мВт. Цоколевка транзистора КТ812 — TO-92. Применение данного транзистора может быть общим назначением.

КТ812: преимущества перед другими транзисторами

Транзистор КТ812, благодаря своим характеристикам, обладает несколькими преимуществами перед другими транзисторами:

Высокая надежность и долговечность. Транзистор КТ812 производится с использованием качественных материалов и технологий, что позволяет ему работать стабильно и без сбоев в течение продолжительного времени.
Широкий диапазон рабочих температур. КТ812 способен работать в условиях повышенных и пониженных температур, что делает его универсальным и применимым в различных областях.
Высокая эффективность. Благодаря оптимизированной конструкции и электрическим параметрам, КТ812 обеспечивает высокую эффективность работы и малое потребление энергии.
Удобная цоколевка. Транзистор КТ812 имеет стандартную цоколевку, что упрощает его установку и подключение в различные устройства.
Широкий спектр применения. Транзистор КТ812 может быть использован в различных устройствах и схемах, включая радиотехнику, электронику, автоматику и др.

Все это делает транзистор КТ812 привлекательным выбором для множества задач, где требуется надежный и эффективный полупроводниковый элемент. Благодаря своим преимуществам, он может быть успешно применен в различных проектах и обеспечивать стабильную и качественную работу системы.

Технические характеристики

Технические характеристики транзистора КТ815 зависят от группы, которая обозначается символом в конце маркировки. Рассмотрим первый, самый слабый по своим параметрам, относительно других устройств — КТ815А. Он имеет следующие максимально допустимые режимы эксплуатации:

предельно допустимое постоянное напряжение между: К-Э до 40 В (RЭБ ≤ 100 Ом); Э-Б до 5 В;
коллекторный ток: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
ток базы до 0.5 А;
мощность рассеиваемая на коллекторе: до 10 Вт (c теплотводом); до 1 Вт (без отвода тепла);
температура p-n-перехода до +150 °C;
диапазон рабочих температур вокруг корпуса -60 … +125 °C.

Другие устройства в серии, отличаются большими напряжениями между выводами К-Э (до 100 В для группы «Г») и немного другими режимами измерений. Подробнее об этом рассмотрено в статьях про КТ815Б, КТ815Г.

Электрические

Основные электрические параметры КТ815А, при температуре окружающей среды до +25 °C (±10 °C), представлены ниже. В отдельном столбце приведены режимы измерения (тестирования в процессе производства).

Обратите внимание на большой диапазон возможных знамений статического коэффициента передачи ток (H21Э от 40 до 275). С таким разбросом достаточно тяжело подобрать комплементарную пару, поэтому многие радиолюбители давно отказались от использования этого транзистора в своих схемах

Комплементарники

Для каждой из групп КТ815 разработана своя комплиментарная пара, относящаяся к серии отечественных транзисторов — КТ814. По своим свойствам и характеристикам, кроме структуры с p-n-p-проводимостью, она очень похожа на рассмотренный. В паре эти два транзистора часто встречаются в схемах предкаскадов усиления мощности, а также стабилизаторах напряжения для питания небольшой нагрузки.

Аналоги

Качественный аналог для КТ815 подобрать трудно, особенно если он работает по схеме вместе с другим транзистором. В связи с большим разбросом параметров по H21Э и вероятностью брака даже в новых белорусских образцах, его чаще всего меняют на зарубежный BD139. Именно он указан в даташите как импортный прототип. Также в качестве возможной альтернативы можно рассмотреть такие устройства: BD13910STU, BD135, BD137, BD165-BD169(ТО-126), TIP29C(ТО-220), КТ-817.

Схема включения

Транзистор КТ812 обладает тремя выводами, которые обозначены как B (база), C (коллектор) и E (эмиттер). Схема включения транзистора определяет, в каком порядке подключаются эти выводы.

Наиболее распространенной схемой включения транзистора КТ812 является схема «Эмиттерный повторитель». В этой схеме эмиттер транзистора присоединяется непосредственно к земле, база подключается к управляющему сигналу, а коллектор получает питающее напряжение. Такая схема обеспечивает усиление сигнала.

Еще одной распространенной схемой включения транзистора является схема «Каскадное включение». В этой схеме первый транзистор передает усиленный сигнал на базу второго транзистора, который в свою очередь усиливает сигнал еще больше. Это позволяет достичь большего усиления сигнала.

Существует также много других схем включения транзистора КТ812, включая схемы с обратной связью, усилительные схемы и другие. Каждая схема имеет свои особенности и предназначена для определенного применения.

Описание и назначение транзистора КТ812

Транзистор КТ812 имеет три вывода: эмиттер, коллектор и базу. Он работает в режиме N-канала, то есть питание подается на коллекторный вывод, а управляющий сигнал на базовый вывод.

Основные характеристики транзистора КТ812:

Максимальное рабочее напряжение Vceo — 300 В
Максимальный ток коллектора Ic — 10 А
Максимальная мощность Pd — 125 Вт
Максимальная рабочая частота fT — 40 МГц

Транзистор КТ812 широко применяется в устройствах усиления и коммутации, таких как аудиоусилители, силовые блоки питания, сварочные установки и другие. Благодаря своей высокой надежности и эффективности, он позволяет создавать электронные устройства с высокими показателями производительности.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Распиновка

Цоколевка КТ815 содержит информацию о том, на каком из трёх выводов находится эмиттер, коллектор и база. Наиболее распространён он в корпусе ТО-126 ( отечественное называние КТ-27). Если взять такой компонент контактами вниз и маркировкой к себе, то ножка слева – это Э, посредине – К, справа – Б. Кроме этого можно встретить данное устройство в корпусе КТ-89 (согласно международному стандарту DPAK). Расположение выводов показано на рисунке ниже.

На изображении также представлен вариант маркировки. Первая буква указывает на группу, например на КТ815А будет нанесено обозначение 5А. Последующие символы говорят о дате выпуска.

Схема цоколевки транзистора КТ812

Транзистор КТ812 имеет типовую цоколевку TO-3. Данная цоколевка состоит из трех выводов, обозначенных как E (эмиттер), B (база) и C (коллектор).

Приведем детальное описание каждого вывода:

1. Вывод E (эмиттер):

Эмиттерный вывод транзистора КТ812 служит для подключения к источнику отрицательного напряжения (-V_E). Также это общий вывод соединенный с металлическим корпусом транзистора.

2. Вывод B (база):

Базовый вывод транзистора КТ812 служит для управления током коллектора. На базовый вывод подается управляющее напряжение V_BE для открытия или закрытия канала тока электронов между эмиттером и коллектором.

3. Вывод C (коллектор):

Коллекторный вывод транзистора КТ812 служит для вывода коллекторного тока наружу. На коллекторный вывод подается положительное напряжение (+V_C), которое может быть использовано для питания нагрузки или других электронных устройств.

Таким образом, схема цоколевки транзистора КТ812 позволяет определить, какие выводы использовать для подключения к внешним компонентам и для правильной работы транзистора в электрических схемах и устройствах.