Транзистор кт839: характеристики, цоколевка, принцип работы

Транзистор КТ839: характеристики и цоколевка

Цоколевка транзистора КТ839 имеет следующую распиновку:

Коллектор (К) — вывод номер 1
База (B) — вывод номер 2
Эмиттер (E) — вывод номер 3

Транзистор КТ839 имеет следующие характеристики:

Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
Максимальный ток коллектора: 0.5 А
Максимальная мощность: 0.6 Вт
Коэффициент усиления по току: 40-160
Фронт времени задержки: не более 15 нс
Скорость нарастания напряжения на базе: не менее 50 В/мкс

Транзистор КТ839 является надежным и популярным элементом в электронике и широко используется в устройствах различного назначения. Его технические характеристики позволяют эффективно усиливать и коммутировать сигналы, а его компактные размеры делают его удобным в монтаже и использовании.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

напряжение К-Б:
2Т819(А) U_{КБ max}= 25 В;
2Т819(Б) U_{КБ max}= 40 В;
2Т819(В_ U_{КБ max}= 60 В;
напряжение К-Э (R_БЭ ≤ 100 Ом, Т = Т_мин – 323 К)
КТ819(А, АМ) U_{КЭ max} = 40 В;
2Т819(Б) U_{КЭ max} = 80 В;
КТ819(Б, БМ) U_{КЭ max} = 50 В;
КТ819(В, ВМ) U_{КЭ max} = 70 В;
2Т819(В) U_{КЭ max} = 60 В
2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) U_{КЭ max} = 100 В.
напряжение Б-Э U_{ЭБ max} = 5 В;
постоянный ток через коллектор
КТ819(А, Б, В, Г) I_{K max} = 10 А;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{K max} = 15 А.
импульсный ток через коллектор (t_и < 10 мс. Q ≥ 100)
КТ819(А, Б, В, Г) I_{К , и max} = 15 А;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{К , и max} = 20 А.
ток через базу I_{Б max} = З А;
импульсный через ток базу (t_и < 10 мс, Q > 100) I_{Б и max} = 5 А;
мощность (с теплоотводом при Т_к ≤ 298 К)
КТ819(А, Б, В, Г) P_{K Т max} = 60 Вт;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_{K Т max} = 100 Вт.
мощность (без теплоотвода при Т_к ≤ 298 К)
КТ819(А, Б, В, Г) P_K = 1,5 Вт;
2Т8І9(А, Б, В) P_K = 3 Вт;
КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_K = 2 Вт.
т-ра перехода
2Т8І9(А, Б, В) T_п= 423 К;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) T_п = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

граничное напряжение (I_К = 0,1 А, t_И ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
KT8I9(A, АМ) U_КЭО_гр ≤ 25 В;
КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) U_{КЭО гр} ≤ 40 В;
КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) U_{КЭО гр} ≤ 60 В;
КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) U_{КЭО гр} ≤ 60 В.
напряжение насыщения К – Э

при I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А:

2Т8І9(А, Б, В) U_{КЭ нас} = 1 В;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 2 В.

при I_К = 20 А, I_Б = 4 А:

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

при I_К = 15 А, I_Б = 3 А:

КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 4 В.
напряжение насыщения база-эмиттер (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А)
2Т8І9(А, Б, В) U_{БЭ нас} = 1,5 В;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{БЭ нас} = 3 В.
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Т_{к макс}:

2Т8І9(А, Б, В) h_21э = 20;
KT8I9(A, В, AM, ВМ) h₂₁_э = 15;
КТ819(Б, БМ) h_21э = 20;
КТ819(Г, ГМ) h_21э = 12.

при Т =213 К:

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

при Т = 233 К

KT8I9(A, В, AM, ВМ) h₂₁_э = 10;
КТ819(Б, БМ) h_21э = 15;
КТ819(Г,(ГМ) h_21э = 7.
частота к-та передачи в схеме с ОЭ при U_КБ=5 В, I_э = 05 А f_гр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
время выкл. (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) t_вкл = 2,5 мкс;
ёмкость на коллекторе (U_КБ=5 В) c_к = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, I_К,= 1 мА)
2Т819(А) U_{КБО проб} = 100 В;
2Т8І9(Б) U_{КБО проб} = 80 В;
2T8I9(B) U_{КБО проб} = 60 В.
Обратный ток через коллектор при (U_КБ =40 В)
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_КБО = 1 мА.

Описание и применение транзистора КТ839

Основной параметр, характеризующий транзистор КТ839, это его максимальная допустимая мощность — 0.8 Вт. Коэффициент усиления по току коллектора к току базы (β) составляет 30-100, а максимальный коллекторный ток (IC) достигает 0.5 А. Допустимое значение обратной напряженности коллектор-эмиттер составляет 25 В, при этом напряжение переноса насыщения составляет 0.2 В.

Транзистор КТ839 применяется во многих электронных схемах, где требуется усиление и/или коммутация сигналов. Он широко используется в радиоэлектронике, аудиоаппаратуре, схемах устройств усиления мощности, импульсных блоках питания и других устройствах.

Для корректной работы транзистора КТ839 необходимо учитывать его параметры и границы работы. Он может быть использован как ключ в различных схемах управления, а также как усилитель в системах низкой частоты

Однако, при использовании в схемах генерации и усиления радиоволн, необходимо обратить внимание на диапазон частот, в котором данный транзистор может работать

Параметр	Значение
Максимальная допустимая мощность	0.8 Вт
Коэффициент усиления по току коллектора к току базы (β)	30-100
Максимальный коллекторный ток (IC)	0.5 А
Допустимое значение обратной напряженности коллектор-эмиттер	25 В
Напряжение переноса насыщения	0.2 В

Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы транзистора ГТ308А.

Обозначение
H21э	Uкб=-1 В; Iэ=10 мА; f=50 Гц qокр=25 °С qокр=70 °С qокр= -60 °С	20…75 20…200 ³ 15
H21э	Uкб=-5 В; Iэ=5 мА; f=20 МГц	³ 4.5
Ikб0, МкА	-60 °С £qокр £ 25 °С Uкб= -5 В; Uкб= -15 В; qокр=70 °С; Uкб= — 10 В;	£ 2 £ 5 £ 90
Iэб0, МкА	Uбэ= -2 В Uбэ= -3 В Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=20 МГц;	£ 50 £1000 ³4.5
Кш,дБ	Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=1.6 МГц;	—
Uкэ0.н, В	Iк=50 мА; Iб= 3 мА	— 1.5
Uбэ.н,В	Iк=10 мА; Iб=1 мА;	— 0.5
Uкб0. Max,В	qокр £ 45 °С	-20
Ск,пФ	Uкб= -5 В; f=5 МГц;	£ 8
Сэ,пФ	Uэб= -1 В; f=5 МГц;	£ 25
tрас.мкc	Iк=50 мА; Iб=4 мА; tи= 5 мкс; f=1..10 МГц;	£ 1
tк, пс	Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=5 МГц;	400

*KURSOVOY PROEKT PO OKPRTU*

* SHPAK gr.940103*

R1 2 3 22K

R2 2 0 22K

R3 3 4 3K

R4 5 0 2K

R5 5 7 2K

R6 3 6 510

R7 8 10 1K

R8 9 0 270

R9 3 10 62K

R10 10 0 20K

R11 3 11 310

R12 12 0 170

R13 13 0 22K

.param k=1

.step param k list
0.8 2 5

C1 1 2 5.0UF

C2 6 0 10UF

C3 7 8 5.0UF

C4 8 9 {K*160PF}

C5 9 10 {K*160PF}

*C6 3 O 10UF

C7 11 13 10UF

Q1 4 2 5 KT315a

Q2 7 4 6 KT361a

Q3 11 10 12 KT315a

.model KT315a NPN

.model KT361a PNP

VS 3 0 DC 12V

VIN 1 0 AC 0.01

.AC DEC 50 1khz
500MEGHZ

.DC VS 0.5 20.5 5

.Tran 0.5us 4us

.Four 84KHZ v(13)

.PROBE

.PRINT AC V(13)

.END

BJT MODEL
PARAMETERS

KT315a KT361a

NPN PNP

IS
100.000000E-18 100.000000E-18

BF
100 100

NF 1
1

BR
1 1

NR
1 1

SMALL SIGNAL
BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

NODE
VOLTAGE NODE
VOLTAGE

(1)
0.0000

(2)
5.9318

(3) 12.0000

(4)
10.1990

(5)
5.1700

(6)
10.9910

(7)
9.0879

(8)
1.9415

(9)
0.0000

(10)
1.9415

(11) 9.9800

(12)
1.1188

(13 )
0.0000

HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1
8.400E+04 9.788E-10 1.000E+00 -1.522E+02 0.000E+00

2
1.680E+05 5.114E-10 5.225E-01 1.452E+02 2.974E+02

3
2.520E+05 3.349E-11 3.422E-02 7.207E+01 2.243E+02

4
3.360E+05 2.251E-10 2.300E-01 -1.576E+02 -5.391E+00

5 4.200E+05
2.044E-10 2.088E-01 1.381E+02 2.903E+02

6
5.040E+05 3.083E-11 3.150E-02 5.564E+01 2.079E+02

7
5.880E+05 1.164E-10 1.190E-01 -1.604E+02 -8.126E+00

8
6.720E+05 1.236E-10 1.263E-01 1.320E+02 2.842E+02

9
7.560E+05 2.746E-11 2.805E-02 4.143E+01 1.937E+02

HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1
8.400E+04 9.539E-10 1.000E+00 -1.545E+02 0.000E+00

2
1.680E+05 5.184E-10 5.435E-01 1.395E+02 2.939E+02

3
2.520E+05 7.710E-11 8.082E-02 4.980E+01 2.043E+02

4
3.360E+05 1.862E-10 1.952E-01 -1.568E+02 -2.275E+00

5
4.200E+05 1.839E-10 1.928E-01 1.294E+02 2.839E+02

6
5.040E+05 5.561E-11 5.830E-02 2.306E+01 1.775E+02

7
5.880E+05 9.593E-11 1.006E-01 -1.493E+02 5.203E+00

8 6.720E+05
1.003E-10 1.052E-01 1.266E+02 2.811E+02

9
7.560E+05 4.096E-11 4.295E-02 5.142E+00 1.596E+02

HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)

1
8.400E+04 8.378E-10 1.000E+00 -1.573E+02 0.000E+00

2
1.680E+05 4.557E-10 5.439E-01 1.307E+02 2.880E+02

3
2.520E+05 1.170E-10 1.396E-01 1.536E+01 1.727E+02

4
3.360E+05 1.705E-10 2.035E-01 -1.402E+02 1.710E+01

5
4.200E+05 1.384E-10 1.652E-01 1.326E+02 2.899E+02

6
5.040E+05 6.087E-11 7.265E-02 -1.418E+01 1.431E+02

7
5.880E+05 1.138E-10 1.359E-01 -1.355E+02 2.186E+01

8
6.720E+05 8.210E-11 9.799E-02 1.407E+02 2.981E+02

9 7.560E+05 3.747E-11
4.472E-02 -3.237E+01 1.249E+02

1. ОПИСАНИЕ СХЕМЫ:

Принципиальная схема проектируемого устройства
предстваляет собой трехкаскадный усилитель выполненный на кремниевых
высокочастотных транзисторах малой мощности. 2 каскада на транзисторах типа
КТ315А, а один на транзисторе типа КТ361А, которые включены по каскадной схеме.

Применение транзистора КТ839

Один из основных способов использования транзистора КТ839 – в усилительных схемах. Благодаря высокой сквозной мощности и малым токам утечки, данный транзистор обеспечивает высокий коэффициент усиления и отличную линейность работы. Он может быть использован в усилителях мощности, каскадах нерегулятивной связи и других узлах аудио усилительных цепей.

Также транзистор КТ839 широко применяется в токовых и напряженных драйверах, трансформаторных балластах, стабилизаторах и силовых блоках. Благодаря низкому сопротивлению канала и высокой мощности по площади, этот транзистор обеспечивает эффективность работы и минимальные потери мощности.

Также транзистор КТ839 можно применять в цифровых электронных схемах, таких как счетчики, триггеры, генераторы импульсов, мультиплексоры и т.д. Благодаря быстрому переключению и низкому времени задержки, данный транзистор позволяет реализовать быстрые и надежные цифровые устройства.

Основные области применения транзистора КТ839:
Усилительные схемы
Токовые и напряженные драйверы
Трансформаторные балласты
Стабилизаторы и силовые блоки
Цифровые электронные схемы

Транзистор КТ839 отличается высокой надежностью, долговечностью и устойчивостью к внешним воздействиям. Благодаря этим характеристикам, он нашел широкое применение в разных отраслях электроники и является незаменимым компонентом множества устройств.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.