Как собрать корпус SOT23 собственноручно
Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.
Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.
Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.
С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:
Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.
Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.
Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.
Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.
Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.
Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.
Маркировка SMD диодов — справочник кодовых обозначений
Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard
| # | Конфигурация | Тип корпуса | Цоколевка |
| Одиночный диод | SOT23 | D1a | |
| 2 | Два последовательно включенных диода | SOT23 | D1i |
| 3 | Два диода с общим анодом | SOT23 | D1j |
| 4 | Два диода с общим катодом | SOT23 | D1h |
| 5 | Два отдельных диода | SOT143 | D6d |
| 7 | Кольцо из четырех диодов | SOT143 | D6c |
| 8 | Мост из четырех диодов | SOT143 | D6a |
| 9 | Перевернутая четверка диодов | SOT143 | – |
| B | Одиночный диод | SOT323 | D2a |
| C | Два последовательно включенных диода | SOT323 | D2b |
| E | Два диода с общим анодом | SOT323 | D2c |
| F | Два диода с общим катодом | SOT323 | D2d |
| K | Два отдельных диода | SOT363 | D7b |
| L | Три отдельных диода | SOT363 | D7f |
| M | Четыре диода с общим катодом | SOT363 | D7g |
| N | Четыре диода с общим анодом | SOT363 | D7h |
| P | Мост из четырех диодов | SOT363 | D7i |
| R | Кольцо из четырех диодов | SOT363 | D7j |
| T | Диод с низкой индуктивностью | SOT363 | – |
| U | Последовательно-параллельная пара диодов | SOT363 | – |
Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах
| Тип | 1 полоса | 2 полоса | Эквивалент |
| BA682 | Красная | Нет | BA482 |
| BA683 | Красная | Желтая | BA483 |
| BAS32 | Черная | Нет | 1N4148 |
| BAV100 | Зеленая | Черная | BAV18 |
| BAV101 | Зеленая | Красная | BAV19 |
| BAV102 | Зеленая | Красная | BAV20 |
| BAV103 | Зеленая | Желтая | BAV21 |
| BB219 | Нет | Нет | BB909 |
Маркировка диодов и диодных сборок
| Наименование | Маркировка | Кол-во диодов | Обратное напр. | Прямой ток | Время рас. | Емкость диода | Корпус |
| LL 4148 | … | один | 70 В | 100 мА | 4 нс | 4,0 пФ | mini-МELF |
| BAS 216 | … | один | 75 В | 250 мА | 4 нс | 1,5 пф | SOD110 |
| BAT254 NEW | … | один | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOD110 |
| BAS 16 | JU/A6 | один | 75 В | 200 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
| BAS 21 | JS | один | 200 В | 200 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
| BAV 70 | JJ/A4 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
| BAV 99 | JK, JE, A7 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 1,5 пФ | SOT23 |
| BAW 56 | JD, A1 | 2 диода | 70 В | 250 мА | 6 нс | 2,0 пФ | SOT23 |
| BAT54S | L44 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
| BAT54C | L43 | 2 шотки | 30 В | 200 мА | 5 нс | 10 пФ | SOT23 |
| BAV23S | L31 | 2 диода | 200В | 225 мА | 50 нс | 5 пФ | SOT23 |
Маркировка стабилитронов BZX84
| Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
| BZX84C2V7 | W4 | 2,4B | 2,7B | 3,1B | 85 Oм | -0,06% |
| BZX84C3V0 | W5 | 2,8B | 3,0B | 3,2B | 85 Oм | -0,06% |
| BZX84C3V3 | W6 | 3,1В | 3,3В | 3,5В | 85 Ом | -0,06% |
| BZX84C3V9 | W8 | 3,7В | 3,9В | 4,1В | 85 Ом | -0,06% |
| BZX84C4V3 | Z0 | 4,1B | 4,3B | 4,5B | 80 Ом | -0,03% |
| BZX84C4V7 | Z1 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 80 Ом | -0,03% |
| BZX84C5V1 | Z2 | 4,9B | 5,1B | 5,3B | 60 Ом | 0,03% |
| BZX84C5V6 | Z3 | 5,2В | 5,6В | 6,0В | 40 Ом | 0,03% |
| BZX84C6V2 | Z4 | 5,8В | 6,2В | 6,6В | 10 Ом | 0,05% |
| BZX84C6V8 | Z5 | 6,4В | 6,8В | 7,2В | 15 Ом | 0,05% |
| BZX84C7V5 | Z6 | 7,1В | 7,5В | 7,9В | 15 Ом | 0,05% |
| BZX84C8V2 | Z7 | 7,7В | 8,2В | 8,7В | 15 Ом | 0,06% |
| BZX84C9V1 | Z8 | 8,8В | 9,1В | 9,5В | 20 Ом | 0,05% |
| BZX84C10 | Z9 | 9,4В | 10,0В | 10,6В | 20 Ом | 0,07% |
| BZX84C12 | Y2 | 11,4В | 12,0В | 12,7В | 25 Ом | 0,07% |
| BZX84C15 | Y4 | 13,8В | 15,0В | 15,6В | 30 Ом | 0,08% |
| BZX84C18 | Y6 | 16,8В | 18,0В | 19,1В | 45 Ом | 0,08% |
| BZX84C20 | Y8 | 17,8В | 20,0В | 21,0В | 45 Ом | 0,08% |
Маркировка стабилитронов BZT52
| Тип | Маркировка | Uст при 5мА min | Uст при 5мА nom | Uст при 5мА max | Max R ДИФ | Uст в диапазоне -60 … +125°С |
| BZT52-C3V3S | W4 | 3,1B | 3,3B | 3,5B | 95 Oм | -0,055% |
| BZT52-C3V9S | W6 | 3,7B | 3,9B | 4,1B | 95 Oм | -0,050% |
| BZT52-C4V3S | W7 | 4,0В | 4,3В | 4,6В | 95 Ом | -0,035% |
| BZT52-C4V7S | W8 | 4,4В | 4,7В | 5,0В | 75 Ом | -0,015% |
| BZT52-C5V1S | W9 | 4,8B | 5,1B | 5,4B | 60 Ом | -0,005% |
| BZT52-C6V8S | WB | 6,4B | 6,8B | 7,2B | 8 Ом | 0,045% |
Как проверить SMD компоненты
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
| Модель | PC Ta = 25°C | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| КТ6111 А/Б/В/Г | 1 | 40 | 25 | 6 | 0,1 | 150 | 100 | 1,7 | 45…630 | TO-92 |
| КТ6114 А/Б/В | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ968 В | 4 | 300 | 200 | 5 | 0,1 | 150 | 90 | 2,8 | 35…220 | TO-39 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| 3DG8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| BC517S | 0,625 | 40 | 30 | 10 | 1 | 150 | 200 | — | 33000 | TO-92 |
| BTN8050A3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | 6 | 160 | TO-92 |
| BTN8050BA3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | — | 160 | TO-92 |
| CX908B/C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1 | 150 | 100 | — | 120…260 | TO-92 |
| KTC3203 | 0,625 | — | 30 | — | 0,8 | 150 | 190 | — | 100 | TO-92 |
| KTC3211 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 |
| KTS8050 | 0,625 | — | 25 | — | 0,8 | 175 | — | — | 100 | TO-92 |
| M8050-C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | — | 150 | 150 | — | 120…160 | TO-92 |
| S8050 | 0,3 | 409 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| 8050HQLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050QLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050SLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| CHT9013GP | 0,3 | 45 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| F8050HPLG | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| KTC9013SC | 0,35 | 40 | 30 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMBT8050D | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMS9013-H/L | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSS40201L | 0,54 | 40 | 25 | — | 4 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| NSS40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | — | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSV40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| PBSS4140T | 0,3 | 40 | 40 | 5 | 1 | 150 | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| S9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| ZXTN2040F | 0,35 | — | 40 | — | 1 | — | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN25040DFL | 0,35 | — | 40 | — | 1,5 | — | 190 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN649F | 0,5 | — | 25 | — | 3 | — | — | — | 200 | SOT-23 |
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Пайка чип-компонентов
В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.
Печатные платы современного вида выглядят не так, как их предшественницы. Практически исчезли знакомые детали с ножками, вставленными в отверстия. Их заменили совсем крошечные компоненты, припаянные поверх платы к специально созданным контактным площадкам. Они именуются SMD (англ. Surface Mounted Device, или устройство, монтируемое на поверхность).
Такие детали намного удобнее — исключается целая и весьма точная операция сверления отверстий при изготовлении платы, достигается компактность. При этом, миниатюрный размер не позволяет нанести на них подробное и привычное наименование. Маркировка SMD диодов выполнена в виде кодовых обозначений, о которых надо поговорить подробнее.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.
10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32
Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали
Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W
Биполярный транзистор 2SA562TMY — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA562TMY
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
2SA562TMY
Datasheet (PDF)
6.1. Size:201K toshiba 2sa562tm.pdf
2SA562TM TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA562TM Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Unit: mm Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications Excellent hFE linearity: hFE (2) = 25 (min) at V = -6 V, I = -400 mA CE C 1 watt amplifier application. Complementary to 2SC1959. Maximum Ratings (Ta == 25C) =
8.1. Size:239K mcc 2sa562-o.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SA562-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SA562-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Excellent hFE) Linearlity Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates TransistorsRoHS Compliant. See o
8.2. Size:239K mcc 2sa562-y.pdf
MCCTM Micro Commercial Components2SA562-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SA562-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Excellent hFE) Linearlity Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates TransistorsRoHS Compliant. See o
8.3. Size:1015K no 2sa562.pdf
8.4. Size:206K secos 2sa562.pdf
2SA562 -0.5A, -35V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Excellent hFE Linearity MillimeterREF.Min. Max.CLASSIFICATION OF hFE A 4.40 4.70B 4.30 4.70C 12.70 -Product-Rank 2SA562-O 2SA562-YD 3.30 3.81E 0.36 0.56F 0.36 0.51Range 70~140 120~240
8.5. Size:507K jiangsu 2sa562.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 2SA562 TRANSISTOR (PNP)1. EMITTER FEATURESExcellent hFE inearlity 2. COLLECTOR3. BASE Equivalent Circuit A562=Device code Solid dot=Green molding compound device, Z if none,the normal deviceZ=Rank of hFE 1XXX=Code
8.6. Size:308K lge 2sa562.pdf
2SA562(PNP) TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Excellent hFE linearlity Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -35 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -500 m
8.7. Size:464K blue-rocket-elect 2sa562m.pdf
2SA562M(BR3CG562M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features h , 2SC1959M(3DG1959M) FEExcellent hFE linearity, complementary pair with 2SC1959M(3DG1959M). / Applications
8.8. Size:157K inchange semiconductor 2sa562o 2sa562y.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA562DESCRIPTIONLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-speed switching and Amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы… 2SA561G
, 2SA561O
, 2SA561R
, 2SA561Y
, 2SA562
, 2SA562G
, 2SA562R
, 2SA562TMO
, A1266
, 2SA562Y
, 2SA563
, 2SA564
, 2SA564A
, 2SA565
, 2SA565K
, 2SA566
, 2SA566H
.
Маркировка импортных smd
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Аналоги
Для замены M7 могут подойти диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и преобразовательных устройствах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производсто
| Тип | URRM | IF(AV) | IFSM | TJ | UFM | IRMTA = 25°C | IRMTA = 125°C | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SM4007 | 1000 | 1 | 30 | -55°C.…+125°C | 1 | 2,5 | 50 | SMA-W(DO-214AB) |
| КД210В | 1000 | 10 | 50 | ≤ 140°С | 1 | ≤ 4,5 мА | КД-11 | |
| 2Д220Г/И | 1000 | 3 | 60 | – | 1,2/1,0 | 45 мкА | 1,5 мА | КД-10 |
| 2Д230Г/И | 1000 | 3 | 60 | -60°C.…+125°C | 1,5/1,3 | 45 мкА | 1,5 мА | КД-11 |
| КД243Ж | 1000 | 1 | 6 | -60°C….+125°C | 1,1 | 10 мкА | 0,1 мА | КД-4Б |
| КД248А/Б/К | 1000 | 3,0/1,0/1,5 | 9,6/3,2/4,8 | -60°C…+125°C | 1,4 | 40 мкА | КД-16 | |
| 2Д254 | 1000 | 1 | 3,2 | – | 1,5 | – | – | – |
| КД257Д | 1000 | 3 | 15 | -60°C….+85°C | 1,5 | 0,2 мА | – | КД-29С |
| КД258Д | 1000 | 3 | 7,5 | -60°C….+85°C | 1,6 | 2 мкА | – | КД-29А |
Зарубежное производство
| Тип | URRM/URSM/UDC, В | IF(AV), А | IFSM, А | TJ, °С | UFM, В | IRM, мкАTA = 25°C | IRM, мкА TA = 125°C | RƟJL, °C/Вт | RƟJA, °C/Вт | CJ, пФ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C.…+125°C | 1 | 2,5 | 50 | – | 55 | 12 | SMA-W(DO-214AB) |
| 1N4145 | 1000/700/1000 | 3 | 300 | -55°C….+150°C | 1 | 10 | 100 | – | 20 | 35 | DO-27 |
| 1N4249 | 1000/700/1000 | 1 | 40 | -65°C…+200°C | 1,2 | 1 | 25 | – | – | – | GPR-1A |
| 1N4948 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C….+150°C | 1,3 | 5 | 50 | – | 50 | 15 | DO-41 |
| 1N5054 | 1000/700/1000 | 1,5 | 48 | -65°C….+170°C | 1,3 | 500 | – | – | – | DO-41 | |
| 1N5408 | 1000/700/1000 | 3 | 200 | -65°C….+200°C | 1 | 5 | 100 | – | 40 | 50 | DO-201AD |
| 1N5622 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C….+200°C | 1,2 | 0,5 | 25 | – | – | 35 | GPR-1A |
| BY133 | 1300/940/1300 | 1 | 30 | -55°C…+150°C | 1,1 | 5 | 200 | – | 50 | 15 | DO-41 |
| BY255 | 1300/- /1300 | 3 | 100 | -50°C….+150°C | 1,1 | 20 | – | – | 25 | – | DO-201 |
| BY227MGP | 1250/875/1250 | 2 | 60 | -65°C….+175°C | 1,5 | 5 | 100 | – | – | 25 | DO-15 |
| BYD57M | 1000/-/1000 | 1 | 5 | -65°C…+175°C | 2,1 | 5 | 100 | 30 | 150 | 20 | SOD87 |
| BYT-11 | URRM = 1000 | 1 | 35 | -55°C….+150°C | 1,3 | 20 | – | – | 60 | – | F126 |
| BYT51M | URRM = 1000 | 1 | 50 | -55°C…+175°C | 1,1 | 1 | 100 | – | 45 | – | DO-15 |
| BYT54M | 1000/700/1000 | 1,25 | 30 | -55°C….+175°C | 1,5 | 5 | 150 | – | 45 | – | DO-41 |
| BYV36E | 1000/700/1000 | 1,6 | 30 | -55°C…+150°C | 1,45 | 5 | 100 | – | 45 | 18 | DO-15 |
| BYV96E | 1000/700/1000 | 1,5 | 35 | +175°C | 1,6 | 5 | 150 | – | 50 | – | DO-15 |
| BYW56GP | 1000/700/1000 | 2 | 50 | -65°C….+175°C | 1 | 5 | 100 | – | 35 | 50 | DO-15 DO-204AC |
| GP210 | 1000/700/1000 | 2 | 70 | -65°C…+175°C | 1,1 | 5 | 50 | – | – | 40 | – |
| GPP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 60 | -65°C….+175°C | 1,1 | 5 | – | – | – | 25 | DO-15 |
| GPP10M | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C…+125°C | 1 | 5 | 50 | – | 50 | 15 | DO-41 |
| GPP20M | 1000/700/1000 | 2 | 70 | -65°C….+125°C | 1 | 5 | 50 | – | 40 | 20 | DO-15 |
| GP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 50 | -55°C…+150°C | 1,1 | 5 | 100 | – | – | 20 | DO-15 |
| GP110 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C….+175°C | 1 | 0,5 | 30 | – | 30 | 10 | DO-41 |
| MUR1100F | 1000/700/1000 | 1 | 35 | -55°C….+150°C | 1,75 | 5 | 50 | – | – | 20 | SOD-123F |
| RGP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 50 | -65°C….+175°C | 1,3 | 5 | 200 | – | 30 | 25 | DO-15 |
| RGP110 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C….+175°C | 1,2 | 0,5 | 25 | – | 55 | 15 | DO-41 |
Те же данные представленны в виде картинки.
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.