What is d669a?

Транзистор d2499: характеристики, распиновка, аналоги

Режимы работы

Биполярный транзистор D5072 может работать в следующих режимах:

Режим отсечки

В этом режиме при разнице значений между базой и эмиттером примерно на 0,6V база-эмиттерный переход закрывается, так как ток базы отсутствует. Вследствие того, что в базовом слое нет свободных электронов, коллекторный ток также перестает протекать. В результате всего этого транзистор переходит в режим отсечки. Таким образом, транзистор можно использовать как ключ в открытом положении.

Режим насыщения

В этот режим транзистор переходит в результате увеличения базового тока до предельной величины, из-за которой р-п переход открывается. Значение тока в этом режиме зависит от величины питающего напряжения цепи и нагрузки, возникающей на коллекторе. В этом случае входной сигнал не усиливается, так как коллекторный ток не реагирует на изменение базового тока. Таким образом, транзистор можно использовать как ключ в закрытом положении.

Режим усиления

В этом режиме используется для усиления сигнала. На базу подаётся разность потенциалов, вследствие чего открывается база-эмиттерный переход. В результате, в транзисторе начинается движение коллекторных и базовых токов. В итоге радиокомпонент выполняет свою основную задачу.

Режим барьера

В подобном режиме транзистор используют в качестве диода с последовательно подключённым резистором. С этой целью базу соединяют с коллектором напрямую или через небольшое сопротивление. Таким образом, транзистор используют в высокочастотных устройствах и для уменьшения числа компонентов в схеме

Транзисторы Дарлингтона медленные!

Для схемы Дарлингтона характерно определенное явление, которое очень затрудняет работу на высоких частотах. Его переключение, а особенно выключение, занимает много времени (для электроники).

Давайте еще раз посмотрим на принципиальную схему. При включении питания потенциал базы T1 повышается (например, микроконтроллером), тем самым вводя в нее ток. Этот транзистор очень быстро переходит из состояния засорения в активный, в котором он усиливает этот ток и подает его на базу T2, которая также очень эффективно включается. Все происходит довольно быстро.

Предположим, что этот транзистор используется для включения мощного приемника, например двигателя, который требует его сильного насыщения.

Примерная схема подключения двух биполярных транзисторов в схему Дарлингтона

Теперь выключаем транзистор Дарлингтона. Потенциал базы T1 подтягивается резистором к земле. Носители заряда, накопившиеся в этой базе, должны оттекать от нее через этот резистор. Поскольку T1 был «по-настоящему» насыщен, таких носителей там было довольно много.

В течение этого времени, T2 все еще был проводящим, хотя он больше не должен таковым быть. Предположим, что носители вышли из базы T1, вопрос: куда должны уйти носители с базы T2? Единственный выход — это база, но к ней подключен только забитый транзистор… Нам остается только ждать, пока эти носители самопроизвольно «рассеются» и транзистор окончательно перестанет проводить.

Это явление демонстрируют следующие иллюстрации (текущие значения, конечно, не отражают реальные — они служат только для иллюстрации шкалы и самого факта прохождения тока; RL и значок двигателя символизируют какой-то элемент, который питается от транзистора, например двигатель).

Оба транзистора непроводящие Течение тока через базу, активирует оба транзистора

В выключенном состоянии ситуация следующая:

Заряд, накопленный после отключения тока Захваченный заряд медленно рассеивается

Таким образом, на отключение транзистора Дарлингтона влияют два события:

  • снятие с насыщения и засорения Т1,
  • ожидание, пока транзистор Т2 перестанет проводить.

Первую проблему можно как-то решить, используя, например, соответствующие схемы для ускорения переключения транзисторов. Однако с последним есть проблема, потому что по носителям должен быть обеспечен поток от базы к эмиттеру.

Электроника придумала способ частично решить эту проблему. Этот метод предполагает добавление резистора между базой и эмиттером Т2. Благодаря этому, носители заряда находят выход из базы. Одним из недостатков является снижение коэффициента усиления по току, поскольку этот резистор «крадет» ток у эмиттера T1.

Такие модифицированные транзисторы Дарлингтона коммерчески доступны как одиночные, так и в виде интегральных схем с большим количеством компонентов внутри. Хорошим примером является популярная микросхема ULN2003, в состав которой входит аж 7 таких систем.

Популярная микросхема ULN2003

В состав этой микросхемы также входят резисторы, ограничивающие базовый ток T1 (2,7 кОм) и ускоряющие выключение T1. Использование таких интегральных блоков удобно тем, что экономит место на плате, вход этой схемы подключается напрямую к выходу микроконтроллера.

Внутренняя схема ULN2003

Цоколевка

Корпус транзистора герметичный и непрозрачный. Он выполнен из материала, представляющего сложную композицию, состоящую из полимерной основы с примесью фенолформальдегидной смолы и других добавок.

Внутри корпуса располагается кристалл кремния, состоящий из трёх частей – базы, коллектора и эмиттера, которые соединены с контактами 1, 2, 3. Цоколевка D5072 указана на рисунке.

Помимо выводов в корпус встроен (кристаллодержатель) металлический теплоотвод с отверстием для установки на внешний радиатор.

Транзистор D5072 промаркирован в соответствии с японским промышленным стандартом JIS и считается комбинацией в системах обозначений Pro-Electron и JEDEEC.

Маркировка 2SD5072 расшифровывается следующим образом: Цифра 2 обозначает тип радиокомпонента – транзистор. Буква S указывает, что это полупроводник. Буква D определяет класс – низкочастотный с PNP переходом. Число 5072 обозначает номер разработки.

2SD669A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  utc 2sd669 2sd669a.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD669/A NPN SILICON TRANSISTOR BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SD669xL-x-AA3-R 2SD669xG-x-AA3-R SOT-223 B C E Tape Reel2SD669xL-x-AB3-R 2SD669xG-

 ..2. Size:36K  hitachi 2sd669a.pdf

2SD669, 2SD669ASilicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/AOutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base1232SD669, 2SD669AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)RatingsItem Symbol 2SD669 2SD669A UnitCollector to base voltage VCBO 180 180 VCollector to emitter voltage VCEO 120 160 VEmitter to base voltage VEBO

 ..3. Size:110K  jiangsu 2sd669 2sd669a.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126C Plastic-Encapsulate Transistors 2SD669 TO- 126C 2SD669A TRANSISTOR (NPN) FEATURES 1. EMITTER Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SB649/A 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. BASE Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector- Base Voltage 180 V VCEO Collector-E

 ..4. Size:473K  blue-rocket-elect 2sd669a.pdf

2SD669(A)(BR3DA669(A)QF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 2SB649(BR3CA649QF)/2SB649A(BR3CA649AQF) Complementary pair with 2SB649(BR3CA649QF)/2SB649A(BR3CA649AQF). / Applications Low frequency power

 ..5. Size:1131K  blue-rocket-elect 2sd669 2sd669a.pdf

2SD669(A) Rev.F Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 2SB649(A)Complementary pair with 2SB649(A). / Applications Low frequency power amplifier. / Equivalent Circuit / P

 ..6. Size:216K  inchange semiconductor 2sd669a.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD669ADESCRIPTIONHigh Collector Current-I = 1.5ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageComplement to Type 2SD649Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

 ..7. Size:280K  inchange semiconductor 2sd669 2sd669a.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD669 2SD669A DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB649/649A High breakdown voltage VCEO:120/160V High current 1.5A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collect

 0.1. Size:265K  mcc 2sd669-b-c-d 2sd669a-b-c.pdf

 0.2. Size:247K  jiangsu 2sd669al.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TO 126 2SD669AL TRANSISTOR (NPN) FEATURES 1. EMITTER Low Frequency Power Amplifier 2. COLLECTOR 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 170 V VEBO Emitter-Base Volt

 0.3. Size:180K  lge 2sd669-2sd669a to-126.pdf

2SD669/2SD669A(NPN) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 21 Features2.5007.4002.9001.1007.800 Low frequency power amplifier complementary pair 1.500with 2SB649/A 3.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.6000.0000.300Symbol Parameter Value Units11.000VCBO Collector- Base Voltage 180 V 2.

 0.4. Size:665K  blue-rocket-elect 2sd669ad.pdf

2SD669AD Rev.E May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 NPN Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features 2SB649AD Complementary pair with 2SB649AD. / Applications Low frequency power amplifier. / Equivalent Circuit / Pinni

 0.5. Size:163K  nell 2sd669am-a.pdf

RoHS RoHS 2SD669AM SeriesSEMICONDUCTORNell High Power ProductsBipolar General Purpose NPN Power Transistor1.5A / 120V, 160V / 20W2.7 0.48.00.5+0.153.1- 0.11.1(B)32(C)(E)1TO-1260.82.290.5 2.290.5 0.55 1.2 APPLICATIONSCLow frequency power amplifier complementaryE C B Bpair with 2SB649AM/2SB649AM-ANPNEAll dimensions in millimeters

Биполярный транзистор 2SD1207 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1207

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2SD1207
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  sanyo 2sd1207.pdf

Ordering number : EN930D2SB892 / 2SD1207SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB892 / 2SD1207Large-Current Switching ApplicationsApplications Power supplies, relay drivers, lamp drivers, and automotive wiring.Features FBET and MBIT processed (Original process of SANYO). Low saturation voltage. Large current capacity and

 ..2. Size:942K  blue-rocket-elect 2sd1207.pdf

2SD1207 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features ,Low saturation voltage, large current capacity. / Applications ,,Power supplies, relay drivers, lamp

 8.1. Size:86K  1 2sd1206.pdf

 8.2. Size:51K  1 2sd1205a.pdf

Transistor2SD1205, 2SD1205ASilicon NPN epitaxial planer type darlingtonUnit: mmFor low-frequency amplification6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0FeaturesR0.9Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE= 4000 to 2000.A shunt resistor is omitted from the driver.0.85M type package all

 8.3. Size:42K  rohm 2sd1200.pdf

2SB1189 / 2SB1238 / 2SB899FTransistorsTransistors2SD1767 / 2SD1859 / 2SD1200F(96-618-B13)(96-750-D13)278

 8.4. Size:51K  panasonic 2sd1205.pdf

Transistor2SD1205, 2SD1205ASilicon NPN epitaxial planer type darlingtonUnit: mmFor low-frequency amplification6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0FeaturesR0.9Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE= 4000 to 2000.A shunt resistor is omitted from the driver.0.85M type package all

 8.5. Size:56K  panasonic 2sd1205 e.pdf

Transistor2SD1205, 2SD1205ASilicon NPN epitaxial planer type darlingtonUnit: mmFor low-frequency amplification6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0FeaturesR0.9Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE= 4000 to 2000.A shunt resistor is omitted from the driver.0.85M type package all

 8.6. Size:31K  hitachi 2sd1209.pdf

2SD1209(K)Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SA1193(K)OutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SD1209(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7VCo

 8.7. Size:114K  inchange semiconductor 2sd1208.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1208 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High DC current gain Darlington APPLICATIONS Power regulator for line operated TV PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings (Ta=25) SY

 8.8. Size:185K  inchange semiconductor 2sd1204.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1204DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current Gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE

 8.9. Size:183K  inchange semiconductor 2sd1202.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1202DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current Gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE

Другие транзисторы… 2SD1200
, 2SD1201
, 2SD1202
, 2SD1203
, 2SD1204
, 2SD1205
, 2SD1205A
, 2SD1206
, , 2SD1207R
, 2SD1207S
, 2SD1207T
, 2SD1207U
, 2SD1208
, 2SD1209
, 2SD120H
, 2SD121
.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: