Характеристики транзистора irfz48n и datasheet

Технические характеристики транзистора IRFZ48N

В таблице приведены основные технические характеристики транзистора IRFZ48N:

Характеристика	Значение
Тип	N-канальный MOSFET
Максимальное напряжение стока-истока (VDS)	55 В
Максимальный ток стока-истока (ID)	50 А
Сопротивление стока-истока (RDS(ON))	19 мОм
Максимальная мощность (PD)	110 Вт
Температурный диапазон	-55°C до +175°C
Корпус	TO-220

Транзистор IRFZ48N отличается низким сопротивлением проводимости, что позволяет ему обладать высокой эффективностью и низкими потерями мощности. Он может использоваться для управления электронными нагрузками, такими как моторы, соленоиды, светодиоды и другие устройства, требующие высокоэнергетической коммутации.

Важно отметить, что для надежной работы транзистора IRFZ48N необходимо соблюдать технические параметры, указанные в его datasheet. Кроме того, необходимо правильно подключить транзистор в соответствии с его электрической схемой и учитывать ограничения по питанию и температуре

Графические данные характеристик

Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.

Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.

Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.

Рис 4. Зависимость сопротивления при открытом канале от температуры.

Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.

Рис 6. Зависимость падения напряжения на внутреннем диоде от тока стока и температуры.

Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.

Обзор транзистора IRFZ48N

Характеристики транзистора IRFZ48N включают высокое напряжение сток-исток (Vдс) до 55 В, максимальный ток стока (Iд) до 50 А, низкое сопротивление переключения (Rds(ON)) до 0,02 Ом и высокая температурная стойкость (до 175 °C).

Транзистор IRFZ48N имеет ток отсечки (Iгс) не более 250 нА, что обеспечивает низкое энергопотребление в режиме ожидания. Он также обладает высокой мощностью коммутации и низкими потерями при преобразовании энергии.

Этот транзистор широко используется в различных электронных устройствах и системах, включая источники энергии, инверторы, преобразователи постоянного тока, модули управления двигателями и другие. Благодаря своим надежным характеристикам и высокой эффективности, транзистор IRFZ48N является популярным выбором для различных приложений в электронной индустрии.

Самые популярные MOSFET-транзисторы

IRFZ44N — легко прикручивается к радиатору, имеет низкое сопротивление открытого канала (17,5 мОм) и может проводить большие токи (до 49 А). К сожалению, он имеет высокое пороговое напряжение (2-4 В), поэтому мы рекомендуем управлять им от более высокого напряжения, например 12 В.

Описание выводов транзистора IRFZ44N (слева вид снизу, т.е. со стороны выводов)

IRL2703 — он немного слабее (максимальный ток стока 24 А) и имеет более высокое сопротивление открытого канала (40 мОм), но его пороговое напряжение составляет около 1 В, поэтому можно попробовать управлять им напрямую с микроконтроллера, питаемого от 5 В.

Описание выводов транзистора IRL2703 (слева вид снизу, т.е. со стороны выводов)

BSS123 — выпускается в небольшом корпусе для поверхностного монтажа (SMD), что может усложнить установку для новичков. Его параметры не впечатляют: сопротивление открытого канала 10 Ом (при U GS = 4,5 В) и максимальный ток стока 170 мА. Однако он идеально подходит для прямого управления с микроконтроллеров на 5 В.

Описание выводов SMD транзистора BSS123 (слева — вид сверху)

Проверка встроенного обратного диода

Практически в любом современном полевом транзисторе, за исключением специальных их типов, параллельно цепи сток-исток включен внутренний «защитный» диод. Наличие этого диода внутри полевика обусловлено особенностями технологии производства мощных транзисторов. Иногда он мешает, считается паразитным, однако в большинстве полевых транзисторов без него, как части цельной структуры электронного компонента, не обойтись.

Следовательно, в исправном полевом транзисторе данный диод тоже должен быть исправным. В n-канальном полевом транзисторе данный диод включен катодом к стоку, анодом — к истоку, а в p-канальном — анодом к стоку, катодом — к истоку. Включите мультиметр в режим «прозвонки» диодов. Если полевой транзистор является n-канальным, то красный щуп мультиметра приложите к его истоку (source), а черный — к стоку (drain).

Транзисторы являются одними из самых широко применяемых радиоэлементов. Несмотря на свою надёжность, они нередко выходят из строя, что связано с нарушениями режима в их работе. При этом поиск неисправного элемента в связи со спецификой устройства полевого транзистора вызывает определённые трудности.

Обычно сток находится посередине и соединен с проводящей подложкой транзистора, а истоком является правый вывод (уточните это в datasheet). В случае если внутренний диод исправен, на дисплее мультиметра отобразится прямое падение напряжения на нем – в районе 0,4-0,7 вольт. Если теперь положение щупов изменить на противоположное, то прибор покажет бесконечность. Если все так, значит внутренний диод исправен.

Порядок измерений.

Проверка цепи сток-исток

Полевой транзистор управляется электрическим полем затвора. И если емкость затвор-исток зарядить, то проводимость в направлении сток-исток увеличится. Итак, если транзистор является n-канальным, приложите черный щуп к затвору (gate), а красный — к истоку, и через секунду измените расположение щупов на противоположное — красный к затвору, а черный — к истоку. Так мы сначала наверняка разрядили затвор, а после — зарядили его. Затвор обычно слева, а исток — справа.

Теперь красный щуп переместите с затвора — на сток, а черный пусть останется на истоке. Если транзистор исправен, то как только вы переместите красный щуп с затвора на сток, мультиметр покажет что на стоке есть падение напряжения — это значит, что транзистор перешел в проводящее состояние.

Теперь красный щуп на исток, а черный — на затвор (разряжаем затвор противоположной полярностью), после чего снова красный щуп на сток, а черный — на исток. Прибор должен показать бесконечность — транзистор закрылся. Для p-канального полевого транзистора щупы просто меняются местами.

Проверка транзистора без выпаивания.

Если прибор запищит

Если на этапе проверки сток-исток прибор запищит, это может быть вполне нормальным, ведь у современных полевых транзисторов сопротивление сток-исток в открытом состоянии бывает очень маленьким. Как вариант, можно соединить затвор с истоком и в таком положении прозвонить сток-исток (для n-канального красный на сток, черный — на исток), прибор должен показать бесконечность.

Главное — чтобы не было звона затвор-исток и сток-исток, особенно в тот момент когда затвор заряжен противоположной полярностью. 

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Области применения транзистора IRFZ48N

Транзистор IRFZ48N имеет широкий спектр применения и используется в различных сферах:

• Силовая электроника: транзистор IRFZ48N отлично подходит для управления и коммутации больших токов и напряжений, поэтому его часто используют в источниках питания, электронных преобразователях и инверторах.
• Автомобильная промышленность: транзистор IRFZ48N применяется в электронных системах автомобилей, таких как системы зажигания, системы подачи топлива, управление двигателем и другие.
• Индустриальная автоматика: транзистор IRFZ48N используется для управления и коммутации больших нагрузок в промышленных системах, таких как робототехника, системы автоматического управления и регулирования процессов.
• Аудио и видео оборудование: благодаря своим высоким характеристикам, транзистор IRFZ48N находит применение в усилителях мощности, аудио и видео системах, где требуется управление большими токами.
• Альтернативные источники энергии: транзистор IRFZ48N может использоваться в солнечных батареях, ветряных генераторах и других альтернативных источниках энергии для управления и коммутации энергетических потоков.

Благодаря своим характеристикам и надежности, транзистор IRFZ48N является популярным компонентом в электронных системах различных областей и активно применяется инженерами и разработчиками.

Транзистор Дарлингтона

Если нагрузка очень мощная, то ток через неё может достигать
нескольких ампер. Для мощных транзисторов коэффициент \(\beta\) может
быть недостаточным. (Тем более, как видно из таблицы, для мощных
транзисторов он и так невелик.)

В этом случае можно применять каскад из двух транзисторов. Первый
транзистор управляет током, который открывает второй транзистор. Такая
схема включения называется схемой Дарлингтона.

В этой схеме коэффициенты \(\beta\) двух транзисторов умножаются, что
позволяет получить очень большой коэффициент передачи тока.

Для повышения скорости выключения транзисторов можно у каждого соединить
эмиттер и базу резистором.

Сопротивления должны быть достаточно большими, чтобы не влиять на ток
база — эмиттер. Типичные значения — 5…10 кОм для напряжений 5…12 В.

Выпускаются транзисторы Дарлингтона в виде отдельного прибора. Примеры
таких транзисторов приведены в таблице.

Модель	\(\beta\)	\(\max\ I_{к}\)	\(\max\ V_{кэ}\)
КТ829В	750	8 А	60 В
BDX54C	750	8 А	100 В

В остальном работа ключа остаётся такой же.

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

Описание транзистора IRFZ48N

IRFZ48N имеет типоразмер TO-220AB, который обеспечивает надежное распределение тепла и удобство монтажа. Он имеет три вывода: исток (source), сток (drain) и затвор (gate). Это позволяет управлять потоком тока между истоком и стоком с помощью напряжения на затворе.

Этот транзистор обладает следующими характеристиками:

• Максимальное напряжение смещения затвора: 20 вольт
• Максимальное напряжение стока-истока: 55 вольт
• Максимальный ток стока: 50 ампер
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 17 миллиом

IRFZ48N находит широкое применение во многих электронных схемах, включая источники питания, инверторы постоянного тока, DC-DC преобразователи, моторные контроллеры и другие приложения, требующие управления большими токами и высокими напряжениями.

Благодаря своим характеристикам и надежности, транзистор IRFZ48N является популярным выбором среди инженеров и электронщиков для построения и разработки различных устройств и систем.

Применение

Транзистор IRFZ48N широко применяется в различных устройствах электроники и электротехники. Его особенности и высокие характеристики делают его идеальным выбором для широкого спектра приложений.

Основные области применения транзистора IRFZ48N:

1. Источники питания и блоки питания: транзистор используется в инверторных схемах для преобразования постоянного тока в переменный.
2. Мощные усилители: благодаря высокой мощности и низкому внутреннему сопротивлению, транзистор IRFZ48N часто применяется в усилителях аудио- и видеосигналов.
3. Сверхбыстродействующие переключатели: благодаря быстрому коммутационному времени, транзистор может использоваться в системах с высокой частотой переключения.
4. Источники тока: транзистор может использоваться в схемах для установления источников постоянного тока в заданном диапазоне.

Также транзистор IRFZ48N может применяться во многих других устройствах, где требуется быстрое коммутационное время, большая мощность и низкое внутреннее сопротивление.

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь. При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене

Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Назначение выводов

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.

Вам это будет интересно Установка двухзонного счетчика

Проверка диода в прямом направлении

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

Проверка диода в обратном направлении

1. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Работа полевого МДП транзистора

Аналоги

Для транзисторов IRFZ44N нет аналогов, с полностью идентичными характеристиками. При этом имеется ряд транзисторов, которые своими характеристиками лишь немного отличаются от IRFZ44N.

Тип	Id, А	Vdss, В	VGS(th), В	VGS, В	RDS(on), Ом	Tj °C
IRFZ44N	49	55	2-4	20	0.0175	175
Зарубежное производство
IRFZ44E	48	60	4	10	0.023	150
IRFZ45	35	60	2-4	20	0.035	150
IRFZ46N	46	55	2-4	10	0.02	150
STP45NF06	38	60	4	20	0.028	175
HUF75329P3	49	55	4	20	0.024	150
IRF3205	98	55	2-4	10	0.008	150
BUZ102	42	50	4	20	0.023	175
Отечественное производство
КП723	50	60	2-4	20	0.028	150
КП812А1	50	60	2-4	20	0.028	150

При этом стоит отметить, что рабочая температура у многих зарубежных и отечественных аналогов транзистора немного меньше оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

Преимущества использования транзистора IRFZ48N

Транзистор IRFZ48N, производимый компанией «Название», представляет собой мощный N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с дополнительной диэлектрической изоляцией (Double-Trench Technology). Этот транзистор имеет ряд преимуществ, которые делают его привлекательным для различных применений.

Преимущество	Пояснение
Высокая мощность и ток	Транзистор IRFZ48N способен выдерживать высокие токи и мощности, что делает его идеальным для использования в схемах с большой нагрузкой.
Низкое сопротивление	IRFZ48N имеет низкое сопротивление канала, что приводит к меньшим потерям мощности и позволяет эффективно управлять током.
Высокая скорость коммутации	Благодаря низкой ёмкости и быстрой коммутации, этот транзистор позволяет достичь высокой производительности и эффективности работы системы.
Широкий диапазон рабочих температур	IRFZ48N способен работать в широком диапазоне температур от -55°C до +175°C, что позволяет использовать его в различных условиях и окружающей среде.
Надежность и долговечность	Благодаря использованию современных технологий и высококачественных материалов в производстве, транзистор IRFZ48N обладает высокой надежностью и долговечностью, что гарантирует его стабильную работу в течение длительного времени.

Преимущества транзистора IRFZ48N делают его привлекательным для различных областей применения, включая силовую электронику, управление моторами, источники питания, световые приборы и другие системы, где требуется эффективное управление мощностью и надежность работы.

Обзор транзистора IRFZ48N

Транзистор IRFZ48N имеет следующие характеристики:

• Максимальное напряжение смещения затвор-исток (Vgs): +/- 20 В
• Максимальное прямое напряжение стока-исток (Vds): 55 В
• Максимальный ток стока (Id): 64 А
• Сопротивление открытого канала (Rds): 17 мОм

Транзистор IRFZ48N имеет большую мощность, что позволяет его использовать в схемах управления электроприводов, импульсных блоках питания, а также в модулях для управления моторами. Сочетание высокой производительности и низкого сопротивления делает его идеальным выбором для схем, требующих эффективной работы при больших нагрузках.

Выводы транзистора IRFZ48N жаростойко покрыты для более простой и надежной пайки. Транзистор также защищен от перегрузок и короткого замыкания, что повышает его надежность и безопасность эксплуатации.

IRFZ48N является распространенным и универсальным компонентом, который может быть использован в различных приложениях. Его преимущества и надежность делают его выбором многих инженеров и электронных специалистов.

IRFZ44N

мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). Хорошие характеристики IRFZ44N дают возможность использовать его для управления мощной нагрузкой, благодаря низкому сопротивления n-канала мощность рассеивания может доходить до 83Вт. Конечно обязательным элементом будет радиатор способный рассеивать данную мощность для предотвращения выхода из строя транзистора IRFZ44N. Файл документации доступен на русском языке.

Цоколевка транзистора IRFZ44N показана на рис. 1 Рис. 1

Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус — TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 17.5 мОм Ток стока 41 А Заряд затвора 42.0 нКл Термосопротивление 1.8 К/Вт Рассеиваемая мощность 83 Вт

Видео работы контроллера бесколлекторного двигателя IRFZ44N:

В интернете часто вижу вопросы, чем отличается IRFZ44N от IRFZ44E, по сути идентичные полевые транзисторы отличающиеся лишь выходными характеристиками и то не значительно.

В своей практике использовал данные транзисторы для управления трехфазным бесколлекторным двигателем (BLDC), желательно совместно с данным транзистором использовать драйвер полевых транзисторов IR4427

Аналог транзистора IRFZ44E: iRF740

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRFZ44N идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 110 Вт. Безусловно, в этом случае необходимо использовать хороший теплоотвод (радиатор).

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

• Максимальное напряжение стока-истока (V _DSS) — 55 В;
• Максимальный ток стока (I _D) — 49 A;
• Сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DSon) — 5 мОм;
• Рассеиваемая мощность (P _D) — 94 Вт

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят  номинальные электрические характеристики. У  IRFZ44N электрические характеристики, при T_j= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

Подключение и установка транзистора IRFZ48N

Правильное подключение и установка транзистора IRFZ48N играют важную роль в обеспечении надежности функционирования устройства. В данном разделе мы рассмотрим основные шаги по подключению и установке этого транзистора.

1. Перед началом работы убедитесь, что питание устройства отключено и оборудование находится в безопасном состоянии.

2. Проанализируйте положение выводов транзистора IRFZ48N

Обратите внимание на то, что этот транзистор имеет три вывода: исток (S), сток (D) и затвор (G)

3. Соедините затвор транзистора IRFZ48N с источником управляющего сигнала, например, с микроконтроллером или другим устройством управления.

4. Правильно подключите сток и исток транзистора IRFZ48N в соответствии с требованиями схемы. Сток подключается к нагрузке или другому элементу схемы, требующему управления, а исток обычно соединяется с заземлением или другим электрическим потенциалом.

5

Проверьте правильность и надежность подключения транзистора IRFZ48N, особенно важно убедиться в отсутствии перекрёстного замыкания между выводами

6. Установите транзистор IRFZ48N на радиатор для отвода излишнего тепла, чтобы гарантировать его эффективную работу в условиях повышенной температуры.

7. Перед включением питания, пройдитесь по всей схеме и убедитесь, что все элементы подключены и закреплены корректно и надежно.

Правильное подключение и установка транзистора IRFZ48N позволит вам использовать его в вашем устройстве наиболее эффективно и безопасно, а также обеспечит долгий срок его службы.

Особенности

Транзистор IRFZ48N обладает рядом особенностей, которые обуславливают его широкое применение в различных электронных устройствах:

1. Высокая нагрузочная способность: благодаря применению MOSFET-технологии, транзистор обладает высокой способностью выдерживать большие токи и напряжения.
2. Низкое сопротивление в открытом состоянии: низкое внутреннее сопротивление транзистора позволяет минимизировать потери мощности и повысить эффективность работы устройства.
3. Высокая скорость коммутации: транзистор имеет небольшое время переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих электронных схемах.
4. Высокая степень надежности: IRFZ48N обладает высокой степенью надежности работы при правильной эксплуатации, что обеспечивает долгий срок службы устройства.
5. Хорошая теплоотводимость: транзистор имеет большую площадь металлического корпуса, что позволяет эффективно отводить тепло и предотвращать перегрев при высоких нагрузках.
6. Простота установки: IRFZ48N имеет типовой корпус TO-220, который удобно монтировать на радиоплатах и системах охлаждения.

Все эти особенности делают транзистор IRFZ48N универсальным и широко применяемым элементом в различных электронных устройствах, включая усилители звука, источники питания, коммутационные схемы и т.д.

Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим

Допустим, вызывает сомнение исправность транзистора полевого типа. Известный русский вопрос в электронике присутствует. Начинают думать… м-да.

• Полевой транзистор отпирается или запирается определенным знаком напряжения. Обсуждали выше. Если помните, говорили, при прозвонке на щупах тестера небольшое постоянное напряжение. Будем использовать в наших тестах. Пока транзистор на плате, сложно сделать измерения, стоит изъять из привычного окружения, как можно применить нестандартные методики. Оказывается, если приложить на электрод отпирающее напряжение, за счет некоторой собственной емкости транзистора область зарядится, сохраняя приобретенные свойства. Допускается прозвонить электроды между истоком и стоком. Сопротивление порядка 0,5 кОм покажет: полевой транзистор работоспособен. Стоит закоротить базу с другими отводами, проводимость исчезнет. Полевой транзистор закрылся и годен.
• Биполярные транзисторы, полевые с управляющим p-n переходом проверяют гораздо проще. В первом случае применяется схема замещения элемента двумя диодами, включенными навстречу (или наоборот спинками). Подадим отпирающее напряжение (p – плюс, n – минус), получив на измерителе сопротивления номинал 500 – 700 Ом. Можно также звонить, пользуясь слухом. Недаром на шкале часто нарисован диод. Прозвонка используется для проверки работоспособности. Напряжения хватает открыть p-n-переход.

Подготовка к проверке транзистора

Временами схватишь руками составной транзистор. Внутри корпуса находиться несколько ключей. Используется для экономии места при одновременном увеличении коэффициента усиления (причем в десятки, тысячи раз, если речь шла о каскадной схеме). Устроен так транзистор Дарлингтона. В корпус зашит защитный стабилитрон, предохраняющий переход эмиттер-база от перегрузки по напряжению. Тестирование идет одним путем:

• Нужно найти подробные технические характеристика транзистора (составного элемента). При нынешнем масштабе компьютеризации не составит проблемы. Даже если изделие импортное. Обозначения на схемах понятные, термины не сложные. Параметр hFE расписали.
• Затем ведется изучение, выполняется анализ. Разбиение схемы на более простые составляющие. Если между переходами коллектора и эмиттера включен стабилитрон, логично начать проверку с него. В начальный момент транзистор заперт, ток мультиметра пойдет, минуя защитный каскад. В одном направлении стабилитрон даст сопротивление 500-700 Ом, в другом (если не пробьется) будет обрыв. Аналогично разобьем на части транзистор Дарлингтона, если имеете представление (обсуждали выше).

Режим прозвонки покажет цифры. Говорят, падение напряжения, по некоторым сведениям, номинал сопротивления. Потрудимся привести опыты, решая вопрос. Вызвонить известный по значению сопротивления, заведомо исправный резистор. Если на экране появится номинал в омах, думать нечего. В противном случае можно оценить заодно ток (разделив потенциал дисплея на номинал). Знать тоже нужно, пригодится в процессе тестирования. До начала работ рекомендуется хорошенько изучить мультиметр. Достаньте инструкцию из мусорной корзины, прочитайте.

Народ интересуется вопросом, можно ли проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Очевидно, многое определено схемой. Тестер просто прикладывает напряжения, оценивает возникающие токи. На основе показаний вычисляется коэффициент усиления, служа критерием годности/негодности. Попробуйте проверить полевой транзистор мультиметром из входящих в состав процессора! Отбрось надежду всяк сюда входящий. Не всегда можно прозвонить полевой транзистор мультиметром.

Возможно, вам также будет интересно

Использование постоянных резисторов для ограничения тока заряда конденсаторов является общепринятой практикой. Однако такое решение связано с некоторыми рисками. Например, короткое замыкание конденсатора или выход из строя реле приводят к тому, что через постоянный токоограничивающий резистор в течение длительного времени протекает большой ток и выделяется много тепла, это может вывести из строя как сам резистор, так

Радиотехнические или электронные устройства могут не иметь в своей конструкции, например, микроконтроллеров или транзисторов, но в любом случае они будут содержать источник питания (ИП). Несмотря на очевидность сказанного, подход к выбору ИП должен быть ответственным и осознанным. Золотое правило опытного разработчика радиоэлектронной аппаратуры гласит, что для успешного завершения опытно-конструкторских работ (ОКР) все, что может быть

Компания Mean Well продолжает развитие линейки источников питания серии SE. В дополнение к существующим сериям мощностью 200; 350; 450; 600; 1000 и 1500 Вт производитель представляет новую серию источников питания мощностью 100 Вт — SE-100.
Источники питания серии SE-100 имеют входное напряжение 115 или 230 В (значение определяется положением переключателя). Эти устройства выпускаются с одним выходом. Номинальное выходное напряжение составляет от 5 до 48 В в зависимости от модели.
ИП серии SE-100 по своим характеристикам и размерам идентичны источникам питания серии NES-100. Их отличие …