Транзистор 13009 чем заменить

Угловая модель

Это один из самых удобных вариантов для любого помещения. Выделяют различные варианты таких конструкций, которые наиболее удобны для квартир и офисов. Несмотря на основную форму, у мебели могут быть и другие особенности. В anderssen предлагают следующие варианты:

Раскладные, оснащенные наиболее прочными механизмами трансформации и длительным сроком эксплуатации.
Маленькие и большие модели, выбор которых обусловлен параметрами помещения и наличием свободного пространства.
Закругленные и прямые конструкции.

Большинство моделей anderssen оборудовано дополнительными элементами. Современные коллекции включают боковые полки, отличающиеся удобством и особым стилем. Некоторые модели становятся настоящим центром просторного помещения. Диваны оснащены всем необходимым для полноценного отдыха и включают просторные мягкие зоны, столик квадратной формы и полки для книг. У столика подходящая высота для расположения на нем ноутбука или планшета.

Угловые диваны оборудованы угловой полкой. Некоторые варианты трансформации позволяют превратить обычный столик во вместительную тумбу. В качестве столешницы можно использовать деревянные подлокотники. На них можно положить телефон, планшет или книгу.

На видео: угловой диван Дискавери.

Fehler 404

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:

Каталог
Ви кауфт человек
Хильфе

или zurück zu:
Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

больше
Венигер

Анеботе — Рабатте — Нойхайтен. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень
Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль заранее.

Мини-диваны

Это одно из лучших решений, предназначенных для малогабаритных квартир и студий. Если вы столкнулись с такой ситуацией, необязательно покупать полноразмерную мебель, которая займет все свободное пространство. Это хорошее решение и для тех, кто часто переезжает. Мебель anderssen небольшого размера отличается высоким качеством и удобными механизмами трансформации. Ее можно поставить в комнате ребенка, на кухне, в спальне и небольшой гостиной. Она хорошо смотрится в домашнем кабинете. Но ее можно установить и в просторной квартире, если вы склонны к минимализму или вам требуется дополнительный диван небольшого формата.

Мини-диваны зачастую оснащают механизмом еврокнижка, дополняют подушками со съемными чехлами и удобной спинкой. Такие чехлы особенно удобны тем, у кого есть дети и домашние животные. Их можно почистить и снова надеть на подушки. Когда диван раскладывается, подушки убирают, после чего выкатывают вперед сидение. Затем отпускают спинку. Вы можете выбрать и боковой вариант трансформации компактной мебели.

Вы должны учитывать, что боковая раскладка дополнительно требует свободное пространство слева или справа. Мебель нельзя ставить вплотную со стеной или шкафом. Многочисленные варианты мини-диванов anderssen дают возможность подобрать оптимальную модель. Выделяют следующие преимущества малогабаритных диванов:

экономию свободного места;
эстетичность исполнения;
невысокую стоимость;
удобство эксплуатации;
функциональность.

Таким образом, при выборе дивана необходимо учитывать различные факторы, такие как размеры помещения, удобство использования, качество и надежность. Выбирая мягкую мебель anderssen, вы можете быть уверены в надежности и долгосрочности ее использования в своем доме.

BD241-S Транзисторы — биполярные — одиночные, TRANS NPN 45V 3A, Bourns Inc.

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BD241-S. Транзисторы — биполярные — одиночные производства Bourns Inc. доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — биполярные — одиночные BD241-S купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т

п.Внимание!

При близких(почти идеинтичных) общих параметрах уразных производителей транзисторы 13001 могутотличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

In Stock: 36926

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

физические:

биполярный транзистор;
корпус ТО-220, ТО-3PN;
материал корпуса – пластик;
кристалл — кремний (Si);

электрические (допустимые):

проводимость – NPN;
U_{КЭ макс} (V_CE_max) до 400 В (V);
U_КЭВ(V_CEV) 700 В (V), при U_БЭ(V_BE) = -1.5 В (V);
U_{ЭБ макс}(V_ЕВ_max) до 9 В (V);
I_K(I_C) 12 А, I_K_макс (I_C_max) до 24 А;
I_Б. (I_B) 6А, импульсный пиковый I_Б_пик_. (I_B_max) до 12 А, при t_p≤10 мc (ms);
I_Э (I_E) 18А, импульсный пиковый I_Э_пик_. (I_E_max) до 36 А, при t_p≤10 мc (ms);
P (P_tod)= 100 Вт (W), при Tc ≤ 25°C и использовании радиатора;
F_{Гр мин.}(f_t_MIN) 4 МГц (MHz), при U _КЭ(V_CE ) =10 В (V), I_K (I_c₎= 0,5 А;
U_КЭ.раб.(V_CEO_sus) 400 В (V), при I_C (I_К) = 10 мA(mA), I_Б(I_B)= 0;
I_КЭВ(I_CEV) 1 мА (mA) при U_КЭВ(V_CEV) = 700 В (V), до 5 мА (mA) при повышении T_раб(T_amb) до 150 °C;
I_ЭБО(I _E_BO) ≤1 мА (mA), при U _E_Б(V_EB ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0);
выходная емкость C_22б (C_ob) = 180 пФ (pF);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.}(V_BE_sat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.}(V_BE_sat):

коммутационные характеристики (при U_КЭ=120 В, I_K =8 A, I_{Б вкл}=1.6А, I_{Б выкл.}= -1.6А):

время задержки t_зад (t_d) = 0.1 мкс (µs);
время включения t_вкл (t_on) = 1.1 мкс (µs);
время спада t_сп(t_f) = 0.7 мкс (µs);
время рассасывания t_РАС(t_s) = 3 мкс (µs);

тепловые:

Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу R_θJC= 1.26 °C/W (°C/Вт);
Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде R_θ_C_A= 62.5 °C/W (°C/Вт);
Общее тепловое сопротивление R_θ_J_A= 100 °C/W (°C/Вт);
T_{перехода}(T_j) ≤ + 150 °C;
T_хран.(T_str) от — 65 до + 150 °C;
T_раб.(T_amb) от — 65 до + 150 °C;
T_пайки(T_L) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

KSH13005W Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W █ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-263（D2PAK） Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature………

2.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

KSH13005A KSH13005A ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005A KSH13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO-220

2.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

KSH13005AF KSH13005AF ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005AF KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».