2SD560 Datasheet (PDF)
..1. Size:90K nec 2sd560.pdf
DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SD560NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHINGThe 2SD560 is a mold power transistor developed for low- ORDERING INFORMATIONfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor isOrdering Name Packageideal for direct driving from the IC output of devices such
..2. Size:209K fuji 2sd560.pdf
..3. Size:209K inchange semiconductor 2sd560.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD560DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 2000(Min) @I = 3.0AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type 2SB601Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifiers and l
9.1. Size:213K inchange semiconductor 2sd568.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD568DESCRIPTIONHigh Collector Current:: I = 7ACLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@I = 5ACE(sat) CComplement to Type 2SB707Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplifiers and low-speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM R
9.2. Size:213K inchange semiconductor 2sd569.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD569DESCRIPTIONHigh Collector Current: I = 7ACLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@I = 5ACE(sat) CComplement to Type 2SB708Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplifiers and low-speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RA
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые мезо-планарные, NPN, импульсные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки ТВ-приемников и видеоконтрольных устройств, источниках вторичного электропитания и высоковольтных переключающих устройствах.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3P(H)IS |
| КТ838А* | 70 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 115 | ≥ 3 | 170 | ≥ 4 | ТО-3 (КТ-9) |
| КТ839А* | 50 | 1500 | 1500 | 5 | 10 | 125 | ≥ 5 | 240 | от 5 до 12 | |
| КТ886А1/Б1* | 75 | 1400/1000 | 1400/1000 | 7 | 10 | 150 | 135 | от 6 до 25 | TOP-3 (КТ-43В-2) |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Импортное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3P(H)IS |
| 2SD1546/7/8* | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/7/10 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3PF |
| 2SD1556 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 3 | 165 | 8 | |
| 2SD2125 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 3 | 165 | 8 | |
| 2SD2498*/9 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 2 | 95 | 8 | TO-3P(H)IS |
| 2SC4293/4 | 50 | 1500 | 800 | 7 | 5/6 | 150 | 8 | TO-3PN | ||
| 2SC4744 | 50 | 1500 | 6 | 6 | 150 | 25 | TO-3PFM | |||
| BUH417 | 55 | 1700 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | TO-3PF | ||
| BUH515 | 60 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH517* | 55 | 1700 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH615 | 55 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH715* | 65 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| KSC5086 | 50 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | 8 | |||
| KSC5088* | 50 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | 8 | |||
| TS7988 | 70 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| TS7990 | 75 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| TS7992 | 75 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| BU508D | 125 | 1500 | 700 | 8 | 150 | 7 | 125 | от 6 до 30 | SOT-429 | |
| 2SD1847/8 | 100 | 1300 | 1300 | 7 | 6 | 150 | 2 | от 5 до 25 | TO-3PFa | |
| 2SD5072 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 5 | 150 | 3 | 8 | TO-3MPL |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Примечание: все данные в таблицах получены из даташит производителя.
Биполярный транзистор 2SD1616 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1616
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора:
2SD1616
Datasheet (PDF)
..1. Size:156K nec 2sd1616.pdf
..2. Size:282K utc 2sd1616 2sd1616a.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1616/A NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 11SOT-223SOT-89 DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching 1SIP-311TO-92 TO-92SP ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Plating Halogen-Free 1 2 3 2SD1616L-x-AA3-B 2SD1616G-x-AA3-B SOT-22
..3. Size:1161K wietron 2sd1616.pdf
2SD16162SD1616ANPN TransistorsTO-921. EMITTER122. COLLECTOR33. BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol 2SD16116 2SD1616A UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 60 VdcCollector-Base Voltage VCBO60 120 VdcEmitter-Base Voltage VEBO6.0 VdcCollector Current IC1.0 AdcPD 0.75Total Device Dissipation T =25 C WAJunction Temperature T 150j C-55
0.1. Size:98K nec 2sd1616a.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SD1616, 2SD1616ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.15 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 50 mA) Large PT in small dimension with versatilityPT = 0.75 W, VCEO = 50/60 V, IC(DC) = 1.0 A Complementary transistor with the 2SB1116 and 1
0.2. Size:341K secos 2sd1616a.pdf
2SD1616A 1A , 120V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Power dissipation ADMillimeter REF.Min. Max.BA 4.40 4.70CLASSIFICATION OF hFE (1) B 4.30 4.70C 12.70 -D 3.30 3.81Product-Rank 2SD1616A-L 2SD1616A-K 2SD1616A-UE 0.36 0.56F 0.36 0.51
0.3. Size:758K jiangsu 2sd1616a.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 1. EMITTER 2SD1616A TRANSISTOR (NPN) 2. COLLECTOR FEATURE 3. BSAE Power dissipation MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Co
0.4. Size:193K lge 2sd1616a.pdf
2SD1616A(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 1 A Dimensions in inches and (millimeters)PC C
Другие транзисторы… 2SD1610C
, 2SD1610D
, 2SD1611
, 2SD1612
, 2SD1613
, 2SD1614
, 2SD1615
, 2SD1615A
, BC546
, 2SD1616A
, 2SD1616AG
, 2SD1616AL
, 2SD1616AY
, 2SD1616G
, 2SD1616L
, 2SD1616Y
, 2SD1617
.