A1267 datasheet pdf ( pinout ) - pnp transistor

A1267 транзистор характеристики

Вот основные технические характеристики транзистора A1267:

Характеристика	Значение
Тип транзистора	NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)	100 В
Максимальный коллекторный ток (Ic)	10 А
Максимальная мощность (Pd)	100 Вт
Коэффициент усиления по току (hFE)	от 50 до 600
Частота переключения (ft)	10 МГц
Температурный диапазон	от -55°C до +150°C
Корпус	TO-220

Транзистор A1267 широко применяется в различных электронных устройствах, таких как источники питания, усилители, инверторы и другие. Его высокие характеристики делают его идеальным компонентом для схем, требующих большой мощности и стабильной работы.

Благодаря низкому внутреннему сопротивлению и малому уровню шума, транзистор A1267 обеспечивает надежную и качественную работу в самых разных условиях.

Транзистор 2SA1266: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

2SA1266 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, коллектор. база.

Аналог транзистора 2SA1266

Вы можете заменить 2SA1266 на: 2SA1015, 2SA1048, 2SA1267, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SB560, A1015, BC212, KSA1015, KSA708C, KSA733C, KTA1266, KTA1267.

Комплементарной парой 2SA1266 является транзистор 2SC3198.

SMD версия 2SA1266: 2SA1162 (SOT-23), 2SA1586 (SOT-323), 2SA1832 (SOT-23), FJX733 (SOT-323), KTA1504 (SOT-23), KTA1504S (SOT-23).

Технические характеристики транзистора A1267

Максимальные параметры:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 50 В
Максимальный ток коллектора (Ic): 0.1 А
Максимальная мощность коллектора (Pc): 0.2 Вт

Электрические параметры:

Коэффициент усиления тока постоянного (hFE): 100-320
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): 0.2 В
Базовый ток (Ib): 20 мА

Прочие параметры:

Тип корпуса: TO-92
Температурный диапазон: -55°C до +150°C
Положение выводов: E — эмиттер, B — база, C — коллектор

Обратите внимание, что указанные технические характеристики могут незначительно отличаться в зависимости от производителя и партии транзисторов

Чем заменить транзистор а1266

Биполярный транзистор A1266 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: A1266

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

A1266 Datasheet (PDF)

A1266 PNP silicon APPLICATIONGENERAL PURPOSE APPLICATION.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -50 VCollector-emitter voltage VCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -150 mACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature TJ 150Storage Temperature Range Tstg

SEMICONDUCTOR KTA1266ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mA: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. EKB 4.80 MAXGComplementary to KTC3198A. C 3.70 MAXDD 0.45E

SEMICONDUCTOR KTA1266TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=80(Typ.) at VCE=-6V, IC=-150mAN DIM MILLIMETERS: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz. GC 3.70 MAXDComplementary to KTC3198. D 0.45E 1.00F

KTA1266(PNP)TO-92 TransistorsTO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Excellent hFE Linearity Low noise Complementary to KTC3198 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 V Dimensions in inches and (millimeters)IC Co

0.5. kta1266.pdf Size:210K _wietron

KTA1266WEITRONPNP Plastic-Encapsulate TransistorP b Lead(Pb)-Free1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASEFEATURES : Excellent hFE LinearityTO-92 Low noiseMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current -Continuous IC -0.1

0.6. fta1266.pdf Size:269K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTA1266TECHNICAL DATATRANSISTOR (NPN) B CFEATURES General Purpose Switching Application Complementary to FTC3198.DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAX GC 3.70 MAXDD 0.55 MAXMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 1.00F 1.27G 0.85Symbo Parameter Value UnitH 0.45_HVCBO Collector-Base Voltage -60 V J 14.00 + 0.50L 2.30F

0.7. kta1266.pdf Size:1113K _kexin

DIP Type TransistorsPNP TransistorsKTA1266Unit:mmTO-924.8 0.3 3.8 0.3 Features Excellent hFE Linearity Low Noise Complementary to KTC31980.60 Max0.45 0.1 0.521 31.Emitter2.Collector1.272.54 3.Base Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -50 Collector — Emitter Voltage VCEO

Технические данные и описания

Параметр	Значение
Тип	PNP
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CE)	60 В
Максимальный коллекторный ток (I_C)	10 А
Максимальная мощность потери (P_D)	100 Вт
Коэффициент усиления по току (h_FE)	от 1000 до 5000
Температурный диапазон	от -55 до +150 градусов Цельсия
Корпус	TO-220AB

Транзистор A1267 имеет три вывода: коллектор, база и эмиттер. Он может быть использован в различных схемах, включая усилители звука, источники питания, источники сигнала и другие электрические устройства, где требуется высокая мощность и надежность. Рекомендуется обращаться к даташиту для получения подробной информации о подключении и использовании этого транзистора.

Важно отметить, что технические данные и описания могут варьироваться в зависимости от производителя и модели транзистора. При выборе и применении A1267 рекомендуется обратиться к официальному документации и консультации специалистов для получения точной и актуальной информации

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

Характеристики транзистора A1267 на русском языке

Транзистор A1267 относится к семейству биполярных эпитаксиальных NPN транзисторов. Он представляет собой устройство, которое может усиливать и переключать сигналы, а также выполнять функции стабилизации напряжения и тока.

Вот основные характеристики транзистора A1267:

Тип корпуса: TO-92
Максимальное постоянное напряжение коллектора-эмиттера (Vce): 50 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 500 мА
Максимальный постоянный ток базы (Ib): 50 мА
Максимальная мощность потери (Pd): 300 мВт
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE): 40-400
Максимальная рабочая температура (Tj): +150°C

Эти характеристики описывают основные параметры и предельные значения транзистора A1267. При использовании данного транзистора необходимо учитывать эти значения и подбирать соответствующие составляющие схемы.

Транзистор A1267 широко используется в различных электронных устройствах, таких как усилители звука, радиоприемники, источники питания и т.д. Он обладает низким уровнем шума, надежностью и хорошей стабильностью работы.

Важно отметить, что для более подробной информации о транзисторе A1267 рекомендуется обратиться к техническому описанию и документации производителя, где будут представлены дополнительные характеристики и рекомендации по применению

Детальное описание

Основное назначение транзистора A1267 — усиление и коммутация электрических сигналов. Он обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет его успешное применение во многих устройствах.

Характеристики транзистора A1267:

Тип транзистора: NPN
Максимальное напряжение коллектора: 60 В
Максимальный ток коллектора: 1.5 А
Максимальная мощность: 40 Вт
Максимальная рабочая частота: 300 МГц
Ток базы: 0.1 А
Напряжение базы-эмиттер: 5 В
Температурный коэффициент: 150°C/Вт
Корпус: TO-92

Транзистор A1267 популярен в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности, регуляторы напряжения, импульсные источники питания, аудиоусилители и другие. Он обладает низким уровнем шума, быстрым переключением и высокой надежностью.

Кроме того, транзистор A1267 обеспечивает стабильную работу при широком диапазоне температур и обладает защитой от перегрева, короткого замыкания и обратной полярности.

При использовании транзистора A1267 необходимо учитывать технические данные и рекомендации производителя для обеспечения оптимального функционирования и безопасности устройства.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ

A1013 transistor characteristics

output characteristics of the A1013 transistor

The figure shows the output characteristics of the A1013 transistor, the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current levels, the collector current increases from lower to higher with respect to the collector to emitter voltage.

DC current gain characteristics of the A1013 transistor

The figure shows the DC current gain characteristics of the A1013 transistor, the graph is plotted with DC current gain vs collector current.

At two fixed voltage values, the DC current gain increases from a particular limit and becomes constant then dips towards a lower value.