Bd241 pdf ( даташит ) - silicon npn power transistors

Таблица предельных значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Величина	Ед.изм.
Uкб max	Напряжение коллектор-база	20…50	В
Uкэ max	Напряжение коллектоp-эмиттеp (Rбэ=10кОм)	20…50	В
Uэб max	Напряжение эмиттер-база	5	В
Iк max	Постоянный ток коллектора	200	мА
Iк имп max	Импульсный ток коллектора (tu 500)	250	мА
Pк max	Рассеиваемая мощность коллектора	250	мВт
Tj	Температура перехода	125	°C

Параметры транзистора BD243C

Ниже приведены основные параметры транзистора BD243C:

Параметр	Значение
Типоразмер	BD243C
Тип корпуса	TO-220
Тип полупроводника	NPN
Максимальное коллекторное напряжение (U_CEO)	100 В
Максимальный коллекторный ток (I_C)	6 А
Максимальная мощность потери (P_D)	65 Вт
Максимальная температура перехода (T_j)	150 °C

Транзистор BD243C обладает низким внутренним сопротивлением база-эмиттер (R_BE) и обратным соединением коллектор-эмиттер (R_CE), что позволяет достичь высокой эффективности при использовании в усилительных схемах или ключевых элементах в импульсных источниках питания.

Транзистор BD243C может работать в широком диапазоне температур и поддерживает надежную работу в экстремальных условиях. Он также имеет низкую стоимость и широко доступен на рынке, что делает его популярным выбором для множества приложений в электронике.

Графические данные

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера в области сверхмалых и номинальных значений.

Представленные графики отражают зависимость изменения коэффициента передачи тока транзистора КТ3102 от тока эмиттера во всем диапазоне допустимых значений. В области сверхмалых токов эмиттера, величина которых не превышает 2мкА, h 21Е ниже номинальных значений в 5-10 раз. По мере перехода транзистора в режим работы с эмиттерным током, характерным для усилительных схем, коэффициент передачи тока приобретает достаточно линейный характер. Дальнейшее нарастание тока эмиттера и достижение значений близких к предельно допустимым вызывает падение h 21Е на 30-40%.

Анализ графика позволяет сделать вывод, что транзистор рекомендуется для работы в усилительных устройствах в области допустимых электрических параметров.

Аналоги транзистора BD243C

Транзистор BD243C имеет несколько аналогов, которые имеют схожие технические характеристики и могут использоваться вместо него:

BD243B: Это стабильный и надежный транзистор с сопоставимыми техническими параметрами. Он также имеет максимальную рабочую температуру 150 °C и ток коллектора 6 А.

BD244C: Подобно транзистору BD243C, этот транзистор обладает максимальной рабочей температурой 150 °C и током коллектора 6 А. Он также может использоваться как замена транзистора BD243C.

BD245C: Этот транзистор имеет максимальную рабочую температуру 150 °C и ток коллектора 6 А, что делает его хорошим аналогом транзистора BD243C.

BD246C: Этот транзистор имеет максимальную рабочую температуру 150 °C и ток коллектора 6 A, что делает его хорошим заменителем транзистора BD243C.

BD249C: Транзистор BD249C также имеет схожие технические характеристики, такие как максимальная рабочая температура 150 ° C и ток коллектора 6 А. Этот транзистор может использоваться как аналог BD243C.

Важно отметить, что при выборе аналогов транзистора BD243C необходимо учитывать не только совпадение технических характеристик, но и требования конкретной схемы или устройства, в котором будет использоваться транзистор

Даташит транзистора BD243C

В данном разделе представлена техническая информация о транзисторе BD243C.

Технические характеристики:

Тип корпуса: TO-220
Тип транзистора: NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 100 В
Максимальный коллекторный ток (Ic): 6 A
Максимальная мощность (Pd): 65 Вт
Максимальная температура перехода (Tj): 150°C
Коэффициент усиления по току (hFE): от 25 до 100
Максимальная частота переключения (fT): 3 МГц

Рекомендуемые аналоги: BD243A, BD243B, BD243D.

Даташит транзистора BD243C можно найти на официальном сайте производителя или на специализированных электронных ресурсах в формате PDF.

Технические характеристики транзистора BD243C

Технические характеристики транзистора BD243C приведены в таблице ниже:

Параметр	Значение
Тип транзистора	npn
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)	100 В
Максимальное напряжение коллектор-база (Vcbo)	100 В
Максимальный ток коллектора (Ic)	6 А
Максимальная мощность потери (Pd)	65 Вт
Коэффициент усиления тока коллектора (hfe)	40-160
Рабочая температура	от -65°C до +150°C
Тип монтажа	TO-220

Транзистор BD243C является аналогом следующих устройств: BD243, BD243A, BD243B. Это означает, что его можно заменять указанными транзисторами без изменения схемы и параметров работы устройства.

Аналоги транзистора КТ3102

КТ3102А

: 2N4123, BC547A, BC548A, BCY59-VII, BCY65-VII, BC107AP, BC182A, BC183A, BC237A, BC317, BC238A, MPS3709КТ3102Б : 2N2483, 2SC538A, 2SC828A, BC452, BC547B, BCY56, BCY59-VIII, BCY59-IX, BCY65-VIII, BCY65-IX, BCY79, MPSA09, 2SC1000GTM, 2SC1815, BC182B, BC182C, BC183B, BC237B, BC318, BC382B, SF132E, BC183C, PN2484КТ3102В : 2SC828, BC548B, MPS3708, MPS3710, 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, BC108AP, BC238B, BC451, SF131EКТ3102Г : 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, BC108CP, BC238C, BC382C, SF131F, SF132FКТ3102Д : 2N2484, 2N5209, 2SC945, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-х, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, 2N4124, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, BC109BP, BC184A, BC239B, BC383B, BC384BКТ3102Е : 2N5210, BC549C, BCY57, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BFх65

MOSFET-транзистор — влияние резистора затвора

Большинство полевых МОП-транзисторов используются как переключатели, управляемые напряжением. Эти элементы очень популярны по двум причинам. Во-первых, их ворота не потребляют электричество. Во-вторых, из-за низкого сопротивления открытого канала происходят очень маленькие потери (что всегда является большим преимуществом).

Лучше всего проверить это на практике. На этот раз для выполнения упражнения вам понадобятся:

1 × зуммер с генератором,
1 × транзистор BS170,
Резистор 1 × 100 R,
Резистор 1 × 1 кОм,
Резистор 1 × 1М,
Батарея 4 × AA,
1 × корзина для 4 батареек АА,
1 × макетная плата,
Комплект соединительных проводов.

Описание выводов транзистора BS170 (слева вид снизу, т.е. со стороны выводов)

Теперь нам необходимо собрать простую схему, в которой мы заменим резистор, подключенный к затвору — пусть в начале он будет 10 кОм. Если хотите, для безопасности, при сборке схемы, можно закоротить ножки транзистора фольгой — не забудьте снять ее непосредственно перед подключением батареи.

Пример использования полевого МОП-транзистора

На практике схема может выглядеть так:


Схема на макетной плате	MOSFET на практике

Если схема собрана правильно, зуммер должен пищать. В такой ситуации стоит измерить ток, протекающий через зуммер, и напряжение между стоком и истоком транзистора. Также стоит измерить напряжение между выводами резистора.


Измерение напряжения сток-исток	Измерение тока стока

Измерение напряжения затвор-исток	Измерение тока затвора

Когда измерения готовы, замените наш резистор на резистор большего размера, то есть на 1 МОм, и повторите измерения, затем то же самое для резистора 100 Ом. Наконец, также стоит проверить, что произойдет, если мы подключим затвор через резистор к земле.

Схема с заземлением

В этом эксперименте, каждый раз, напряжение транзистора UGS превышало пороговое значение напряжения. Это произошло из-за того, что исток был подключен к земле, а затвор — к напряжению, близкому к +6 В, а пороговое напряжение этого транзистора было от 2 до 3 В. В свою очередь, подключение затвора к земле вызвал исчезновение канала и отсутствие тока, потому что UGS = 0.

Идеально работающий мультиметр имел бы бесконечно большое сопротивление. Однако наш мультиметр имеет сопротивление 1 МОм, что приводит к большим искажениям при последовательном измерении с R = 1 МОм.

Результаты, полученные нами в этом упражнении, могут отличаться от ваших

Собранные в таблице данные, наглядно показывают состояние засорения и насыщения транзистора. В насыщенном состоянии (когда UGS намного больше, чем UGSth), сопротивление между стоком и истоком незначительно, следовательно, падение напряжения составляет порядка нескольких мВ, а сток ограничен током, ограниченным только зуммером. В засоренном состоянии сопротивление настолько велико, что ток стока практически не течет, и почти все напряжение протекает между стоком и истоком. Все эти наблюдения не зависят от используемого резистора затвора (ситуация была бы иной в случае с биполярными транзисторами).

Если резистор удален из работающей схемы (что мы не рекомендуем делать из-за возможности повреждения транзистора), зуммер все еще мог бы издавать звуковой сигнал. Почему? Затвор отделен от канала изолятором, поэтому там создается емкость, то есть там есть небольшой внутренний конденсатор. Только через некоторое время из-за несовершенства изолятора он разрядится.

Список деталей для схемы усилителя

Резисторы (0,25Вт):

R1 = 22 К;
R2 = 2,2 К / 1 Ватт;
R3 = 2.7 К;
R4 = 100 Ом;
R5 = 8,2 К;
R6 = 470 Ом;
R7, R8 = 1 К / 1 Ватт;
R9, R10 = 1 Ом / 1 Ватт;
R11 = 1 Ом / 1 Ватт.

Конденсаторы:

C1 = 10 мкФ / 16 В;
C2 = 470 мкФ / 6.3В;
C3 = 220 пФ;
C4 = 220 мкФ / 40 В;
C5 = 100 пФ;
C6 = 470 нФ;
C7 = 100 нФ / 100 В;
C8 = 220 нФ;
C9, C10 = 1 мкФ / 63 В (не электролит);
C11, C12 = 220 мкФ / 63В.

Транзисторы и диоды:

D1 = стабилитрон на 12В / 500мВт (ZPD 12V);
D2, D3, D4 = 1N4001 (или подобные);
D5, D6, D7, D8 = BY 550-50 (или подобные);
T1, T2 = BC556B;
T3 = BD241C;
T4 = TIP142;
T5 = TIP147.

Рис. 5. Цоколевка транзистора BC556B из даташита ONSemi.

Перед установкой транзисторов прозвоните их выводы тестером и убедитесь что они совпадают с заявленной цоколевкой, это касается BC556, BC556B.

BD241C Datasheet (PDF)

..1. Size:139K motorola bd241b bd241c bd242b bd242c.pdf

Order this documentMOTOROLAby BD241B/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBD241BComplementary Silicon PlasticBD241C*Power TransistorsPNP. . . designed for use in general purpose amplif

..2. Size:108K motorola bd241c bd242c.pdf

Order this documentMOTOROLAby BD241C/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBD241C*Complementary Silicon Plastic PNPBD242BPower Transistors. . . designed for use in general purpose amplifi

..3. Size:252K st bd241a bd241c.pdf

BD241ABD241CNPN power transistors.Features NPN transistorsApplications Audio, general purpose switching and amplifier transistors321DescriptionTO-220The devices are manufactured in Planar technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain Figure 1. Internal schematic diagramperformance coupled with very low sa

..4. Size:27K fairchild semi bd241 bd241a bd241b bd241c.pdf

BD241/A/B/CMedium Power Linear and Switching Applications Complement to BD242/A/B/C respectivelyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage: BD241 45 V: BD241A 60 V: BD241B 80 V: BD241C 100 V VCER Collector-Emitter Voltage:

..5. Size:238K onsemi bd241c bd242b bd242c.pdf

BD241C (NPN),BD242B (PNP),BD242C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorswww.onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.POWER TRANSISTORSFeaturesCOMPLEMENTARY High Current Gain — Bandwidth ProductSILICON Compact TO-220 AB Package3 AMP Epoxy Meets UL94 V-0 @ 0.125 in80-100 VOLTS These Devices are Pb-F

..6. Size:211K inchange semiconductor bd241 bd241a bd241b bd241c.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BD241/A/B/CDESCRIPTIONDC Current Gain -h = 25(Min)@ I = 1.0AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BD241; 60V(Min)- BD241ACEO(SUS)80V(Min)- BD241B; 100V(Min)- BD241CComplement to Type BD242/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gene

0.1. Size:32K st bd241cfp.pdf

BD241CFPCOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE 2000 V DC ISOLATION (U.L. COMPLIANT)APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE AMPLIFIERSDESCRIPTIONThe BD241CFP is silicon epitaxial-base NPN3transistor mounted in TO-220FP fully molded 21isolated package.It is inteded for power linear and switchingTO-220FPapplications.INTER

0.2. Size:140K onsemi bd241cg.pdf

BD241C (NPN),BD242B (PNP),BD242C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.POWER TRANSISTORSFeaturesCOMPLEMENTARY Collector-Emitter Saturation Voltage -SILICONVCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc3 AMP Collector-Emitter Sustaining Voltage -80-100 VOLTSVCEO(sus)

0.3. Size:104K shantou-huashan hbd241c.pdf

NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD241C APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Модернизация регулятора напряжения

Это еще один вариант улучшить качество работы реле и устойчивость его к переходным моментам. За основу взято стандартное реле 50.3702-01, в схему которого добавили всего один резистор и конденсатор.

На схеме доработка обозначена красным цветом и, как видно, не требует больших усилий и особого опыта в радиоэлектронике. При увеличении напряжения в бортовой электросети, конденсатор С2 начинает заряжаться. При это часть тока протекает через базу транзистора VT1 и по величине пропорционален скорости роста напряжения. Это приводит к открытию транзистора VT1 и закрытию транзисторов VT2 и VT3. При этом происходит спад тока в катушке возбуждения, причем более ранний, чем без дополнительной установленной цепи. Это позволяет значительно уменьшить колебания напряжения в сети или вовсе их исключить. То же самое касается и снижения напряжения. Другими словами, рамки допустимого напряжения сужаются, а плавность стабилизации повышается.

На данной схеме также можно внедрить еще одно рациональное предложение. Как известно, выходное напряжение генератора оптимизируется в зависимости от окружающей температуры и зимой должно быть выше на 0,8 В, достигая где-то 14,6 В. По стандарту сезонная подстройка выполняется снятием или установкой перемычек S1, S2 и S3. Установка перемычек исключает из схемы резисторы R1, R2 и R3 и напряжение на выходе возрастает. При снятии перемычек транзисторы снова включаются в работу и напряжение падает. Чтобы этого не делать, упомянутые транзисторы можно заменить одним подстроечным и регулировать выходное напряжение проще и с большей точностью.

Создано реле регулятор напряжения генератора для корректировки выдаваемого в бортовую сеть и на клеммы аккумулятора «вольтажа» в заданном диапазоне 13,8 – 14,5 В (реже до 14,8 В). Кроме того, регулятор корректирует напряжение на обмотке самовозбуждения генератора.