Характеристики транзистора tip35c (tip35)

Маркировка smd транзисторов — кодовые обозначения

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UEB IC TJ hFE fT Cob NF UCE(sat) Корпус
C1815 0,2 60 50 5 0,15 150 130 80 3,5 ≤ 0,25 SOT-23
КТ3102А 0,25 50 50 5 0,1 100…200 150 ≤ 6 10 ТО-92, ТО-18
КТ3102Б 0,25 50 50 5 0,1 200…500 150 ≤ 6 10 ТО-92, ТО-18
КТ602А/Б 0,85 120 100 5 0,075 150 20…80 150 ≤ 4 ≤ 3,0 ТО-126
КТ602В/Г 0,85 80 70 5 0,075 150 15…80 150 ≤ 4 ≤ 3,0 ТО-126
КТ611А/Б 0,8 200 180 4 0,1 150 10…120 ≥ 60 ≤ 5 ≤ 0,8 ТО-126
КТ611В/Г 0,8 180 180 4 0,1 150 10…120 ≥ 60 ≤ 5 ≤ 0,8 ТО-126
КТ660А 0,5 50 45 5 0,8 150 110…220 ≥ 200 ≤ 10 ≤ 0,5 ТО-92

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UEB IC TJ hFE fT Cob NF UCE(sat) Корпус Маркировка
2SC1815 0,4 60 50 5 0,15 150 70…700 80 ≤ 3,5 1…10 0,25 TO-92
CSC3114/R 0,4 50 0,15 100 100 ≤ 3,5 ≤ 100 ≤ 0,25 TO-92
CSC3114S 0,4 50 0,15 140 100 TO-92
CSC3114V 0,4 50 0,15 280 100 TO-92
CSC3199 0,4 50 0,15 70…700 80 TO-92
CSC3331/R/S/T 0,5 50 0,2 70 200 TO-92
CSC3331TU/U/V 0,5 50 0,2 70 200 TO-92
C1815 0,2 60 50 5 0,15 150 130 80 0,25 SOT-23 HF
2N5551SC 0,35 180 160 6 0,6 150 150 100 ≤ 6 ≤ 8 ≤ 0,5 SOT-23 ZFC
2PD601BRL 0,25 60 50 6 0,2 150 210 100 ≤ 3 ≤ 0,25 SOT-23 ML٭
2PD601BSL 0,25 60 50 6 0,2 150 290 100 ≤ 3 ≤ 0,25 SOT-23 MM٭
2PD602ASL 0,25 60 50 5 0,5 150 170 180 ≤ 15 ≤ 0,6 SOT-23 SF
2SC2412-R 0,2 60 50 7 0,15 150 180 180 ≤ 3,5 ≤ 0,4 SOT-23 BR
2SC2412-S 0,2 60 50 7 0,15 150 270 180 ≤ 3,5 ≤ 0,4 SOT-23 BS
2SC945LT1 0,23 60 50 5 0,15 150 200 150 ≤ 3,5 ≤ 0,3 SOT-23 L6
2STR1160 0,5 60 50 5 1 150 250 150 ≤ 3,5 ≤ 0,43 SOT-23 160
BCV47 0,36 80 60 10 0,5 150 10000 170 ≤ 3,5 ≤ 1,0 SOT-23 DK, FG, FGp, FGs, FGt, W
BTC2412N3 0,225 60 50 7 0,2 150 180 80 ≤ 3,5 ≤ 0,4 SOT-23 C4
BTD2150N3 0,225 80 50 6 4 150 270 175 14 ≤ 0,32 SOT-23 CF
BTN6427N3 0,225 100 60 12 0,5 150 10000 ≤ 7 ≤ 1,5 SOT-23 1N
CMPT3820 0,35 80 60 5 1 150 200 150 ≤ 10 ≤ 0,28 SOT-23 38C
CMPT491E 0,35 80 60 5 1 150 200 150 ≤ 10 ≤ 0,4 SOT-23 C49
INC5001AC1 0,2 80 60 5 1 150 130 240 ≤ 10 ≤ 0,25 SOT-23 XY
INC5006AC1 0,2 100 50 7 3 150 400 250 13 ≤ 0,2 SOT-23 CER
KMMT619 0,35 60 50 6 0,2 150 250 100 ≤ 20 ≤ 0,5 SOT-23 619, 619H
KST6428 0,35 60 50 6 0,2 150 250 100 ≤ 3 SOT-23 1K
L2SC1623RLT1G 0,225 60 50 7 0,15 150 180 250 ≤ 3 ≤ 0,3 SOT-23 L6
L2SC1623SLT1G 0,225 60 50 7 0,15 150 270 250 ≤ 3 ≤ 0,3 SOT-23 L7
L2SC2412KRLT1G 0,2 60 50 7 0,15 150 180 180 ≤ 3,5 ≤ 0,4 SOT-23 BR
L2SC2412KSLT1G 0,2 60 50 7 0,15 150 270 180 ≤ 3,5 ≤ 0,4 SOT-23 G1F
L2SC5343RLT1G 0,2 60 50 5 0,15 150 180 80 ≤ 3,5 ≤ 10 ≤ 0,25 SOT-23 7R
L2SC5343SLT1G 0,2 60 50 5 0,15 150 270 80 ≤ 3,5 ≤ 10 ≤ 0,25 SOT-23 7S
LMBT6428LT1G 0,225 60 50 6 0,2 150 250 100 ≤ 3 ≤ 0,5 SOT-23 1KM
MMBT5343-G/L 0,2 60 50 5 0,15 150 200 80 ≤ 3,5 ≤ 10 ≤ 0,25 SOT-23 5343
MMBT6428 0,3 60 50 6 0,2 150 250 100 ≤ 3 ≤ 0,6 SOT-23 1K, 1KM
MMBT6428L/LT1/LT1G 0,225 60 50 6 0,2 150 250 100 ≤ 3 ≤ 0,6 SOT-23 1KM
MMBT945-H/L 0,2 60 50 5 0,15 150 200/130 150 ≤ 3 ≤ 0,3 SOT-23 CR
MMBTA28 0,35 80 80 12 0,8 150 10000 125 ≤ 8 ≤ 1,5 SOT-23 3SS K6R
NXP3875G 0,2 60 50 5 0,15 150 200 80 ≤ 3,5 ≤ 10 ≤ 0,25 SOT-23 ٭JF
PBSS4041NT 0,3 60 60 5 3,8 150 300 175 17 ≤ 0,3 SOT-23 ٭BK
PBSS4160T 0,3 80 60 5 1 150 250 150 ≤ 10 ≤ 0,25 SOT-23 ٭U5
PBSS8110T 0,3 120 100 5 1 150 150 100 ≤ 7,5 ≤ 0,2 SOT-23 ٭U8
SSTA28 0,2 80 80 12 0,3 150 10000 200 ≤ 8 ≤ 1,5 SOT-23 SST3 RAT
TMPS1654N7 0,225 80 160 5 0,15 150 150 100 ≤ 8 ≤ 1,5 SOT-23 N7
TMPT6428 0,225 60 50 6 0,2 150 250 100 ≤ 3 ≤ 0,2 SOT-23 1K

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Корпуса бывают:

  1. sot23-3.
  2. sot23-5.
  3. sot23-6.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

  1. DC/DC.
  2. AC/DC.
  3. ШИМ(pwm).

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

Транзистор КТ6116 — DataSheet

Перейти к содержимому

Параметры транзисторов КТ6116
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ6116А ВС450 *2, 2SA794 *3, 2SA794P *3, SK3114A *2, 2SA984K *2, 2SA984KD *2, 2SA777NС *2, FMMTA56 *3
КТ6116Б SО5400 *1, FMMT5400 *1, A5T5400, MPSL51 *2, MPSD53 *2, PN4356 *2, 2N4356 *3
Структура

 —
p-n-p

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
PK max,P*K, τ max,P**K, и max
КТ6116А
50 °C
625
мВт

КТ6116Б
50 °C
625

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ6116А


≥100
МГц
КТ6116Б

≥100

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.
КТ6116А

160
В

КТ6116Б

130

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

UЭБО проб., 
КТ6116А

5
В
КТ6116Б

5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ6116А

600
мА

КТ6116Б

600

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ6116А

≤0. 05
мкА
КТ6116Б

≤0.01

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э,  h*21Э
КТ6116А


60…240

КТ6116Б

40…180

Емкость коллекторного перехода
cк,  с*12э
КТ6116А


пФ

КТ6116Б

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.
КТ6116А


Ом, дБ

КТ6116Б

Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ6116А

≤8
Дб, Ом, Вт

КТ6116Б

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)
КТ6116А


пс

КТ6116Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы

Описание
Фабрикантес
ПДФ

АОД468
N-канальный МОП-транзистор 11,5 А
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОИ468
N-канальный МОП-транзистор 11,5 А
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОЛ1206
N-канальный МОП-транзистор 30 В
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН6206
N-канальный МОП-транзистор 30 В
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН6514
N-канальный AlphaMOS Альфа и Омега Полупроводники

ПДФ
АОН6534
30 В N-канальный AlphaMOS
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН6542
N-канальный AlphaMOS Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН6702
N-канальный МОП-транзистор 30 В

Альфа и Омега Полупроводники
PDF
АОН6702Л
N-канальный МОП-транзистор 30 В
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

АОН7788
N-канальный МОП-транзистор 30 В
Альфа и Омега Полупроводники
ПДФ

БМС3003

P-канальный силовой МОП-транзистор
ПО Полупроводник
ПДФ
БМС3004
Мощный МОП-транзистор с каналом P
ПО Полупроводник
ПДФ

КПК3701
N-канальный вертикальный DMOS FET
IXYS
ПДФ

КПК3710
N-канальный полевой транзистор с режимом обеднения, 250 В
IXYS
ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

DataSheet.es является веб-страницей, которая функционирует как репозиторий руководств или hoja de datos de muchos de los productos más Populares,
allowiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.

Модификации (версии) транзистора

Тип PC UCB UCE UEB IC TJ hFE fT Cob NF UCE(sat) Корпус Примечание
C1815 0,625 60 50 5 0,15 125 25…700 ≥ 80 ≤ 3 ≤ 0,25 TO-92 Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815 0,2 60 50 5 0,15 150 130…400 ≥ 80 ≤ 0,25 SOT-23 Группы по hFE: L/HМаркировка: HF
2SC1815 0,2 60 50 5 0,15 125 130…400 ≥ 80 ≤ 0,25 SOT-23 Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF
2SC1815 0,4 60 50 5 0,15 125 25…700 ≥ 80 ≤ 3,5 1…10 ≤ 0,25 TO-92 Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815(L) 0,4 60 50 5 0,15 125 25…700 ≥ 80 ≤ 3,5 ≤ 6 ≤ 0,25 TO-92 Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815LT1 0,225 60 50 5 0,15 150 70…700 ≤ 0,3 SOT-23 Маркировка: L6
2SC1815M (BR3DG1815M) 0,3 60 50 5 0,15 150 25…700 ≥ 80 ≤ 3,5 1…10 ≤ 0,25 SOT-23 Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB
2SC1815 M 0,3 45 40 5 0,1 125 70…700 ≥ 80 ≤ 3,5 ≤ 0,4 TO-92B Группы по hFE: O/Y/GR/BL
C1815 0,2 60 50 5 0,15 150 130…400 ≥ 80 ≤ 0,25 SOT-23 Группы по hFE: L/HМаркировка: HF
C1815T 0,4 60 50 5 0,15 125 70…700 ≥ 80 ≤ 3,5 ≤ 10 ≤ 0,25 TO-92 Группы по hFE: O/Y/GR
CSC1815 0,625 60 50 5 0,15 125 25…700 ≥ 80 ≤ 3 ≤ 10 ≤ 0,25 TO-92 Группы по hFE: O/Y/GR/BL
FTC1815 0,4 60 50 5 0,15 125 70…700 ≥ 80 ≤ 3,5 ≤ 10 ≤ 0,25 TO-92 Группы по hFE: O/Y/GR/BL
KSC1815 0,4 60 50 5 0,15 125 25…700 ≥ 80 ≤ 3 1 ≤ 0,25 TO-92 Группы по hFE: O/Y/GR/L
KTC1815 0,625 60 50 5 0,15 150 25…700 ≥ 80 ≤ 3,5 ≤ 10 ≤ 0,25 TO-92 Группы по hFE: Y/GR

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

  1. Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
  2. Input Voltage (VCC) — питание.
  3. Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
  4. Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
  5. Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
  6. Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
  7. Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB

От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: