Графические данные
Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.
Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения UCE от управляющего тока базы IB при различных нагрузках IC.
Характеристики сняты при температуре п/п структуры Tj = 25°C.
Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:
- зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки IC;
- зависимость напряжения насыщения UBE(sat) от тока нагрузки IC (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
- зависимость управляющего напряжения UBE база-эмиттер от тока нагрузки IC при коллекторном напряжении UCE = 4 В.
Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки IC:
- ƟUC – для коллекторного напряжения насыщения UCE(sat);
- ƟUB – напряжения базы UBE.
Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току IC/IB не превышающем ¼ от значения hFE по постоянному току.
Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:
- зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения UCE = 30 В;
- область разделена осью UBE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора ICES.
Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:
- шкала (помечена на графике TA) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
- шкала (помечена на графике TC) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.
Рис. 7. Характеристики включения транзистора.
Зависимость времени задержки td и времени нарастания tr импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C и отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10.
Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.
Зависимость времени рассасывания заряда ts в п/п структуре и времени спадания tf импульса от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C, отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10 и равенстве токов IB1 = IB2.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.
Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):
- сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения UCEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
- штрихпунктирная ограничивающая линия –
- UCE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
- пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры Tj = 150 °C.
Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса TC = 25°C).
Модификации и группы транзисторов TIP42C
Модель | PC, TC=25°C | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
TO-220AB | ||||||||||
TO-220C | ||||||||||
TIP42C | 25 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220IS |
TIP42CG/L | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
300 | 15…75 | TO-263 | ||||||||
TIP42CG/L | 22 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220F |
TIP42CG/L | 20 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-252 |
STTIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
HTIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
TIP42E | 65 | 180 | 140 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220C |
TIP42F | 65 | 200 | 160 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220C |
TIP42P | 100 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-3P |
Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.
Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента hFE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону hFE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:
— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:
- TIP42C R – диапазон hFE от 15 до 28;
- TIP42C O – диапазон hFE от 24 до 44;
- TIP42C Y – диапазон hFE от 42 до 75.
— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:
- TIP42CG(L) – A — диапазон hFE от 15 до 30;
- TIP42CG(L) – B — диапазон hFE от 28 до 48;
- TIP42CG(L) – C — диапазон hFE от 45 до 75.
2SC3420 Datasheet PDF — Toshiba Semiconductor
Part Number | 2SC3420 | |
Description | NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH/ MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) | |
Manufacturers | Toshiba Semiconductor | |
Logo | ||
There is a preview and 2SC3420 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages |
Preview 1 page
No Preview Available !
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) • High DC current gain : hFE = 140 to 600 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE = 70 (min) (VCE = 2 V, IC = 4 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (max) (IC = 4 A, IB = 0.1 A) • High collector power dissipation: PC = 10 W (Tc = 25°C), PC = 1.5 W (Ta = 25°C) Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristics VCBO VCES VCEO VEBO IC ICP IB PC Tj Tstg 50 −55 to 150 V |
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SC3420 electronic component. |
Information | Total 4 Pages |
Link URL | |
Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |