What is 2sc3420?

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения UCE от управляющего тока базы IB при различных нагрузках IC.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры Tj = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

  • зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки IC;
  • зависимость напряжения насыщения UBE(sat) от тока нагрузки IC (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
  • зависимость управляющего напряжения UBE база-эмиттер от тока нагрузки IC при коллекторном напряжении UCE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки IC:

  • ƟUC – для коллекторного напряжения насыщения UCE(sat);
  • ƟUB – напряжения базы UBE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току IC/IB не превышающем ¼ от значения hFE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

  • зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения UCE = 30 В;
  • область разделена осью UBE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора ICES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

  • шкала (помечена на графике TA) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
  • шкала (помечена на графике TC) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки td и времени нарастания tr импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C и отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда ts в п/п структуре и времени спадания tf импульса от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C, отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10 и равенстве токов IB1 = IB2.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

  • сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения UCEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
  • штрихпунктирная ограничивающая линия –
  • UCE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
  • пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры Tj = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса TC = 25°C).

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель PC, TC=25°C UCB UCE UEB IC TJ fT CC hFE Корпус
TIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C 25 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220IS
TIP42CG/L 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
300 15…75 TO-263
TIP42CG/L 22 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220F
TIP42CG/L 20 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-252
STTIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
HTIP42C 65 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-220
TIP42E 65 180 140 5 6 150 3 300 15…75 TO-220C
TIP42F 65 200 160 5 6 150 3 300 15…75 TO-220C
TIP42P 100 100 100 5 6 150 3 300 15…75 TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента hFE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону hFE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

  •    TIP42C R – диапазон hFE от 15 до 28;
  •    TIP42C O – диапазон hFE от 24 до 44;
  •    TIP42C Y – диапазон hFE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

  •    TIP42CG(L) – A — диапазон hFE от 15 до 30;
  •    TIP42CG(L) – B — диапазон hFE от 28 до 48;
  •    TIP42CG(L) – C — диапазон hFE от 45 до 75.

2SC3420 Datasheet PDF — Toshiba Semiconductor

Part Number 2SC3420
Description NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH/ MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
Manufacturers Toshiba Semiconductor 
Logo  

There is a preview and 2SC3420 download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 4 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC3420
Strobe Flash Applications
Audio Power Amplifier Applications
2SC3420
Unit: mm

• High DC current gain : hFE = 140 to 600 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A)

: hFE = 70 (min) (VCE = 2 V, IC = 4 A)

• Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.0 V (max) (IC = 4 A, IB = 0.1 A)

• High collector power dissipation: PC = 10 W (Tc = 25°C),

PC = 1.5 W (Ta = 25°C)

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
DC
Collector current
Pulse
(Note 1)
Base current
Collector power
dissipation
Ta = 25°C
Tc = 25°C
Junction temperature
Storage temperature range

VCBO

VCES

VCEO

VEBO

IC

ICP

IB

PC

Tj

Tstg

50
40
20
8
5
8
1
www.DataSheet.co.kr
1.5
10
150

−55 to 150

V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC

JEITA

TOSHIBA
2-8H1A
Weight: 0.82 g (typ.)
Note 1: Pulse test: Pulse width = 10 ms (max) Duty cycle = 30% (max)
Note 2:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1 2006-11-09
Datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SC3420 electronic component.

Information Total 4 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: