What is 2n2905a?

Принцип действия транзистора

В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении. Для определённости рассмотрим npn транзистор, все рассуждения повторяются абсолютно аналогично для случая pnp транзистора, с заменой слова «электроны» на «дырки», и наоборот, а также с заменой всех напряжений на противоположные по знаку.

В npn транзисторе электроны, основные носители тока в эмиттере проходят через открытый переход эмиттер-база в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками), часть диффундирует обратно в эмиттер.

Однако, из-за того что базу делают очень тонкой и очень слабо легированной, большая часть электронов, инжектированная из эмиттера диффундирует в область коллектора. Сильное электрическое поле обратно смещённого коллекторного перехода захватывает электроны (напомним, что они неосновные носители в базе, поэтому для них переход открыт), и проносит их в коллектор. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (Iэ=Iб+Iк).

Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк=α Iэ) называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α 0.9 — 0.999, чем больше коэффициент, тем лучше транзистор. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер.

В широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β=α/(1-α)=(10-1000). Т.о. изменяя малый ток базы можно управлять значительно большим током коллектора.

Биполярный транзистор – электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, предназначенный для усиления, преобразования и генерации электрических сигналов. Вся конструкция выполняется на пластине кремния, либо германия, либо другого полупроводника, в которой созданы три области с различными типами электропроводности.

Будет интересно Как работает диод с барьером Шоттки

Средняя область называется базой, одна из крайних областей – эмиттером, другая – коллектором. Соответственно в транзисторе два p-n-перехода: эмиттерный – между базой и эмиттером и коллекторный – между базой и коллектором.

Область базы должна быть очень тонкой, гораздо тоньше эмиттерной и коллекторной областей (на рисунке это показано непропорционально). От этого зависит условие хорошей работы транзистора. Транзистор работает в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах.

При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном – обратное. В режиме отсечки на оба перехода подано обратное напряжение. Если на эти переходы подать прямое напряжение, то транзистор будет работать в режиме насыщения.

Типы биполярных транзисторов.

Аналоги

В качестве отечественного производителя могут подойти транзисторы 2Т808А, КТ819ГМ.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

• полевые;
• биполярные;
• комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

1. Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
2. С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
3. МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора

Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

• биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
• комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
• лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
• конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Это интересно: Вихревые токи Фуко — причины возникновения и применение

2N3906 характеристики. 2N3906 datasheet. PNP.

2N3906 PNP

ЗАСТОСУВАННЯ:

ДОБРЕ ПІДХОДИТЬ ДЛЯ ТВ ТА ПОБУТОВОЇ ТЕХНІКИ

МАЛОГО НАВАНТАЖЕННЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЧОГО ТРАНЗИСТОРА

2N3906 datasheet pdf

TO-92

Заміна та аналог транзистора 2N3906:

2N4403, 2SA696, 2SA697, 2SA708, BC527, BC528, KN2907, KN2907A, KN3906, KSA708, KSP2907A, KSP55, KSP56, KSP8598, KSP8599, KTN2907, KTN2907A, MPS2907, MPS2907A, MPS2907AG, MPS2907G, MPS3906, MPS4354, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPS8598, MPS8598G, MPS8599, MPS8599G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G, P2N2907A, P2N2907AG, PN200, PN2905, PN2905A, PN2907, PN2907A, PN4354, PN4355, ZTX550 or ZTX951.

Характеристики 2N3906

ТЕПЛОВІ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2N3906

ЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ 2N3906

(TA = 25°C, якщо не зазначено інше)

Характеристика	Символ	Min.	Max.	Одиниця
ВИМК. ХАРАКТЕРИСТИКИ
Напруга пробою колектор–емітер (IC = 1. 0 mAdc, IB = 0)	V(BR)CEO	40	–	Vdc
Напруга пробою колектор-база (IC = 10 μAdc, IE = 0)	V(BR)CBO	40	–	Vdc
Напруга пробою база-емітер (IE = 10 μAdc, IC = 0)	V(BR)EBO	5.0	–
Базовий граничний струм (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc)	IBL	–	50	nAdc
Струм відсічення колектора (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc)	ICEX	–	50	nAdc
ВВІМК. ХАРАКТЕРИСТИКИ
Коефіцієнт постійного струму(IC = 0.1 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 1.0 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)	hFE	60801006030	−−300−−	−
Напруга насичення колектор–емітер(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc	VCE(sat)	−−	0.250.4	Vdc
Напруга насичення бази-емітера (IC = 10 mAdc, IB = 1. 0 mAdc)(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)	VBE(sat)	0.65−	0.850.95	Vdc

ХАРАКТЕРИСТИКИ СЛАБОГО СИГНАЛУ

Характеристика	Символ	Min	Max	Одиниця
Коефіцієнт підсилення струму − добуток пропускної здатності (IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)	fT	250	−	MHz
Вихідна ємність (VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)	C obo	−	4.5	pF
Вхідна ємність (VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)	C ibo	−	10	pF
Вхідний опір (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1. 0 kHz)	hie	2.0	12	kΩ
Коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)	hre	0.1	10	X10− 4
Підсилення струму слабкого сигналу (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz	hfe	100	400	−
Вихідний допуск (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)	hoe	3.0	60	μmhos
Коефіцієнт шуму (IC = 100μ Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k, f = 1.0 kHz)	NF	−	4.0	dB

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕМИКАННЯ