Datasheet tip3055 pdf ( даташит )

Технические характеристики [ править ]

Точные рабочие характеристики зависят от производителя и даты; до перехода на эпитаксиальную базовую версию в середине 1970-х годов f _T могла составлять, например, всего 0,8 МГц.

производитель	Дата	V _{генеральный директор}	V _CBO	V _CER (100 Ом)	I _C	I _B	P _D @ T _C = 25 град.	h _fe (импульсный тест)	f _T
RCA	1967	60 В _{генеральный директор (вус)}	100 В _CBO	70 В _{CER (Sus)}	15А	7А	115 Вт	20-70 (при I _C = 4А в _{импульсном режиме} )	не дано
ON-Semiconductor	2005	60 В _{генеральный директор}	100 В _CBO	70 В _CER	15А (непрерывный)	7А	115 Вт	20-70 (при I _C = 4A)	2,5 МГц

Упакованный в корпус типа TO-3 , это силовой транзистор на 15 А , 60 В (или более, см. Ниже), 115 Вт с (усиление прямого тока) от 20 до 70 при токе коллектора 4 А (это может быть от 100 до 200 при тестировании с помощью мультиметра ). часто составляет около 3,0 МГц, а для 2N3055A типично 6 МГц; на этой частоте расчетное усиление по току (бета) падает до 1, указывая на то, что транзистор больше не может обеспечивать полезное усиление в конфигурации с обычным эмиттером . Частота, при которой усиление начинает падать, может быть намного ниже, см. Ниже.

Транзистор 2Н3055 внутреннее устройство.

Максимальные оценки

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером для 2N3055, как и для других транзисторов, зависит от пути сопротивления, который внешняя цепь обеспечивает между базой и эмиттером транзистора; при 100 Ом номинальное напряжение пробоя 70 В, V _CER , и поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер, V _{CEO (sus)} , предоставлено ON Semiconductor. Иногда напряжение пробоя _CBO 100 В (максимальное напряжение между коллектором и базой при открытом эмиттере, нереалистичное расположение в практических схемах) указывается как единственное номинальное напряжение, которое может вызвать путаницу. Производители редко указывают номинальное напряжение V _CES для 2N3055.

Общая потребляемая мощность (P написана D в большинстве американских справочных данных, P карапуз в европейских) зависит от радиатора , к которому подключен 2N3055. С «бесконечным» радиатором, то есть: когда температура корпуса определенно составляет 25 градусов, номинальная мощность составляет около 115 Вт (некоторые производители указывают 117 Вт), но для большинства приложений (и, конечно, при высокой температуре окружающей среды) ожидается значительно более низкая номинальная мощность согласно графику снижения мощности производителя

Устройство разработано для работы с эффективным радиатором, но необходимо соблюдать осторожность, чтобы правильно установить устройство иначе это может привести к физическому повреждению или ухудшению энергопотребления, особенно с корпусами или радиаторами, которые не идеально плоский

Частота перехода, f _T

Руководство по RCA-транзисторам 1967 года, SC-13, не упоминает никаких измерений высокочастотных характеристик 2N3055; в руководстве SC-15 1971 года была указана частота перехода f _T не менее 800 кГц (при I _C = 1 A) и f _hfe (частота, при которой усиление тока слабого сигнала падает на 3 дБ). указано при 1А как минимум 10 кГц. Другие производители примерно в это время также указали бы аналогичные значения (например, в 1973 году Philips дал f _T > 0,8 МГц и f _hfe > 15 кГц для своего устройства 2N3055).

К 1977 году RCA изменили свою спецификацию, чтобы дать 2,5 для минимальной величины усиления слабого сигнала при f = 1 МГц, по существу давая минимальное значение f _T 2,5 МГц (и 4 МГц для их MJ2955). Современные таблицы данных 2N3055 часто, но не всегда, указывают f _T равным 2,5 МГц (минимум), потому что со временем были внесены некоторые улучшения (особенно переход на эпитаксиальный производственный процесс). Тем не менее, нельзя предполагать, что 2N3055 (и многие другие силовые транзисторы того времени) обладают хорошими высокочастотными характеристиками, и даже в пределах диапазона звуковых частот может наблюдаться ухудшение фазового сдвига и усиления без обратной связи. Современные преемники 2N3055 могут быть гораздо более подходящими в схемах с быстрым переключением или высококачественных усилителях мощности звука.

Типы транзисторов и их назначение

Биполярные транзисторы: это наиболее распространенный тип транзисторов. Они имеют три слоя полупроводника и могут быть NPN или PNP типа. Биполярные транзисторы используются для усиления сигналов или коммутации электрических цепей.
Полевые транзисторы: это тип транзисторов, в которых ток управления управляет током протекания. Они могут быть JFET (p-канальный или n-канальный тип) или MOSFET транзисторами. Полевые транзисторы обычно используются в схемах с низким током потребления.
Триаки: это полупроводниковые устройства, которые могут коммутировать сигналы в обоих направлениях. Они обычно применяются для управления электрическими нагрузками, такими как электрические двигатели или лампы.
Аналоговые и цифровые транзисторы: в зависимости от своих характеристик, транзисторы могут быть использованы в аналоговых или цифровых схемах. Аналоговые транзисторы используются для усиления сигналов, в то время как цифровые транзисторы используются для коммутации или арифметических операций.

При выборе заменителя для транзистора tip3055, важно учитывать его тип и характеристики, чтобы он подходил для конкретного приложения

Обратите внимание на напряжение, ток и мощность, поддерживаемые заменителем, чтобы избежать перегрева или повреждения схемы

Аналоги транзистора TIP3055

На рынке представлено несколько аналогов транзистора TIP3055, которые обладают схожими характеристиками и могут быть использованы в тех же целях. Приведем некоторые из них в таблице:

Аналог	Производитель	Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo), В	Максимальный ток коллектора (Ic), А	Максимальная мощность (Pd), Вт
TIP35C	STMicroelectronics	100	25	125
NTE264	NTE Electronics	100	15	115
2N3055	Various	60	15	115

Эти аналоги обладают схожими параметрами и предназначены для работы в схемах с аналогичными требованиями

При замене транзистора TIP3055 на один из этих аналогов следует обратить внимание на соответствие максимальным значениям напряжения, тока и мощности, а также на характеристики радиатора и системы охлаждения, так как они могут потребовать дополнительной проверки и настройки

Суть проблемы

Проблема, связанная с заменой транзистора TIP3055, заключается в том, что данный транзистор часто выходит из строя из-за передозировки тока, высоких температур и других факторов. В результате это может привести к сбою или поломке устройства, в котором он используется.

Чтобы решить эту проблему, необходимо найти надежную замену для транзистора TIP3055. Решение может быть представлено в виде альтернативного транзистора или использованием более продвинутой технологии, такой как мощный мосфет

Важно выбрать компонент, который имеет аналогичные или лучшие характеристики, а также подходит для конкретного приложения

Кроме того, необходимо принять во внимание факторы, такие как мощность, ток, напряжение и температурный диапазон. Имеет смысл обратиться к документации или специалистам, чтобы получить рекомендации относительно замены и проверить совместимость с остальными компонентами схемы

Важно также учесть, что замена транзистора может потребовать изменения схемы или печатной платы. Это может быть вызвано различными физическими характеристиками альтернативного компонента или разными электрическими свойствами

Поэтому необходимо быть готовым к возможным изменениям и внести соответствующие коррективы в проекте или схеме.

В целом, суть проблемы заключается в поиске надежной замены и адаптации нового компонента к уже существующей схеме или устройству. Это может потребовать некоторых усилий и экспертизы, но правильный выбор альтернативы поможет избежать проблем и обеспечит более надежную работу вашего устройства.

2n3055 transistor Description

The 2n3055 transistor is a medium power transistor device and due to this reason, they had wide applications in power electronics.
The peak current gain on the 2n3055 transistor is 20 to 70hFE, and this is an important value at amplifier circuits.
The maximum collector current at 2n3055 transistor is 15A, which means the maximum load current allowed on this transistor, the current indicate it is a power transistor.
The peak base current of this transistor is 7A, the maximum allowable bias voltage on the trigger terminal.
The power dissipation on the transistor is 115W, this particular value indicates the power dissipation at this transistor device.
The transition frequency on this transistor is 2.5MHZ, it is an important factor in transistor switching applications.
The maximum junction temperature on the 2n3055 transistor is 200°C.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Описание транзистора TIP3055

Транзистор TIP3055 обладает следующими ключевыми характеристиками:

Параметр	Значение
Тип	NPN
Максимальное коллекторное напряжение (V_CEO)	60 В
Максимальный коллекторный ток (I_C)	15 А
Максимальная мощность (P_C)	115 Вт
Коэффициент усиления тока (h_FE)	20-70
Температурный диапазон	-65°C до +150°C

Транзистор TIP3055 обладает хорошими характеристиками для работы с мощными нагрузками и обеспечивает надежную работу в широком диапазоне температур. Он может использоваться в схемах усилителей мощности, стабилизаторов напряжения, источников питания и других электронных устройствах, где требуется надежная замена транзистору TIP3055.

Транзистор TIP3055

Этот мощный биполярный транзистор в корпусе TO-247 изготовлен с применением эпитаксиальной планарной технологии и подходит для универсального использования в коммутационных и линейных электронных системах.

Транзистор TIP3055 выпускается в плоском корпусе TO-247, который обычно используют в паре с радиатором.

Аналоги TIP3055 при необходимости, этот радио компонент можно заменить на следующие варианты: MJW21194, MJW21194G, MJW21196, MJW21196G, TIP3055G, TIP35

Комплементарной парой для биполярника n-p-n структуры TIP3055 является мощный транзистор TIP2955. Он имеет такие же характеристики, но внутреннюю p-n-p структуру.

Основные технические параметры TIP3055

U _{коллектор-эмиттер}, не более: 60 В

Ток коллектора, не более: 15 А U _{коллектор-база}, не более: 70 В Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Напряжение эмиттер-база, не более: 7 В Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 70 Корпус: TO-247 Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц

Биполярный транзистор состоит из двух P-N переходов. Его выводы называются, как эммитер, база и коллектор. Слой, который посередине, называется базой. Эммитер и коллектор находятся по краям. В P-N-P транзисторе в классической схеме включения ток втекает в эммитер и собирается в коллекторе. А ток базы регулирует ток в коллекторе. Не будем на этом подробно останавливаться, если у вас и возникло желание разобраться с работой, то вы можете посмотреть соответствующую лекцию.

Данное устройство, которое легко собрать своими руками, позволит проверить биполярные полупроводниковые приборы абсолютно любой проводимости, не выпаивая иx из схемы.

Схема преобразователя постоянного напряжения с 12 до 24 Вольт. Если на выходе преобразователя нужен ток выше 5 А, тогда используют силовые ключи на составных транзисторах, допустим TIP120 или TIP3055. Но в этом случае диоды, должны быть рассчитаны на протекающий ток свыше 10 А, а сами ключи, рекомендуется разместить на радиаторы охлождения.

Лабораторный источник питания 0-30В 3А

Схема источника питания основана на микросхеме регуляторе напряжения UA723 и TIP3055 в роли силового мощного транзистора. Транзистор TIP3055 необходимо установить на радиатор. Лабораторный БП имеет защиту по току, как только напряжение между эмиттером и базой VT2 становиться больше 0,6 В транзистор VT3 закрывается отключая нагрузку.

Трансформатор с максимальным током нагрузки 4 А имеет вторичную обмотку с отводом от середины (2*12В), позволяя питать источник питания от напряжения 12В и 24В (АС), в этом случае максимальное выходное напряжение будет 12В и 30 В соответственно.

Альтернативы TIP3055

Если вам требуется надежная замена для транзистора TIP3055, рассмотрите следующие альтернативы:

1. TIP35C: Этот транзистор имеет похожие характеристики и может с успехом заменить TIP3055. TIP35C имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В и максимальный ток коллектора до 25 А.

2. 2N3055: Это классический транзистор мощности, который может дать конкуренцию TIP3055. 2N3055 также имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 В и максимальный ток коллектора 15 А.

3. MJ15003: Если вам нужен еще более мощный заменитель для TIP3055, попробуйте MJ15003. Этот транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 140 В и максимальный ток коллектора до 20 А.

Обратите внимание, что при выборе альтернативы TIP3055 важно учитывать спецификации вашей схемы и требования к мощности и качеству сигнала. Рекомендуется обратиться к даташиту каждого конкретного транзистора для получения подробной информации

Первая альтернатива

Кроме того, среди альтернатив можно выделить такие транзисторы, как MJE3055 и 2N3055. Они также имеют высокое значение тока коллектора и способны выдерживать большие нагрузки. MJE3055 и 2N3055 широко используются вместо TIP3055 в различных устройствах, включая усилители звука и источники питания.

Модель транзистора	Ток коллектора (макс.)	Напряжение коллектор-эмиттер (макс.)	Мощность	Схемотехника
IRF540N	33 А	100 В	110 Вт	Усилители звука, блоки питания
MJE3055	10 А	60 В	75 Вт	Усилители звука, блоки питания
2N3055	15 А	60 В	115 Вт	Усилители звука, блоки питания

Перечисленные альтернативы являются надежными и широко используемыми в различных электронных устройствах. Однако, при выборе альтернативы для замены транзистора TIP3055, необходимо учитывать требования конкретной схемы и ее параметры, чтобы обеспечить правильную работу устройства.

Критерии выбора замены

При выборе замены для транзистора TIP3055, необходимо учитывать следующие критерии:

Тип транзистора: При выборе замены, необходимо обратить внимание на тип транзистора. Он может быть биполярным (NPN или PNP) или полевым (N-канал или P-канал)

Тип транзистора должен быть совместим с оригинальным транзистором TIP3055.

Параметры транзистора: Важно учитывать параметры транзистора при выборе замены. Некоторые из основных параметров, которые следует учесть, включают максимальный ток коллектора (IC), максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE), мощность и частоту работы

Выбранный транзистор должен иметь аналогичные или лучшие параметры, чем у TIP3055.

3. Доступность: При выборе замены, стоит учитывать доступность транзисторов на рынке. Более доступные и широко распространенные транзисторы могут быть предпочтительными вариантами.

4. Схема и применение: Конечное применение транзистора и схема, в которой он будет использоваться, также могут сыграть роль при выборе замены. Некоторые транзисторы могут быть более подходящими для конкретной схемы или иметь дополнительные функции, которые могут быть полезными.

5. Бюджет: Наконец, бюджет также может оказаться важным фактором при выборе замены. Стоимость транзистора должна укладываться в бюджет проекта без ущерба для его требований и характеристик.

Все эти критерии следует учитывать для выбора надежной замены для транзистора TIP3055, чтобы гарантировать правильное и безопасное функционирование электронной схемы или проекта.

Ссылки [ править ]

^ a b c d e Эллис, Дж. Осадчий ВС; Zarlink Semiconductor (ноябрь 2001 г.). «2N3055: история болезни». Транзакции IEEE на электронных устройствах . 48 (11): 2477–2484. DOI : 10.1109 / 16.960371 .
^ Дир, SM (2000) . «Глава 2.2: Спецификации и тестирование BJT» . Электронные компоненты и материалы: принципы, производство и обслуживание (пятое переиздание, 2007 г.). Индия: Tata McGraw-Hill Publishing Company Limited . п. 145. ISBN 0-07-463082-2. ISBN 978-0-07-463082-2 .
^ П. Горовиц; У. Хилл (2001). Искусство электроники (2-е изд.). Издательство Кембриджского университета. п. 321. ISBN. 978-0-521-37095-0. неизменно популярный 2N3055
^ Гордон МакКомб (2001). Золотое дно роботов-строителей (2-е изд.). McGraw-Hill Professional. п. 261. ISBN. 978-0-07-136296-2. Для высокопроизводительных работ почти повсеместно используется NPN-транзистор 2N3055.
^ Рудольф Ф. Граф; Уильям Шитс (2001). Создавайте собственные маломощные передатчики: проекты для экспериментатора электроники . Newnes. п. 14. ISBN 978-0-7506-7244-3. Например, устройства 2N2222, 2N2905 и 2N3055, которые относятся к 1960-м годам, но были усовершенствованы, по-прежнему используются в новых конструкциях и по-прежнему популярны среди экспериментаторов.
^ a b c «2N3055 (NPN), MJ2955 (PNP): дополнительные кремниевые силовые транзисторы (6-я редакция)» . О полупроводнике . Полупроводниковые компоненты. Декабрь 2005 . Проверено 25 марта 2011 .
^ Рор, Билл. «Рекомендации по монтажу силовых полупроводников» . ON Semiconductor . Проверено 31 октября 2016 года .
^ Эллиотт, Род. «Конструкция радиатора и установка транзистора» .
^ Бьяджи, Юбер. «МОНТАЖ ПАКЕТОВ ТО-3» . Берр-Браун . Проверено 31 октября 2016 года .
^ Уорд, Джек (2001). «Устная история — Херб Майзель» . п. 3 . Проверено 7 ноября +2016 .
^ Книга данных Power Semiconductor для инженеров-проектировщиков Первое издание , Texas Instruments Incorporated, публикация No. CC-404 70977-22-IS, без даты, стр. 5-75
^ Группа IOSS (2008). Справочник по электронным аудиосхемам приложений IOSS . 1 . п. 52–53. ISBN 1-4404-7195-9. Проверено 25 марта 2011 .
^ http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00000895.pdf
^ Устройства питания RCA . RCA Corporation. 1977 г.
^ «Транзисторы Тесла: таблица транзисторов Тесла» . Транзисторы Тесла . Тесла. 1980 . Проверено 15 декабря 2015 .

2n3055 vs 2n3773 vs tip3055 vs 2n3771

This below compares each of the identical transistors, such as 2n3055 vs 2n3773, 2n3055 vs 2n3773, 2n3055 vs tip3055 and 2n3055 vs 2n3771. The electrical aspects of each transistors are been compare for better understanding.

	2n3055	2n3773	Tip3055	2n3771
Collector to base voltage (VCB)	2n3055100V	2n3773100V	Tip3055100V	2n377150V
Collector to emitter voltage (VCE)(RBE= 100Ω)	2n305570V	2n3773160V	Tip305570V	2n377150V
Collector to emitter voltage (VCE) (IB = 0)	2n305560V	2n3773140V	Tip305560V	2n377140V
Emitter to base voltage (VEB)	2n30557V	2n37737V	Tip30557V	2n37715V
Collector current (IC)	2n305515A	2n377330A	Tip305515A	2n377130A
Power dissipation	2n3055115W	2n3773150W	Tip305590W	2n3771150W
Junction temperature (TJ)	2n3055200°C	2n3773200°C	Tip3055150°C	2n3771200°C
Transition frequency (FT)	2n30552.5MHZ	2n37734MHZ	Tip30552.5MHZ	2n37710.2MHz
Noise (N)	2n3055–	2n3773–	Tip3055–	2n3771–
Gain (hFE)	2n305520 to 70hFE	2n37735 to 60hFE	Tip30555 to 70hFE	2n377115 to 60hFE
Package	2n3055TO-3	2n3773TO-3	Tip3055TO-247	2n3771TO-3

2n3055 transistor uses

Power switching applications
Amplifier circuits
Regulator circuits
Inverter and ups circuits
SMPS
PWM circuits
Signal amplifier circuits

Что такое транзистор? Основные типы

Транзистором назван полупроводниковый радиоэлектронный компонент для преобразования тока в усилительном, когда большой выходной сигнал меняется пропорционально малому входному, или ключевом, когда транзистор полностью открыт или закрыт в зависимости от наличия входного сигнала, режимах. Применительно к технологии изготовления можно разделить на биполярные и полевые радиоэлементы. Биполярные компоненты бывают прямой (p-n-p) либо обратной (n-p-n) проводимости. Приборы полевые могут быть n-типа или p-типа, с изолированным или встроенным каналом.

Проверка исправности конкретного транзистора требует некоторых познаний в электронике. Достаточно просто прозвонить выводы транзистора как электрическую цепь, чтобы убедиться, что транзистор исправен. Щуп с черным проводом подключается на вход COM прибора. К входу измерения сопротивления подключен красный провод.

TIP3055 Datasheet (PDF)

1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola

Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO

TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN – PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr

TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain – 15 AMPERE hFE = 20 – 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage – 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe

1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns

TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas

1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Описание

NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)

Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

Как заменить транзистор tip3055: подробное пошаговое руководство

Шаг 1: Определите основные характеристики транзистора tip3055

Перед тем как заменить транзистор tip3055 на аналогичный, сначала необходимо определить основные характеристики оригинального транзистора

Важно выяснить его тип (NPN), максимальную рабочую мощность, максимальные рабочие напряжение и ток, коэффициент усиления тока (hFE), и другие спецификации

Шаг 2: Поиск аналогичного транзистора

После определения основных характеристик транзистора tip3055 можно перейти к поиску его аналога. Существует множество электронных компонентов, которые могут заменить tip3055

Однако, важно найти аналог с максимально близкими характеристиками, чтобы гарантировать правильную работу устройства

Для поиска аналогичного транзистора можно использовать специализированные сайты, где можно найти информацию о подходящих аналогах. Также можно обратиться к производителю устройства или спросить у опытных электронщиков, которые могут помочь с выбором аналога.

Шаг 3: Подготовка к замене транзистора

Перед заменой транзистора tip3055 необходимо подготовиться к замене. Для этого следует отключить устройство от источника питания и разъединить все соединения, которые могут мешать осуществлению замены.

Шаг 4: Снятие оригинального транзистора

Для снятия оригинального транзистора необходимо ослабить крепление его корпуса или ног. После этого можно аккуратно удалить транзистор из платы, используя пинцет или паяльную станцию с паяльником и паяльной канифолью.

Шаг 5: Установка аналогичного транзистора

После снятия оригинального транзистора можно установить аналогичный транзистор на его место

Важно обратить внимание на правильное соответствие ног транзистора и платы. При необходимости можно использовать пинцет для установки транзистора на плату. Убедитесь, что транзистор плотно прилегает к плате и его ноги не соприкасаются друг с другом

Убедитесь, что транзистор плотно прилегает к плате и его ноги не соприкасаются друг с другом.

Шаг 6: Подключение соединений и проверка

После установки аналогичного транзистора необходимо подключить соединения, которые были отключены в начале процесса. Убедитесь, что все соединения правильно подключены и нет короткого замыкания.

После завершения замены транзистора рекомендуется проверить работу устройства. Подключите устройство к источнику питания и проведите тестирование. Если устройство работает правильно, то замена транзистора tip3055 прошла успешно.

Важно отметить, что замена транзистора может потребовать определенные навыки и опыт работы с электроникой. Если у вас нет опыта, лучше обратиться к профессионалам для выполнения замены

Наиболее подходящие аналоги транзистора tip3055

Одним из аналогов транзистора tip3055 является 2n3055. Он имеет схожие характеристики, такие как максимальное напряжение коллектор-эмиттер (60 В) и максимальный ток коллектора (15 А). 2n3055 также обеспечивает надежную и стабильную работу, и может быть использован для замены tip3055 в большинстве случаев.

Еще одним аналогом, который можно использовать вместо tip3055, является mj15003. Он также имеет аналогичные характеристики, включая максимальное напряжение коллектор-эмиттер (140 В) и максимальный ток коллектора (20 А). Mj15003 также является надежным и широко используемым транзистором мощности.

Несмотря на то, что 2n3055 и mj15003 являются наиболее близкими аналогами tip3055, при выборе заменителя необходимо обратить внимание на конкретные характеристики и требования схемы. В некоторых случаях могут быть более подходящие аналоги с другими параметрами

Поэтому рекомендуется обратиться к даташитам и документации производителей для более точного подбора заменителя.

Connecting 2N3055 Transistors in Parallel

Paralleling 2N3055 Transistors

Connecting two or more 2n3055 transistors in parallel is very easy; just join their collectors and the emitters together to produce a common terminal from the collector joint and a common terminal from the emitter joint. The base of each transistor must also be made common by joining, however each base terminal must incorporate the respective resistors (usually of identical calculated values) and the free terminal of the resistors must be joined to produce a common base connection point (refer the diagram).

Since the body of the device forms the collector, the respective connections must be acquired from the body fitting screws of the transistors.