Irfp054n datasheet pdf ( pinout ) - power mosfet ( transistor )

Принцип работы

IRF540 может быть включен или выключен при подаче требуемого порогового напряжения затвора (V_GS). Переход сток-исток закрыт, когда на него напряжение не подается. При подаче напряжения, переход открывается. В нашем случае, при появлении на затворе напряжения в 5 В, переход откроется и будет пропускать ток. Схематично работа полевика представлена на рисунке.

Если переход открыт и надо его закрыть, то на затвор надо подать 0 В. До этого момента полевик останется открытым. Чтобы избежать этой проблемы, обычно используют понижающий резистор (R1). На рисунке от представлен сопротивлением в 10 кОм. В таких приложениях, как управление скоростью двигателя или регулировка яркости света, используют сигнал ШИМ для быстрого переключения. При этом емкость затвора MOSFET создает обратный ток из-за паразитного эффекта. Чтобы решить эту проблему, применяют ограничивающий конденсатор. На рисунке он представлен емкостью C1 — 470 пФ. Посмотрите видео на похожую тему с использованием вместо контроллера потенциометра.

IRFP054N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP054N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 81
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 130(max)
nC

Время нарастания (tr): 66
ns

Выходная емкость (Cd): 880
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012
Ohm

Тип корпуса:

IRFP054N
Datasheet (PDF)

..1. Size:1494K international rectifier irfp054npbf.pdf

PD- 95423IRFP054NPbF Lead-Freewww.irf.com 106/16/04IRFP054NPbF2 www.irf.comIRFP054NPbFwww.irf.com 3IRFP054NPbF4 www.irf.comIRFP054NPbFwww.irf.com 5IRFP054NPbF6 www.irf.comIRFP054NPbFwww.irf.com 7IRFP054NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)TO-247AC Part Marking InformationEXAMPLE: T HIS IS AN IRFPE30 WITH AS

..2. Size:109K international rectifier irfp054n.pdf

PD — 9.1382AIRFP054NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.012 Fully Avalanche RatedGID = 81A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This ben

..3. Size:1494K infineon irfp054npbf.pdf

..4. Size:241K inchange semiconductor irfp054n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP054NIIRFP054NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)12mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sourc

7.1. Size:874K international rectifier irfp054.pdf

PD — 95000IRFP054PbF Lead-Free02/11/04Document Number: 91200 www.vishay.com1IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com2IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com3IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com4IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com5IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com6IRFP054PbFTO-247AC Package O

7.2. Size:216K international rectifier irfp054v.pdf

PD — 94110IRFP054VHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 9.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 93A Optimized for SMPS Applications SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to

7.3. Size:1562K vishay irfp054pbf sihfp054.pdf

IRFP054, SiHFP054Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.014RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 160 Fast SwitchingQgs (nC) 48 Ease of ParallelingQgd (nC) 54 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Com

7.4. Size:212K inchange semiconductor irfp054pbf.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP054PBFFEATURESWith TO-247 packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingSimple drive requirements100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

Другие MOSFET… IRFN9140
, IRFN9140SMD
, IRFN9240
, IRFP044
, IRFP044N
, IRFP048
, IRFP048N
, IRFP054
, SKD502T
, IRFP064
, IRFP064N
, IRFP130
, IRFP131
, IRFP132
, IRFP133
, IRFP140
, IRFP140A
.

IRFP054N Datasheet PDF — Power MOSFET

Part Number	IRFP054N
Description	Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers	Power MOSFET
Logo
There is a preview and IRFP054N download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 8 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

G
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial
applications where higher power levels preclude the use of
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the
earlier TO-218 package because of its isolated mounting
hole.
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
PD — 9.1382A
IRFP054N

HEXFETPower MOSFET

VDSS = 55V

RDS(on) = 0.012Ω

ID = 81A

S
TO-247AC
Max.

57
290
170
1.1
± 20
360
43
17
5.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.90
–––
40
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
8/25/97

100
LIMITED BY PACKAGE
80
60
40
20

25 50 75 100 125 150 175
TC , Case Temperature ( °C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature
1
D = 0.50
IRFP054N

VDS

VGS

D.U.T.
10V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001

PDM

SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

0.0001
Notes:

1. Duty factor D = t1 / t 2

2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C

0.001
0.01

t1, Rectangular Pulse Duration (sec)

0.1
1

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRFP054N electronic component.