Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых
, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение
. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
Т ранзисторы П213
— германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p. Корпус металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.
Datasheet Download — Toshiba Semiconductor
| Номер произв | C2482 | ||
| Описание | 2SC2482 | ||
| Производители | Toshiba Semiconductor | ||
| логотип | |||
|
1Page
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) • High breakdown voltage: VCEO = 300 V • Small collector output capacitance: Cob = 3.0 pF (typ.) • Recommended for chroma output and driver applications for line-operated TV horizontal. Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg Rating −55 to 150 Unit Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics ICBO IEBO hFE (1) hFE (2) VCE (sat) VBE (sat) fT Cob Test Condition VCB = 240 V, IE = 0 VEB = 7 V, IC = 0 VCE = 10 V, IC = 4 mA VCE = 10 V, IC = 20 mA IC = 10 mA, IB = 1 mA IC = 10 mA, IB = 1 mA VCE = 10 V, IC = 20 mA VCB = 20 V, IE = 0, f = 1 MHz JEDEC ― ― 1.0 µA ― ― 1.0 µA 20 ― ― 30 ― 150 ― ― 1.0 V ― ― 1.0 V 50 ― ― MHz ― 3.0 ― pF Marking
120
100 IC – VCE 6 Collector-emitter voltage VCE (V) 24 hFE – IC Common emitter Collector current IC (mA) 100 hFE – IC Common emitter 25 −25 1 3 10 30 Collector current IC (mA) 100 VCE (sat) – IC Common emitter Collector current IC (mA) 100 VCE (sat) – IC Common emitter −25 25 1 3 10 30 Collector current IC (mA) 100 VBE (sat) – IC Common emitter Collector current IC (mA) 100
100
Common emitter IC – VBE 60 −25 40 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Base-emitter voltage VBE (V) Cob – VCB 100 50 f = 1 MHz Ta = 25°C Collector-base voltage VCB (V) 100 fT – IC Common emitter Collector current IC (mA) 100 IC max (pulsed)* 300 µs* IC max (continuous) 10 ms* 100 ms* 50 500 ms* 30 *: Single nonrepetitive pulse 5 Ta = 25°C Curves must be derated linearly with Collector-emitter voltage VCE (V) 3 2004-07-26 |
|||
| Всего страниц | 4 Pages | ||
| Скачать PDF |
Мини-диваны
Это одно из лучших решений, предназначенных для малогабаритных квартир и студий. Если вы столкнулись с такой ситуацией, необязательно покупать полноразмерную мебель, которая займет все свободное пространство. Это хорошее решение и для тех, кто часто переезжает. Мебель anderssen небольшого размера отличается высоким качеством и удобными механизмами трансформации. Ее можно поставить в комнате ребенка, на кухне, в спальне и небольшой гостиной. Она хорошо смотрится в домашнем кабинете. Но ее можно установить и в просторной квартире, если вы склонны к минимализму или вам требуется дополнительный диван небольшого формата.
Мини-диваны зачастую оснащают механизмом еврокнижка, дополняют подушками со съемными чехлами и удобной спинкой. Такие чехлы особенно удобны тем, у кого есть дети и домашние животные. Их можно почистить и снова надеть на подушки. Когда диван раскладывается, подушки убирают, после чего выкатывают вперед сидение. Затем отпускают спинку. Вы можете выбрать и боковой вариант трансформации компактной мебели.
Вы должны учитывать, что боковая раскладка дополнительно требует свободное пространство слева или справа. Мебель нельзя ставить вплотную со стеной или шкафом. Многочисленные варианты мини-диванов anderssen дают возможность подобрать оптимальную модель. Выделяют следующие преимущества малогабаритных диванов:
- экономию свободного места;
- эстетичность исполнения;
- невысокую стоимость;
- удобство эксплуатации;
- функциональность.
Таким образом, при выборе дивана необходимо учитывать различные факторы, такие как размеры помещения, удобство использования, качество и надежность. Выбирая мягкую мебель anderssen, вы можете быть уверены в надежности и долгосрочности ее использования в своем доме.
Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком
| Тип транзистора | Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса |
Маркировочная метка на торце корпуса |
|---|---|---|
| KT315A1 | Треугольник зеленого цвета | Точка красного цвета |
| KT315Б1 | Треугольник зеленого цвета | Точка желтого цвета |
| KT315В1 | Треугольник зеленого цвета | Точка зеленого цвета |
| KT315Г1 | Треугольник зеленого цвета | Точка голубого цвета |
| KT315Д1 | Треугольник зеленого цвета | Точка синего цвета |
| KT315Е1 | Треугольник зеленого цвета | Точка белого цвета |
| KT315Ж1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки красного цвета |
| KT315И1 | Треугольник зеленого цвета | Две точка желтого цвета |
| KT315Н1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки зеленого цвета |
| KT315Р1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки голубого цвета |
Указания по применению и эксплуатации транзисторов
Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.
Внешние воздействующие факторы
Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).
Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С
Надежность транзисторов
Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.
Зарубежные аналоги транзистора КТ315
Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
STI13005-1 Datasheet (PDF)
1.1. sti13005-1.pdf Size:235K _update
STI13005-1 High voltage fast-switching NPN power transistor Preliminary data Features ■ STI13005-1 is opposite pin out versus standard IPAK package ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic parameters 3 ■ Very high switching speed 2 1 Application IPAK ■ Switch mode power supplies (AC-DC converters) Description Figure 1. Internal schematic diagram The device
2.1. sti13005h.pdf Size:226K _update
STI13005-H High voltage fast-switching NPN power transistor Datasheet — production data Features ■ Low spread of dynamic parameters ■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation TAB ■ Very high switching speed Applications 3 2 1 ■ Electronic ballast for fluorescent lighting I2PAK ■ Switch mode power supplies Description This device is manufactured using high volta
2sc2482-y Микрокоммерческие компоненты, 2sc2482-y Лист данных
Ревизия: 1
ВЫКЛ. ХАРАКТЕРИСТИКИ
I
I
ПО ХАРАКТЕРИСТИКАМ
МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
КЛАССИФИКАЦИЯ H
Характеристики
Электрические характеристики @ 25
Максимальные рейтинги
•
•
В
В
В
I
Генеральный директор
EBO
ч
В
В
f
Початок
Символ
CBO
т
Коммерческие микрокомпоненты
Символ
FE (1)
(BR) Генеральный директор
(BR) CBO
(BR) EBO
CE (сб)
BE
В
В
В
т
-P
M C C
т
СТГ
Генеральный директор
CBO
EBO
I
С
Высокое напряжение: Vceo = 300 В
Выходная емкость малого коллектора: Cob = 3.0 пФ (тип.)
С
Дж
Диапазон
Рейтинг
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя коллектор-база
Напряжение эмиттер-база
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность коллектора
Рабочая температура перехода
Температура хранения
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Напряжение пробоя коллектор-база
Напряжение пробоя эмиттер-база
Ток отсечки коллектора
Ток отсечки коллектора
Ток отсечки эмиттера
Коэффициент усиления постоянного тока
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Частота транзистора
f = 30 МГц)
Напряжение насыщения база-эмиттер
Выходная емкость коллектора
В
(I
(I
(I
(В
(В
(В
(I
(I
(I
(I
CB
С
С
E
С
С
С
С
= 100 мкА постоянного тока, I
CB
CB
EB
= 3 мА постоянного тока, I
= 100 мкА постоянного тока, I
= 20 мА постоянного тока, В
= 10 мА постоянного тока, I
= 10 мА постоянного тока, I
= 20 мА постоянного тока, В
=
= 7 В постоянного тока, I
= 240 В постоянного тока, I
= 220 В постоянного тока, I
20В, я
FE (1)
E
= 0, f = 1 МГц
С
В
Параметр
= 0)
Рейтинг
= 0)
В
В
С
E
CE
CE
= 1 мА пост. Тока)
= 1 мА пост. Тока)
E
В
= 0)
= 0)
= 0)
= 0)
30-90
= 10 В постоянного тока)
= 10 В постоянного тока,
O
www.mccsemi.com
TM
O
C Если не указано иное
компоненты
20736 Марилла Стрит Чатсуорт
! »№
$
%! «#
-55 до +150
-55 до +150
300
300
7
30
мин.
50
Рейтинг
—
—
—
—
—
0,1
0.9
7,0
300
300
3
—
90–150
Макс
1,0
1,0
—
—
—
5,0
150
1,0
1,0
Я
1 из 4
Блок
пФ
В
МГц
Вт
O
O
А
В
Квартир
В
мкА постоянного тока
С
С
мкА постоянного тока
мкА постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
В постоянного тока
—
DIM
С
D
G
H
кв. м
N
А
В
E
F
Дж
К
л
I
Эпитаксиальный кремний
ДЮЙМОВ
МИН
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC2482
2SC2482-O
2SC2482-Y
Транзистор
С
F
А
В
D
.050
0,050
. 100
0,039
К-92МОД
123
МАКС
0,030
0,039
.031
0,024
.201
.087
0,024
. 323
. 413
. 161
H
E
НПН
РАЗМЕРЫ
G
МИН
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ММ
1.27
1,27
2,54
1,00
МАКС
10,50
1.
Отечественные и зарубежные аналоги
Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.
При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).
Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:
- (MJE)13002;
- (MJE)13003;
- (MJE)13005;
- (MJE)13007;
- (MJE)13009.
Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.
В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.
Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:
Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.
Транзистор C5353 ничего хорошего не принес и плохого
Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1 Обновления Подавитель сотовой связи большой мощности. Перед тем как создавать тему на форуме, воспользуйтесь поиском! Пользователь создавший тему, которая уже была, будет немедленно забанен!
Типоразмеры SMD-компонентов
Чип-компоненты одного номинала могут иметь разные габариты. Габариты SMD-компонента определяются по его «типоразмеру». Например, чип-резисторы имеют типоразмеры от «0201» до «2512». Этими четырьмя цифрами закодированы ширина и длина чип-резистора в дюймах. Ниже в таблицах можно посмотреть типоразмеры в миллиметрах.
smd резисторы
| Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы | |||||
| Типоразмер | L, мм (дюйм) | W, мм (дюйм) | H, мм (дюйм) | A, мм | Вт |
| 0201 | 0.6 (0.02) | 0.3 (0.01) | 0.23 (0.01) | 0.13 | 1/20 |
| 0402 | 1.0 (0.04) | 0.5 (0.01) | 0.35 (0.014) | 0.25 | 1/16 |
| 0603 | 1.6 (0.06) | 0.8 (0.03) | 0.45 (0.018) | 0.3 | 1/10 |
| 0805 | 2.0 (0.08) | 1.2 (0.05) | 0.4 (0.018) | 0.4 | 1/8 |
| 1206 | 3.2 (0.12) | 1.6 (0.06) | 0.5 (0.022) | 0.5 | 1/4 |
| 1210 | 5.0 (0.12) | 2.5 (0.10) | 0.55 (0.022) | 0.5 | 1/2 |
| 1218 | 5.0 (0.12) | 2.5 (0.18) | 0.55 (0.022) | 0.5 | 1 |
| 2010 | 5.0 (0.20) | 2.5 (0.10) | 0.55 (0.024) | 0.5 | 3/4 |
| 2512 | 6.35 (0.25) | 3.2 (0.12) | 0.55 (0.024) | 0.5 | 1 |
| Цилиндрические чип-резисторы и диоды | |||||
| Типоразмер | Ø, мм (дюйм) | L, мм (дюйм) | Вт | ||
| 0102 | 1.1 (0.01) | 2.2 (0.02) | 1/4 | ||
| 0204 | 1.4 (0.02) | 3.6 (0.04) | 1/2 | ||
| 0207 | 2.2 (0.02) | 5.8 (0.07) | 1 |
smd конденсаторы
Керамические чип-конденсаторы совпадают по типоразмеру с чип-резисторами, а вот танталовые чип-конденсаторы имеют своют систему типоразмеров:
| Танталовые конденсаторы | |||||
| Типоразмер | L, мм (дюйм) | W, мм (дюйм) | T, мм (дюйм) | B, мм | A, мм |
| A | 3.2 (0.126) | 1.6 (0.063) | 1.6 (0.063) | 1.2 | 0.8 |
| B | 3.5 (0.138) | 2.8 (0.110) | 1.9 (0.075) | 2.2 | 0.8 |
| C | 6.0 (0.236) | 3.2 (0.126) | 2.5 (0.098) | 2.2 | 1.3 |
| D | 7.3 (0.287) | 4.3 (0.170) | 2.8 (0.110) | 2.4 | 1.3 |
| E | 7.3 (0.287) | 4.3 (0.170) | 4.0 (0.158) | 2.4 | 1.2 |
smd катушки индуктивности и дроссели
Индуктивности встречаются во множестве видов корпусов, но корпуса подчиняются все тому же закону типоразмеров. Это облегачает автоматический монтаж. Да и нам, радиолюбителям, позволяет легче ориентироваться.
Всякие катушки, дроссели и трансформаторы называются «моточные изделия». Обычно мы их мотаем сами, но иногда можно и прикупить готовые изделия. Тем более, если требуются SMD варианты, которые выпускаются со множестом бонусов: магнитное экранирование корпуса, компактность, закрытый или открытый корпус, высокая добротность, электромагнитное экранирование, широкий диапазон рабочих температур.
Подбирать требующуюся катушку лучше по каталогам и требуемому типоразмеру. Типоразмеры, как и для чип-резисторов задаются спомощью кода из четырех чисел (0805). При этом «08» обозначает длину, а «05» ширину в дюймах. Реальный размер такого SMD-компонента будет 0.08х0.05 дюйма.
smd диоды и стабилитроны
Диоды могут быть как в цилиндрических корпусах, так и в корпусах в виде небольших параллелипипедов. Цилиндрические корпуса диодов чаще всего предсавтлены корпусами MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41). Типоразмеры у них задаются также как у катушек, резисторов, конденсаторов.
| Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы | |||||
| Тип корпуса | L* (мм) | D* (мм) | F* (мм) | S* (мм) | Примечание |
| DO-213AA (SOD80) | 3.5 | 1.65 | 048 | 0.03 | JEDEC |
| DO-213AB (MELF) | 5.0 | 2.52 | 0.48 | 0.03 | JEDEC |
| DO-213AC | 3.45 | 1.4 | 0.42 | — | JEDEC |
| ERD03LL | 1.6 | 1.0 | 0.2 | 0.05 | PANASONIC |
| ER021L | 2.0 | 1.25 | 0.3 | 0.07 | PANASONIC |
| ERSM | 5.9 | 2.2 | 0.6 | 0.15 | PANASONIC, ГОСТ Р1-11 |
| MELF | 5.0 | 2.5 | 0.5 | 0.1 | CENTS |
| SOD80 (miniMELF) | 3.5 | 1.6 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
| SOD80C | 3.6 | 1.52 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
| SOD87 | 3.5 | 2.05 | 0.3 | 0.075 | PHILIPS |
smd транзисторы
Транзисторы для поверхностного монтажа могут быть также малой, средней и большой мощности. Они также имеют соответствующие корпуса. Корпуса транзисторов можно условно разбить на две группы: SOT, DPAK.
Хочу обратить внимание, что в таких корпусах могут быть также сборки из нескольких компонентов, а не только транзисторы. Например, диодные сборки
Характеристики КТ815
Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815
| Наименование | U КБ , В | U КЭ , В | I K , мА | Р К , Вт | h21 э | I КБ , мА | f, МГц | U КЭ , В. |
| КТ815А | 40 | 30 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Б | 50 | 45 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815В | 70 | 65 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Г | 100 | 85 | 1500(3000) | 1(10) | 30-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
Обозначения из таблицы читаются следующим образом:
- U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
- U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
- I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
- Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
- h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
- I КБ — обратный ток вывода коллектора.
- f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
- U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.
Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:
- Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
- Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.
Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.
Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.
Биполярный транзистор 2SC1384 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1384
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
2SC1384
Datasheet (PDF)
..1. Size:47K panasonic 2sc1383 2sc1384.pdf
Transistor2SC1383, 2SC1384Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA683 and 2SA6845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Complementary pair with 2SA683 and 2SA684.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings Unit
..2. Size:276K utc 2sc1384.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC1384 NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC1384 is power amplifier and driver. FEATURES * Low VCE(SAT) * 2~3W output in complementary pair with 2SA684 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3- 2SC1384G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel2SC138
..3. Size:377K jiangsu 2sc1383 2sc1384.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors2SC1383 TRANSISTOR (NPN)2SC1384 TO-92L FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat).1.EMITTER Complementary Pair with 2SA0683 and 2SA0684.2.COLLECTOR 3.BASE C1383=Device code C1383Solid dot = Green molding compound device, Equivalent Circuit if none,
..4. Size:193K lzg 2sc1384 3da1384.pdf
2SC1384(3DA1384) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. :, 2SA684(3CA684) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SA684(3CA684). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)
..5. Size:166K tgs 2sc1383 2sc1384.pdf
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC1383 TRANSISTOR (NPN) TO-92L 2SC1384 FEATURES 1.EMITTER Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 2.COLLECTOR Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 60 V
0.1. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384.pdf
2SC1383/2SC1384 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 7.8008.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.350VCBO Collector-Base Voltage 30 60 V 0.550
0.2. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384 to-92mod.pdf
2SC1383/2SC1384 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD2.COLLECTOR 1 23.BASE 3 Features5.800 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 6.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltage 30
0.3. Size:514K semtech st2sc1383 st2sc1384.pdf
ST 2SC1383 / 2SC1384 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For low-frequency power amplification and driver Amplification. Complementary to 2SA683 to and 2SA684. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCo
Другие транзисторы… 2SC1378
, 2SC1379
, 2SC138
, 2SC1380
, 2SC1380A
, 2SC1381
, 2SC1382
, 2SC1383
, 2SC2073
, 2SC1385
, 2SC1385H
, 2SC1386
, 2SC1386H
, 2SC1387
, 2SC1388
, 2SC1388F
, 2SC138A
.
Туннельные транзисторы
Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта. Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.
Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.
/ фото PxHere PD
В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.