Irf830 mosfet

IRF830 vs 2SK1155 vs BUZ42

Here in this table, we listed the electrical specifications of IRF830, 2SK1155, and BUZ42 MOSFET devices.

Characteristics	IRF830	2SK1155	BUZ42
Drain to source  voltage (VDS))	500V	450V	500V
Gate to source voltage (Vgs)	20V	30V	20V
Gate threshold voltage (Vg(th))	2 to 4V	2 to 3V	2.1A to 4V
Drain current (Id)	4.5A	5A	4A
Pulsed drain current	18A	20A	16A
Total gate charge (Qg)	38nC	—	—
Power dissipation (PD)	74W	50W	75W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55  to +150°C
Drain to source on-state resistance (RDS)	1.5Ω	—	1.6 to 2Ω
Rise time (tr)	16ns	25ns	50 to 70ns
Reverse recovery time (trr)	320 to 640ns	300ns	300ns
Input capacitance	610pf	640pf	900pf
Output capacitance	160pf	160pf	100pf
Package	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB

Транзистор Irf830 — полевой МОП-транзистор, который обеспечивает высокую мощность и эффективность в различных электронных устройствах

Основные характеристики Irf830 включают высокое сопротивление канала (RDS(on)), что обеспечивает меньшие потери мощности и повышенную эффективность. Также, данный транзистор имеет высокий ток стока-истока (ID), что позволяет использовать его в приложениях с высокими токовыми нагрузками.

Irf830 предлагает низкое значение входной емкости (Ciss), что облегчает его управление и снижает требования к рабочему напряжению управляющей цепи. Кроме того, данный транзистор обладает высоким значением напряжения дрейна-истока (VDS), что позволяет использовать его в приложениях с высокими напряжениями.

Транзистор Irf830 имеет компактный и прочный корпус TO-220, который обеспечивает надежность и долговечность в эксплуатации. Это позволяет использовать его в различных условиях и средах.

Общие характеристики Irf830:

• Тип: полевой МОП-транзистор
• Корпус: TO-220
• Мощность: высокая
• Эффективность: высокая
• Сопротивление канала (RDS(on)): высокое
• Ток стока-истока (ID): высокий
• Входная емкость (Ciss): низкая
• Напряжение дрейна-истока (VDS): высокое

Транзистор Irf830 нашел широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, аудиоусилители, моторные устройства, световые приборы и другие. Благодаря своим высоким характеристикам, Irf830 является надежным и эффективным компонентом для различных приложений.

Аналоги

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Корпус
IRF630	100 W	200 V	20 V	4 V	10 A	150 °C	40 nC		1500 pf	0,4 Ohm	TO220
STP30NF20	125 W	200 V	20 V	4 V	30 A	150 °C	38 nC	15,7 ns	320 pf	0,075 Ohm	TO220
STP19NM50N	110 W	500 V	25 V	4 V	14 A	150 °C	34 nC	16 ns	72 pf	0,25 Ohm	TO220
STP13N60M2	110 W	600 V	25 V	4 V	11 A	150 °C	17 nC	10 ns	32 pf	0,38 Ohm	TO‑220
NCE65T130	260 W	650 V	30 V	4 V	28 A	150 °C	37,5 nC	12 ns	120 pf	0,13 Ohm	TO220
IRFP640	125 W	200 V	20 V	4 V	18 A	150 °C		51 ns	430 pf	0,18 Ohm	TO220
IRFB5620	144 W	200 V	20 V		25 A		25 nC			0,0725 Ohm	TO220AB
IRFB4620	144 W	200 V	20 V		25 A		25 nC			0,0725 Ohm	TO220AB
IRFB4020	100 W	200 V	20 V		18 A		18 nC			0,1 Ohm	TO220AB
IRF644A	139 W	250 V			14 A	150 °C			1230 pf	0,28 Ohm	TO220
IRF640A	139 W	200 V			18 A	150 °C			1160 pf	0,18 Ohm	TO220
IPP60R199CP	139 W	600 V	20 V	3,5 V	16 A	150 °C	32 nC	5 ns	72 pf	0,199 Ohm	TO220
IPP600N25N3G	136 W	250 V	20 V	4 V	25 A	175 °C	22 nC	10 ns	112 pf	0,06 Ohm	TO220
IPP50R190CE	127 W	500 V	20 V	3,5 V	18,5 A	150 °C		8,5 ns	68 pf	0,19 Ohm	TO‑220
IPP410N30N	300 W	300 V	20 V	4 V	44 A	175 °C		9 ns	374 pf	0,041 Ohm	TO‑220
IPP320N20N3	136 W	200 V	20 V	4 V	34 A	175 °C	22 nC	9 ns	135 pf	0,032 Ohm	TO‑220
IPP220N25NFD	300 W	250 V	20 V	4 V	61 A	175 °C		10 ns	398 pf	0,022 Ohm	TO‑220
IPA50R199CP	139 W	500 V	20 V	3,5 V	17 A	150 °C	34 nC	14 ns	80 pf	0,199 Ohm	TO220FP
FCP13N60N	116 W	600 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	30,4 nC			0,258 Ohm	TO220
BUZ61	150 W	400 V	20 V		12,5 A	150 °C				0,4 Ohm	TO‑220AB
BUZ30A	125 W	200 V	20 V	4 V	21 A	150 °C		70 ns	280 pf	0,13 Ohm	TO‑220
AOT42S60L	417 W	600 V	30 V	3,8 V	39 A	150 °C		53 ns	135 pf	0,099 Ohm	TO220
AOT11S60	178 W	600 V	30 V		11 A	150 °C		20 ns	37,3 pf	0,399 Ohm	TO‑220
18N20	110 W	200 V	30 V		18 A	150 °C		21,1 ns	81,2 pf	0,16 Ohm	TO251 TO252 TO220
18N40	360 W	400 V	30 V		18 A	150 °C		22 ns	280 pf	0,18 Ohm	TO‑247 TO‑220 TO‑220F1
18N50	277 W	500 V	30 V		18 A	150 °C		165 ns	330 pf	0,24 Ohm	TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2
15N40	170 W	400 V	30 V		15 A	150 °C		55 ns	210 pf	0,26 Ohm	TO‑220 TO‑220F1
15N50	170 W	500 V	30 V		15 A	150 °C		150 ns	250 pf	0,26 Ohm	TO‑220F2
12N40	192 W	400 V	30 V		12 A	150 °C		105 ns	900 pf	0,34 Ohm	TO‑220 TO‑220F1

В качестве отечественных аналогов могут подойти полевые транзисторы КП630 и КП737А.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Схема подключения транзистора Irf830

Для правильного подключения транзистора Irf830 рекомендуется следовать следующей схеме:

1. База (Gate): Данный контакт транзистора подключается к контролирующему устройству (например, микроконтроллеру) через резистор. Размер резистора может быть рассчитан на основе характеристик микроконтроллера и требований схемы.

2. Коллектор (Drain): Контакт транзистора, который подключается к нагрузке (например, электромотору или лампе). Этот контакт также может быть подключен к питающему напряжению.

3. Эмиттер (Source): Контакт, который подключается к общей земле схемы или отрицательному полю источника питания.

При подключении транзистора Irf830 следует обратить внимание на его максимальные рабочие параметры и убедиться, что напряжение и ток, протекающие через транзистор, находятся в указанных пределах. Также рекомендуется использовать радиатор для охлаждения транзистора при работе с большими мощностями

Схема подключения транзистора Irf830 предоставляет возможность эффективного управления большими нагрузками, при условии правильного выбора резистора для базы и соблюдения максимальных рабочих параметров транзистора.

IRFS630A Datasheet (PDF)

1.1. irfs630a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 ? Rugged Gate Ox >4.1. irfs634b.pdf Size:858K _upd

November 2001 IRF634B/IRFS634B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC) planar, DMOS technology. • Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored to �

4.2. irf634b irfs634b.pdf Size:859K _fairchild_semi

November 2001 IRF634B/IRFS634B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect � 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild�s proprietary, � Low gate charge ( typical 29 nC) planar, DMOS technology. � Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored to � Fast switchi

4.3. irfs634a.pdf Size:505K _samsung

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.45 ? Rugged Gate Ox >

Применение транзистора Irf830

Транзистор Irf830 широко используется в различных электронных схемах и устройствах. Его основное применение связано с коммутацией нагрузки и усилением сигнала в системах автоматического управления и силовой электронике.

К ключевым характеристикам транзистора Irf830 относятся:

Максимальное напряжение стока	500 В
Максимальный ток стока	4 А
Максимальная мощность стока	75 Вт
Сопротивление открытого канала	0,4 Ом
Время переключения	35 нс

Транзистор Irf830 обладает высокой надежностью и стабильностью работы при широком диапазоне рабочих температур. Он может использоваться в системах, требующих длительной работы в экстремальных условиях.

Одно из основных применений транзистора Irf830 — это коммутация нагрузки в силовых цепях. Благодаря его высокому току стока и мощности, транзистор Irf830 может эффективно управлять высокими нагрузками, такими как электромоторы, светодиодные ленты, реле и другие устройства.

Транзистор Irf830 также используется в схемах усиления сигнала, особенно в системах автоматического управления. Он позволяет усилить слабый входной сигнал до необходимого уровня, обеспечивая стабильное и точное управление устройствами и процессами.

Выводы транзистора Irf830 позволяют его удобно подключать к другим элементам схемы, например, с помощью пайки или использования специальных разъемов. Это позволяет легко интегрировать транзистор в различные электронные устройства и системы.

В целом, транзистор Irf830 является универсальным элементом, который можно успешно применять в различных областях электроники. Благодаря его высоким характеристикам и надежности, он обеспечивает качественную и стабильную работу системы.

IRF830 specification

• IRF830 is fast switching N-channel POWER MOSFET device
• Drain to source voltage (V_DS) is 500V
• Gate to source voltage (V_GS) is +/- 20V
• Gate to the threshold voltage (V_{GS (th)}) is 2V to 4V
• Drain current (I_D) is 5A
• Pulsed drain current (I_DM) is 18A
• Power dissipation (P_D) is 74W
• Total gate charge (Q_g) is 38nC
• Drain to source on-state resistance (R_{DS (ON)}) 5Ω
• Rise time (tr) is 16ns
• Peak diode recovery dv/dt is 5V/ns
• Thermal resistance junction to ambient (R_th j-A) is 62℃/W
• Junction temperature (T_J) is between -55 to 150℃
• Body diode reverse recovery (trr) 320 to 640ns
• Input capacitance is 610pf
• Output capacitance is 160pf
• Dynamic dv/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Ease of paralleling
• Simple drive requirement
• Cost efficient
• Low on-state resistance

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь. При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене

Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Назначение выводов

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.

Вам это будет интересно Установка двухзонного счетчика

Проверка диода в прямом направлении

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

Проверка диода в обратном направлении

1. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Работа полевого МДП транзистора

Схема подключения транзистора Irf830 включает в себя подключение источника питания, нагрузки и управляющего сигнала

Для правильного функционирования транзистора Irf830 необходимо правильно подключить его в схему. Это позволит использовать его для управления нагрузкой с помощью управляющего сигнала источника питания.

Схема подключение транзистора Irf830 включает следующие элементы:

1. Источник питания: он обеспечивает необходимое напряжение и ток для работы транзистора. Подключение источника питания к транзистору осуществляется через соответствующие контакты.
2. Нагрузка: это устройство или нагрузка, которое будет управляться с помощью транзистора. Нагрузка подключается к транзистору через соответствующие контакты.
3. Управляющий сигнал: это сигнал или сигналы, которые управляют работой транзистора. Управляющий сигнал подается на соответствующие контакты транзистора.

Правильное подключение всех перечисленных элементов позволит обеспечить работу транзистора Irf830 в заданном режиме и использовать его в соответствии с поставленными задачами.

Маркировка

Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя  — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .

Для чего нужен

ПТ нужны для того, чтобы управлять выходным током с помощью создаваемого электрического поля и изменять его важнейшие параметры. Структуры, созданные на основе полевого транзистора, часто используются в интегральных схемах цифрового и аналогового вида.

Именно за счет полевого управления, эти транзисторы воздействуют на величину приложенного к их затвору напряжения. Это отличает их от биполярных транзисторов, которые управляются током, который протекает через их базу. ПТ потребляют значительно меньшее количество электроэнергии, что и определило их популярность при использовании в ждущих и следящих устройствах, а также интегральных схемах малого потребления ( при организации спящего режима).

Важно! Одними из наиболее известных устройств, основанных на действии полевых транзисторов, являются пульты управления от телевизора, наручные часы электронного типа. Эти устройства за счет своего строения и применения ПТ могут годами работать от одного крошечного источника питания в виде батарейки

Как работает полевой транзистор?

ПТ с индуцированным каналом содержит три электрода — исток (source), сток (drain), и затвор (gate). 

Принцип работы ПТ наполовину понятен из графического обозначения и названия электродов.

Канал ПТ – это «водяная труба», в которую втекает «вода» (поток заряженных частиц, образующих электрический ток) через «источник» (исток).

«Вода» вытекает из другого конца «трубы» через «слив» (сток). Затвор – это «кран», который открывает или перекрывает поток. Чтобы «вода» пошла по «трубе», надо создать в ней «давление», т.е. приложить напряжение между стоком и истоком.

Если напряжение не приложено («давления в системе нет»), тока в канале не будет.

Если приложено напряжение, то «открыть кран» можно подачей напряжения на затвор относительно истока.

Чем большее подано напряжение, тем сильнее открыт «кран», больше ток в канале «сток-исток» и меньше сопротивление канала.

В источниках питания ПТ используется в ключевом режиме, т.е. канал или полностью открыт, или полностью закрыт.

Честно сказать, принципы действия ПТ гораздо более сложны, он может работать не только в ключевом режиме. Его работа описывается многими заумными формулами, но мы не будем здесь все это описывать, а ограничимся этими простыми аналогиями.

Скажем только, что ПТ могут быть с n-каналом (при этом ток в канале создается отрицательно заряженными частицами) и p-каналом (ток создается положительно заряженными частицами). На графическом изображении у ПТ с n-каналом стрелка направлена внутрь, у ПТ с p-каналом – наружу.

Собственно, «труба» — это кусочек полупроводника (чаще всего – кремния) с примесями химических элементов различного типа, что обуславливает наличие положительных или отрицательных зарядов в канале.

Теперь переходим к практике и поговорим о том,

MOSFET-транзистор — влияние резистора затвора

Большинство полевых МОП-транзисторов используются как переключатели, управляемые напряжением. Эти элементы очень популярны по двум причинам. Во-первых, их ворота не потребляют электричество. Во-вторых, из-за низкого сопротивления открытого канала происходят очень маленькие потери (что всегда является большим преимуществом).

Лучше всего проверить это на практике. На этот раз для выполнения упражнения вам понадобятся:

• 1 × зуммер с генератором,
• 1 × транзистор BS170,
• Резистор 1 × 100 R,
• Резистор 1 × 1 кОм,
• Резистор 1 × 1М,
• Батарея 4 × AA,
• 1 × корзина для 4 батареек АА,
• 1 × макетная плата,
• Комплект соединительных проводов.

Описание выводов транзистора BS170 (слева вид снизу, т.е. со стороны выводов)

Теперь нам необходимо собрать простую схему, в которой мы заменим резистор, подключенный к затвору — пусть в начале он будет 10 кОм. Если хотите, для безопасности, при сборке схемы, можно закоротить ножки транзистора фольгой — не забудьте снять ее непосредственно перед подключением батареи.

Пример использования полевого МОП-транзистора

На практике схема может выглядеть так:

Схема на макетной плате	MOSFET на практике

Если схема собрана правильно, зуммер должен пищать. В такой ситуации стоит измерить ток, протекающий через зуммер, и напряжение между стоком и истоком транзистора. Также стоит измерить напряжение между выводами резистора.

Измерение напряжения сток-исток	Измерение тока стока
Измерение напряжения затвор-исток	Измерение тока затвора

Когда измерения готовы, замените наш резистор на резистор большего размера, то есть на 1 МОм, и повторите измерения, затем то же самое для резистора 100 Ом. Наконец, также стоит проверить, что произойдет, если мы подключим затвор через резистор к земле.

Схема с заземлением

В этом эксперименте, каждый раз, напряжение транзистора UGS превышало пороговое значение напряжения. Это произошло из-за того, что исток был подключен к земле, а затвор — к напряжению, близкому к +6 В, а пороговое напряжение этого транзистора было от 2 до 3 В. В свою очередь, подключение затвора к земле вызвал исчезновение канала и отсутствие тока, потому что UGS = 0.

Идеально работающий мультиметр имел бы бесконечно большое сопротивление. Однако наш мультиметр имеет сопротивление 1 МОм, что приводит к большим искажениям при последовательном измерении с R = 1 МОм.

Результаты, полученные нами в этом упражнении, могут отличаться от ваших

Собранные в таблице данные, наглядно показывают состояние засорения и насыщения транзистора. В насыщенном состоянии (когда UGS намного больше, чем UGSth), сопротивление между стоком и истоком незначительно, следовательно, падение напряжения составляет порядка нескольких мВ, а сток ограничен током, ограниченным только зуммером. В засоренном состоянии сопротивление настолько велико, что ток стока практически не течет, и почти все напряжение протекает между стоком и истоком. Все эти наблюдения не зависят от используемого резистора затвора (ситуация была бы иной в случае с биполярными транзисторами).

Если резистор удален из работающей схемы (что мы не рекомендуем делать из-за возможности повреждения транзистора), зуммер все еще мог бы издавать звуковой сигнал. Почему? Затвор отделен от канала изолятором, поэтому там создается емкость, то есть там есть небольшой внутренний конденсатор. Только через некоторое время из-за несовершенства изолятора он разрядится.

Как проверить устройство с помощью мультиметра

Основная часть полевиков проверяется с помощью стандартного мультиметра. Первым делом нужно проверить, как работает так называемый диод-паразит, соединяющий выводы истока и стока. Далее — проверьте как мофсет открывают и закрывают одновременным быстрым прикосновением щупов оборудования к контактам G и S.

Если такая подача положительного заряда на первый вывод открывает транзистора, а между первым и вторым возникает короткое замыкание, значит, устройство находится в рабочем состоянии. При проблемах с его открытием, он нерабочий.

Но чтобы провести полноценную проверку мофсета, не достаточно одного мультиметра. Чтобы его открыть, на затворе должно быть напряжение максимум 4-5 В, а мультиметр выдает всего лишь 0,3. Так что, для проверки нужен запас источников питания, к примеру, стандартная крона.

Если быстро коснуться с помощью “минусовой” клеммы этой кроны контакта И, или “плюсово” — G, открывается транзистора. При этих условиях ток движется в 2 направлениях, можно сказать об исправности транзистора. До проверки на степени закрытия и открытия, проверьте, исправен ли паразитный диод. Взгляните на схему.

Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Особенности конструкции, хранения и монтажа

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора. Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток.
При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

Работоспособность катушки зажигания определяют проверкой сопротивлений на первичной и вторичной обмотках с помощью мультиметра.

1. Снять статическое электричество с транзистора.
2. Перевести мультиметр в режим проверки диодов.
3. Подключить черный провод мультиметра к минусу измерительного прибора, а красный – к плюсу.
4. Подключить красный провод к истоку, а черный – к стоку транзистора. Если транзистор исправен, то мультиметр покажет напряжение на переходе 0,5 — 0,7 В.

Подключить красный провод мультиметра к стоку, а черный – к истоку транзистора. При исправном приборе мультиметр покажет единицу, что означает бесконечность.
Подключить черный провод к истоку, а красный – к затвору. Таким образом, осуществляется открытие транзистора.
Черный провод оставляется на истоке, а красный подсоединяется к стоку. При исправном приборе мультиметр покажет напряжение от 0 до 800 мВ.
При смене полярности щупов мультиметра величина показаний не должна измениться.
Подключить красный провод к истоку, а черный – к затвору. Произойдет закрытие транзистора.
При этом транзистор возвратиться в состояние, соответствующее п.п.4 и 5.

По проделанным измерениям можно сделать вывод, что если полевой транзистор открывается и закрывается с помощью постоянного напряжения с мультиметра, то он исправен.

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

IRF830 MOSFET graphical curves

output characteristics of IRF830

The figure shows the output characteristics of IRF830 MOSFET, it is plotted with drain current vs drain to source voltage.

At the different gate-to-source voltage values, the drain current increases from a lower value to a higher value with respect to drain-to-source voltage. And then after a particular value, the current value will increase constantly.

maximum safe operating area characteristics of IRF830

The figure shows the maximum safe operating area characteristics of IRF830 MOSFET, the graph plots with drain current, drain to source voltage, on-state resistance, and switching speed.

This graphical representation gives us an idea about the working and the limitation of the MOSFET works under different conditions.

Обозначение и классификация (виды, типы) полевых транзисторов

Полевые транзисторы бывают с изолированным затвором (MOSFET, МОП) (первая буква индекса на картинке ‘A’) и с p-n переходом (первая буква индекса на картинке ‘B’). Прибор с изолированным затвором может работать при любой полярности напряжения на затворе, так как затвор изолирован от канала. Прибор с p-n переходом работает, только если p-n переход не проводит электрический ток, то есть прямое напряжение не может превышать нескольких десятых вольта.

Полевые транзисторы бывают с каналом n — типа (вторая буква индекса на картинке ‘A’) и p — типа (вторая буква индекса на картинке ‘B’). n — канальные транзисторы работают, когда напряжение на истоке меньше напряжения на стоке, p — канальные, наоборот, когда напряжение на истоке больше напряжения на стоке. На затвор n — канального полевого транзистора с p-n переходом нужно подавать отрицательное напряжение относительно истока, на затвор p — канального — положительное.

На изображении обозначены: (1) — сток, (2) — исток, (3) — затвор, (4) — подложка. Когда подложка соединена с истоком, это соединение показывается на изображении.

n — канальные полевые транзисторы с изолированным затвором могут быть обедненного типа и обогащенного типа. Обогащенные полевые транзисторы проводят ток, только если напряжение на затворе выше, чем на истоке. Обедненные перестают проводить ток (запираются) при некотором отрицательном напряжении на затворе относительно истока.

р — канальные полевые транзисторы бывают только обогащенными. Они начинают проводить ток (отпираются) при некотором отрицательном относительно истока напряжении на затворе.