Ztx450 pdf даташит

Аналоги

В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.

Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)

Тип	VCEO	IC	PC	hFE	fT	Корпус	Цоколевка*
S9014	45	100	450	60-1000	150	ТО-92	эбк
200	SOT-23	эбк
Импорт
BC547	45	100	625	110 – 800	150	ТО-92	кбэ
MPSW06	60	500	1000	от 80	50	ТО-92	эбк
BC550	45	100	500	420-800	300	ТО-92	кбэ
MPSA43	200	500	625	от 25	от 50	ТО-92	эбк
2SD1938	20	300	200	500 –2500	80	SOT-346	эбк
9014SLT1	45	100	300	300	300	SOT-23	эбк
2N7051	100	1500	625	от 1000	200	ТО-92	экб
Российское производство
КТ3102	20-50	100	250	100 – 1000	от 150	ТО-92	кбэ
КТ6111	45	100	450	60 – 1000	от 150	ТО-92	кбэ

*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)

Примечания.

1. Значение V_CEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.

2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).

3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.

Рис. 7. Корпуса  SOT-23 и SOT-346.

Таблица 4. Размеры SMD-корпусов

Корпус	А (мм)	B (мм)	S (мм)	H (мм)
SOT-23	2,9	1,3	2,4	0,95
SOT-346	2,9	1,6	2,8	1,1

Основные технические характеристики

У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):

физические:

• принцип действия – биполярный;
• корпус ТО-92, SOT-23;
• материал корпуса – пластмасса;
• материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;

электрические:

• проводимость – обратная (n-p-n);
• максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) I_{K макс} (I_{c max}) 0,15 А или 150 мА (mA);
• максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U _{КЭ макс.} (V_CEmax) не более 50 В (V);
• максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U_{КБ макс.} (V_CBmax) не более 60 В (V);
• максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) U_{ЭБ макс} (V_{ЕВ max}) не более 5 В (V);
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) U_КЭ.нас. (V_CEsat) не более 0.3 В (V);
• граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) f_гр (f_t) от 100 до 450 МГц (MHz), при U _{КЭ =} 6 В (V), I_K = 10 мА (mA);
• максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) I_КБО (I_CBO) не более 0.01 мкА (µA), при U _{КБ макс.} (V_CBО ) = 60 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора I_Э (I_E)=0);
• максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) I_ЭБО (I_EBO) не более 0.01 мкА (µA), при U _{EБ макс.} (V_EBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора I_К (I_С)=0);
• максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) P_{K макс.} (P_C) 0,400 Вт (Watt) или 400 мВт (mW);
• максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.
• Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) при U_{КЭ макс} = 6 В (V) и I_{K макс}  = 1 мА (mA) находится в пределах от 70 до 700 H_fe.

Классификация по H_fe

Наименование	Коэффициент Hfe
С945-Y	120-240
С945-O	70-140
С945-R	90-180
С945-Q	135-270
С945-P	200-400
C945-K	300-600
C945-G	200-400
C945-GR	200-400
C945-BL	350-700
C945-L (SOT-23)	120-200
C945-H (SOT-23)	200-400

Точное значение H_feсмотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer H_fe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения U_CE от управляющего тока базы I_B при различных нагрузках I_C.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры T_j = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

• зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки I_C;
• зависимость напряжения насыщения U_BE(sat) от тока нагрузки I_C (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
• зависимость управляющего напряжения U_BE база-эмиттер от тока нагрузки I_C при коллекторном напряжении U_CE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки I_C:

• Ɵ_UC – для коллекторного напряжения насыщения U_CE(sat);
• Ɵ_UB – напряжения базы U_BE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току I_C/I_B не превышающем ¼ от значения h_FE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

• зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения U_CE = 30 В;
• область разделена осью U_BE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора I_CES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

• шкала (помечена на графике T_A) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
• шкала (помечена на графике T_C) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания t_r импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C и отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда t_s в п/п структуре и времени спадания t_f импульса от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C, отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10 и равенстве токов I_B1 = I_B2.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

• сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения U_CEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
• штрихпунктирная ограничивающая линия –
• U_CE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
• пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры T_j = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса T_C = 25°C).

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

Alternate Parts for ZTX450

This table gives cross-reference parts and alternative options found for ZTX450. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of ZTX450, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.

Functional Equivalents (10)

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
FXT450STOB	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Diodes Incorporated	ZTX450 vs FXT450STOB
FXT450STOB	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs FXT450STOB
ZTX450STZ	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Diodes Incorporated	ZTX450 vs ZTX450STZ
FXT450STOE	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs FXT450STOE
ZTX450STOA	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX450STOA
FXT450STOE	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, E-LINE PACKAGE-3	Diodes Incorporated	ZTX450 vs FXT450STOE
ZTX450K	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX450K
FXT450STZ	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Diodes Incorporated	ZTX450 vs FXT450STZ
ZTX450L	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX450L
ZTX450-BP	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Micro Commercial Components	ZTX450 vs ZTX450-BP

Part Number	Description	Manufacturer	Compare
ZTX450STZ	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX450STZ
FXT455STOF	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs FXT455STOF
FXT450	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs FXT450
ZTX455K	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX455K
BC368ZL1G	1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN	Rochester Electronics LLC	ZTX450 vs BC368ZL1G
ZTX455Q	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX455Q
ZTX450STOA	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX450STOA
ZTX550	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX550
ZTX455L	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX455L
ZTX455STOB	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Zetex / Diodes Inc	ZTX450 vs ZTX455STOB

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель	PC, TC=25°C	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
TIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C	25	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220IS
TIP42CG/L	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
300	15…75	TO-263
TIP42CG/L	22	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220F
TIP42CG/L	20	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-252
STTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
HTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TIP42E	65	180	140	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42F	65	200	160	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42P	100	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента h_FE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону h_FE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

•    TIP42C R – диапазон h_FE от 15 до 28;
•    TIP42C O – диапазон h_FE от 24 до 44;
•    TIP42C Y – диапазон h_FE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по h_FE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

•    TIP42CG(L) – A — диапазон h_FE от 15 до 30;
•    TIP42CG(L) – B — диапазон h_FE от 28 до 48;
•    TIP42CG(L) – C — диапазон h_FE от 45 до 75.

Транзистор, который включен по схеме с общим эмиттером

В данной конфигурации вывод эмиттера является общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация обеспечивает среднее полное сопротивление на входе, среднее полное сопротивление на выходе, средний коэффициент усиления тока и коэффициент усиления напряжения.

Рисунок 9 Схема с общим эмиттером

Характеристики входа

Рисунок 10 показывает характеристики входа для данной конфигурации, которая объясняет изменение в IB в соответствии с VBE, где VCE является постоянной.

Рисунок 10 Характеристики входа

Исходя из рисунка, сопротивление на входе может быть представлено как:

Характеристики выхода

Характеристики выхода у такой конфигурации (Рисунок 11) также рассматриваются как характеристики коллектора. Этот график показывает изменение в IC с изменениями в VCE, когда IB удерживается постоянной. Исходя из графика, можно получить сопротивление на выходе следующим образом:

Рисунок 11 Характеристики выхода

Характеристики передачи тока

Эти характеристики данной конфигурации показывают изменение IC с IB, удерживающим VCE в качестве постоянной. Это может быть математически выражено как:

Это соотношение рассматривается как коэффициент усиления тока с общим эмиттером, и оно всегда больше единицы.

Рисунок 12 Характеристики передачи тока

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

ZTX450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  diodes ztx450 ztx451.pdf

NPN SILICON PLANARZTX450MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX451ISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i tsnS 800700600500400E-Line300TO92 Compatible200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.1001 T T T IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V 8 V I V I

 ..2. Size:373K  lzg ztx450 3da450.pdf

ZTX450(3DA450) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :/Features: High P and I . C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 45 V CEO V 5.0 V EBO I 1.0 A C

 9.1. Size:57K  diodes ztx458.pdf

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER 8 ZTX458HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i 0E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V10 20 II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T =10 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II

 9.2. Size:53K  diodes ztx454 ztx455.pdf

NPN SILICON PLANARZTX454MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX455ISSUE 2 MARCH 1994 T V I V tsS i 7654td3 nS100 E-Line2TO92 Compatible501ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0 0 T T T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V V I V I 1

 9.3. Size:40K  diodes ztx457.pdf

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX457HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V

 9.4. Size:226K  foshan ztx458 3da458.pdf

ZTX458(3DA458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power high voltage applications. : Features: High V , high P . CEO C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 400 V CBO V 400 V CEO V 5.0

Параметры, характеристики irfp450

Вашему вниманию подборки материалов: Конструирование источников питания и преобразователей напряжения Разработка источников питания и преобразователей напряжения. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам

Максимально допустимое напряжение: 500 В.

Максимально допустимый средний ток (при условии выполнения требований по мощности) при температуре корпуса 25 грЦ: 14 А.

Максимально допустимый средний ток (при условии выполнения требований по мощности) при температуре корпуса 100 грЦ: 9 А.

Какая будет температура у корпуса в реальных условиях, предсказать тяжело. Я советую использовать этот прибор на ток до 10 — 11 А. Эти транзисторы легко можно соединять параллельно, если нужны большие токи.

Максимальный импульсный ток: 56 А. Конечно, вероятно, МОП транзистор irfp 450 может выдержать этот ток одноразово, в течение очень короткого времени. Но по моей практике пиковая сила тока через этот MOSFET не должна превышать 30 — 35 А. Иначе устройство будет работать ненадежно.

Максимальная рассеиваемая мощност:ь 190 Вт. Я на самом деле сделал устройство, где этот транзистор рассеивал близкую мощность. Применялось жидкостное охлаждение. irfp50 отлично работает в нем и по сей день.

Максимальная энергия, которая может рассеиваться прибором периодически: 19 мДж.

Максимальное напряжение на затворе: +- 20 В.

Управляющее напряжение: от 10 до 15 В. Вообще использование более высокого управляющего напряжения снижает потери и нагрев, но нельзя допускать превышения максимального напряжения на затворе с учетом некоторых его бросков в результате переходных процессов. Отсюда и выбран интервал.

Сопротивление в открытом состоянии при управляющем напряжении 10 В, токе стока 8.4 А: 0.4 Ом. Если управляющее напряжение будет больше, то сопротивление будет немного меньше. При росте тока сопротивление тоже немного снижается. Но для оценки потерь на проводимость имеет смысл использовать именно это значение, тогда Вы получите расчетное значение немного выше реального, что неплохо.

Емкость затвор — исток: 2.6 нФ.

Емкость затвор — сток: 0.2 нФ.

Емкость исток — сток: 0.72 нФ.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Биполярный транзистор ZTX450 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ZTX450

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

ZTX450
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  diodes ztx450 ztx451.pdf

NPN SILICON PLANARZTX450MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX451ISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i tsnS 800700600500400E-Line300TO92 Compatible200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.1001 T T T IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V 8 V I V I

 ..2. Size:373K  lzg ztx450 3da450.pdf

ZTX450(3DA450) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Medium power amplifier applications. :/Features: High P and I . C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 45 V CEO V 5.0 V EBO I 1.0 A C

 9.1. Size:57K  diodes ztx458.pdf

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER 8 ZTX458HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i 0E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V10 20 II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T =10 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II

 9.2. Size:53K  diodes ztx454 ztx455.pdf

NPN SILICON PLANARZTX454MEDIUM POWER TRANSISTORSZTX455ISSUE 2 MARCH 1994 T V I V tsS i 7654td3 nS100 E-Line2TO92 Compatible501ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0 0 T T T IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T T T IT DITI I I II V V I V I 1

 9.3. Size:40K  diodes ztx457.pdf

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX457HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 2 MARCH 1994 T V I V i E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V

 9.4. Size:226K  foshan ztx458 3da458.pdf

ZTX458(3DA458) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power high voltage applications. : Features: High V , high P . CEO C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 400 V CBO V 400 V CEO V 5.0

Другие транзисторы… ZTX4402K
, ZTX4402L
, ZTX4402M
, ZTX4403
, ZTX4403K
, ZTX4403L
, ZTX4403M
, ZTX449
, BD135
, ZTX451
, ZTX452
, ZTX453
, ZTX454
, ZTX455
, ZTX457
, ZTX458
, ZTX500
.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код	Сопротивление
101	100 Ом
471	470 Ом
102	1 кОм
122	1.2 кОм
103	10 кОм
123	12 кОм
104	100 кОм
124	120 кОм
474	470 кОм

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.